JPS59121640A - テ−プ始終端検出方法 - Google Patents
テ−プ始終端検出方法Info
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- JPS59121640A JPS59121640A JP57229460A JP22946082A JPS59121640A JP S59121640 A JPS59121640 A JP S59121640A JP 57229460 A JP57229460 A JP 57229460A JP 22946082 A JP22946082 A JP 22946082A JP S59121640 A JPS59121640 A JP S59121640A
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- light emitting
- light
- emitting diode
- microcomputer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
- G11B15/05—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container
- G11B15/06—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape
- G11B15/08—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing features present on or derived from record carrier or container by sensing auxiliary features on record carriers or containers, e.g. to stop machine near the end of a tape by photoelectric sensing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、テープ始終端部に゛設けられた透明テープと
磁気テープとの光透過量の差異を利用した磁気記録再生
装置のテープ始終端検出方法に関するものである。
磁気テープとの光透過量の差異を利用した磁気記録再生
装置のテープ始終端検出方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第1図に従来のテープ始終端検出の構成を示す。
第1図において、(LED 、 )は発光ダイオード、
(R1)は抵抗器、+1)はテープ、(PQI)は発光
ダイオード(LED、)から発せられた光をテープIl
+を通過して受光できるように設置されたフォトトラン
ジスタ、(R2)はフォトトランジスタ(PQ 1)の
エミッタ端子とアースとの間に接続された抵抗d、+2
1は電圧比較器、(3)は電圧比較器(2)の出カイd
号を入力する装置のシーケンシャル制御回路、(4)は
基準電位Va。
(R1)は抵抗器、+1)はテープ、(PQI)は発光
ダイオード(LED、)から発せられた光をテープIl
+を通過して受光できるように設置されたフォトトラン
ジスタ、(R2)はフォトトランジスタ(PQ 1)の
エミッタ端子とアースとの間に接続された抵抗d、+2
1は電圧比較器、(3)は電圧比較器(2)の出カイd
号を入力する装置のシーケンシャル制御回路、(4)は
基準電位Va。
を電圧比較器(2)に与えるための電源である。すなわ
ち、シーケンシャル制御回路(3)は、テープ+11が
走行中に、電圧比較器(2)より、透明テープである時
の信号が送られれば、テープ(1)の走行を停止するよ
うな動作をする。第2図は基本的なフ第1・トヲンジス
タの特性の説明図で、フォトトランジスタが受光する照
度、Lと、フォトトランジスタのコレクターエミッタ間
に流れる電流ICEとの関係を示したものである。
ち、シーケンシャル制御回路(3)は、テープ+11が
走行中に、電圧比較器(2)より、透明テープである時
の信号が送られれば、テープ(1)の走行を停止するよ
うな動作をする。第2図は基本的なフ第1・トヲンジス
タの特性の説明図で、フォトトランジスタが受光する照
度、Lと、フォトトランジスタのコレクターエミッタ間
に流れる電流ICEとの関係を示したものである。
従来のテープ始終端部検出方法を説明する。発光ダイオ
ード(LEDθによって発せられた光がテープ+11を
透過してフォトトランジスタ(PQI)へ到達する。仮
にテープil+が透明テープでめれば、フォトトランジ
スタ(PQl) Kは電流ICEが流れ、フォトトラン
ジスタ(”QJ)エミッタの電位Vpが薔くなる。そし
てこの電位vpが基準電位■aよりも晶〈なり、電圧比
較器、(2)から制御回路、力へ信号が発せられ、テー
プ走行が停止する。もし仮にテープ+11が磁気テープ
であれば、発光ダイオード(LED、)から発せられた
光がフォトトランジスタ(PQI)−1’ハはとんど受
光できず、電位vpは基準電位Vaを越えることができ
ないように設計されている。すなわち、透明テープと磁
気テープとの光透過率の差を利用して、透明テープと磁
気テープとの判別していた。
ード(LEDθによって発せられた光がテープ+11を
透過してフォトトランジスタ(PQI)へ到達する。仮
にテープil+が透明テープでめれば、フォトトランジ
スタ(PQl) Kは電流ICEが流れ、フォトトラン
ジスタ(”QJ)エミッタの電位Vpが薔くなる。そし
てこの電位vpが基準電位■aよりも晶〈なり、電圧比
較器、(2)から制御回路、力へ信号が発せられ、テー
プ走行が停止する。もし仮にテープ+11が磁気テープ
であれば、発光ダイオード(LED、)から発せられた
光がフォトトランジスタ(PQI)−1’ハはとんど受
光できず、電位vpは基準電位Vaを越えることができ
ないように設計されている。すなわち、透明テープと磁
気テープとの光透過率の差を利用して、透明テープと磁
気テープとの判別していた。
第5図は第1図に示す始終端検出回路における発光ダイ
オード(LEDl)の電流■Dとフォトトランジスタ(
PQI)のエミッタの電位Vpとの関係の説明図である
。第6図において、実線(イ)はフォトトランジスタ(
PQ□)へ発光ダイオード(LED、)から発せられる
光以外の外乱光が全く影響を与えない条件下での透明テ
ープにおけるよりとvpとの関係を示したもので、実線
(ロ)は外乱光の影響を最も受ける条件下での磁気テー
プにおけるIl)とvpとの関係を示したものである。
オード(LEDl)の電流■Dとフォトトランジスタ(
PQI)のエミッタの電位Vpとの関係の説明図である
。第6図において、実線(イ)はフォトトランジスタ(
PQ□)へ発光ダイオード(LED、)から発せられる
光以外の外乱光が全く影響を与えない条件下での透明テ
ープにおけるよりとvpとの関係を示したもので、実線
(ロ)は外乱光の影響を最も受ける条件下での磁気テー
プにおけるIl)とvpとの関係を示したものである。
基準電位Vaは実線(イ)(ロ)で示す特性を考慮して
決定される。即ち、vaをVa1の如く大きく設定する
と外乱光に対しては強くなるが、発光ダイオード(IJ
’D、)に流す電流を大キくシないと透明テープを検出
することができなくなってしまう0逆に、VaをVa2
の如く小さく設定すると、磁気テープにおいても外乱光
をフォトトランジスタ(PQI)が受光して゛成位Vp
が高くなってしまい、透明テープとの区別ができなくな
ってしまう。第5図のようにvaを設定すると、発光ダ
イオード(LEDj) Kは、最低18以上の電流を流
す必要が生じる。
決定される。即ち、vaをVa1の如く大きく設定する
と外乱光に対しては強くなるが、発光ダイオード(IJ
’D、)に流す電流を大キくシないと透明テープを検出
することができなくなってしまう0逆に、VaをVa2
の如く小さく設定すると、磁気テープにおいても外乱光
をフォトトランジスタ(PQI)が受光して゛成位Vp
が高くなってしまい、透明テープとの区別ができなくな
ってしまう。第5図のようにvaを設定すると、発光ダ
イオード(LEDj) Kは、最低18以上の電流を流
す必要が生じる。
第4図は、第6図と同様に、第1図に示す回路における
Il)とVpとの関係を示す説明図で、実線(ハ)に)
は、第6図に実線(イ)で示す特性を、抵抗器(R2)
の抵抗値Rpを変えた時の特性を示している。すなわち
実線(ハ)はRpO値が第5図に示す特性より大きいと
き、実線に)はRpO値が小さいときの特性である。同
様に、磁気テープの状態での外乱光の影響のカーブも、
Rpの値によって第6図の実線(ロ)の傾斜は寝たり、
立ったりする。すなわちRpの値によって、フォトトラ
ンジスタ(PQJ)の感度が決まってくる。
Il)とVpとの関係を示す説明図で、実線(ハ)に)
は、第6図に実線(イ)で示す特性を、抵抗器(R2)
の抵抗値Rpを変えた時の特性を示している。すなわち
実線(ハ)はRpO値が第5図に示す特性より大きいと
き、実線に)はRpO値が小さいときの特性である。同
様に、磁気テープの状態での外乱光の影響のカーブも、
Rpの値によって第6図の実線(ロ)の傾斜は寝たり、
立ったりする。すなわちRpの値によって、フォトトラ
ンジスタ(PQJ)の感度が決まってくる。
この様に、抵抗値7 Rpを第4図に実線に)で示す特
性の如く感度を下げたように設定すれば、外乱光に対す
る影響は低減できるが1発光ダイオード(LED 、)
に流す電流を大きくする必要が生じるし、抵抗値Rpを
第4図に実線(ハ)で示す特性の如く感度を上げたよう
に設定すれば、外乱光に対して不安定な検出回路となる
。
性の如く感度を下げたように設定すれば、外乱光に対す
る影響は低減できるが1発光ダイオード(LED 、)
に流す電流を大きくする必要が生じるし、抵抗値Rpを
第4図に実線(ハ)で示す特性の如く感度を上げたよう
に設定すれば、外乱光に対して不安定な検出回路となる
。
すなわち、従来は夏の晴天時の直射光の下においても誤
動作しないように定数が決定されていた。
動作しないように定数が決定されていた。
この結果、フォトトランジスタ(PQ、)の感度は抵抗
値Rpを小さくして感度を下げて、電流IDを大きく流
すことにより、安定性を確保していた。このため、Il
)は数十mAという大きい電流を流すことになり、実際
には電流低減の為に、間欠的に発光ダイオード(LED
、)に電流を流している。しかしながら、このような
従来の方法では、室内等外乱光の影響をあまり受けない
時においても、同様に大成流が流れているので、電力を
無駄に消費していることになる。
値Rpを小さくして感度を下げて、電流IDを大きく流
すことにより、安定性を確保していた。このため、Il
)は数十mAという大きい電流を流すことになり、実際
には電流低減の為に、間欠的に発光ダイオード(LED
、)に電流を流している。しかしながら、このような
従来の方法では、室内等外乱光の影響をあまり受けない
時においても、同様に大成流が流れているので、電力を
無駄に消費していることになる。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、消費電力の
低減化を図ることのできるテープ始終端検出方法を得る
ことを目的とする。
低減化を図ることのできるテープ始終端検出方法を得る
ことを目的とする。
発明の構成
上記目的を達するだめ、本発明のテープ始終端検出方法
は、テープ始終端部に設けられた透明テープと磁気テー
プとの光透過率の差異を利用し、発光素子とこの発光素
子から発せられた光をテーブを透過して受光するように
設けられた受光素子とでテープ始終端を検出するテープ
始終端検出方法であって、外乱光レベルを検出してその
レベルが小さいときには前記受光素子の感度を上げかつ
前記発光素子に流す電流を小さくするよう制御する構成
である。
は、テープ始終端部に設けられた透明テープと磁気テー
プとの光透過率の差異を利用し、発光素子とこの発光素
子から発せられた光をテーブを透過して受光するように
設けられた受光素子とでテープ始終端を検出するテープ
始終端検出方法であって、外乱光レベルを検出してその
レベルが小さいときには前記受光素子の感度を上げかつ
前記発光素子に流す電流を小さくするよう制御する構成
である。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について1図面に基づいて説明
する。
する。
第5図はテープ始終端検出回路の回路ブロック図であり
、第1図に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符
号を付してその説明を省略する。
、第1図に示す構成要素と同一の構成要素には同一の符
号を付してその説明を省略する。
(5)は第2の電圧比較器、(6)は第2の電圧比較器
(5)に第2の基準電位VB t−与えるための電源、
(7)は第1の電圧比較器(2)の出力(e)と第2の
電圧比較器(5)の出力(6)とを入力とするマイクロ
コンピュータ、(8) ハマイクロコンピュータ(7)
の出力端(9)からの指令によって発光ダイオード(L
ED、)を点燈させるための電流増幅器、(Q、) (
Ql) #iマイクロコンピュータ(7)の出力端αO
からの指令によって動作するトランジスタ、(R3)
ハ)ランジスタCQs)のコレクタと発光ダイオード(
LED 、)との間に接続された抵抗器、(R4)はフ
ォトトランジスタ(PQl)のエミッタとトランジスタ
(Ql)のコレクタとの間に接続された抵抗器、(R’
5)はトランジスタ(Q、) 、!:マイクロコンピュ
ータ(7)の出力端α℃との間に接続された抵抗器であ
る。
(5)に第2の基準電位VB t−与えるための電源、
(7)は第1の電圧比較器(2)の出力(e)と第2の
電圧比較器(5)の出力(6)とを入力とするマイクロ
コンピュータ、(8) ハマイクロコンピュータ(7)
の出力端(9)からの指令によって発光ダイオード(L
ED、)を点燈させるための電流増幅器、(Q、) (
Ql) #iマイクロコンピュータ(7)の出力端αO
からの指令によって動作するトランジスタ、(R3)
ハ)ランジスタCQs)のコレクタと発光ダイオード(
LED 、)との間に接続された抵抗器、(R4)はフ
ォトトランジスタ(PQl)のエミッタとトランジスタ
(Ql)のコレクタとの間に接続された抵抗器、(R’
5)はトランジスタ(Q、) 、!:マイクロコンピュ
ータ(7)の出力端α℃との間に接続された抵抗器であ
る。
第6図はマイクロコンピュータ(7)が行なう始終端検
出を行なう処理手順のフローチャートである。
出を行なう処理手順のフローチャートである。
第7図は発光ダイオード(LED、) ic流れる電流
II)とフォトトランジスタ(PQl)のエミッタの電
位Vpとの関係の説明図で、実線(ホ)は外乱光の影響
をほとんど受けないときでトランジスタ(Ql)’tオ
フしたときの透明テープの場合、実線(へ)は実線(ホ
)と同状態のときの磁気テープの場合、実線(ト)は外
乱光の影響を強く受けたときでトランジスタ(Q、)
t−オンしたときの透明テープの場合、実線(イ)は実
線(ト)と同状態のときの磁気テープの場合を示してい
る。
II)とフォトトランジスタ(PQl)のエミッタの電
位Vpとの関係の説明図で、実線(ホ)は外乱光の影響
をほとんど受けないときでトランジスタ(Ql)’tオ
フしたときの透明テープの場合、実線(へ)は実線(ホ
)と同状態のときの磁気テープの場合、実線(ト)は外
乱光の影響を強く受けたときでトランジスタ(Q、)
t−オンしたときの透明テープの場合、実線(イ)は実
線(ト)と同状態のときの磁気テープの場合を示してい
る。
第8図は電位Vp及びvbとマイクロコンピュータ(7
)の入出力のタイミングとの関係の説明図で、(a)ハ
マイクロコンピュータ(7)の出力端(9)からの出力
波形で、この出力がハイレベルの期間だけ発光ダイオー
ド(LED 、)が点灯する。(b)は第2の電圧比較
器(5)の出力信号を読込むタイミングを示しており、
ハイレベルの期間に第2の電圧比較器(5)の出力信号
がマイクロコンピュータ(7)の入力端(6)に入力さ
れ、その入力信号は次の入力信号が読込寸れるまでラッ
チされる。(C)は電位Vpと電位vbとの大小関係を
示している。(d)はマイクロコンピュータ(7)の端
00αのからの出力波形であり、この出力がハイレベル
のと@K)ランジスJ (QJ) (Ql)がオンする
。(e)は第1の電圧比較器(2)の出力信号を読込む
タイミングを示してか9、ハイレベルの期間ニ第1の電
圧比較器+21の出力信号がマイクロコンピュータ(7
)の入力端(至)に読込まれる。この読込みのタイミン
グは発光ダイオード(LED、)が点灯するタイミング
と同期されている。
)の入出力のタイミングとの関係の説明図で、(a)ハ
マイクロコンピュータ(7)の出力端(9)からの出力
波形で、この出力がハイレベルの期間だけ発光ダイオー
ド(LED 、)が点灯する。(b)は第2の電圧比較
器(5)の出力信号を読込むタイミングを示しており、
ハイレベルの期間に第2の電圧比較器(5)の出力信号
がマイクロコンピュータ(7)の入力端(6)に入力さ
れ、その入力信号は次の入力信号が読込寸れるまでラッ
チされる。(C)は電位Vpと電位vbとの大小関係を
示している。(d)はマイクロコンピュータ(7)の端
00αのからの出力波形であり、この出力がハイレベル
のと@K)ランジスJ (QJ) (Ql)がオンする
。(e)は第1の電圧比較器(2)の出力信号を読込む
タイミングを示してか9、ハイレベルの期間ニ第1の電
圧比較器+21の出力信号がマイクロコンピュータ(7
)の入力端(至)に読込まれる。この読込みのタイミン
グは発光ダイオード(LED、)が点灯するタイミング
と同期されている。
テープ終始端検出には、ます外乱光レベルを検出する。
そのためマイクロコンピュータ(7)出力端(9)から
ローレベルの信号を送り、電流増幅器(8)をオンし、
発光ダイオード(LED 、)を消灯しておく。
ローレベルの信号を送り、電流増幅器(8)をオンし、
発光ダイオード(LED 、)を消灯しておく。
tだ、マイクロコンピュータ(7)の出力端α℃からロ
ーレベルの信号を送り、フォトトランジスタ(PQJ)
の感度を上げておく。このときに第8図(b) K示し
たタイミングで第2の電圧比較器(5)の出力をマイク
ロコンピュータ(7)が入力端@よシ読込む。もし電位
Vpが電位Vbより低ければ、マイクロコンピュータ(
7)の出力端(LOtll)jcコロ−ベルの信号を送
り、トランジスタ(Ql) (Ql)をオフさせる。こ
うしてフォトトランジスタ(PQI)を高熱度にした状
態で、発光ダイオード(LED、) K小電流しか流れ
ないようにして、第1の電圧比較器(2)の出力を第8
図(e) K示したように発光ダイオード(LED 、
)が点灯している期間に同期したタイミングでマイクロ
コンピュータ〔7)の入力端(至)より読込む。外乱光
の影響をあまシ受けないときけ、第7図における実線(
ホ)(へ)の特性を示すので、発光ダイオード(LED
、)に流れる電流が工3(第7図)を越えれば小電流
でも磁気テープと透明テープとの区別が可能である。逆
にもし外乱光の影響が強く電位vpが電位vbよりも高
いときは、マイクロコンピュータ(7)の出力端flO
(11)カラハイレベルの信号を送9、トランジスタ(
Ql)(Q2)をオンさせ、フォトトランジスタ(PQ
I)の感度を落とし、発光ダイオード(LED 、)に
流す電流を大きくして、第1の電圧比較器(2)の出力
を発光ダイオード(LEI)、)が点灯している期間に
同一したタイミングでマイクロコンピュータ(7)の入
力端(至)より読込む。このように、外乱光の影響が強
いときは、第7図における実線(ト)(イ)の特性を示
すので発光ダイオード(LED 、)には14(第7図
)以上の電流を流す様にすることが必要で、そうしない
と磁気テープと透明テープとの区別ができない、以上、
第6図に示したように、外乱光の影響の強弱でフォト・
トランジスタ(PQI)の感度、発光ダイオード(LE
D 、)に流す電流を変え、透明テープの検出を行う。
ーレベルの信号を送り、フォトトランジスタ(PQJ)
の感度を上げておく。このときに第8図(b) K示し
たタイミングで第2の電圧比較器(5)の出力をマイク
ロコンピュータ(7)が入力端@よシ読込む。もし電位
Vpが電位Vbより低ければ、マイクロコンピュータ(
7)の出力端(LOtll)jcコロ−ベルの信号を送
り、トランジスタ(Ql) (Ql)をオフさせる。こ
うしてフォトトランジスタ(PQI)を高熱度にした状
態で、発光ダイオード(LED、) K小電流しか流れ
ないようにして、第1の電圧比較器(2)の出力を第8
図(e) K示したように発光ダイオード(LED 、
)が点灯している期間に同期したタイミングでマイクロ
コンピュータ〔7)の入力端(至)より読込む。外乱光
の影響をあまシ受けないときけ、第7図における実線(
ホ)(へ)の特性を示すので、発光ダイオード(LED
、)に流れる電流が工3(第7図)を越えれば小電流
でも磁気テープと透明テープとの区別が可能である。逆
にもし外乱光の影響が強く電位vpが電位vbよりも高
いときは、マイクロコンピュータ(7)の出力端flO
(11)カラハイレベルの信号を送9、トランジスタ(
Ql)(Q2)をオンさせ、フォトトランジスタ(PQ
I)の感度を落とし、発光ダイオード(LED 、)に
流す電流を大きくして、第1の電圧比較器(2)の出力
を発光ダイオード(LEI)、)が点灯している期間に
同一したタイミングでマイクロコンピュータ(7)の入
力端(至)より読込む。このように、外乱光の影響が強
いときは、第7図における実線(ト)(イ)の特性を示
すので発光ダイオード(LED 、)には14(第7図
)以上の電流を流す様にすることが必要で、そうしない
と磁気テープと透明テープとの区別ができない、以上、
第6図に示したように、外乱光の影響の強弱でフォト・
トランジスタ(PQI)の感度、発光ダイオード(LE
D 、)に流す電流を変え、透明テープの検出を行う。
第1の電圧比較器(2)の出力を発光ダイオード(LE
D 、)が点灯している期間に同期してマイクロコンピ
ュータ(7)が入力するようにして劾けば1発光ダイオ
ード(LED 、)が消灯している期間は誤情報が入力
されることなく検出信頼性がit−る。
D 、)が点灯している期間に同期してマイクロコンピ
ュータ(7)が入力するようにして劾けば1発光ダイオ
ード(LED 、)が消灯している期間は誤情報が入力
されることなく検出信頼性がit−る。
マイクロコンピュータ(7)の入力端(至)ヘハイレベ
ルの信号が第1の電圧比較器(2)より入力されると、
マイクロコンピュータ(7)から制御回路(図示せず)
へ指令が発せられ、テープ走行が停止される。入力端(
至)へローレベルの信号が入力されるときは、ひき続い
てテープ始終端検出が行なわれる。テープil+が透明
テープであると、外乱光レベルは磁気テープであるとき
のそれよシも大きい。しだがって、テープillが始終
端検索開始より透明テープであると、それほど強くない
外乱光においても電位Vpが畦位■bよすも高くなる可
能性があり、この場合、発光ダイオード(LED、)に
大電流を流すことになってしまうが、第6図の処理手順
を見てもわかるように、すぐに透明テープであることが
検知されるので、発光ダイオード(LED 、)の消費
電流の増大にはほとんど影響を与えない。
ルの信号が第1の電圧比較器(2)より入力されると、
マイクロコンピュータ(7)から制御回路(図示せず)
へ指令が発せられ、テープ走行が停止される。入力端(
至)へローレベルの信号が入力されるときは、ひき続い
てテープ始終端検出が行なわれる。テープil+が透明
テープであると、外乱光レベルは磁気テープであるとき
のそれよシも大きい。しだがって、テープillが始終
端検索開始より透明テープであると、それほど強くない
外乱光においても電位Vpが畦位■bよすも高くなる可
能性があり、この場合、発光ダイオード(LED、)に
大電流を流すことになってしまうが、第6図の処理手順
を見てもわかるように、すぐに透明テープであることが
検知されるので、発光ダイオード(LED 、)の消費
電流の増大にはほとんど影響を与えない。
なお上記実施例においては、トランジスタ(Ql)(Q
2)を制御するのにマイクロコンピュータ(7)の2つ
の出力端(10ell)を使用する例について説明した
が、この2つの出力のタイミングはまったく同一である
ので、出力端1[1◇を1つの出力端として共有しても
良い。
2)を制御するのにマイクロコンピュータ(7)の2つ
の出力端(10ell)を使用する例について説明した
が、この2つの出力のタイミングはまったく同一である
ので、出力端1[1◇を1つの出力端として共有しても
良い。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、外乱光の影響が強い
か否かを判断し、影響があ壕り強くないときは発光素子
の消費電流を小さくするように制御するので従来の如く
偶発的に生じる外乱光の影響度まで考慮して外乱光の影
響度が小さいときでも大きいときと同様に発光素子に大
電流を流す場合と比較して、消費電力の低減化を図り得
る。
か否かを判断し、影響があ壕り強くないときは発光素子
の消費電流を小さくするように制御するので従来の如く
偶発的に生じる外乱光の影響度まで考慮して外乱光の影
響度が小さいときでも大きいときと同様に発光素子に大
電流を流す場合と比較して、消費電力の低減化を図り得
る。
第1図は従来方法に用いるテープ始終端検出回路)回路
ブロック図、第2図はフォトトランジスタの受光照度と
そのコレクターエミッタ間に流れる電流との関係の説明
図、第6図は従来方法における外乱光の影響がほとんど
ない条件丁での透明テープの場合及び外乱光の影響を強
く受ける条件丁での磁気テープの場合のIl)とVpと
の関係の説明図、第4図はフォトトランジスタの受光感
度の大小によって変わるよりとVpとの関係の説明図、
第5図は本発明の一実施例に用いたテープ始終端検出回
路の回路ブロック図、第6図は本発明の一実施例におけ
るテープ始終端検出方法のフローチャート、第7図は外
乱光の影響を強く受ける場合及びそうでない場合のID
とVpとの関係の説明図、第8図は外乱光レベルとマイ
クロコンピュータの入出力のタイミングとの関係の説明
図である。 +1+・・・テープ、(2) (5)・・・電圧比較器
、(7)・・・マイクロコンピュータ、(8)・・・電
流f@幅器、(LED 、)・・・発光ダイオード、(
PQI)・・・フォトトランジスタ代理人 森
本 義 弘 第1図 第2図 rF 第4図 D 筑R図 第5図 27 υ μ 第7図 第3−因
ブロック図、第2図はフォトトランジスタの受光照度と
そのコレクターエミッタ間に流れる電流との関係の説明
図、第6図は従来方法における外乱光の影響がほとんど
ない条件丁での透明テープの場合及び外乱光の影響を強
く受ける条件丁での磁気テープの場合のIl)とVpと
の関係の説明図、第4図はフォトトランジスタの受光感
度の大小によって変わるよりとVpとの関係の説明図、
第5図は本発明の一実施例に用いたテープ始終端検出回
路の回路ブロック図、第6図は本発明の一実施例におけ
るテープ始終端検出方法のフローチャート、第7図は外
乱光の影響を強く受ける場合及びそうでない場合のID
とVpとの関係の説明図、第8図は外乱光レベルとマイ
クロコンピュータの入出力のタイミングとの関係の説明
図である。 +1+・・・テープ、(2) (5)・・・電圧比較器
、(7)・・・マイクロコンピュータ、(8)・・・電
流f@幅器、(LED 、)・・・発光ダイオード、(
PQI)・・・フォトトランジスタ代理人 森
本 義 弘 第1図 第2図 rF 第4図 D 筑R図 第5図 27 υ μ 第7図 第3−因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 テープ始終端部に設けられた透明テープと磁気テ
ープとの光透過率の差異を利用し、発光素子とこの発光
素子から発せられた光をテープを透過して受光するよう
に設けられた受光素子とでテープ始終端を検出するテー
プ始終端検出方法であって、外乱光レベルを検出してそ
のレベルが小さいときには前記受光素子の感度を上げか
つ前記発光素子に流す電流を小さくするよう制御するテ
ープ始終端検出方法。 2、発光素子をオフした時に外乱光レベルを受光素子で
検出し、そのレベルが小さズければ受光素子の感度を上
げて前記発光素子に流すぼ流を小さくするように前記発
光素子を間欠点灯させる特許請求の範囲第1項記載のテ
ープ始終端検品方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229460A JPH0247020B2 (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | Teepushishutankenshutsuhoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57229460A JPH0247020B2 (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | Teepushishutankenshutsuhoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121640A true JPS59121640A (ja) | 1984-07-13 |
| JPH0247020B2 JPH0247020B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=16892544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57229460A Expired - Lifetime JPH0247020B2 (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | Teepushishutankenshutsuhoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247020B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180541A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気テ−プの終端検出装置 |
| US5557483A (en) * | 1990-11-22 | 1996-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Tape end detection device |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57229460A patent/JPH0247020B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180541A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気テ−プの終端検出装置 |
| US5557483A (en) * | 1990-11-22 | 1996-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Tape end detection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247020B2 (ja) | 1990-10-18 |
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