JPS59124939A - 巻取蒸着方法 - Google Patents
巻取蒸着方法Info
- Publication number
- JPS59124939A JPS59124939A JP57233621A JP23362182A JPS59124939A JP S59124939 A JPS59124939 A JP S59124939A JP 57233621 A JP57233621 A JP 57233621A JP 23362182 A JP23362182 A JP 23362182A JP S59124939 A JPS59124939 A JP S59124939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- substrate
- metallizing
- glow discharge
- rotating support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、巻取蒸着により、磁性体、半導体、等の薄膜
を高分子基板上に形成する方法に関する。
を高分子基板上に形成する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、磁気記録は高密度化が進み、面内磁化膜垂直磁化
膜を問わず、高分子基板上に、強磁性金属薄膜を磁気記
録層として配した、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体の
有用性が注目され、開発が盛んである。
膜を問わず、高分子基板上に、強磁性金属薄膜を磁気記
録層として配した、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体の
有用性が注目され、開発が盛んである。
巻取蒸着は、前記磁気記録媒体の製造の他、太陽電池の
製造に適用できる可能性も示されるに至り、従来のコン
デンサ、金糸、銀糸の製造に利用されていた時より、基
板と薄膜との付着強度をより大きくすることが要求され
てきているのをはじめ、結晶性の良い薄膜を量産する技
術が要求され、そのひとつの方法として、高周波イオン
ブレーティングが有用であるといわれている。
製造に適用できる可能性も示されるに至り、従来のコン
デンサ、金糸、銀糸の製造に利用されていた時より、基
板と薄膜との付着強度をより大きくすることが要求され
てきているのをはじめ、結晶性の良い薄膜を量産する技
術が要求され、そのひとつの方法として、高周波イオン
ブレーティングが有用であるといわれている。
第１図は従来のイーオンブレーティグに汀］いられてい
る巻取蒸着機の要部構成図である。
る巻取蒸着機の要部構成図である。
高分子基板１は、回転支持体２に沿って送り出し軸３よ
り、巻取り軸４へ移動するよう配設される。
り、巻取り軸４へ移動するよう配設される。
蒸発源５と、基板１の間に、高周波コイル６を配設する
。７は蒸気の入射成分を限定するマスクである。
。７は蒸気の入射成分を限定するマスクである。
前記コイル６は、絶縁導入端子８を介して、真空槽９と
絶縁され、コイル内部は、冷却のだめに冷媒が流される
構成をとるのが普通である。
絶縁され、コイル内部は、冷却のだめに冷媒が流される
構成をとるのが普通である。
高周波電力により、グロー放電を発生させるだめに、整
合回路１０と、高周波電源１１が準備され、各々が最適
定数となるよう調整されるよう構成される。
合回路１０と、高周波電源１１が準備され、各々が最適
定数となるよう調整されるよう構成される。
真空槽９の内部は、排気系１２により排気されガス導入
調節弁１３により、放電の起動時には、必要な圧力に保
つことが出来るよう構成するのが鉾通行なわれている。
調節弁１３により、放電の起動時には、必要な圧力に保
つことが出来るよう構成するのが鉾通行なわれている。
バッチ規模では、高周波イオンプレ−テ・インクにより
、付着強度の改良、結晶性の改ばを確認できるが、巻取
蒸着に適用した時、巻取速度が１０ｍ／分あたりを境に
して、付着強度、結晶性の劣化が起り、投入する高周波
電力を増大することで、生産性を向上する試みも、磁気
記録媒体の製造や太陽′電池の製造を目的とした場合に
は、高周波コイルの構成材料がスパッタリング現象によ
り、薄膜に混入し、磁気記録媒体では耐候性の劣化や、
太陽電池ではリーク電流の増加等の不都合が生じ、生産
性の向上にも限界があった。
、付着強度の改良、結晶性の改ばを確認できるが、巻取
蒸着に適用した時、巻取速度が１０ｍ／分あたりを境に
して、付着強度、結晶性の劣化が起り、投入する高周波
電力を増大することで、生産性を向上する試みも、磁気
記録媒体の製造や太陽′電池の製造を目的とした場合に
は、高周波コイルの構成材料がスパッタリング現象によ
り、薄膜に混入し、磁気記録媒体では耐候性の劣化や、
太陽電池ではリーク電流の増加等の不都合が生じ、生産
性の向上にも限界があった。
又、もう１つの問題点は、幅方向、長手方向に製品の均
一性を確保する上での従来技術のががえていた問題は、
高周波グロー放電の発生源が、蒸発源と基板（或いは、
これを支持する回転支持体）との間の空間に位置するこ
とがらくる不安定性に起因して、例えば、電子ビーム蒸
発源を用いた時、高圧電子ビーム加速電源が真空放電し
た時高周波グロー放電が止まることが起り、再び整合を
調整するだめに、巻取蒸着を中止せざるを得なくなるこ
とや、例え高周波グロー放電が１トまらなくても、不均
一になることがよく起るなどの問題があった。
一性を確保する上での従来技術のががえていた問題は、
高周波グロー放電の発生源が、蒸発源と基板（或いは、
これを支持する回転支持体）との間の空間に位置するこ
とがらくる不安定性に起因して、例えば、電子ビーム蒸
発源を用いた時、高圧電子ビーム加速電源が真空放電し
た時高周波グロー放電が止まることが起り、再び整合を
調整するだめに、巻取蒸着を中止せざるを得なくなるこ
とや、例え高周波グロー放電が１トまらなくても、不均
一になることがよく起るなどの問題があった。
発明の目的
本発明は、高速での巻取下でイオンブレーティングを行
ない、付着強度、結晶性の改良された薄膜を得ると共に
、均一性を確保することを目的とする。
ない、付着強度、結晶性の改良された薄膜を得ると共に
、均一性を確保することを目的とする。
発明の構成
回転支持体に沿って移動する高分子基板を、回転支持体
に沿った状態で高分子基板を高周波グロー放電処理した
後、真空度と蒸着速度の間に後述するある関係を保持す
ることで巻取蒸着することを甥旨とするものである。
に沿った状態で高分子基板を高周波グロー放電処理した
後、真空度と蒸着速度の間に後述するある関係を保持す
ることで巻取蒸着することを甥旨とするものである。
本発明で用いられる回転支持体は、冷媒、或いは熱媒等
を循環させて、前記支持体の表面温度を一定に保つ構造
をもった、円筒状のキャン、或いは・エンドレスベル）
’？ｆある。
を循環させて、前記支持体の表面温度を一定に保つ構造
をもった、円筒状のキャン、或いは・エンドレスベル）
’？ｆある。
高分子基板、或いは、蒸着する材料については特別の制
約はなく、目的に応じて選択できる。
約はなく、目的に応じて選択できる。
電子ビーム蒸発源が、工業的には最も優れていると考え
られるが、他の蒸発源によることは、何等差し支えない
し、目標の真空度を得る手段についても何ら制約される
ものでもない。
られるが、他の蒸発源によることは、何等差し支えない
し、目標の真空度を得る手段についても何ら制約される
ものでもない。
実施例の説明
第２図が、本発明を実施するだめに用い−られだ巻取蒸
着装−の要部構成を示す図である。
着装−の要部構成を示す図である。
第１図と同じ機能の部位には第１図と同一番号を付して
示した。
示した。
高周波電極６はこの場合、第１図がコイル状であったの
に対して、曲面構造の板状電極が示されているが、これ
にこだわるものではない。
に対して、曲面構造の板状電極が示されているが、これ
にこだわるものではない。
又、真空槽９ば、隔壁１５と、回転支持体２とで、上、
下の２室に分離され、夫々専用の排気系１４．１２が具
備されている。１６は中間ローラーである。
下の２室に分離され、夫々専用の排気系１４．１２が具
備されている。１６は中間ローラーである。
第２図に示しだ装置により得られる垂直磁化膜と、第１
図に示した装置で得られた垂直磁化膜の性能を比較する
ことで本発明の効果について明らかにしていく。
図に示した装置で得られた垂直磁化膜の性能を比較する
ことで本発明の効果について明らかにしていく。
薄膜の性能は、一部装置構成に依存するので、回転支持
体の直径は、６０ｃｎ、の円筒状キャンを用い、蒸発源
は、電子ビーム加熱方式とし、蒸発源容器と回転支持体
との至近距離は２６ ｃｍ一定とし、マスクの位置も、
蒸発源より２０ＣＭ＋の位置で同一の設定にした。
体の直径は、６０ｃｎ、の円筒状キャンを用い、蒸発源
は、電子ビーム加熱方式とし、蒸発源容器と回転支持体
との至近距離は２６ ｃｍ一定とし、マスクの位置も、
蒸発源より２０ＣＭ＋の位置で同一の設定にした。
ヱ
高分子基板は、ポリ；ミド基板Ｂ’ｌ１ｍ、ポリエチレ
ンテレフタレート基板１２μｍの２種類を用いた。
ンテレフタレート基板１２μｍの２種類を用いた。
基板の幅は５０口で、長さは４．○○○ｍ一定とした。
ポリ；ミド基板（８μｍ）を周長６０ｃｍの高周波電極
（基板との距離３０ｆｉ）に１３．５６’Ｍ ＨＺの高
周波電力を投入して、グロー放電により処理し、マスク
の開化部の基板移動方向の幅を７．５ｃｒｎとしＧｏ８
０％、０ｒ２０％を電子ビーム加熱により二源蒸着法に
より０．１５μｍの厚さに前記基板上に形成した。
（基板との距離３０ｆｉ）に１３．５６’Ｍ ＨＺの高
周波電力を投入して、グロー放電により処理し、マスク
の開化部の基板移動方向の幅を７．５ｃｒｎとしＧｏ８
０％、０ｒ２０％を電子ビーム加熱により二源蒸着法に
より０．１５μｍの厚さに前記基板上に形成した。
上室にアルゴンをＯ，ｏ ６ Ａ／ｍ ｉ ｎ導入し、
９×１０ Ｔｏｒｒでグロー放電を発生させたが、蒸着
室の真空度は６×１０ Ｔｏｒｒであった。
９×１０ Ｔｏｒｒでグロー放電を発生させたが、蒸着
室の真空度は６×１０ Ｔｏｒｒであった。
高周波グロー発生のため投入した電力は１ＫＷとした。
電子ビームのパワーを変えると同時に、基板の移動速度
を変えて、厚さが０．１５μｍの一定値となるよう制御
した。
を変えて、厚さが０．１５μｍの一定値となるよう制御
した。
発明の効果
得られた媒体の基板面に垂直方向の保磁力が１０００〔
δｅ〕と々る条件を選んだ上で、従来法による媒体との
生産性、耐候性を比較した。
δｅ〕と々る条件を選んだ上で、従来法による媒体との
生産性、耐候性を比較した。
４候性は６６℃、９０％ＲＨの環境下で２週間保存した
時の、磁化量の初期値からの減衰量で評１曲した。
時の、磁化量の初期値からの減衰量で評１曲した。
従来法の高周波コイルは２ターンで利′Ｒは銅パイプの
上にＮｉメッキ したものと、Ｏｒノノキしたものの２
種類について実施した。
上にＮｉメッキ したものと、Ｏｒノノキしたものの２
種類について実施した。
本発明品は、１０ｍ／分、２０ｍ／分、３ｏｍ／分のい
ずれで製造したものについても、磁化量の減衰は回転支
持体の全周に及び、且つ、基板に近い領域でプラズマが
発生することから、蒸発源特性を無関係にプラズマの作
用が均一でかつ安定であることが本発明の効果をもたら
ｊ〜でいると考えられ、真空度が良くなると、プラズマ
の維持が困難になるが、蒸着速度が大きくなれば、等価
的に、圧力が大きくなったと考えられ、プラズマの維持
んでいると考えられる。ここでＰは蒸着時の真空度、ｒ
は蒸着速度、Ｗは高周波グロー放電時の投入電力である
。
ずれで製造したものについても、磁化量の減衰は回転支
持体の全周に及び、且つ、基板に近い領域でプラズマが
発生することから、蒸発源特性を無関係にプラズマの作
用が均一でかつ安定であることが本発明の効果をもたら
ｊ〜でいると考えられ、真空度が良くなると、プラズマ
の維持が困難になるが、蒸着速度が大きくなれば、等価
的に、圧力が大きくなったと考えられ、プラズマの維持
んでいると考えられる。ここでＰは蒸着時の真空度、ｒ
は蒸着速度、Ｗは高周波グロー放電時の投入電力である
。
ＰＸｒ≧５Ｘ１０ＸＷの関係が、ひとつの実験結果の整
理を示すだけでなくて、他の材料、他の蒸着条件の選定
によっても変らないことを確かめるのに、００８０％、
Ｎ１２０％を酸素を導入しながら、斜め蒸着して、面内
磁化膜を形成することを試みた。
理を示すだけでなくて、他の材料、他の蒸着条件の選定
によっても変らないことを確かめるのに、００８０％、
Ｎ１２０％を酸素を導入しながら、斜め蒸着して、面内
磁化膜を形成することを試みた。
その結果、生産性で、３倍〜１０倍の向上と、耐候性の
向上が、前記垂直磁化膜と同様の範囲で２〜５％程度で
あったが、従来法による媒体はｓｍ／７）で製造したも
のが、１０％程度であっただけで、１０ｍ／分、２０ｍ
／分で製膜したものは、磁化量の減衰けが６０％以上に
も及び、実用にならないものであった。
向上が、前記垂直磁化膜と同様の範囲で２〜５％程度で
あったが、従来法による媒体はｓｍ／７）で製造したも
のが、１０％程度であっただけで、１０ｍ／分、２０ｍ
／分で製膜したものは、磁化量の減衰けが６０％以上に
も及び、実用にならないものであった。
又、他の評価として、ミクロ的な付着強度の均一性を調
べるために、５ＯＣｒｎ幅の蒸着原反の中央と中央より
両側に２０ＩＩ離れた位置を選んで％インチのテープを
製造し、メチルライフを測定した。
べるために、５ＯＣｒｎ幅の蒸着原反の中央と中央より
両側に２０ＩＩ離れた位置を選んで％インチのテープを
製造し、メチルライフを測定した。
３０℃＋９０％ＲＨでのスチルが１５分以上のものをＯ
とし、１５分以下のものをＸとして、多くの製造ロット
で、真空度と蒸着速度の座標上でまとめだ結果を第３図
に示す。同図に示すように、ＰＸｒ≧５Ｘ１０ＸＷの領
域に適正な領域が存在することが明らかとなった。（高
周波電力は０．５ＫＷ、○、ｓｘｗ 、Ｉ ＫＷ 、１
．５ＫＷ 、１．８ＫＷ。
とし、１５分以下のものをＸとして、多くの製造ロット
で、真空度と蒸着速度の座標上でまとめだ結果を第３図
に示す。同図に示すように、ＰＸｒ≧５Ｘ１０ＸＷの領
域に適正な領域が存在することが明らかとなった。（高
周波電力は０．５ＫＷ、○、ｓｘｗ 、Ｉ ＫＷ 、１
．５ＫＷ 、１．８ＫＷ。
２．２ ＫＷについて確認した。）
メチルライフだけでなく、結晶配向性についてもこのこ
とはいえるもので、高周波グロー放電による処理を回転
支持体に沿って行なった時、上記と同様の効果を得るこ
とができる。
とはいえるもので、高周波グロー放電による処理を回転
支持体に沿って行なった時、上記と同様の効果を得るこ
とができる。
本発明により、イオンを利用した蒸着の効果を連続巻取
蒸着においても実用域で得られることに々す、その産業
性は大きい。
蒸着においても実用域で得られることに々す、その産業
性は大きい。
第１図は、従来の巻取蒸着に用いられた装置の一例の構
成図、第２図は、本発明の巻取蒸着に用いられた装置の
一例の構成図、第３図は、得られた媒体のメチルライフ
と製造条件の関係を示す図である。 １・ 基板、２・・・回転支持体、５− 蒸発源、６−
高周波電極、１０・・ 整合回路、１１高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
凶 第２図
成図、第２図は、本発明の巻取蒸着に用いられた装置の
一例の構成図、第３図は、得られた媒体のメチルライフ
と製造条件の関係を示す図である。 １・ 基板、２・・・回転支持体、５− 蒸発源、６−
高周波電極、１０・・ 整合回路、１１高周波電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
凶 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 回転支持体に沿って移動する高分子基板を、前記回転支
持体に沿った状態で、投入電力Ｗ〔ＫＷ〕で高周波グロ
ー放電処理した後、蒸着時の真空度をＰ （Ｔｏｒｒ）
、 蒸着速度をｒ［Ａ／Ｓｅｃ］ としだをき、 ＰＸｒ≧５Ｘ１０ＸＷ の条件下で、蒸着することを
特徴とする巻取蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233621A JPS59124939A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 巻取蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233621A JPS59124939A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 巻取蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124939A true JPS59124939A (ja) | 1984-07-19 |
Family
ID=16957912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233621A Pending JPS59124939A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 巻取蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294025A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Tonen Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57233621A patent/JPS59124939A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294025A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Tonen Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4767516A (en) | Method for making magnetic recording media | |
| GB1599161A (en) | Magnetic recording medium and method of making the same | |
| US5328583A (en) | Sputtering apparatus and process for forming lamination film employing the apparatus | |
| EP0122030B1 (en) | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member | |
| EP0046090B1 (en) | Process fpr producing a magnetic recording medium | |
| US4990361A (en) | Method for producing magnetic recording medium | |
| CA1162113A (en) | Process for producing magnetic recording medium | |
| JPS59124939A (ja) | 巻取蒸着方法 | |
| JPS59124038A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH11279758A (ja) | 金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置 | |
| JPS5836413B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法およびその製造装置 | |
| JP2000012366A (ja) | 軟磁性膜の製造方法 | |
| JPH059849B2 (ja) | ||
| JPS5948450B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH01117308A (ja) | コイルの製造方法 | |
| CN1140320A (zh) | 钴、铂、铬三元磁光记录材料真空蒸发沉积技术 | |
| JPH0243357A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
| KR20040004742A (ko) | 대향타겟식 스퍼터링법을 이용한 고배향성 박막 제작법 | |
| Feuerstein et al. | Video tape manufacture by high vacuum evaporation—aspects of machine technology | |
| JPS59129944A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置 | |
| JPH07192259A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02177122A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS63241723A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61923A (ja) | 磁気記録媒体の製法 | |
| JPH11172429A (ja) | 超平滑膜の製造方法 |