JPS59129576A - 自励式多出力スイツチング・レギユレ−タ - Google Patents
自励式多出力スイツチング・レギユレ−タInfo
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- JPS59129576A JPS59129576A JP58005019A JP501983A JPS59129576A JP S59129576 A JPS59129576 A JP S59129576A JP 58005019 A JP58005019 A JP 58005019A JP 501983 A JP501983 A JP 501983A JP S59129576 A JPS59129576 A JP S59129576A
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0083—Converters characterised by their input or output configuration
- H02M1/009—Converters characterised by their input or output configuration having two or more independently controlled outputs
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、自励式多出力スイッチング・レギュレータの
定電圧制御方式の特性改良に関するものである。
定電圧制御方式の特性改良に関するものである。
自励式多出力スイッチング・レギー７１ノータには種々
の定電圧方式があるが、イの中でも第１図に示すように
１つの出力電圧Ｖｏのみを一定にするために主スィッチ
ング・［・ランジスタ２のＯＮ時間のパルス巾を制御（
Ｐ Ｗ Ｍ ）をｈない、伯の出力は？１接制御し１．
ｊいいわゆるクロスレギコレーシヨンというのが一般的
である。
の定電圧方式があるが、イの中でも第１図に示すように
１つの出力電圧Ｖｏのみを一定にするために主スィッチ
ング・［・ランジスタ２のＯＮ時間のパルス巾を制御（
Ｐ Ｗ Ｍ ）をｈない、伯の出力は？１接制御し１．
ｊいいわゆるクロスレギコレーシヨンというのが一般的
である。
第１図において、１Ｃは帰還巻線であり、主スイツブン
グトランジスタの０Ｎ−ＯＦＦを行なうと同時に一次巻
線１ａとの結合により正帰）７回路を構成し、自励式の
スイッチングを断続的に行なわ顧ている。Ｆｏｌは入力
の直流電圧であり、普通は制御されていない。１は主１
−ランスであり、１ａ、１ｂ、１ｔ＋−はそれぞれ十［
・ランス１の１次と２つの２次の巻線を表わす。９，９
−は整流平滑回路の仝休を示している。この中で５．６
は整流素子、７はヂョークコイル、８は］ンデンサーで
ある。３は出力電圧ＶＯの変動に応じて主スイツチのパ
ルス１］を制御する回路であり、４は出力電圧ＶＯを検
出し１次側にフィードバックする際に！１−する１次、
２次の電気的絶縁をはかるための絶縁］・ランスもしく
は光結合素子を含む回路である。この方式は比較的設計
が簡便であるが、スイッチング・レギュレータの保護機
能ｆｆＱ ｉｆ、安全↑’ｌ’ ｉ＋Ｑ計を加味した場
合、１次、２次の絶縁耐力を余り高くとれず、このこと
が特に高耐圧の仕様に適合したスイッチング・レギュレ
ータを実現しようとする時には常に問題となる。」、Ｉ
ζ、もう１つの問題どｌノ＜Ｖａの出力は第２国立に示
７ＪようにＰＷＭ制御によりよく定電圧制御が行／−２
われでいるが、他の出力電１−ｔ、 Ｖ Ｏ−Ｌｌ第２
図のイのＪ：うに、いわゆるり［ｌスレ４″１１ノーシ
ー］ン♂（Ｘ−ど呼ばれる分だけ大幅に変動力る点があ
げられる。これらの問題を避けるために第３図に示ηよ
うな磁束制御方式の回路が考えられている。この方式は
第１図と同じようにＰ Ｗ Ｍ制御を行な）のτ゛ル）
るが、出力電圧ＶＯではなく、主トランス１の磁束変化
量を一定にするように考えられている。実際には、第３
図において、制御巻線１ｄに接続された整流回路１０の
出力電圧が一定になるように制御される。Ｒ，、Ｒし−
はｆ１荷抵抗である。
グトランジスタの０Ｎ−ＯＦＦを行なうと同時に一次巻
線１ａとの結合により正帰）７回路を構成し、自励式の
スイッチングを断続的に行なわ顧ている。Ｆｏｌは入力
の直流電圧であり、普通は制御されていない。１は主１
−ランスであり、１ａ、１ｂ、１ｔ＋−はそれぞれ十［
・ランス１の１次と２つの２次の巻線を表わす。９，９
−は整流平滑回路の仝休を示している。この中で５．６
は整流素子、７はヂョークコイル、８は］ンデンサーで
ある。３は出力電圧ＶＯの変動に応じて主スイツチのパ
ルス１］を制御する回路であり、４は出力電圧ＶＯを検
出し１次側にフィードバックする際に！１−する１次、
２次の電気的絶縁をはかるための絶縁］・ランスもしく
は光結合素子を含む回路である。この方式は比較的設計
が簡便であるが、スイッチング・レギュレータの保護機
能ｆｆＱ ｉｆ、安全↑’ｌ’ ｉ＋Ｑ計を加味した場
合、１次、２次の絶縁耐力を余り高くとれず、このこと
が特に高耐圧の仕様に適合したスイッチング・レギュレ
ータを実現しようとする時には常に問題となる。」、Ｉ
ζ、もう１つの問題どｌノ＜Ｖａの出力は第２国立に示
７ＪようにＰＷＭ制御によりよく定電圧制御が行／−２
われでいるが、他の出力電１−ｔ、 Ｖ Ｏ−Ｌｌ第２
図のイのＪ：うに、いわゆるり［ｌスレ４″１１ノーシ
ー］ン♂（Ｘ−ど呼ばれる分だけ大幅に変動力る点があ
げられる。これらの問題を避けるために第３図に示ηよ
うな磁束制御方式の回路が考えられている。この方式は
第１図と同じようにＰ Ｗ Ｍ制御を行な）のτ゛ル）
るが、出力電圧ＶＯではなく、主トランス１の磁束変化
量を一定にするように考えられている。実際には、第３
図において、制御巻線１ｄに接続された整流回路１０の
出力電圧が一定になるように制御される。Ｒ，、Ｒし−
はｆ１荷抵抗である。
このＪ、うに？１ろど明１）かなよ）【、二２つの一次
Ｙ４線ｌｂ、１１）−は電気的には全く等価となり定電
圧制御の程度は全く同じどなり第２図口、ローのように
極端４丁誤差が現われなくイすることが予想される。し
かし、この方式の定電圧制御の程度は第３− ４図に示すように余りりＴましいものではない。図中二
は第１図の回路ＶＯの１図中イは第１図のＶＯ′回路の
出力直流電流ＩＯ，ＴＯ−と出力直流電１”Ｆ−Ｖｏ、
Ｖｏ−との関係をそれぞれ比較のため示している。図中
口とローは第３図の回路のＶｏ。
Ｙ４線ｌｂ、１１）−は電気的には全く等価となり定電
圧制御の程度は全く同じどなり第２図口、ローのように
極端４丁誤差が現われなくイすることが予想される。し
かし、この方式の定電圧制御の程度は第３− ４図に示すように余りりＴましいものではない。図中二
は第１図の回路ＶＯの１図中イは第１図のＶＯ′回路の
出力直流電流ＩＯ，ＴＯ−と出力直流電１”Ｆ−Ｖｏ、
Ｖｏ−との関係をそれぞれ比較のため示している。図中
口とローは第３図の回路のＶｏ。
ＶＯ−の出力電流■０に対する変化を見たものである。
イに比較するとかなり小さくなっているが口と口′の場
合は直流電流■０が小さくなるにつれてまだ出力電圧Ｖ
Ｏが急激に大きくなるという欠点がある。この傾向は、
主スィッチング・Ｆ−ランジスタを流れる雪原波形とも
関連があり、低減することはイうたやすいことではない
。
合は直流電流■０が小さくなるにつれてまだ出力電圧Ｖ
Ｏが急激に大きくなるという欠点がある。この傾向は、
主スィッチング・Ｆ−ランジスタを流れる雪原波形とも
関連があり、低減することはイうたやすいことではない
。
また、制御巻線１ｄは帰還巻線１Ｃと共用することがで
き、第３図から１０と１ｄを除いた回路でもある程度の
定電圧制御が可能である。この定電圧制御の程１αは第
１図イに近いものであり余り好ましいものではない。
き、第３図から１０と１ｄを除いた回路でもある程度の
定電圧制御が可能である。この定電圧制御の程１αは第
１図イに近いものであり余り好ましいものではない。
しかし、第１図と第３図を比較すると明らかなように、
第３図では主１−ランスの１次と２次がはっきりと絶縁
されているので、この耐圧さえ考慮４ − すれば全体の絶縁耐力を著しく向−１さｌるこ°とがで
きるので、１日も早り−１−記欠点の改良が叫ばれてい
る。
第３図では主１−ランスの１次と２次がはっきりと絶縁
されているので、この耐圧さえ考慮４ − すれば全体の絶縁耐力を著しく向−１さｌるこ°とがで
きるので、１日も早り−１−記欠点の改良が叫ばれてい
る。
本発明【３１１記？＋Ｙ来技術の欠点を改良し、定電圧
積電の八しく改良された高耐圧の磁束制御１５式の多出
力スイッチング・レギュレータを提供り゛ることを目的
としている。
積電の八しく改良された高耐圧の磁束制御１５式の多出
力スイッチング・レギュレータを提供り゛ることを目的
としている。
−１−開目的を）構成づるために、本発明のスイッチン
グ・レギュレータはトランスの一次谷線に自利に接続さ
れたスイッヂング素子、前記！−ランスに別に巻かれた
帰）７巻線により前記スイッチング素子を周期的に断続
させ前記１〜ランスの複数対の二次巻線に電力を変換し
、整流回路を介して複数の直流電力どしてどり出す自励
式多出力スイッチング・レギュレータにおいて、前記二
次巻線の少くとも一つの端子と整流回路との間に、１．
ＯＡ Ｔ以上の直流起磁力で高周波のインダクタンスが
直流電流に対して単調な減衰特性を右するインダクタン
ス累ｒを直列に接続するとともに、前記インダクタンス
索子と前記整流回路との接続Ｊｌｌ＋と、前記二次巻線
の伯の一方の端子との間に容量素子を接続したことを主
たる特徴としている。 また前記インダクタンス素子と
前記二次巻線どの接続点と、前記二次巻線の他の一方の
端子との間に容量素子を接Ａ’Ｊ’ｌ： シたこと６１
、′［徴としている。さらに、前記容量素子と直列ない
し並列に抵抗素子を接続したことも１ｈ徴としている。
グ・レギュレータはトランスの一次谷線に自利に接続さ
れたスイッヂング素子、前記！−ランスに別に巻かれた
帰）７巻線により前記スイッチング素子を周期的に断続
させ前記１〜ランスの複数対の二次巻線に電力を変換し
、整流回路を介して複数の直流電力どしてどり出す自励
式多出力スイッチング・レギュレータにおいて、前記二
次巻線の少くとも一つの端子と整流回路との間に、１．
ＯＡ Ｔ以上の直流起磁力で高周波のインダクタンスが
直流電流に対して単調な減衰特性を右するインダクタン
ス累ｒを直列に接続するとともに、前記インダクタンス
索子と前記整流回路との接続Ｊｌｌ＋と、前記二次巻線
の伯の一方の端子との間に容量素子を接続したことを主
たる特徴としている。 また前記インダクタンス素子と
前記二次巻線どの接続点と、前記二次巻線の他の一方の
端子との間に容量素子を接Ａ’Ｊ’ｌ： シたこと６１
、′［徴としている。さらに、前記容量素子と直列ない
し並列に抵抗素子を接続したことも１ｈ徴としている。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第！５図は本発明の１つの実施例を示す回路図である。
一対の二次巻線１ｂの一方の端子と整流素子９の間にイ
ンダクタンス素子１１が直列に接続されるとともに容量
素子１２がインダクタンス素子１１と整流回路９の接続
点と二次巻線の他の一方の端子との間に接続されている
。同じくもう一対の二次巻線ｌｂ′の一方の端子と整流
回路９−との間にインダクタンス素子１１−が直列に接
続されるとともに、容量素子１２−がインダクタンス素
子１１と整流素子５の接続点と二次巻線の他の一方の端
子との間に接続されている。
ンダクタンス素子１１が直列に接続されるとともに容量
素子１２がインダクタンス素子１１と整流回路９の接続
点と二次巻線の他の一方の端子との間に接続されている
。同じくもう一対の二次巻線ｌｂ′の一方の端子と整流
回路９−との間にインダクタンス素子１１−が直列に接
続されるとともに、容量素子１２−がインダクタンス素
子１１と整流素子５の接続点と二次巻線の他の一方の端
子との間に接続されている。
本回路は帰還巻線１Ｃと制御巻線１ｄを共用したもので
ある。これらのインダクタンス素子１１゜１１−は第６
図に示すような高周波インダクタンス１−）直＞（＋、
雷’ｉＱΦ畳１１［↑１１を右すろ５．スイτわｌ）、
ｒｏＩＦＱ ｎＸ ’７Ａ： ｌ （Ｉｆ；が小ｃ−Ｓ
イＩｔ、冒、ニー ４．、ｌ ｌはＪ１當に人５＼い
が、１（ＩＣが人さくイトろに′）れ（力；１激に１か
小さくイＣる。
ある。これらのインダクタンス素子１１゜１１−は第６
図に示すような高周波インダクタンス１−）直＞（＋、
雷’ｉＱΦ畳１１［↑１１を右すろ５．スイτわｌ）、
ｒｏＩＦＱ ｎＸ ’７Ａ： ｌ （Ｉｆ；が小ｃ−Ｓ
イＩｔ、冒、ニー ４．、ｌ ｌはＪ１當に人５＼い
が、１（ＩＣが人さくイトろに′）れ（力；１激に１か
小さくイＣる。
一方、極端に直流電流１ｄｃが小ざい領域では、］アの
材１′！ｌ 、形状によって第６図ホのように凸状の特
性を有するものちあるが、本発明においてこの差は問題
ではない。本発明で用いられるインダクタンス素子１１
．１１−とじては第６図のように起磁力 １．０ΔＴ以
上でインダクタンス１−が中温に減少する特性が重要で
ある。ここでＡＴ（アンペア・ターン）というのは直流
電流１（ＩＣとコアの巻数Ｎの積である。Ｎが決まれば
Ｉｄｃに比例する吊である。
材１′！ｌ 、形状によって第６図ホのように凸状の特
性を有するものちあるが、本発明においてこの差は問題
ではない。本発明で用いられるインダクタンス素子１１
．１１−とじては第６図のように起磁力 １．０ΔＴ以
上でインダクタンス１−が中温に減少する特性が重要で
ある。ここでＡＴ（アンペア・ターン）というのは直流
電流１（ＩＣとコアの巻数Ｎの積である。Ｎが決まれば
Ｉｄｃに比例する吊である。
第６図のホ、への特性を右する２種類のインダクタンス
素子を本発明の第５図ＶＯの回路に適用した。第５図に
おいて容量素子１２．１２′がインダクタンス素子１１
．１１−と整流回ｒ１，９′の接続点と二次巻線１１）
、１ｂ−の他の一方にそれぞれ接続されている。第６図
がこの場合の出力１ｈ性を示す。図中１９口は従来技術
の特性、トｔｉｔ第６図のインダクタンス素子を用いた
場合の特↑！１．ハ（ま第５図ホのインダクタンス素子
を用いた１易ｎの１．’ｉ ｆ’ｌを−【れて゛れ示し
ている。この図から明らかなように、従来技術イ１口に
比較してインダクタンス素子１１と容量素子１２を接続
した本発明の１・、ハは出力電流に対する出力電圧の変
動率が著しく改良されている。インダクタンス１−の大
きいホの方がこの電圧変動帯を低減する効果が大ぎい。
素子を本発明の第５図ＶＯの回路に適用した。第５図に
おいて容量素子１２．１２′がインダクタンス素子１１
．１１−と整流回ｒ１，９′の接続点と二次巻線１１）
、１ｂ−の他の一方にそれぞれ接続されている。第６図
がこの場合の出力１ｈ性を示す。図中１９口は従来技術
の特性、トｔｉｔ第６図のインダクタンス素子を用いた
場合の特↑！１．ハ（ま第５図ホのインダクタンス素子
を用いた１易ｎの１．’ｉ ｆ’ｌを−【れて゛れ示し
ている。この図から明らかなように、従来技術イ１口に
比較してインダクタンス素子１１と容量素子１２を接続
した本発明の１・、ハは出力電流に対する出力電圧の変
動率が著しく改良されている。インダクタンス１−の大
きいホの方がこの電圧変動帯を低減する効果が大ぎい。
定量的に見れば、従来技術における＋３０％以上の低電
流時の電圧の急激な立上りが本発明の１・、ハの場合に
は＋１５％、＋９％まで抑えることができた。
流時の電圧の急激な立上りが本発明の１・、ハの場合に
は＋１５％、＋９％まで抑えることができた。
このような効果を実現できたのは、第７図イのような特
性が第６図に示すインダクタンス素子の特性で補正され
ただけでなく容量素子１２により高周波がかなりの稈醍
除去されたためである。丁度、低電流時のＶＯの電圧増
加分をインダクタンス素子の高周波のインダクタンス増
加分と容量素子で打消していることになるからである１
゜第８図は本発明の第２の実施例を示１回路図（・ある
。これは、インダクタンス素子１１が分割され１１，１
１８の２個どして二次巻線１ｈの両端に直列に接続され
ると同時にインダクタンス素子と整流回路との２つの接
続〆、九の間に容量素子１２を接続した場合である。同
じようにもう１つの回路のインダクタンス素子１１′″
も１１′と１１′ａの２個に分割されている。本実施例
の効果は第５図とほとんど同じであった。
性が第６図に示すインダクタンス素子の特性で補正され
ただけでなく容量素子１２により高周波がかなりの稈醍
除去されたためである。丁度、低電流時のＶＯの電圧増
加分をインダクタンス素子の高周波のインダクタンス増
加分と容量素子で打消していることになるからである１
゜第８図は本発明の第２の実施例を示１回路図（・ある
。これは、インダクタンス素子１１が分割され１１，１
１８の２個どして二次巻線１ｈの両端に直列に接続され
ると同時にインダクタンス素子と整流回路との２つの接
続〆、九の間に容量素子１２を接続した場合である。同
じようにもう１つの回路のインダクタンス素子１１′″
も１１′と１１′ａの２個に分割されている。本実施例
の効果は第５図とほとんど同じであった。
第９図は本発明の第３の実施例を示す回路図である。こ
れは第５図の回路にざらに容量素子１３゜１３″が前記
インダクタンス素子１１，１１−と前記二次巻線１ｈ、
１ｂ′との接続点と前記二次巻線の他の一方の端子どの
間に接続されている場合である。この容量素子１３．
１３′の存在により、１〜２％のわずかではあるが変動
率を改香することがでさＩＪ。
れは第５図の回路にざらに容量素子１３゜１３″が前記
インダクタンス素子１１，１１−と前記二次巻線１ｈ、
１ｂ′との接続点と前記二次巻線の他の一方の端子どの
間に接続されている場合である。この容量素子１３．
１３′の存在により、１〜２％のわずかではあるが変動
率を改香することがでさＩＪ。
第１０図は本発明の第４の実施例を示す回路図である。
これは第９図の回路の容早素了１２．１２’−，１３，
１３−にイれぞれ直列抵抗素子１４゜１／Ｉ−を並列抵
抗素子１５．１５−を接続した揚台である。この抵抗素
子１／１．１／Ｉ−，１５，１５′の存在により０．５
〜１％の変動亭の改善を行なうことができた。
１３−にイれぞれ直列抵抗素子１４゜１／Ｉ−を並列抵
抗素子１５．１５−を接続した揚台である。この抵抗素
子１／１．１／Ｉ−，１５，１５′の存在により０．５
〜１％の変動亭の改善を行なうことができた。
第５図、第８図、第９図、第１０図は主スイツチング・
］−ランジスタを一石のみ用いた場合であるが、第１１
図のように自励式プッシュプル等の１−ランジスタ２ａ
、２ｔ＋の２石の場合でも本発明の方式は実現でさる。
］−ランジスタを一石のみ用いた場合であるが、第１１
図のように自励式プッシュプル等の１−ランジスタ２ａ
、２ｔ＋の２石の場合でも本発明の方式は実現でさる。
すイｆわち、二次巻線１ｂの両端と両波整流回路の間に
インダクタンス素子１１．１１８の２個がそれぞれ接続
されるとともに、２個の容量素子１２．１２ａが前記２
つのインダクタンス素子１Ｌ１１ａと整流素子５，５ａ
の２つの接続点と二次巻線の中点どの間にそれぞれ接続
される。同じＪ：うにもう一対の二次巻線１ｂ′におい
ても２個の容品１２−．１２＝ａが２個のインダクタン
ス素子１１”、１１−ａと整流素子５′、５−ａの２つ
の接続点と二次巻線の中点との間にそれぞれ接続される
。これらの場合も第５図と同じＪ、う＜、Ｈ効果を実現
Ｃ′？さた１３．シた、■次巻線の中Ｔ１．＞と整流回
路との間に別にインダクタンス素子１１″、１１″ａを
接続することも可能である。さらに第１１図では一次側
はプツシコブルの２７ｉｈ式であったが、ぞの他ハーノ
１リッジ方式、フル１リンジ方式等の釜石方式でも状況
は同じであり本発明の効Ｔを実現できる。
インダクタンス素子１１．１１８の２個がそれぞれ接続
されるとともに、２個の容量素子１２．１２ａが前記２
つのインダクタンス素子１Ｌ１１ａと整流素子５，５ａ
の２つの接続点と二次巻線の中点どの間にそれぞれ接続
される。同じＪ：うにもう一対の二次巻線１ｂ′におい
ても２個の容品１２−．１２＝ａが２個のインダクタン
ス素子１１”、１１−ａと整流素子５′、５−ａの２つ
の接続点と二次巻線の中点との間にそれぞれ接続される
。これらの場合も第５図と同じＪ、う＜、Ｈ効果を実現
Ｃ′？さた１３．シた、■次巻線の中Ｔ１．＞と整流回
路との間に別にインダクタンス素子１１″、１１″ａを
接続することも可能である。さらに第１１図では一次側
はプツシコブルの２７ｉｈ式であったが、ぞの他ハーノ
１リッジ方式、フル１リンジ方式等の釜石方式でも状況
は同じであり本発明の効Ｔを実現できる。
また、本実施例群Ａ３いて（，１２出力のみ（Ｊつい（
述べたがイれ以−１−の多出力の自励式ソイツー１ンク
レギコレータにおいても本発明の効果は明らかでル）ろ
１，５〜らに、本発明の万【（と仙の？、Ｙ来技術どの
絹合わけ、例えばシリーズ゛し１゛Ｊ１ノータ（ゝ）ｆ
−１ツバ−も１ノくは磁気増幅器方式と（ｊｌ用しても
効果は同じである。
述べたがイれ以−１−の多出力の自励式ソイツー１ンク
レギコレータにおいても本発明の効果は明らかでル）ろ
１，５〜らに、本発明の万【（と仙の？、Ｙ来技術どの
絹合わけ、例えばシリーズ゛し１゛Ｊ１ノータ（ゝ）ｆ
−１ツバ−も１ノくは磁気増幅器方式と（ｊｌ用しても
効果は同じである。
以ト実施例を用いて詳細にβ１明したにうに、本発明の
回路方式を用いれば一次二次間の高耐圧を維持しつつ、
より安定な定電１特ｆ１を有する磁束制御方式の自励式
多山カスイツチング・レイ−２レークを実現できる。
回路方式を用いれば一次二次間の高耐圧を維持しつつ、
より安定な定電１特ｆ１を有する磁束制御方式の自励式
多山カスイツチング・レイ−２レークを実現できる。
１１−
第１図、第３図は従来技術の回路図、第２図。
第４図は従来技術のスイッチング・レギュレータの特性
図、第５図、第８図、第９図、第１０図。 第１１図は本発明の実施例のそれぞれの回路図、第６図
は本発明に用いられたインダクタンス素子の特性図、第
７図は本発明の効果を表わすスイッチング・レギュレー
タの特性図である。 １：ＥＴｌ・ランス ２：１：スイ・ンヂング・［・ラ
ンジスタ ９：ｖ流回路 １１：インダクタンス素子１
２．１３：容重素子 １Ｃ：帰）甲巻線および制御巻線 １２− 第１ 圃 第３凹 オワ口 Ｌｏ ８０ オワ口 オ１０固 Ｈ口 オ１１量 、６杵署 手続補正書（自発） １【件の表示 昭Ｉｌｌ ５ａ （ｌ”４１許１９（ｉ第 ５ｏ１９
シンｊｌ １ｌＩｌ （７） 名称 自
励式多出力スイッチング・レギュレータ補１Ｆ：をする
者 １１１１トノＮＩ＃、 ’＋！ｆ 、ｊ’Ｆ
：申ｉ ４（１八 −ｆＩ 所 東京
都ｆ・代１川イ丸の１人１＆ ｆ’ ｌ Ｉ １音２壮
→←−一一一名一 補正の内容 ｊ ｔｉｌｌ雇１占の「発明の詳細な説明」の＋１を
記載を下記の１ｍり訂正する。 記 （１） 明網ａ第４ ｆｘ第１８行（７） ｒｉｇ ２
ＩＺ 口＋ ” Ｊ ｋ「第２図イ、二」に訂正す
る。 （２）同書第８頁第１７行の「ｖｏ」を削除する。 （３）同書第９頁第１行の「第６図」を「第７図」に訂
正する。 ■ 「第１図」を次の通り訂正する。 以 上 、 ２ 。
図、第５図、第８図、第９図、第１０図。 第１１図は本発明の実施例のそれぞれの回路図、第６図
は本発明に用いられたインダクタンス素子の特性図、第
７図は本発明の効果を表わすスイッチング・レギュレー
タの特性図である。 １：ＥＴｌ・ランス ２：１：スイ・ンヂング・［・ラ
ンジスタ ９：ｖ流回路 １１：インダクタンス素子１
２．１３：容重素子 １Ｃ：帰）甲巻線および制御巻線 １２− 第１ 圃 第３凹 オワ口 Ｌｏ ８０ オワ口 オ１０固 Ｈ口 オ１１量 、６杵署 手続補正書（自発） １【件の表示 昭Ｉｌｌ ５ａ （ｌ”４１許１９（ｉ第 ５ｏ１９
シンｊｌ １ｌＩｌ （７） 名称 自
励式多出力スイッチング・レギュレータ補１Ｆ：をする
者 １１１１トノＮＩ＃、 ’＋！ｆ 、ｊ’Ｆ
：申ｉ ４（１八 −ｆＩ 所 東京
都ｆ・代１川イ丸の１人１＆ ｆ’ ｌ Ｉ １音２壮
→←−一一一名一 補正の内容 ｊ ｔｉｌｌ雇１占の「発明の詳細な説明」の＋１を
記載を下記の１ｍり訂正する。 記 （１） 明網ａ第４ ｆｘ第１８行（７） ｒｉｇ ２
ＩＺ 口＋ ” Ｊ ｋ「第２図イ、二」に訂正す
る。 （２）同書第８頁第１７行の「ｖｏ」を削除する。 （３）同書第９頁第１行の「第６図」を「第７図」に訂
正する。 ■ 「第１図」を次の通り訂正する。 以 上 、 ２ 。
Claims (1)
- １．１ヘランスの一次巻線に直列に接続されたスイッチ
ング素子、前記［・ランスに別に巻かれた帰還巻線によ
り前記スイッチング素子を周期的に断続させ前記トラン
スの複数対の二次巻線に電力を変換し、整流回路を介し
て複数の直流電力として取り出す自励式多山カスイツチ
ング・レギュレータにおいて、前記二次巻線の少くとも
一つの二次巻線の少くとも一つの端子と整流回路との間
に１．ＯＡＴ以上の直流起磁力で高周波のインダクタン
スが直流電流に対して単調な減衰特性を有するインタフ
タンス素子を直列に接続するとともに前記インダクタン
ス素子と整流回路との接続点と、前記二次巻線の池の一
方の端子との間に容量素子を接続したことを特徴とする
自助式多出力スイッチング・レギュレータ。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された自励式多出力ス
イッチング・レギュレータにおいて、前記インダクタン
ス素子ど前記二次巻線との１８続点と、前記二次巻線の
伯の一方の昭ｊ子との間に容量素子を接続したことを特
徴とする自励式多出力スイッチング・レギュレータ。 ３、特許請求の範囲第１項イ「い［）第２項に記載され
た自励式多出力スイッチング・レギュレータにおいて、
前記容量素子と直グμｍいし並り１１に抵抗素子を接続
１ノたことを’ｌ′ｉ ′ｆｉとηる自励式多出力スイ
ッチング・レギュレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005019A JPS59129576A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 自励式多出力スイツチング・レギユレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005019A JPS59129576A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 自励式多出力スイツチング・レギユレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129576A true JPS59129576A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11599801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005019A Pending JPS59129576A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 自励式多出力スイツチング・レギユレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182684U (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-24 |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP58005019A patent/JPS59129576A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182684U (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-24 |
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