JPS59141236A - 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS59141236A JPS59141236A JP58015188A JP1518883A JPS59141236A JP S59141236 A JPS59141236 A JP S59141236A JP 58015188 A JP58015188 A JP 58015188A JP 1518883 A JP1518883 A JP 1518883A JP S59141236 A JPS59141236 A JP S59141236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- ampoule
- growth
- epitaxial growth
- melt material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/26—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition
- H10P14/263—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using liquid deposition using melted materials
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は液相エヒタキシャル成長用メルト材杓ハ歯１１
≧士圧ｗ１ｍｈ 銭ｆ−助迭Ｔ穆によって組成誤差の
少々い複数個の同一組成を有する液相エピタキシャル成
長用成型メルト材料を同時に得ることができる製造方法
に関するものである。
≧士圧ｗ１ｍｈ 銭ｆ−助迭Ｔ穆によって組成誤差の
少々い複数個の同一組成を有する液相エピタキシャル成
長用成型メルト材料を同時に得ることができる製造方法
に関するものである。
（ｂ） 技術の＊景
一般に赤外線検知素子等の光電変換素子を形成する材料
として、エネルキーギャップの狭い水銀。
として、エネルキーギャップの狭い水銀。
カドミクム、テルル（Ｈｇ１−ＸＣｄＸＴｅ）等の化合
物牛専体結晶が用いられている。このような例えばＨｔ
２１−ｘ ０ｄｘＴｅからなる単結晶は１通常石英アン
プルを傾ける方式のチンピンク（Ｔｉｐｐｉｎｇ）式成
長法やカーボン製のスライドボートを用いたボートスラ
イド（Ｂｏａ、ｔ ５ｌｉｄｅ）式成長法などの液相エ
ヒタキシャル成長法によって例えばテルル化カドミウム
（ｃｄＴｏ）の結晶基板上に結晶層として形成している
。ところで上記のような成長方法によって０ｄＴｅ結晶
基板上に所望とする均一な組成の也１−ｘＣＴＸ′ｒｅ
からなる結晶層を成長させるには、前記アンプルあるい
はスライダのメルト材料収容部内に収容するＨｇ１−ｘ
Ｃｄ、 Ｔｅからなる成長用メルト材料を予めよく溶融
化合させて均一な化合物にしておく必要がある。
物牛専体結晶が用いられている。このような例えばＨｔ
２１−ｘ ０ｄｘＴｅからなる単結晶は１通常石英アン
プルを傾ける方式のチンピンク（Ｔｉｐｐｉｎｇ）式成
長法やカーボン製のスライドボートを用いたボートスラ
イド（Ｂｏａ、ｔ ５ｌｉｄｅ）式成長法などの液相エ
ヒタキシャル成長法によって例えばテルル化カドミウム
（ｃｄＴｏ）の結晶基板上に結晶層として形成している
。ところで上記のような成長方法によって０ｄＴｅ結晶
基板上に所望とする均一な組成の也１−ｘＣＴＸ′ｒｅ
からなる結晶層を成長させるには、前記アンプルあるい
はスライダのメルト材料収容部内に収容するＨｇ１−ｘ
Ｃｄ、 Ｔｅからなる成長用メルト材料を予めよく溶融
化合させて均一な化合物にしておく必要がある。
（Ｃ） 従来技術と間伽点
従来、上記した易蒸発性のＨｇを舌むＨＥ’、 １−
ＸＣｄＸＴｅからなる液相エピタキシャル成長用１ルト
桐料を調合し、形成するには２例えば石′ｉＩ８製のア
ンフル内に、 Ｈｇ、Ｃｄ、Ｔｅｌの素材を一成長工
程分館となるよう、それぞれ所定止知抄知して光増し、
該アシフル内をυ１り、した彼、その開口部を気密に封
止する。そしてこのアンプルを所定温度に加熱して内部
のメルト素材を充分に溶融し均一に化合きせた後、該ア
ンプルを急冷してアンフル内の材料を凝固せしめてＨｇ
１−ｘＣｄｘＴｅの化合物メルト材料を形成していた。
ＸＣｄＸＴｅからなる液相エピタキシャル成長用１ルト
桐料を調合し、形成するには２例えば石′ｉＩ８製のア
ンフル内に、 Ｈｇ、Ｃｄ、Ｔｅｌの素材を一成長工
程分館となるよう、それぞれ所定止知抄知して光増し、
該アシフル内をυ１り、した彼、その開口部を気密に封
止する。そしてこのアンプルを所定温度に加熱して内部
のメルト素材を充分に溶融し均一に化合きせた後、該ア
ンプルを急冷してアンフル内の材料を凝固せしめてＨｇ
１−ｘＣｄｘＴｅの化合物メルト材料を形成していた。
しかし、このように成長用メルト材料を−成し工程性か
単位づつ形成する方法にあっては、形成単位ごとの成長
用メルト材料の組成比に僅かながら誤差が生じ、再現性
が悪いといった問題があると共に極めて非能率な方法で
あった。このため１反に機数成長分の、成長用メルト材
料を再現性よく形成する方法が要望されていた。
単位づつ形成する方法にあっては、形成単位ごとの成長
用メルト材料の組成比に僅かながら誤差が生じ、再現性
が悪いといった問題があると共に極めて非能率な方法で
あった。このため１反に機数成長分の、成長用メルト材
料を再現性よく形成する方法が要望されていた。
（ｄ）発明の目的
本発明は上記した点を除法するため、１回のメルト材料
形成工程において襟数成長］°捏分の成長用メルト材刺
を再現性よ＜＃隼に形成し拘る新規な液相エビクキシャ
ル成長用メルト桐刺の裂地方法を提供することを目的と
するものである。。
形成工程において襟数成長］°捏分の成長用メルト材刺
を再現性よ＜＃隼に形成し拘る新規な液相エビクキシャ
ル成長用メルト桐刺の裂地方法を提供することを目的と
するものである。。
（ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば１石英アンプル内の長
手方向の上部の領域に複数の仕９Ｊり句き成型容器を下
向きに挿設すると共に、その下方の領域にメルト素材を
収容し、該アンプルを気密に封止した後、該アンプルを
所定温度に加熱して内部の前記メルト素材を溶融混合し
、この状態で前記アンプルを回転させて、前記溶融状態
のメルト桐粕を下方に反転した上記複数の仕切り付き成
型容器内に流入せしめ、その後ろ操アンプルを冷却して
前記成型容器内に冷面した沙数個の成型メルト材料を形
成することを特徴とする液相エピタキシャル成長用メル
ト材料の！８！造力法を提供することによって達成され
る。
手方向の上部の領域に複数の仕９Ｊり句き成型容器を下
向きに挿設すると共に、その下方の領域にメルト素材を
収容し、該アンプルを気密に封止した後、該アンプルを
所定温度に加熱して内部の前記メルト素材を溶融混合し
、この状態で前記アンプルを回転させて、前記溶融状態
のメルト桐粕を下方に反転した上記複数の仕切り付き成
型容器内に流入せしめ、その後ろ操アンプルを冷却して
前記成型容器内に冷面した沙数個の成型メルト材料を形
成することを特徴とする液相エピタキシャル成長用メル
ト材料の！８！造力法を提供することによって達成され
る。
（ｆ） 発明の実施例 −
以下図面を用いて本発明の製造方法の実施例について詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図乃至第４図は本発明に係る液相エピタキシャル成
長用メルト材料の製造方法の一実施例を説明する斜視図
および要部に略断面図である。
長用メルト材料の製造方法の一実施例を説明する斜視図
および要部に略断面図である。
まず第１図に示すように複数（この場合５枚）の仕切り
２を付設した半円筒状の高純良石英製メルト成！！ｉ！
容拠１を用意する。次いで、第２図に示すように、上記
メルト成型容器１の外＠命が精度よく嵌合する内径を有
する高純度石層製アンプル３内の上半分の領域に、前記
メルト成型容部１を逆さまにした形で嵌入配置する。そ
して該アンプル３内の下半分の空間＊＃に９例えば易蒸
発性のＨｇと、 Ｏ（１，Ｔｅを規定の組成比で所定
鋤秤如した成長用メルト集材、即ち本失施例においては
、すくなくとも６成長工程分、秤知した成長用メルト累
桐４を充填する。３次いでそのアンプル３内を真空に排
気した後、該アンプル３の開口部を溶融しル３内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）／４−の不活性カスを
封入してもよい。）しかる後、前記アンプル３の封止端
部３ａに石１１！：製の操作具５を溶接して該アンプル
３を図示のように加熱炉６内に配置し、加熱してアンフ
ル３内の前記成長用メルト素材４を溶融し、充分に溶解
した状態で、前記アンプル３を操作具５によって１８０
７％回転させて該アンフル３内の前記メルト成型容＆１
内に。
２を付設した半円筒状の高純良石英製メルト成！！ｉ！
容拠１を用意する。次いで、第２図に示すように、上記
メルト成型容器１の外＠命が精度よく嵌合する内径を有
する高純度石層製アンプル３内の上半分の領域に、前記
メルト成型容部１を逆さまにした形で嵌入配置する。そ
して該アンプル３内の下半分の空間＊＃に９例えば易蒸
発性のＨｇと、 Ｏ（１，Ｔｅを規定の組成比で所定
鋤秤如した成長用メルト集材、即ち本失施例においては
、すくなくとも６成長工程分、秤知した成長用メルト累
桐４を充填する。３次いでそのアンプル３内を真空に排
気した後、該アンプル３の開口部を溶融しル３内を真空
に排気した後、アルゴン（Ａｒ）／４−の不活性カスを
封入してもよい。）しかる後、前記アンプル３の封止端
部３ａに石１１！：製の操作具５を溶接して該アンプル
３を図示のように加熱炉６内に配置し、加熱してアンフ
ル３内の前記成長用メルト素材４を溶融し、充分に溶解
した状態で、前記アンプル３を操作具５によって１８０
７％回転させて該アンフル３内の前記メルト成型容＆１
内に。
溶融した成長用メルト素材４を流入させて充満する。次
いで第３図に示すように上記アンプル３を。
いで第３図に示すように上記アンプル３を。
加熱炉６より収り出した復水を加えたエチレングリコー
ル（ＨＯＯＨ２・ＣＨ２０Ｈ）等の冷却溶液７中に浸演
し前記メルト成型容器１内の成長用メルト索材４を急冷
する。そうすれば前記成長用メルト素材４中の易蒸発成
分であるＩ（ｇが空＠Ｊ都へ蒸発することが防止され均
一な組成のＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅからなる成長用メルト
材料１４が、前記メルト成型容器ｌの各仕切り２内に陰
型１７た形で凝−１される。
ル（ＨＯＯＨ２・ＣＨ２０Ｈ）等の冷却溶液７中に浸演
し前記メルト成型容器１内の成長用メルト索材４を急冷
する。そうすれば前記成長用メルト素材４中の易蒸発成
分であるＩ（ｇが空＠Ｊ都へ蒸発することが防止され均
一な組成のＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅからなる成長用メルト
材料１４が、前記メルト成型容器ｌの各仕切り２内に陰
型１７た形で凝−１される。
従ってその後アンプル３を冷却溶液７中より収メルト成
卆容木１を引き出すことにより、第４区Ｉに示すように
成苧された一成艮工程分の液相エヒタキシャル成長用メ
ルト材ト１１４を１度に６個得ることか可能と々る。ま
たこれら６個のメルト材料１４は、いずれも同一組成比
を楢するものであるから、この一連のメルト材料１４を
液相エビクキシャル成長に用いることにより角現性よく
即１１０（］ｘＴｅからなるエピタキシャル結晶層を得
ることができる。
卆容木１を引き出すことにより、第４区Ｉに示すように
成苧された一成艮工程分の液相エヒタキシャル成長用メ
ルト材ト１１４を１度に６個得ることか可能と々る。ま
たこれら６個のメルト材料１４は、いずれも同一組成比
を楢するものであるから、この一連のメルト材料１４を
液相エビクキシャル成長に用いることにより角現性よく
即１１０（］ｘＴｅからなるエピタキシャル結晶層を得
ることができる。
なお以上の実施例では易蒸発性元素のＨｇを含むＨｇｘ
−１ｃａｘ”ｒθのような成長用メルト材料を用いた場
合の例について説明しだが１本弁明はこれに画定される
ものではなく、その他の易蒸発性元素を含む＊糾合金を
形成する場合にも適用可能：なことは宮うまでもない。
−１ｃａｘ”ｒθのような成長用メルト材料を用いた場
合の例について説明しだが１本弁明はこれに画定される
ものではなく、その他の易蒸発性元素を含む＊糾合金を
形成する場合にも適用可能：なことは宮うまでもない。
（ロ））発明の効果
以上の説明から明らかなように１本発明に係る液相エピ
タキシャル成長用メルト材料の製造方法によれば、複数
棟のメルト集材組成の均一な複数個の成空された成長単
位のメルト材料を一挙に効が大幅に低減される等の利点
も壱する。よって本発明の製造方法によって形成された
成長単位のメルト材料をＨｇｌ 、 Ｃｒ５ＸＴｅ％−
からなる化合物キ一体結晶の液相エビタギシャル成長に
適用して極めて有利である。
タキシャル成長用メルト材料の製造方法によれば、複数
棟のメルト集材組成の均一な複数個の成空された成長単
位のメルト材料を一挙に効が大幅に低減される等の利点
も壱する。よって本発明の製造方法によって形成された
成長単位のメルト材料をＨｇｌ 、 Ｃｒ５ＸＴｅ％−
からなる化合物キ一体結晶の液相エビタギシャル成長に
適用して極めて有利である。
第１図は本発明に係る液相エピタキシャル成長用メルト
材料の製造方法に用いる仕切り付きメルト成型容器の一
実施例を示す斜視図、第２図乃至第３図は本発明に係る
液相エピタキシャル成長用メルト材料の製造方法の一実
施例を説明する工程要部断面図、第４図は本発明の製造
方法によって得られた成長単位のメルト材料の一実施例
を示す斜視図である。 図面において１は仕切り２付きメルト成ｆＭ’４器。 ３は石英製アンプル、３ａはアンプル３の封止端部、４
は成長用ノルド索材、５はアンプル操作共。 ６は加熱炉１７は冷却溶液、 １４は被数個に成型さ
れた成長用メルト材料を示す。 第１図 第２図 第３図 第４！Ｉ！Ｊ
材料の製造方法に用いる仕切り付きメルト成型容器の一
実施例を示す斜視図、第２図乃至第３図は本発明に係る
液相エピタキシャル成長用メルト材料の製造方法の一実
施例を説明する工程要部断面図、第４図は本発明の製造
方法によって得られた成長単位のメルト材料の一実施例
を示す斜視図である。 図面において１は仕切り２付きメルト成ｆＭ’４器。 ３は石英製アンプル、３ａはアンプル３の封止端部、４
は成長用ノルド索材、５はアンプル操作共。 ６は加熱炉１７は冷却溶液、 １４は被数個に成型さ
れた成長用メルト材料を示す。 第１図 第２図 第３図 第４！Ｉ！Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 石英アンプル内の長手方向の上部の領域に、複数の仕切
り伺きメルト成型容器を１向きに挿設すると共に、その
下方の領域にメルト素材を収容し。 該アンプルを気密に封止した後、該アンプルを所定温度
に加熱して内部の前記メルト素材を溶融混合し、この状
態で前記アンプルを回転させて前記溶融状態のメルト材
料を、Ｖ一方に反転した上記複数の仕切り伺きメルト成
型容器内に流入せしめ。 その後石英アンプルを冷却して前記成型（各器内に凝固
した複数個の成型メルト材料を形成することを特徴とす
る液相エピタキシャル成長用メルト材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015188A JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015188A JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141236A true JPS59141236A (ja) | 1984-08-13 |
| JPS6361772B2 JPS6361772B2 (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=11881862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015188A Granted JPS59141236A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 液相エピタキシヤル成長用メルト材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6913124B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-07-05 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Vibration inhibiting structure for rotor |
| CN100362254C (zh) * | 2000-03-30 | 2008-01-16 | 本田技研工业株式会社 | 车轮用制动鼓 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58015188A patent/JPS59141236A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100362254C (zh) * | 2000-03-30 | 2008-01-16 | 本田技研工业株式会社 | 车轮用制动鼓 |
| US6913124B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-07-05 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Vibration inhibiting structure for rotor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361772B2 (ja) | 1988-11-30 |
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