JPS59144123A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59144123A JPS59144123A JP58019208A JP1920883A JPS59144123A JP S59144123 A JPS59144123 A JP S59144123A JP 58019208 A JP58019208 A JP 58019208A JP 1920883 A JP1920883 A JP 1920883A JP S59144123 A JPS59144123 A JP S59144123A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- film
- silicon
- silicon film
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来、半導体集積回路装置においては、第２図に示すよ
うに、拡散層ｌと金属配線３とのコンタクＩｆとる場合
は１層間絶縁膜９を７オトエツテングにより選択的にエ
ツチングしてコンタクト孔２を開孔し、その後アルミニ
ウムを被着してコンタクトｒ、とってい九〇しかし、こ
の方法では、アルミニウム？配線としてバターニングし
た後のアロイ工程で、拡散層の接合の深さが浅い場合や
、アロイ時間が長くなう友場合、アルミニウム３が接合
ケつき抜けて基板と金属配線とが短絡するアロイスパイ
ク７が発生するという欠点があった。
うに、拡散層ｌと金属配線３とのコンタクＩｆとる場合
は１層間絶縁膜９を７オトエツテングにより選択的にエ
ツチングしてコンタクト孔２を開孔し、その後アルミニ
ウムを被着してコンタクトｒ、とってい九〇しかし、こ
の方法では、アルミニウム？配線としてバターニングし
た後のアロイ工程で、拡散層の接合の深さが浅い場合や
、アロイ時間が長くなう友場合、アルミニウム３が接合
ケつき抜けて基板と金属配線とが短絡するアロイスパイ
ク７が発生するという欠点があった。
こｎはアルミニウムとシリコンがアロイ工程で反応して
共晶するのが原因である。尚、第２図で６は単結晶シリ
コン基板、８はフィールドシリコン酸化膜である。
共晶するのが原因である。尚、第２図で６は単結晶シリ
コン基板、８はフィールドシリコン酸化膜である。
本発明は、アルミニウムの上にシリコン膜を被着するこ
とにより上記欠点？解消し、信頼性の高いコンタクトの
形成法茫提供するものである。
とにより上記欠点？解消し、信頼性の高いコンタクトの
形成法茫提供するものである。
丁なわち本発明は、半導体基板上に被着さｆ１７’ｊ層
間絶縁膜を選択的にエツチングしてコンタクト孔を設け
る工程と、しかる後、アルミニウム全被着し更にシリコ
ン膜を積層する工程と、フォトエツチング工程によジシ
リコン膜、アルミニウム膜を選択的にエツチングして金
属配線パターン？形成する工程と前記コンタクト孔？含
んで、核コンタクト周辺部のシリコン膜？選択的に残し
、他は除去する工程と、コンタクトの接触？よくするた
めのアロイ工程と？含む半導体集積回路装置の製造方法
である。
間絶縁膜を選択的にエツチングしてコンタクト孔を設け
る工程と、しかる後、アルミニウム全被着し更にシリコ
ン膜を積層する工程と、フォトエツチング工程によジシ
リコン膜、アルミニウム膜を選択的にエツチングして金
属配線パターン？形成する工程と前記コンタクト孔？含
んで、核コンタクト周辺部のシリコン膜？選択的に残し
、他は除去する工程と、コンタクトの接触？よくするた
めのアロイ工程と？含む半導体集積回路装置の製造方法
である。
次に本発明の一実捲例を図に沿って説明する。
第３図は第１図のＡ −Ａ’部の断面である。１ず第３
図（Ａ）に示すように、単結晶シリコン基板６にフィー
ルドシリコン酸化膜８、ゲート５．拡散層１１層間絶縁
膜９？形成後、フォトエツチングによりコンタクト孔２
？開孔する。次にアルミニウム３を全面に被着し続いて
シリコン膜４茫積層した後、フォトエツチングによりア
ルミニウム３、シリコン膜４を選択的にエツチングする
。このとＬアルミニウム３の上にシリコン膜４を積層し
ていることにより、フォトレジストｔＵ光する際にアル
ミニウムによる光の反射金防上することができ、段差の
ある箇所での異常露光？防上する効果もある。続いて第
３図（Ｂ）のようにアルミニウム３上のシリコン膜４？
、コンタクト孔２を含み、その周辺部？選択的に残して
他は除去する。そうした後、アルミニウム３を被着した
際のダメージ？除き、アルミニウム３と拡散層ｌとの接
触？良くする為のアロイを行なうと、アロイの際にアル
ミニウムと共晶するシリコンが前工程で残したシリコン
膜４から供給ざｎで、基板のほうへ深くはいってゆくの
ｒ妨げることができ、アロイスパイクが防上でさる。コ
ンタクト孔周辺部のシリコン膜？残した部分は第３図（
ｑのようにアロイ後シリコン入シアルミニウム１０とな
っている。
図（Ａ）に示すように、単結晶シリコン基板６にフィー
ルドシリコン酸化膜８、ゲート５．拡散層１１層間絶縁
膜９？形成後、フォトエツチングによりコンタクト孔２
？開孔する。次にアルミニウム３を全面に被着し続いて
シリコン膜４茫積層した後、フォトエツチングによりア
ルミニウム３、シリコン膜４を選択的にエツチングする
。このとＬアルミニウム３の上にシリコン膜４を積層し
ていることにより、フォトレジストｔＵ光する際にアル
ミニウムによる光の反射金防上することができ、段差の
ある箇所での異常露光？防上する効果もある。続いて第
３図（Ｂ）のようにアルミニウム３上のシリコン膜４？
、コンタクト孔２を含み、その周辺部？選択的に残して
他は除去する。そうした後、アルミニウム３を被着した
際のダメージ？除き、アルミニウム３と拡散層ｌとの接
触？良くする為のアロイを行なうと、アロイの際にアル
ミニウムと共晶するシリコンが前工程で残したシリコン
膜４から供給ざｎで、基板のほうへ深くはいってゆくの
ｒ妨げることができ、アロイスパイクが防上でさる。コ
ンタクト孔周辺部のシリコン膜？残した部分は第３図（
ｑのようにアロイ後シリコン入シアルミニウム１０とな
っている。
本発明はアルミニウム以外の物質、例えば微量のシリコ
ンあるいは銅等？含んだアルミニウム？金属配線に用い
ｔ場合にも適要でき、同様の効果を得ることができる。
ンあるいは銅等？含んだアルミニウム？金属配線に用い
ｔ場合にも適要でき、同様の効果を得ることができる。
第１図は本発明の実施例ケ示す平面図である。
第２図は従来法による断面図である。第３図（Ａ）乃至
第３図（０は本発明の実施例を工程順に示す断面図であ
る。第３図は第１図における。Ａ−Ａ断面茫示したもの
である。 図において、ｌ・・・・・・拡散層、２・・・・・・コ
ンタクト孔、３・・・・・・アルミニウム、４・・・・
・・シリコン膜、５・・・・・・ゲート電極、６・・・
・・・単結晶シリコン基板、７・・・・・・アロイスパ
イク、８・・・・・・フィールドシリコン酸化膜、９・
・・・・・層間絶縁膜、１０・・・・・・シリコン入り
アルミニウムである。 際１図 ２ 蟻Ｚ圀 Ｎｏ ３ ℃７Ｊ、（ｃ）
第３図（０は本発明の実施例を工程順に示す断面図であ
る。第３図は第１図における。Ａ−Ａ断面茫示したもの
である。 図において、ｌ・・・・・・拡散層、２・・・・・・コ
ンタクト孔、３・・・・・・アルミニウム、４・・・・
・・シリコン膜、５・・・・・・ゲート電極、６・・・
・・・単結晶シリコン基板、７・・・・・・アロイスパ
イク、８・・・・・・フィールドシリコン酸化膜、９・
・・・・・層間絶縁膜、１０・・・・・・シリコン入り
アルミニウムである。 際１図 ２ 蟻Ｚ圀 Ｎｏ ３ ℃７Ｊ、（ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に被着さルた絶縁膜に電極用コンタクトを
設ける工程と、しかる後アルミニウム？被着し更にシリ
コン膜を積層する工程と、前記シリコン膜およびアルミ
ニウム膜？選択的にエツチングして金属配線パターンを
形成する工程と、前記電極用コンタクト？含んで該コン
タクト周辺部のシリコン膜？選択的に残し他は除去する
工程と。 前記基板とアルミニウムの接触茫良くするためのアロイ
工程と？含む半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019208A JPS59144123A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019208A JPS59144123A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144123A true JPS59144123A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11992945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019208A Pending JPS59144123A (ja) | 1983-02-08 | 1983-02-08 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111144U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-28 | 古河電池株式会社 | 小型密閉蓄電池収納用ケース並に蓄電池容り容器 |
| JPH06168908A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-06-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路の形成方法 |
| US7779871B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-24 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Service unit for resource replenishment |
| US7779872B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-24 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Service unit for replenishing service fluids |
-
1983
- 1983-02-08 JP JP58019208A patent/JPS59144123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04111144U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-28 | 古河電池株式会社 | 小型密閉蓄電池収納用ケース並に蓄電池容り容器 |
| JPH06168908A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-06-14 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路の形成方法 |
| US7779871B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-24 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Service unit for resource replenishment |
| US7779872B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-24 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Service unit for replenishing service fluids |
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