JPS59147471A - ジヨセフソン論理集積回路 - Google Patents

ジヨセフソン論理集積回路

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JPS59147471A
JPS59147471A JP58019742A JP1974283A JPS59147471A JP S59147471 A JPS59147471 A JP S59147471A JP 58019742 A JP58019742 A JP 58019742A JP 1974283 A JP1974283 A JP 1974283A JP S59147471 A JPS59147471 A JP S59147471A
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Yutaka Harada
豊 原田
Kunio Yamashita
山下 邦男
Hideaki Nakane
中根 英章
Nobuo Kodera
小寺 信夫
Ushio Kawabe
川辺 潮
Mikio Hirano
幹夫 平野
Junji Shigeta
淳二 重田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は超電導素子に係υ、特にジョセフソン素子を使
った論理集積回路に関する。
〔従来技術〕
ジョセフソン素子を使った論理回路はスイッチ速度が速
く、消費電力が少いことから、高速計算機の論理回路と
して採用することが期待されている。計算機のように大
きなシステムを実現するには多品種の論理LSIを短い
期間のうちに供給する必要がある。従来技術では複雑な
論理を構成するのに、論理LSIの品種に応じて任意の
位置に論理回路を配置し、論理回路間の接続も論理回路
の間隙をうめる様にしておこなっていた。しかしこの方
法は設計に多くの時間を費し、計算機の設計変更や誤設
計(よる論理修正に素早く対応できない欠点がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は太集積度で設計が容易、かつ短期間のう
ちに供給できるジョセフソン論理LSIを提供すること
にある。
〔発明の概要〕
本発明は、論理回路に電力を供給する/(ワーノくスに
添って、それぞれ共通のジョセフソン素子の配置を有す
る複数の論理セルをあらかじめ決められた位置に配置し
、論理セルの内部配線、及び論理セル間の配置を選択的
に行なうことにより所望の論理回路を構成するようにし
た点を特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下に本発明を実施例を使って説明する。第1図は本発
明による論理LSIの構成例である。論理LSIチップ
100には接地面101、接地ノシツド102、電源ノ
くラド103、信号ノくラド104、が配置される。接
地面101は論理回路の電気的な接地面としての役目と
、磁気的な遮へい而としての役目を兼ねている。接地面
101上には論理回路を納めた複数個の論理セル105
が格子状のbらかしめ決められた位置に配置される。論
理セル105は内部の配線金変えることにより色々な論
理回路を構成できる。論理セル105には電源パッド1
03より、ノくツートリー106.レギユレータ107
、パワーバス108を介して交流電力が供給される。論
理セル105間は論理セルの間にある決められた配線格
子を使って配線された信号配線109、配線層間コンタ
クト111により接続される。論理セル105と信号パ
ッド104の間も同様に信号配線110と配線層間コン
タクト111により接続される。パワートリー106は
高周波の交流電力を位相をそろえて分配できるように配
線長を等しくし配線幅を変えて、伝送線路としての特性
インピーダンスがマツチングするようにしである。第2
a図はレギュレータ107、パワーバス108の構成を
示す図である。レギュレータ107は少くとも1個以上
のジョセフソン接合203を直列接続し、1端を接地し
、他端をパワーバス108の根本に接続した構造をして
いる。パワーバス108にはスイッチ素子211と抵抗
210を直列接続したスイッチ回路201が複数個並列
に接続されている。パワーバス108はパワーバス10
8の特性インピーダンスとスイッチ回路201のインピ
ーダンスを並列接続した回路インピーダンスが次に続く
パワーバスの特性インピーダンスと整合するように、パ
ワーバス108の特性インピーダンスを場所により変え
である。パワーバス108の終端は抵抗202を介して
接地する。抵抗202はパワーバス108の終喘抵抗と
しての役目と、パワーバス108に重畳するスイッチン
グノイズを接地に吸収させるための通路を構成する役目
を兼ねている。第2b図は第2a図に示した回路のより
具体的な構成例である。レギュレータ107ば4個のジ
ョセフソン接合203が配線106をはさんで配置され
ている。パワーバス108は伝送線路の特性インピーダ
ンスを変えるため配線幅tを変えである。
第3図は@埋セル105間または論理セル105と信号
パッド104の間の接続法を示す図である。
論理セル1050間には格子状に配線格子300が定義
される。信号配線はこの配線格子300の上を走る。配
線は横方向に走る配線層301と縦方向に走る配線層3
02の2層を使う。2つの配線層ハジョセフノン接合の
ベース電極層とコントロール電極層を使う。2つの配線
層は配線層コンタクト111で接続される。2つの配線
層を接続しない場合は絶縁膜303を配置し相互の配線
層を絶縁する。
論理回路は第4a〜40図、第5a〜5d図、第6a〜
60図の3種の素子を組み合わせて構成する。第4a図
は分割給電形量子干渉回路(以下分割形干渉回路と呼ぶ
)の等価回路であり、この回路を以下に第4b図に示す
シンボル400で表わす。分割形干渉回路400はジョ
セフソン接合401.402,403とジョセフソン接
合を結ぶインダクタ404より2つの超電導ループが構
成されている。インダクタ404には共振をおさえるた
めダンピング抵抗407が並列に接続される。インダク
タ404の中点には抵抗406を介して電流が供給され
る。インダクタ404の近傍に複数のコントロール配線
405が配置され、コントロール配線405に流れる電
流■Cにより発生する磁束は該超電導ループに鎖交する
。鎖交した磁束により第4a図に示す分割形干渉回路は
超電導状態から電圧状態に移る。複数のコントロール線
405のどれか1本にでもコントロール電流ICが流れ
ると分割形干渉回路は超電導状態から電圧状態に移るか
ら、この回路は論理的にOFL回路に相当する。第4C
図は第4a図に示す分割形干渉回路の平面図の例である
。インダクタ404はベース電極で構成する。ジョセフ
ソン接合402は2つのジョセフソン接合402a、4
02bで構成しである。第5a図は中央給電形量子干渉
回路(以下、中央形干渉回路と呼ぶ)の等価回路であり
、この回路を以下に第5b図に示すシンボル500で表
わす。中央形干渉回路500は第4a図に示した分割形
干渉回路に比べ電流を供給するのがジョセフソン接合4
02の1端であることが異る。中央形干渉回路500は
論理的にはOR回路に相当し、分割形干渉回路400が
使えない様な特殊な場合に使用する。第5c図は中央形
干渉回路の平面図の例である。中央形干渉回路は第4C
図に示す分割形干渉回路に比べ・電流を供給する場所が
異る。第5a図に示す中央形干渉回路は第5d図に示す
様に第4C図に示す分割形干渉回路に配線510を付加
することにより構成できることは明かである。第6a図
は注入形干渉回路の等価回路であシ、この回路を以下に
第6b図に示すシンボル600で表わす。注入形干渉回
路600はジョセフソン接合410,411とジョセフ
ソン接合を結ぶインダクタ412,413より1つの超
電導ループが構成されている。インダクタには共振をお
さえる目的でダンピング抵抗414が並列に接続されて
いる。注入形干渉回路はジョセフソン接合410の1端
と、インダクタ412゜413の接続点の両方に電流が
注入された時のみ、超電導状態から電圧状態に移る様に
動作させることができるから、この回路は論理的にA 
N I)回路に相当する。第6C図は注入形干渉回路の
平面図の例である。インダクタ412.413はベース
電極で構成する。
第7;1図はコントロール線405のインダクタンスと
信号線の特性インピーダンスをマツチングさせる方法を
示している。コントロール線405は等何曲にLCなる
容−1&に持つインダクタと見なせる。そのため特性イ
ンピーダンスZ。の伝送線路とマツチングさせるために
はコントロール線4050両端にC=LC/2Z、iな
る容量を持つキャパシタ700を接続すれば良い。第7
b図は分割形干渉回路400のコントロール線405の
両端にキャパシタ701を付けた例である。具体的には
領域701は接地面の陽極酸化した部分を露出させた部
分で、他の部分よシ接地面に乗る絶縁層の膜厚は薄い部
分であり、その上をコントロー4’+flJ405が通
っている。コントロール線405が領域701を通過す
る部分がキャパシタ701に相当する。同様に中央形干
渉回路でもコントロール線405と信号線の!特性イン
ピーダンスをマツチングさせられることは明かである。
第81ツ1は論理セル105に配置された素子を示す図
である。論理セル105の中心をパワーバス1.08が
通り、パワーバスにより上下2つの部分に分割される。
論理セル105の下半分には分割形干渉回路400a、
400bが両端に合計2個と注入形干渉回路600が真
中に配置されている。
分割形干渉回路に配線を付は加えると中央形干渉回路に
なることは第5d図で説明した。左端にある分割形干渉
回路400aにはバイアス抵抗801より電流が供給さ
れる。分割形干渉計4008より流れ出る電流は論理セ
ル105の論理機能によ少接地に流れることも、他の回
路に流れることもある。分割形干渉計400aの近傍に
は終端抵抗807が配置されており、コントロール線4
05を終C・:M抵抗807を介して接地できるように
しである。分割形干渉計400aの出力は出力抵抗80
4を介して他の論理セルと接続することも、同じ論理セ
ル内の注入形干渉回路と抵抗802を介して接続するこ
ともできる。右端にある分割形干渉回路400bも左端
にある分割形干渉回路400aと同様な機能を持つ。分
割形干渉回路400bは、論理セル105の論理機能に
よセ、バイアス抵抗801より電流が供給される場合と
、他の素子から電流が供給される場合とがあシ、分割形
干渉回路400bより流れ出る電流は接地に流れ込む。
分割形干渉回路400bの出力は出力抵抗804を介し
て他の論理セルと接続することも、抵抗803を介して
注入形干渉回路600と接続することもできる。論理セ
ル105の上半分は下半分にある素子の他にストレージ
ループダンピング抵抗810とジョセフノン接合811
を加えた素子が配置されている。第9図は第8図に示し
た素子を論理セル105内に配置した例である。
分割形干渉回路400a、400bと注入形干渉j′回
路600は接地面に穴を明けた溝830によって囲まれ
ている。溝830の内部の接地面は部分的にもうけられ
た橋831によυ溝830の外側の接地面と接続されて
いる。溝830は接地面を介して溝830の内部に流れ
込む電流の経路を制限し、分割形干渉回路400a、4
00b、注入形干渉回路600に磁束がトラップされる
のを防ぐ役目をしている。溝830の内部には接地領域
820、外部には接地領域821が配置され回路の接地
として使われる。
第118〜lie図は論理セル105で構成できる論理
回路を示している。第11a図は分割形干渉回路400
を使って構成した2人力OR回路である。入力信号A、
Bと出力信号Fとの関係はF=A+Bで表わされる。第
11a図に示す2人力OR回路は論理セル105の1/
4で構成できる。第11b図は分割形干渉回路400 
a、 400bと注入形干渉回路600を使って構成し
た2人力AND回路である。入力信号A、B、C,Dと
出力信号Fとの関係はF=(、A+Fl)・(C+’D
 )で表わされる。第11b図に示す2人力AND回路
は論理セル105の1/2で構成できる。第11c図は
分割形干渉回路400a、中央形干渉回路500、注入
形干渉回路600で構成したタイムドインバータ回路で
ある。中央形干渉回路500は第5d図で述べた様に分
割形干渉回路400bに配線を付加して構成する。入方
信号A、゛タイミング信号Tと出力信号Fとの関係はF
=T・人で表わされる。第11C図に示すタイムドイン
バータ回路は論理セル105の172で構成できる。第
1id図は分割形干渉回路4008゜400bと注入形
干渉回路600とストレージループ1100を使って構
成したストレージループ回路である。ストレージループ
1100は配線格子300を使った信号配線109を使
って構成される。入力信号A、Hに相当した信号をタイ
ミング信号Tによりストレージループに永久′電流IS
としてためる。第1id図に示すストレージループ回路
は論理セル105の172で構成できる。第1ie図は
分割形干渉計を使って構成したセルフゲートANJ)回
路である。交流電源の立上シ時に入力信号A、Hに対応
した相補信号が出力F、Fに表われる。第1ie図に示
すセルフゲートAND回路は論理セル105を1個使っ
て構成できる。
笑12図はマスタースレ・−プフリップ70ツブ回路の
構成例である。第11d図に示したストレージループ回
路900のストレージループ1100の永久′…、流I
sを第1ie図に示したセルフゲートAND回路901
0入力信号として使っている。
セルフゲートAND回路901の出力電流は微小である
ため、OFLM路902で、分割形干渉計400のコン
トロール線を2Nまきにし発生する磁束を増大させる工
夫をして、セルフゲー) ANT)回路の出力電流を増
幅している。
第13図は回路間でおこなうワイヤードアン回路の構成
例を示している。2つの分割形干渉回路400の出力を
出力抵抗804を介して接続され、さらに終端抵抗80
7に接続される。出力抵抗804の抵抗値は終端抵抗8
07のそれよシ非常に小さく設ける。第13図に示す回
路構成ではどちらか一方の分割形干渉回路400が電圧
状態になれば他方も電圧状態になり、論理的にO几回路
を構成する。入力信号A、B、C,Dと出力信号Fの関
係はF= (A+B)+ (C+D)である。
2つの出力抵抗804と終端抵抗807の間の接続は配
線格子を使った信号配線109でおこなうことも論理セ
ル内で処理することもできる。
第14a図は回路間でおこなうワイヤードAND回路の
構成例を示している。第1の分割形干渉回路400aの
出力電流を第2の分割形干渉回路に流し込む構造になっ
ている。そのため、第14a図に示す回路は第1.第2
の分割形干渉回路400a、400bのコントロール線
405の両方に電流が流れた場合にのみ第2の分割形干
渉回路が超電導状態から電圧状態に遷移するAND回路
である。すなわち第14a図に示す回路は入力信号A、
、B、C,Dと出力信号Fとの関係がF=(A+T3)
都(C+D)で表わされる。2人力AND回路である。
ワイヤードAND回路の結線は配線格子を使った信号配
線109を使ってもできるし、論理セル内で処理するこ
ともできる。第14b図は第14a図でのべたワイヤー
ドアンド回路を2個と注入形干渉回路600を使って構
成した4人力A、 N D回路の例である。入力信号A
B、C,D、E、F、 G、Hと出力信号Fの関係は 1”=(A+B)・(C+D)・(E+F)・(G+H
)で表わされる。第14b図に示す4人力AND回路は
論理セル105を1個使って構成できる。
第10a図は論理回路の終端方法を示した図である。分
割形干渉回路400′より送られた信号は分割形干渉回
路400”、400”’を信号伝送線路1000を介し
て駆動する。信号伝送線路の終端すなわち分割形干渉回
路400′の出力は配線1001、終端抵抗807を介
して接地する。第Job図は第10a図で示した終端方
法の実施例である。各々の分割形干渉回路400″、 
400”’の近傍には終端抵抗807を配置しておく。
分割形干渉回路400” 、400”’のコントロール
線405の端部と、終端抵抗807の端部は配線格子3
00に整合させる。信号伝送線路1000は配線格子上
を走る配線1001が分割形干渉回路400 ”’のコ
ントロール線405と終端抵抗807を接続することに
よシ終端される。
第15図はセルフゲー)AND回路901を構成した論
理セルのバイアス抵抗801の処理法を示している。第
1ie図に示すセルフゲートAND回路はバイアス抵抗
801を2個しか使わない。
七のためセルフゲートAND回路を論理セル105で構
成すると、バイアス抵抗801は2個使わないでり(る
。残されたバイアス抵抗は)(ワーノ(゛ス108のイ
ンピーダンスマツチングをさせるため第15図に示す様
に1端は接地する。論理セル105内では常に4個のバ
イアス抵抗を介して電流が接地に対して流れる構成にし
ておけば〕くワーバスのインピーダンスマツチングをさ
せることができる。そのため使わないで残されたバイア
ス抵抗801も必ず接地に接続する。
〔発明の効果〕
本発明によればジョセフソン素子を使ったAND回路、
0几回路、インバータ回路、フリップフロップ回路を任
意に構成できて、しかも設計期間の短い大規模な論理L
SIを供給できる。そのため計算機の設計変更等による
論理修正に素早く対応できるため大規模の計算機が構成
できる様になる。
ジョセフソン素子のスイッチングスピードは速く、しか
も大規模の集積回路を採用できるため、計算機の性能は
飛躍的に向上させることが可能でちゃ1本発明の効果は
非常に太きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による集積回路の構造図、第
2a図及び第2b図は電源回路の構成図、第3図は信号
配線の方法を示す図、第4a図、第4b図、第4C図、
第5a図、第5b図、第5C図、第5d図、第6a図、
第6b図、第6C図はそれぞれ論理素子の説明図、第7
a図及び第7b図は信号線のマツチング法を示す図、第
8図及び第9図は論理セルの構造図、第10a図及び第
10b図は信号線の終端法を示す図、第11a図。 第11b図、第11C図、第1id図及び第11e図は
論理回路図、第12図はマスタースレーブフリップフロ
ップの構成図、第13図はワイヤードOR回路の構成図
、第14a図及び第14b図はワイヤードOR回路の構
成図、第15図は使つ1いないバイアス抵抗の処理法を
示す図である。 100・・・論理LSIチップ、101・・・接地面、
102〜104・・・パッド、105・・・論理セル、
106・・・パワー1−.107・・・レギュレータ、
108・・・パワーバス、109・・・信号配線、20
1・・・論理回路、300・・・配線格子、400・・
・分割給電形4片子干渉回路、500・・・中央給醒形
計子干渉回路、600・・・注入形量子干渉回路、70
0・・・マツチングキヤノ(シタ、801・・・);イ
アス抵抗、807・・・終端抵抗、830・・・溝、1
100・・・ストレージループ、1000・・・信号伝
送線路。 特許出願人 工業技術院長 石 坂 誠 − 第 1 因 第 2d 巣 3 口 第=7−C図 4−Dl    4θ3 第踵図 第5C目 4/4− 第 乙C目 +tv 第 7d %7bQ 第 3 口 lρダ ′fi ? 図 ′fIlθα 口 /σ3 W  lθb 図 第11c図 第 11i  図 第 13  図 築14.b凹 ≦ /θr ’f、  +5  図 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 0発 明 者 重田淳二 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、接地面上に配置されジョセフソン素子で構成された
    複数の論理セルと、論理セルに給電する/くワーノ(ス
    と、論理セル間を配線する信号配線よシなる集積回路で
    あって、前記複数の論理セルは)くワーノ(スに沿って
    決められた位置に配置され、該論理セルの間に配置され
    た所定の配線格子を使った信号配線により選択的に相互
    接続されて所望の論理を得るジョセフソン論理集積回路
    。 2、前記論理セルは第1.第2の分割給電形量子干渉回
    路と1個の電流注入形量子干渉回路を含み、該第1の分
    割給電形量子干渉回路の1端はバイアス抵抗を介してパ
    ワーバスに接続され、他端は接地されるか、他の素子に
    接続するかを選択できる手段を持ち、第2の分割給電形
    量子干渉回路の1端はバイアス抵抗を介してパワーバス
    に接続されるか、他の素子に接続するかを選択できる手
    段を持ち、他端は接地されており、該第1.第2の分割
    給電形量子干渉回路の出力は他の論理セルと接続できる
    か、同−論理セルの該電流注入形量子干渉回路と接続で
    きるかを選択できる手段を持つことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載のジョセフソン論理集積回路。 3、前記第1.第2の分割給電形量子干渉回路の出力端
    子に直列に出力抵抗を接続する手段を有し、核出力抵抗
    を使って論理セル間にまたがったワイヤードオア回路が
    構成されることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
    のジョセフソン論理集積回路。 4o  前記第1の分割給電形量子干渉回路の出力と、
    前記第2の分割給電形量子干渉回路の1端を論理セル内
    、論理セル間にわたって接続する接続手段を有し、該接
    続手段を使ってワイヤードアンド回路が構成される特許
    請求の範囲第2項に記載のジョセフソン論理集積回路。 5、 前記論理セルの第1.第2の分割給電形量子干渉
    回路の近傍に終端抵抗が配置され、該分割給電形量子干
    渉回路のコントロール線と該終端抵抗が前記線絡子を使
    って接続されることを特徴とする特許請求の範囲第2項
    に記載のジョセフソン論理集積回路。 6.前記醋埋セルのバイアス抵抗を接地する手段を有す
    る特許請求の範囲第2項記載のジョセフソン論理集積回
    路。 7、前記第1.第2の分割給電形歇子干渉回路と、前記
    電流注入形景子干渉回路は前記接地面に設けられた不連
    続な溝で囲まれた領域中に配置されることを特徴とする
    特許請求の範囲第2項に記載のジョセフソン論理集積回
    路。 8、前記配線格子は、前記論理セルを構成するジョセフ
    ソン素子のベース電極と同層の第1の配線層と、コント
    ロール電極と同層の第2の配線層とから成ることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のジョセフソン論理
    集積回路。 9、  iiJ記配線格子を用いてループ状の信号線を
    形成し、単一の論理ユニットに該(信号線を接続してス
    トレージルーグとなした特許請求の範囲第1項に記載の
    ジョセフソン論理集積回路。 10、前記分割給電形量子干渉回路社選択的に配線を追
    加して中央給電、形量子干渉回路とされるものである特
    許請求の範囲第2項に記載のジョセフソン論理集積回路
JP58019742A 1983-02-10 1983-02-10 ジヨセフソン論理集積回路 Granted JPS59147471A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61281718A (ja) * 1985-06-07 1986-12-12 Agency Of Ind Science & Technol ジヨセフソン論理集積回路
US5202284A (en) * 1989-12-01 1993-04-13 Hewlett-Packard Company Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si subsrate that is partially masked with SiO2

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JPS61281718A (ja) * 1985-06-07 1986-12-12 Agency Of Ind Science & Technol ジヨセフソン論理集積回路
US5202284A (en) * 1989-12-01 1993-04-13 Hewlett-Packard Company Selective and non-selective deposition of Si1-x Gex on a Si subsrate that is partially masked with SiO2

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