JPS59148855A - 皮表角質層用コンダクタンス測定器 - Google Patents
皮表角質層用コンダクタンス測定器Info
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- JPS59148855A JPS59148855A JP58023192A JP2319283A JPS59148855A JP S59148855 A JPS59148855 A JP S59148855A JP 58023192 A JP58023192 A JP 58023192A JP 2319283 A JP2319283 A JP 2319283A JP S59148855 A JPS59148855 A JP S59148855A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は皮表角質層のコンダクタンスを同門法により簡
便に測定する装置に関する。
便に測定する装置に関する。
皮表角質層のコンダクタンスと水分含有率との間には一
定の相関関係があり、一方が増加すればに知られている
。しかし、このようなコンダクタンスは複雑な方法によ
り測定され、皮表角質層の診断、ならびに皮表角質層に
関するデータの蓄積はもっばら皮表コンダクタンスを知
ることによって行われていた。したがって、従来の皮表
角質層の゛コンダクタンス測定器は高価であるとともに
、複雑な方法に起因し′ζ信頼性が低く、取扱いも不便
であるという欠点があった。
定の相関関係があり、一方が増加すればに知られている
。しかし、このようなコンダクタンスは複雑な方法によ
り測定され、皮表角質層の診断、ならびに皮表角質層に
関するデータの蓄積はもっばら皮表コンダクタンスを知
ることによって行われていた。したがって、従来の皮表
角質層の゛コンダクタンス測定器は高価であるとともに
、複雑な方法に起因し′ζ信頼性が低く、取扱いも不便
であるという欠点があった。
本発明の目的は、水晶発振器により測定周波数を精密、
かつ安定に設定すると共に水晶発振器の出力を上記水晶
発振器に対して疎に結合した緩（ｈ増幅器に加え、さら
に重電同調特性を与えるための第１および第２の同調器
とに対して順次加えることによ弁良好な重電同調特性を
実現し、これによって被測定コンダクタンスの値に応し
て同調曲線へ変化を与え、この変化を高インピーダンス
任の第１および第２の直線検波器により検出し、再検波
器の出力の差を差動増幅することにより従来方式の欠点
を除去し、皮表角質層のコンダクタンスを容易、かつ精
密に測定する装置を提供することにある。
かつ安定に設定すると共に水晶発振器の出力を上記水晶
発振器に対して疎に結合した緩（ｈ増幅器に加え、さら
に重電同調特性を与えるための第１および第２の同調器
とに対して順次加えることによ弁良好な重電同調特性を
実現し、これによって被測定コンダクタンスの値に応し
て同調曲線へ変化を与え、この変化を高インピーダンス
任の第１および第２の直線検波器により検出し、再検波
器の出力の差を差動増幅することにより従来方式の欠点
を除去し、皮表角質層のコンダクタンスを容易、かつ精
密に測定する装置を提供することにある。
本発明による皮表角質層コンダクタンス測定器は水晶発
振器と、緩衝増幅器と、第１および第２の同調器と、測
定用電極部と、第１および第２の直線検波器と、差動増
幅器と、指示器とを具備して構成したものである。
振器と、緩衝増幅器と、第１および第２の同調器と、測
定用電極部と、第１および第２の直線検波器と、差動増
幅器と、指示器とを具備して構成したものである。
水晶発振器は恒温そうを使用しない形式のものであり、
測定に使用する高周波電圧を発生するものである。緩衝
増幅器は水晶発振器がら結合用素子を介して疎に結合す
ることにより、高周波電圧を入力して増幅するだめのも
のである。
測定に使用する高周波電圧を発生するものである。緩衝
増幅器は水晶発振器がら結合用素子を介して疎に結合す
ることにより、高周波電圧を入力して増幅するだめのも
のである。
第１の同調器は緩衝増幅器の出力電圧に同調し、重電間
開特性を与えるためのものである。第２の同調器は外部
出力用の中間タップを有するコイルを備え、第１の同調
器の出力に同調して重電特性を与えるためのものである
。測定用電極部は上記中間タップに接続してあってリン
グ状電極を成すものであり、被測定皮表角質層のコンダ
クタンスを検出するためのプローブである。第１の直線
検波器は緩衝増幅器の出力電圧を検波するためのもので
あり、第２の直線検波器は第２の同調器の出力電圧を検
波するためのものである。差動増幅器は第１および第２
の直線検波器の出方電圧を比較し、上記出力電圧の差電
圧に比例した出方電圧を発生さセるためのものである。
開特性を与えるためのものである。第２の同調器は外部
出力用の中間タップを有するコイルを備え、第１の同調
器の出力に同調して重電特性を与えるためのものである
。測定用電極部は上記中間タップに接続してあってリン
グ状電極を成すものであり、被測定皮表角質層のコンダ
クタンスを検出するためのプローブである。第１の直線
検波器は緩衝増幅器の出力電圧を検波するためのもので
あり、第２の直線検波器は第２の同調器の出力電圧を検
波するためのものである。差動増幅器は第１および第２
の直線検波器の出方電圧を比較し、上記出力電圧の差電
圧に比例した出方電圧を発生さセるためのものである。
指示器ば差動増幅器の出力電圧を読取り、被測定皮表角
質層のコンダクタンスを出力するためのものである。
質層のコンダクタンスを出力するためのものである。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明による皮表角質層用コンダクタンス測定
器の一実施例を示す図であり、第１図の測定器は水晶発
振器１と、緩衝増幅器２と、第１゜および第２の同調器
３，４と、測定電極部５と、第＾および第２の直線検波
器６．７と、差動増幅器８と、指示器９とを具備したも
のである。
器の一実施例を示す図であり、第１図の測定器は水晶発
振器１と、緩衝増幅器２と、第１゜および第２の同調器
３，４と、測定電極部５と、第＾および第２の直線検波
器６．７と、差動増幅器８と、指示器９とを具備したも
のである。
第１図において、水晶発振器１により発生した高周波電
圧は緩衝増幅器２を介して第１．および第２の同調器３
．４に順次加えられ、第２の同調器４から測定電極部５
に加えられている。第１および第２の同調器３．４はそ
れぞれ安定度に考慮を払った受動素子により構成され、
回路のＱはいずれもほぼ２０程度である。第１の同調器
３におい一ζ、コイル３０５とコイル３０６とは臨界結
合により、かつ疎に結合してあり、同調曲線はかなり平
坦な重電特性を呈するものである。一方、第２の同調器
４社おいて、コイル４０１には低インピーダンスの分岐
点が設↓すられている。同調容量の両端に対して、この
分岐点のインピーダンス分割比がほぼ１／１０になるよ
う中間タップｆを設定しである。この分岐点に皮表角質
層の状態を測定するための測定電極部５を接続する。測
定電極部５はリード５３を介してその中心導体が内部電
極５１に接続され、外部導体がリング状外部電極５２に
接続しである。内部電極５１と外部電極５２とを皮膚５
４に接触させると、内部電極５１と外部電極５２との間
の皮表角質層のコンダクタンスが皮表角質層に含まれた
水分に応じて増加する。
圧は緩衝増幅器２を介して第１．および第２の同調器３
．４に順次加えられ、第２の同調器４から測定電極部５
に加えられている。第１および第２の同調器３．４はそ
れぞれ安定度に考慮を払った受動素子により構成され、
回路のＱはいずれもほぼ２０程度である。第１の同調器
３におい一ζ、コイル３０５とコイル３０６とは臨界結
合により、かつ疎に結合してあり、同調曲線はかなり平
坦な重電特性を呈するものである。一方、第２の同調器
４社おいて、コイル４０１には低インピーダンスの分岐
点が設↓すられている。同調容量の両端に対して、この
分岐点のインピーダンス分割比がほぼ１／１０になるよ
う中間タップｆを設定しである。この分岐点に皮表角質
層の状態を測定するための測定電極部５を接続する。測
定電極部５はリード５３を介してその中心導体が内部電
極５１に接続され、外部導体がリング状外部電極５２に
接続しである。内部電極５１と外部電極５２とを皮膚５
４に接触させると、内部電極５１と外部電極５２との間
の皮表角質層のコンダクタンスが皮表角質層に含まれた
水分に応じて増加する。
皮膚に測定電極部５を接触させる前に第１．および第２
の同調器４．５は共振状態に設定してあり、信号線２３
からの参照用高周波電圧ｅ１と、信号線４７からの同調
容量両端の高周波電圧ｅ２とは等しくなるように調整し
ておく必要がある。測定用電極部５を皮表に接触させる
と、第２の同調器、におけるコイル４０１の分岐点、ず
なわち中間タップｆに皮表角質層のコンダクタンスＧｘ
と、これに付随する小さな静電容１（Ｃｘとが付加され
る。
の同調器４．５は共振状態に設定してあり、信号線２３
からの参照用高周波電圧ｅ１と、信号線４７からの同調
容量両端の高周波電圧ｅ２とは等しくなるように調整し
ておく必要がある。測定用電極部５を皮表に接触させる
と、第２の同調器、におけるコイル４０１の分岐点、ず
なわち中間タップｆに皮表角質層のコンダクタンスＧｘ
と、これに付随する小さな静電容１（Ｃｘとが付加され
る。
Ｇｘは数十〜数百μモー、Ｃｘは数１） Ｆの程度の値
である。皮表角質層のコンダクタンスＧｘはコイル４０
１の損失を増加させ、高周波電圧ｅ２を低下させる。静
電容量Ｃｘは第２の同調器４を離調させるので上記と同
様に高周波電圧ｅ２を低下させる。
である。皮表角質層のコンダクタンスＧｘはコイル４０
１の損失を増加させ、高周波電圧ｅ２を低下させる。静
電容量Ｃｘは第２の同調器４を離調させるので上記と同
様に高周波電圧ｅ２を低下させる。
第２図は縦軸に高周波電圧ｅ２を示し、横軸に第２の同
調器４における同調容量をとって概念的に画いた同調曲
線である。第２図において、曲線１０ＱＩば皮表コンダ
クタンスが付加されない時の同調曲線を示し、曲線１０
０２ば皮表コンダクタンスによって損失か増加した時の
同調曲線を示す。測定用電極部５を皮表に接触させない
場合には、高周波電圧ｅ２は第２図のａにより示された
レベルにあり、測定用電極部５を皮表に接触させると、
皮表角質層のコンダクタンス成分Ｇｘにより実効ＱｆＪ
＜’Ｆがって曲線１’００２に従う。この場合、静電容
量成分Ｃｘがなければ高周波電圧ｅ２はｂにより示され
ノこレベルにあるが、静電容量成分Ｃｘが有る場合には
Ｃにより示されたレベルになる。
調器４における同調容量をとって概念的に画いた同調曲
線である。第２図において、曲線１０ＱＩば皮表コンダ
クタンスが付加されない時の同調曲線を示し、曲線１０
０２ば皮表コンダクタンスによって損失か増加した時の
同調曲線を示す。測定用電極部５を皮表に接触させない
場合には、高周波電圧ｅ２は第２図のａにより示された
レベルにあり、測定用電極部５を皮表に接触させると、
皮表角質層のコンダクタンス成分Ｇｘにより実効ＱｆＪ
＜’Ｆがって曲線１’００２に従う。この場合、静電容
量成分Ｃｘがなければ高周波電圧ｅ２はｂにより示され
ノこレベルにあるが、静電容量成分Ｃｘが有る場合には
Ｃにより示されたレベルになる。
しかしながら、上記の静電容量成分Ｃｘによる高周波電
圧ｅ２の変化は、コイル４０１における分岐点、すなわ
ち中間タップｆの設定を適切化し、第２の同調器４の実
効的なＱを下げることにより、実用上支障のない程度ま
で減することができる。
圧ｅ２の変化は、コイル４０１における分岐点、すなわ
ち中間タップｆの設定を適切化し、第２の同調器４の実
効的なＱを下げることにより、実用上支障のない程度ま
で減することができる。
本実施例では、中間タップｆの位置をコイル４゜Ｉの全
巻数の１／３の点に選んでいる。測定用電極５を直接コ
イル４０１の同調容量に並列に接続する場合に比べて、
上記のように分岐点へ接続する場合には、静電容量成分
に起因する高周波電圧ｅ２の変化はインピーダンス分割
比、ずなわら本実施例では１／１ｏに減ぜられる。第２
図に示すように、同調曲線の共振点付近の形は二次関数
的に変化するため、換算された静電容量Ｃｘの値が約１
／１ｏになれば、静電容量Ｃｘによる高周波電圧ｅ２の
変化はほぼ１／１００程度になる。一方、皮表角質層の
コンダクタンスＧ ｘも同調容量の両端に換算するとば
ぼＩ／Ｉ（＋となるが、被測定コンダクタンス成分Ｇｘ
による高周波電圧ｅ２の変化は、換算されたコンダクタ
ンスに比例し宅はぼ１／１ｏである。結局、被測定コン
ダクタンス成分Ｇｘに対する感度を犠牲にし、コンダク
タンス成分Ｇｘによる高周波電圧（！２の変化に比べて
、静電容量Ｃｘによる高周波電圧ｅ２の変化を相対的に
１／１ｏ程度に改善したことになる。一方、第１の同調
器３の実効的Ｑを下げることも効果的である。第１の同
調器３が複同調回路であり共振点付近における同調特性
が通當の重電特性よりも平坦であれば、静電容量成分Ｃ
ｘによる高周波電圧ｅ２の変化はかなり小さくなる。静
電容量成分Ｃｘによる上記高周波電圧ｅ２の変化が無視
できれば、高周波電圧ｅ２の値は第２の同調器４のコン
ダクタンス成分Ｑｘをも含めた等価コンダクタンスに比
例することは上の説明′から明らかである。このため、
コンダクタンス成分Ｇｘを同調容量に並列な値に換算し
た等価コンダクタンス値か、コイル４０１の等価並列コ
ンダクタンスに比べてほぼ１０％以下になるように実効
Ｑを下げ、さらに分岐点の位置を適切に選択すれば、コ
ンダクタンス成分Ｇｘによる高周波電圧ｅ２の変化はコ
ンダクタンス成分Ｇｘの値に比例する。
巻数の１／３の点に選んでいる。測定用電極５を直接コ
イル４０１の同調容量に並列に接続する場合に比べて、
上記のように分岐点へ接続する場合には、静電容量成分
に起因する高周波電圧ｅ２の変化はインピーダンス分割
比、ずなわら本実施例では１／１ｏに減ぜられる。第２
図に示すように、同調曲線の共振点付近の形は二次関数
的に変化するため、換算された静電容量Ｃｘの値が約１
／１ｏになれば、静電容量Ｃｘによる高周波電圧ｅ２の
変化はほぼ１／１００程度になる。一方、皮表角質層の
コンダクタンスＧ ｘも同調容量の両端に換算するとば
ぼＩ／Ｉ（＋となるが、被測定コンダクタンス成分Ｇｘ
による高周波電圧ｅ２の変化は、換算されたコンダクタ
ンスに比例し宅はぼ１／１ｏである。結局、被測定コン
ダクタンス成分Ｇｘに対する感度を犠牲にし、コンダク
タンス成分Ｇｘによる高周波電圧（！２の変化に比べて
、静電容量Ｃｘによる高周波電圧ｅ２の変化を相対的に
１／１ｏ程度に改善したことになる。一方、第１の同調
器３の実効的Ｑを下げることも効果的である。第１の同
調器３が複同調回路であり共振点付近における同調特性
が通當の重電特性よりも平坦であれば、静電容量成分Ｃ
ｘによる高周波電圧ｅ２の変化はかなり小さくなる。静
電容量成分Ｃｘによる上記高周波電圧ｅ２の変化が無視
できれば、高周波電圧ｅ２の値は第２の同調器４のコン
ダクタンス成分Ｑｘをも含めた等価コンダクタンスに比
例することは上の説明′から明らかである。このため、
コンダクタンス成分Ｇｘを同調容量に並列な値に換算し
た等価コンダクタンス値か、コイル４０１の等価並列コ
ンダクタンスに比べてほぼ１０％以下になるように実効
Ｑを下げ、さらに分岐点の位置を適切に選択すれば、コ
ンダクタンス成分Ｇｘによる高周波電圧ｅ２の変化はコ
ンダクタンス成分Ｇｘの値に比例する。
上記のようにして得られた高周波電圧ｅＩ、ｅ２はそれ
ぞれ直線横波器６，７により検波され、これらの出力は
差動増幅器８に加えられる。差動増幅器８の出力は皮表
角質層のコンダクタンスＧＸに比例したものであり、そ
の値を指示器９に直接表示することができる。
ぞれ直線横波器６，７により検波され、これらの出力は
差動増幅器８に加えられる。差動増幅器８の出力は皮表
角質層のコンダクタンスＧＸに比例したものであり、そ
の値を指示器９に直接表示することができる。
第３図は本発明による第１図に示した皮表角質層用コン
ダクタンス測定器の一実施例の回路構成図の一例を示す
。第３図において、水晶発振器１は恒温そうを使用しな
い形式の水晶発振子１０１と、トランジスタ１０７と、
複数の受動素子とから成り立つ。緩衝増幅器２はトラン
ジスタ２１０と、入力結合用コイル２０１．２０２と、
複数の受動素子とから成り立つ。第１の同調器３は重電
同開用のコイル３０５，３０６と、可変容量素子３０１
と、固定容量素子３０２と、抵抗器３０３゜３０４とか
ら成り立つ。第２の同調器４は中間タップを有するコイ
ルｔｏ１と、容量素子４０２〜４０４と、抵抗器４０５
とから成り立つ。測定用電極部５は第２の同調器４に内
蔵されているコイル４０１の中間タップｆに接続しであ
る。第１の直線検波器６は電界効果形トランジスタ６０
２と。
ダクタンス測定器の一実施例の回路構成図の一例を示す
。第３図において、水晶発振器１は恒温そうを使用しな
い形式の水晶発振子１０１と、トランジスタ１０７と、
複数の受動素子とから成り立つ。緩衝増幅器２はトラン
ジスタ２１０と、入力結合用コイル２０１．２０２と、
複数の受動素子とから成り立つ。第１の同調器３は重電
同開用のコイル３０５，３０６と、可変容量素子３０１
と、固定容量素子３０２と、抵抗器３０３゜３０４とか
ら成り立つ。第２の同調器４は中間タップを有するコイ
ルｔｏ１と、容量素子４０２〜４０４と、抵抗器４０５
とから成り立つ。測定用電極部５は第２の同調器４に内
蔵されているコイル４０１の中間タップｆに接続しであ
る。第１の直線検波器６は電界効果形トランジスタ６０
２と。
容量素子６０３と、抵抗器６０４とがら成り立〕。
第２の直線検波器７も第１の直線検波器６と同様の構成
を有し、電界効果形トランジスタ７０２と。
を有し、電界効果形トランジスタ７０２と。
容量素子７０３と、抵抗器７゛０４とから成り立つ。
差動増幅器８は差動増幅用の集積回路８０８と。
複数個の受動素子とから成り立つ。指示器９は被測定コ
ンダクタンスＧｘの値に比例した直流電圧を指示するも
ので、あらかじめコンダクタンス値を読み取ることがで
きるように校正しておく必要がある。
ンダクタンスＧｘの値に比例した直流電圧を指示するも
ので、あらかじめコンダクタンス値を読み取ることがで
きるように校正しておく必要がある。
第４図は第１．および第２の直線検波器６．７の入出力
特性の一例を示す図である。第４図において、高周波入
力電圧ｅ１．またはｅ２に対してＤＣ出力電圧は比例関
係を有している。第１．および第２の直線検波器６．７
は電界効果形トランジスタ６０２，７０２を使用してい
るので、高インピーダンス性の入力特性を有する。この
ため、第１．および第２の同調器３，４の同調回路のＱ
特性に与える影響は、ｎｐｎ ）ランジスタを使用して
いる従来構成のものに比べてはるかに小さい。
特性の一例を示す図である。第４図において、高周波入
力電圧ｅ１．またはｅ２に対してＤＣ出力電圧は比例関
係を有している。第１．および第２の直線検波器６．７
は電界効果形トランジスタ６０２，７０２を使用してい
るので、高インピーダンス性の入力特性を有する。この
ため、第１．および第２の同調器３，４の同調回路のＱ
特性に与える影響は、ｎｐｎ ）ランジスタを使用して
いる従来構成のものに比べてはるかに小さい。
一方、第５図は指示器９の出力電圧の読みと被測定コン
ダクタンスＧｘとの関係の一例を示す図である。
ダクタンスＧｘとの関係の一例を示す図である。
第５図において、曲線１０ｏ３は実測値を示す曲線であ
り、曲線１００４は計測値（理論値）を示す曲線である
。
り、曲線１００４は計測値（理論値）を示す曲線である
。
以上説明したように、本発明によれば水晶発振器により
測定周波数を精密、かつ安定に設定すると共に、水晶発
振器の出力を水晶発振器に対して疎に結合した緩衝増幅
器と、重電同調特性を与えるための第１および第２の同
調器とに加えることにより良好な重電同調特性が実現さ
れ、これによって被測定コンダクタンスの値に応じて同
調曲線へ変化を与え、この変化を高インピーダンス性の
第１および第２の直線検波器により検出し、雨検出器の
出力の差を差動増幅することにより、皮表角質層コンダ
クタンスを容易、かつ精密に測定することができるとい
う効果がある。
測定周波数を精密、かつ安定に設定すると共に、水晶発
振器の出力を水晶発振器に対して疎に結合した緩衝増幅
器と、重電同調特性を与えるための第１および第２の同
調器とに加えることにより良好な重電同調特性が実現さ
れ、これによって被測定コンダクタンスの値に応じて同
調曲線へ変化を与え、この変化を高インピーダンス性の
第１および第２の直線検波器により検出し、雨検出器の
出力の差を差動増幅することにより、皮表角質層コンダ
クタンスを容易、かつ精密に測定することができるとい
う効果がある。
第１図は本発明による皮表角質層のコンダクタンス測定
器の一実施例におけるブロック構成を示す図である。 第２図は第１図におけるコンダクタンス測定の同調曲線
を示す図である。 第３図は第１図に示すコンダクタンス測定器６同路構成
の一例を示ｊ−図である。 第４図は第１図に示すコンダクタンス測定器に使用して
いる直線検波器の検波特性の一例を示す図である。 第５図は第１図に示すコンダクタンス測定器における指
示器の指示とコンダクタンス値との関係の一例を示す図
である。 １・・・水晶発振器 ２・・・緩衝増幅器３
．４・・・同調器 ５・・・測定電極部６．
７・・・直線増幅器 ８・・・差動増幅器９・・
・指示器 ２３．．２．４・・・信号線特許
出願人 アイ・ビイ・ニス株式会社代理人 弁理士
井 ノ ロ 壽
器の一実施例におけるブロック構成を示す図である。 第２図は第１図におけるコンダクタンス測定の同調曲線
を示す図である。 第３図は第１図に示すコンダクタンス測定器６同路構成
の一例を示ｊ−図である。 第４図は第１図に示すコンダクタンス測定器に使用して
いる直線検波器の検波特性の一例を示す図である。 第５図は第１図に示すコンダクタンス測定器における指
示器の指示とコンダクタンス値との関係の一例を示す図
である。 １・・・水晶発振器 ２・・・緩衝増幅器３
．４・・・同調器 ５・・・測定電極部６．
７・・・直線増幅器 ８・・・差動増幅器９・・
・指示器 ２３．．２．４・・・信号線特許
出願人 アイ・ビイ・ニス株式会社代理人 弁理士
井 ノ ロ 壽
Claims (1)
- 高周波電圧を発生ずるための水晶発振器と、前記水晶発
振器から結合用素子を介して疎に結合することにより前
記高周波電圧を入力して増幅１するための緩衝増幅器と
、前記緩衝増幅器の出力電圧に同調して重電同調特性を
与えるための第１の同調器と、外部出力用中間タップを
有するコイルを備え前記第１の同調器の出力に同調して
重電特性を与えるための第２の同調器と、前記中間タッ
プに接続してあってリング形状を成し、被測定皮表角質
層のコンダクタンスを検出するための測定用電極部と、
前記緩衝増幅器の出力電圧を検波するための第１の直線
検波器と、前記第２の同調器の出力電圧を検波するため
の第２の直線検波器と、前記第１および第２の直線検波
器の出力電圧を比較し差電圧に比例した出力電圧を発生
させるための差動増幅器と、前記差動増幅器の出力電圧
を読取り前記被測定皮表角質層のコンダクタンスを出力
するための指示器とを具備１て構成したことを特徴とす
る皮表角質層用コンダクタンス測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023192A JPS59148855A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 皮表角質層用コンダクタンス測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023192A JPS59148855A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 皮表角質層用コンダクタンス測定器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148855A true JPS59148855A (ja) | 1984-08-25 |
| JPH0251137B2 JPH0251137B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=12103795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58023192A Granted JPS59148855A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 皮表角質層用コンダクタンス測定器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148855A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214834A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | アイ．ビイ．エス株式会社 | 生体のコンダクタンス測定器 |
| JPH0326230A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-04 | Kanebo Ltd | 皮膚特性チェック装置 |
| WO2002047548A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Art Haven 9 Co., Ltd. | Instrument de mesure de l'impedance d'un corps |
| JP2002534179A (ja) * | 1999-01-05 | 2002-10-15 | カイク・リミテッド | 身体物質のインピーダンス測定 |
| WO2002094096A1 (fr) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif de diagnostic du systeme neuro-musculo-squelettique et methode d'utilisation |
| JP2007282789A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Sony Corp | 電界制御装置及び検出装置 |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58023192A patent/JPS59148855A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214834A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | アイ．ビイ．エス株式会社 | 生体のコンダクタンス測定器 |
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| JP2002534179A (ja) * | 1999-01-05 | 2002-10-15 | カイク・リミテッド | 身体物質のインピーダンス測定 |
| WO2002047548A1 (fr) * | 2000-12-14 | 2002-06-20 | Art Haven 9 Co., Ltd. | Instrument de mesure de l'impedance d'un corps |
| WO2002094096A1 (fr) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif de diagnostic du systeme neuro-musculo-squelettique et methode d'utilisation |
| JP2007282789A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Sony Corp | 電界制御装置及び検出装置 |
| US8340755B2 (en) | 2006-04-14 | 2012-12-25 | Sony Corporation | Electric field control device and detection device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0251137B2 (ja) | 1990-11-06 |
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