JPS59158572A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS59158572A JPS59158572A JP58032374A JP3237483A JPS59158572A JP S59158572 A JPS59158572 A JP S59158572A JP 58032374 A JP58032374 A JP 58032374A JP 3237483 A JP3237483 A JP 3237483A JP S59158572 A JPS59158572 A JP S59158572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- film
- electrode
- oxide film
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔背景技術〕
第１図乃至第５図は従来の太陽電池の製造方法である。
従来にあっては、太陽電池を表面にｆ層を形成せるウェ
ハ（ン基板）（１）上に第２図の如くナイトライド（５
１３＝＼・４）膜（２）を形成して反射防止膜とし、該
ナイトライド膜（２）に第３図の如く窓Ｃろ）を開設し
、第４図の如く該窓（ろ）内にアルミニウムの電極（４
）を形成し、第５図の如く該電極（４）の表面に半田（
５）を付けて形成している。
ハ（ン基板）（１）上に第２図の如くナイトライド（５
１３＝＼・４）膜（２）を形成して反射防止膜とし、該
ナイトライド膜（２）に第３図の如く窓Ｃろ）を開設し
、第４図の如く該窓（ろ）内にアルミニウムの電極（４
）を形成し、第５図の如く該電極（４）の表面に半田（
５）を付けて形成している。
しかるに電極窓明工程においてナイトライド膜のエツチ
ングは該ナイトライド膜（２）上にレジスト膜（図示略
）を形成し、１６０℃の熱燐酸を使用して行なっている
がレジストの耐熱性に問題があり、エツチング途中にレ
ジストの剥離が起こりエツチングがおこないにくい欠点
がある。またアルミニウムの電極（４１上への半田付工
程番こおいては半田付の際（半田伺温度５５０° ）に
、フラックスが炭化し、ナイトライド膜（反射防止膜）
（２１Ｊ−に残り太陽電池の性能を著しく低下させる欠
点かある。
ングは該ナイトライド膜（２）上にレジスト膜（図示略
）を形成し、１６０℃の熱燐酸を使用して行なっている
がレジストの耐熱性に問題があり、エツチング途中にレ
ジストの剥離が起こりエツチングがおこないにくい欠点
がある。またアルミニウムの電極（４１上への半田付工
程番こおいては半田付の際（半田伺温度５５０° ）に
、フラックスが炭化し、ナイトライド膜（反射防止膜）
（２１Ｊ−に残り太陽電池の性能を著しく低下させる欠
点かある。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、太陽電池
反射防止膜（ナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）膜）上に常圧
ＣＶＤにより酸化膜を形成しこれをマスクとして使用す
ることにより電極窓明は工程を容易にし、かつ電極形成
後の半田付の際に生じるフラックスによる反射防止膜の
汚れを除去することができる太陽電池の製造方法を提供
することを目的とする。
反射防止膜（ナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）膜）上に常圧
ＣＶＤにより酸化膜を形成しこれをマスクとして使用す
ることにより電極窓明は工程を容易にし、かつ電極形成
後の半田付の際に生じるフラックスによる反射防止膜の
汚れを除去することができる太陽電池の製造方法を提供
することを目的とする。
この発明の要旨とするところはウェハ（基板）（１）」
二にナイトライド膜（２）を形成し、該ナイトライド膜
（２）上に酸化膜（６）を形成し、該酸化膜（６）にバ
ッファフッ酸を使用するエツチングにより窓（イ）を開
口し、該窓（私を介して熱リン酸を使用するエツチング
によりナイトライド膜（２）に窓（ろ）を開設し２、こ
れらの窓（ｇ＋、 （ｓ＋を介してウェハ（１）上に電
極（４）を形成し、該電極（４）に半田（５）を刊け、
しかる後にバッファフッ酸により酸化膜（６）を除去す
ることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
二にナイトライド膜（２）を形成し、該ナイトライド膜
（２）上に酸化膜（６）を形成し、該酸化膜（６）にバ
ッファフッ酸を使用するエツチングにより窓（イ）を開
口し、該窓（私を介して熱リン酸を使用するエツチング
によりナイトライド膜（２）に窓（ろ）を開設し２、こ
れらの窓（ｇ＋、 （ｓ＋を介してウェハ（１）上に電
極（４）を形成し、該電極（４）に半田（５）を刊け、
しかる後にバッファフッ酸により酸化膜（６）を除去す
ることを特徴とする太陽電池の製造方法である。
以下この発明を第６図乃至第１２図に示ず一実施例に基
づき説明する。
づき説明する。
表面にＮ”Ｅ＋を形成せるウニ／Ｓ（Ｐ基板）（１）上
にナイトライド膜（反射防止膜）（２）を形成するとこ
ろまでの工程は従来と同じである。第６図及び第７図は
この状態を示す。
にナイトライド膜（反射防止膜）（２）を形成するとこ
ろまでの工程は従来と同じである。第６図及び第７図は
この状態を示す。
常に第８図に示す如く、ナイトライド膜（２）上に常圧
ＣＶ Ｄ法（化学反応を伴う気相成長）により厚さ５０
００人程度までの硬化膜（Ｓｉｏ２）（６１を形成する
。
ＣＶ Ｄ法（化学反応を伴う気相成長）により厚さ５０
００人程度までの硬化膜（Ｓｉｏ２）（６１を形成する
。
この酸化膜（６）上にフォトレジストを塗布しく図示略
）電極を設ける部分を開設する。この後フォトレジスト
は除去しておく。開設した部分下にある酸化ｙ （ｂ＋
をバッファフッ酸（ＢＨＦ）によりエツチングしｇ＜４
）を開ける。この窓（３）はナイトライド膜（２）に電
極用窓（３）を開けるためのエツチング用マスクとして
使用する。
）電極を設ける部分を開設する。この後フォトレジスト
は除去しておく。開設した部分下にある酸化ｙ （ｂ＋
をバッファフッ酸（ＢＨＦ）によりエツチングしｇ＜４
）を開ける。この窓（３）はナイトライド膜（２）に電
極用窓（３）を開けるためのエツチング用マスクとして
使用する。
バッファフッ酸はフッ化水１（ＨＦ）とフッ化アンモン
（ＮＨ４Ｆ）を１：５の割合でまぜたものである。
（ＮＨ４Ｆ）を１：５の割合でまぜたものである。
ここにバッファフッ酸（ＢＨＦ）のナイトライド（Ｓｉ
３Ｎ４）に対するエツチングレートは２４λ／ｍ ｉ
ｎ に対して、酸化膜（Ｓｉ０２）に対しては６５０
ＱＪ、／ｍｉｎテアル。
３Ｎ４）に対するエツチングレートは２４λ／ｍ ｉ
ｎ に対して、酸化膜（Ｓｉ０２）に対しては６５０
ＱＪ、／ｍｉｎテアル。
従ってバッファフッ酸のナイトライド膜（２）と酸化膜
（６）に対するエツチングレートの大きな差を利用して
電極用の窓（３）を設けるためのマスクとなる酸化膜（
６）に窓（イ）を容易に開けることができるのである。
（６）に対するエツチングレートの大きな差を利用して
電極用の窓（３）を設けるためのマスクとなる酸化膜（
６）に窓（イ）を容易に開けることができるのである。
次に窓（舌）を利用して、即ち酸化膜（６）をマスクと
１７で熱リン酸にっけてナイトライド膜（２）に電極用
の窓（３）を開設する。ここに熱リン酸のナイトライド
膜に対するエツチングレートは１２０ Ｘ、／ｍｉ ｎ
であり、酸化膜（６）Ｉこ対するエツチングレートは８
λ、、／ｆ１１ｉ ｎであるので、酸化膜（６）を残し
て窓（５）は容易に開けることができるのである。
１７で熱リン酸にっけてナイトライド膜（２）に電極用
の窓（３）を開設する。ここに熱リン酸のナイトライド
膜に対するエツチングレートは１２０ Ｘ、／ｍｉ ｎ
であり、酸化膜（６）Ｉこ対するエツチングレートは８
λ、、／ｆ１１ｉ ｎであるので、酸化膜（６）を残し
て窓（５）は容易に開けることができるのである。
このようにして窓（ろ）が開けられるとこの窓（ろ）。
（４）を利用してＰ基板（１）上にアルミニウムの電極
（４）を形成する。第１０図はこの状態を示す。
（４）を形成する。第１０図はこの状態を示す。
この電極（４）の上に半田（５）を伺ける。従って半田
イ」けの際に生ずるフラックスの炭化物は酸化膜（２）
上に残る。第１１図はこの状態を示す。
イ」けの際に生ずるフラックスの炭化物は酸化膜（２）
上に残る。第１１図はこの状態を示す。
最後ニ？化Ｊ［６）をバッファフッ酸のエツチングによ
り除去する。従ってフラックスの炭化物は酸化膜（６）
と共（こ除去される。
り除去する。従ってフラックスの炭化物は酸化膜（６）
と共（こ除去される。
上述の如（バッファフッ酸はナイトライド膜（２）に対
するエッチレイトが酸化膜に対するそれより非常に小さ
いのでナイトライド膜（２）を腐蝕するおそれはない。
するエッチレイトが酸化膜に対するそれより非常に小さ
いのでナイトライド膜（２）を腐蝕するおそれはない。
第１２図はこの状態を示す。
以−Ｌのようにこの発明にあっては、ナイトライド膜よ
り剥離しやすいフオトレジスを使わす１こ空前外のよい
酸化膜を電極用の窓を開けるためのマスクとして使用し
ているので窓を開けるためθ）エツチングが容易であり
、しかもこの酸化膜（ま州′極形成後除去するので、電
極上に半田付けするため飛散したフラックスの炭化物も
同時番こ除去でき反射防止膜たるナイトライド膜は良好
番こ形成されるのである。
り剥離しやすいフオトレジスを使わす１こ空前外のよい
酸化膜を電極用の窓を開けるためのマスクとして使用し
ているので窓を開けるためθ）エツチングが容易であり
、しかもこの酸化膜（ま州′極形成後除去するので、電
極上に半田付けするため飛散したフラックスの炭化物も
同時番こ除去でき反射防止膜たるナイトライド膜は良好
番こ形成されるのである。
第１図１乃至第５図に示すのは従来例を示す断面図、第
６図乃至第１２図はこθ〕発明θ）一実施例を示す断面
図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１［４第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図・ 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
６図乃至第１２図はこθ〕発明θ）一実施例を示す断面
図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１［４第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図・ 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図
Claims (1)
- （１１ウェハ（基板）（１）上に、ナイトライド膜（２
）を形球し、該ナイトライド膜（２）上に酸化膜（６）
を形成し、該酸化膜（６）にバッファフッ酸を使用する
エツチングにより窓（５１を開口し、該窓（イ１を介し
て熱リン酸を使用するエツチングによりナイトライド膜
（２）に窓（５）を開設し、これらの窓（ろ１．（ろ１
を介してウェハ（１）上に電極（４）を形成し、該電極
ｉ４＋に半田（５１を付け、しかる後にバッファフッ酸
により酸化膜（６）を除去することを特徴とする太陽電
池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032374A JPS59158572A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032374A JPS59158572A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158572A true JPS59158572A (ja) | 1984-09-08 |
Family
ID=12357165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032374A Pending JPS59158572A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014029836A3 (fr) * | 2012-08-23 | 2014-04-17 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Procédé de réalisation de contacts électriques d'un dispositif semi-conducteur tel qu'une cellule photovoltaïque comprenant des étapes de gravure laser et de gravure humide de couches diélectriques |
-
1983
- 1983-02-28 JP JP58032374A patent/JPS59158572A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014029836A3 (fr) * | 2012-08-23 | 2014-04-17 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Procédé de réalisation de contacts électriques d'un dispositif semi-conducteur tel qu'une cellule photovoltaïque comprenant des étapes de gravure laser et de gravure humide de couches diélectriques |
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