JPS59184797A - ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS59184797A JPS59184797A JP5792783A JP5792783A JPS59184797A JP S59184797 A JPS59184797 A JP S59184797A JP 5792783 A JP5792783 A JP 5792783A JP 5792783 A JP5792783 A JP 5792783A JP S59184797 A JPS59184797 A JP S59184797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- pattern
- heater
- change pattern
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000860832 Yoda Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は液体封止ぢ［き上げ法にょるＩＪＬ −Ｖ族
化合物半導体単結晶の製造方法に閃する。
化合物半導体単結晶の製造方法に閃する。
ガリウム砒素（ＧａＡｓ） 、ガリウム燐（ＧａＰ ）
、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ） 、インジウム燐
（工ｎＰ）などの■−ｖ族化合物半導体は電子移動度が
大きい、発光し易くまた光を検知する、高温でも動作す
るなどの特徴を有し、マイクロ波用トランジスタ、高速
集積回路、太陽電池、光−１ｉ子素子材料として広く用
いられつつある。
、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ） 、インジウム燐
（工ｎＰ）などの■−ｖ族化合物半導体は電子移動度が
大きい、発光し易くまた光を検知する、高温でも動作す
るなどの特徴を有し、マイクロ波用トランジスタ、高速
集積回路、太陽電池、光−１ｉ子素子材料として広く用
いられつつある。
■−ｖ族化合物半導体のなかでもＧａＡｓ 単結晶は
シリコン単結晶に比べて５−６倍の電子移動度を持ち、
高速あるいは低消費電力動作を行うＧａＡｓ 集速回
路の開発が盛んに行われている。
シリコン単結晶に比べて５−６倍の電子移動度を持ち、
高速あるいは低消費電力動作を行うＧａＡｓ 集速回
路の開発が盛んに行われている。
また工ｎＰ単結晶は光通信に用いる光ファイバーの低損
失帯に高感度を示し、将来の光通信用材料として注目を
浴びている。
失帯に高感度を示し、将来の光通信用材料として注目を
浴びている。
上述の如く、ＧａＡｓ 単結晶が集積回路用の結晶基
板に用いられるには高絶縁性であること、転位格子欠陥
などの物理的欠陥、化学的欠陥がない高品質な単結晶で
あること、結晶内の均一性が良いこと、大型円形のウェ
ハーが得られることなどが要求される。このような要求
を満すＧａＡｓ 単結晶の製造方法としては高圧液体
封止引き上げ法、が挙げられる。この高圧液体封止す［
き上げ法は酸化ボロン（Ｂ２０５） などの低融点ガ
ラスを封止剤として用い、高圧下でＧａＡｓ を溶融
させ、形成したＧａＡｓ 融液に種結晶を接触させ回
転させながら引き上げることにより円筒状のＧａＡｓ
単結晶を形成するのであるが、成長中の結晶径の制御
は、結晶の重量信号を用いた応答の時間遅れを補償する
位相補償を付加したフィードバック制御方式が用いられ
ていた。この場合位相補償というのは結晶の重量変化か
ら計算により求めた現在の結晶直径の変化量から、時間
遅れ後の直径変化量を予測し、予がすした直径変化量に
基いて制御する方式であるが、重量信号の中には雑音成
分が多く含まれていて予測した直径変化斌自体について
既に信頼性が乏しかった。従来この予測制御方式におい
て予測の不確実さを経験的方法による基本温度プログラ
ムの改善という手法で解決すべく試みたが、基本温度プ
ログラム自身、普遍的なものではなく結晶の引き上げ毎
に変化するため再現性良く結晶直径の制御を行うことは
困難であった。
板に用いられるには高絶縁性であること、転位格子欠陥
などの物理的欠陥、化学的欠陥がない高品質な単結晶で
あること、結晶内の均一性が良いこと、大型円形のウェ
ハーが得られることなどが要求される。このような要求
を満すＧａＡｓ 単結晶の製造方法としては高圧液体
封止引き上げ法、が挙げられる。この高圧液体封止す［
き上げ法は酸化ボロン（Ｂ２０５） などの低融点ガ
ラスを封止剤として用い、高圧下でＧａＡｓ を溶融
させ、形成したＧａＡｓ 融液に種結晶を接触させ回
転させながら引き上げることにより円筒状のＧａＡｓ
単結晶を形成するのであるが、成長中の結晶径の制御
は、結晶の重量信号を用いた応答の時間遅れを補償する
位相補償を付加したフィードバック制御方式が用いられ
ていた。この場合位相補償というのは結晶の重量変化か
ら計算により求めた現在の結晶直径の変化量から、時間
遅れ後の直径変化量を予測し、予がすした直径変化量に
基いて制御する方式であるが、重量信号の中には雑音成
分が多く含まれていて予測した直径変化斌自体について
既に信頼性が乏しかった。従来この予測制御方式におい
て予測の不確実さを経験的方法による基本温度プログラ
ムの改善という手法で解決すべく試みたが、基本温度プ
ログラム自身、普遍的なものではなく結晶の引き上げ毎
に変化するため再現性良く結晶直径の制御を行うことは
困難であった。
この発明の目的は成長中の結晶径を設定値にできるだけ
近似させ、結晶径の変動の少ない円筒状のＩＴＩ−ｖ族
化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
近似させ、結晶径の変動の少ない円筒状のＩＴＩ−ｖ族
化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
液体封止引き上げ法によるＩ［−Ｖ族化合物単結晶を形
成する場合、結晶の重量信号にて結晶径の制御を行うと
第１図（Ａ）に示すように、ヒーターの温度を調整して
から、結晶径に影響が現れるまでＬだけの時間遅れが生
じていた（第１図（Ｂ））。従って、現在の重量信号か
ら得られる結晶径の変化量（ｄＤ／ｄｔ）から湿度補正
値を求め、ヒーターの加熱温度を制御しても、結晶径に
影響が現われはじめるのはＬ時間後となりまた結晶径の
変化が明瞭に検出できるのはそれよりも時定数１時間後
の（Ｌ十τ）時間後であり、正確な制御を行うことがで
きなかった。
成する場合、結晶の重量信号にて結晶径の制御を行うと
第１図（Ａ）に示すように、ヒーターの温度を調整して
から、結晶径に影響が現れるまでＬだけの時間遅れが生
じていた（第１図（Ｂ））。従って、現在の重量信号か
ら得られる結晶径の変化量（ｄＤ／ｄｔ）から湿度補正
値を求め、ヒーターの加熱温度を制御しても、結晶径に
影響が現われはじめるのはＬ時間後となりまた結晶径の
変化が明瞭に検出できるのはそれよりも時定数１時間後
の（Ｌ十τ）時間後であり、正確な制御を行うことがで
きなかった。
この発明においては成長中の結晶重量及び結晶引き上げ
長さを継続的に測定して結晶形状の変化パターンを記憶
する。次いで所定時間後の結晶変化パターンを現在より
所定時間と同じ時間まで遡った結晶形状の変化パターン
より予測し、予測した形状変化パターンを予じめ設定さ
れた形状変化パターンと比較してヒーターの温度補正値
を設定し、ヒーターの加熱温度の制御を行う。
長さを継続的に測定して結晶形状の変化パターンを記憶
する。次いで所定時間後の結晶変化パターンを現在より
所定時間と同じ時間まで遡った結晶形状の変化パターン
より予測し、予測した形状変化パターンを予じめ設定さ
れた形状変化パターンと比較してヒーターの温度補正値
を設定し、ヒーターの加熱温度の制御を行う。
本発明を第２図により説明すると、成長中の結晶ｌの重
量及び結晶の引き上げ長さは重置センサーａ及び位置セ
ンサー３により測定され、測定値は演算回路グヘ送られ
る。演算回路ダでは入力した測定値に基いて結晶の直径
を求め、その変化パターンを記憶する。
量及び結晶の引き上げ長さは重置センサーａ及び位置セ
ンサー３により測定され、測定値は演算回路グヘ送られ
る。演算回路ダでは入力した測定値に基いて結晶の直径
を求め、その変化パターンを記憶する。
第６図は結晶径の変化量を示し、（Ｌ＋τ）時間後の結
晶変化パターンαは現在から（′Ｌ十て）時間遡った変
化パターンより現在までの変化パターンに基いて予測す
る（曲線ｈ）。予測した形状変化パターンは予じめ設定
された形状変化パターンＣと比較し、その差ｄに基いて
ヒーターの加熱温度の補正値を求める。
晶変化パターンαは現在から（′Ｌ十て）時間遡った変
化パターンより現在までの変化パターンに基いて予測す
る（曲線ｈ）。予測した形状変化パターンは予じめ設定
された形状変化パターンＣと比較し、その差ｄに基いて
ヒーターの加熱温度の補正値を求める。
結晶直径の温度に対する応答は（１）式により表わされ
る。
る。
式中、Ｄは結晶直径、Ｔは温度、Ｌは時間遅れ、ｔは時
間、τは時定数、１ （ｔ−ＩＪ） は単位ステップ
関数を表わす。
間、τは時定数、１ （ｔ−ＩＪ） は単位ステップ
関数を表わす。
現在よりある時間遡った時の結晶直径から現在の結晶直
径に到るまでの結晶直径の変化パターンを用い、最少２
乗法による曲線近似より現在の直径の変化量ｄＤ／ｄｔ
ｏを（］）式より求める。
径に到るまでの結晶直径の変化パターンを用い、最少２
乗法による曲線近似より現在の直径の変化量ｄＤ／ｄｔ
ｏを（］）式より求める。
現在の直径の変化量から（Ｌ＋τ）時間後の予測される
直径の変化量ΔＤは（２）式により算出する。
直径の変化量ΔＤは（２）式により算出する。
ΔＤ ： ａＤ／ａｔＯ（Ｌ十τ）−・−（２）予測さ
れる直径変化量ΔＤに基く温度変化値ｄＴ は（３）式
により求める。
れる直径変化量ΔＤに基く温度変化値ｄＴ は（３）式
により求める。
ｄＴ ＝−ΔＤ−ΔＴ −９，＝ （３）このようにし
て求められた温度補正値によりヒーターの加熱温度を補
正するのであるが、この発明においては、上記の温度補
正値を一度にヒーターに与えて加熱温度を急激に補正す
るのではなく、予測所定時間後に全量が出力するように
徐々に補正する。補正する時間を（Ｌ十τ）とすると、
単位時間当りの温度の変化率ｄＴ／ｄｔ は（４）式
の如くとなる。
て求められた温度補正値によりヒーターの加熱温度を補
正するのであるが、この発明においては、上記の温度補
正値を一度にヒーターに与えて加熱温度を急激に補正す
るのではなく、予測所定時間後に全量が出力するように
徐々に補正する。補正する時間を（Ｌ十τ）とすると、
単位時間当りの温度の変化率ｄＴ／ｄｔ は（４）式
の如くとなる。
第４図（Ａ）はこれまでの温度補正値を一度にヒーター
に与えて結晶直径を制御した場合を示し、ヒーターの加
熱温度を直ちに上昇させ、ｔｏ よりｔＱ ＋（Ｌ＋τ
）だけ維持すると、を時間だけ遅れて、結晶直径が急激
に減少する。しかるに、４図（Ｂ）に示すように、温度
補正値をｔｏ より与え、ｔＱ 十（Ｌ＋τ）時間後
に最大値となるように与えると、結晶直径の変化はなめ
らかで且つ、４１′貞かとなる。
に与えて結晶直径を制御した場合を示し、ヒーターの加
熱温度を直ちに上昇させ、ｔｏ よりｔＱ ＋（Ｌ＋τ
）だけ維持すると、を時間だけ遅れて、結晶直径が急激
に減少する。しかるに、４図（Ｂ）に示すように、温度
補正値をｔｏ より与え、ｔＱ 十（Ｌ＋τ）時間後
に最大値となるように与えると、結晶直径の変化はなめ
らかで且つ、４１′貞かとなる。
この発明では上述の如く、ヒーターの加熱温度を所定の
時間後に温度補正値となるように演算回路グで調整して
ヒータ一温度調節回路３へ送り、ヒーターの加熱温度を
（Ｌ十τ）′時間力１けてゆっくり補正値に相当する温
度となるよう制御する。
時間後に温度補正値となるように演算回路グで調整して
ヒータ一温度調節回路３へ送り、ヒーターの加熱温度を
（Ｌ十τ）′時間力１けてゆっくり補正値に相当する温
度となるよう制御する。
本発明の方法の対象となる■−ｖ族化合物としてはＧａ
Ａｓ 、 ＧａＰ 、 工ｎＳｂ 、 工ｎＰな
どが挙げられる＠ この発明は上記の説明で所定時間後の結晶形状の変化パ
ターンをその時間遡った変化ノぐターンに基いて予測し
、この予測パターンと予じめ設定された形状変化パター
ンと比較して温度補正値を求め、ヒーターの加熱湿度が
所定時間後に補正値となるようにゆっくりヒーターの加
熱温度を制御するのであるから、これまでのその時の結
晶変化量に基く予測値よりはるかに正確であり、結晶直
径の変化も少く、シかも徐々に行われるので、予測の誤
りによる誤制御が生じ゛たときも修正が容易となり、制
御の安定性が増大する。
Ａｓ 、 ＧａＰ 、 工ｎＳｂ 、 工ｎＰな
どが挙げられる＠ この発明は上記の説明で所定時間後の結晶形状の変化パ
ターンをその時間遡った変化ノぐターンに基いて予測し
、この予測パターンと予じめ設定された形状変化パター
ンと比較して温度補正値を求め、ヒーターの加熱湿度が
所定時間後に補正値となるようにゆっくりヒーターの加
熱温度を制御するのであるから、これまでのその時の結
晶変化量に基く予測値よりはるかに正確であり、結晶直
径の変化も少く、シかも徐々に行われるので、予測の誤
りによる誤制御が生じ゛たときも修正が容易となり、制
御の安定性が増大する。
次にこの発明の実施例を述べる。
実施例
内径１００ｍｍ、深さ１６０才の円形状パイロリテツク
窒化ボロン製ルツボにＧａ ５００ ｆｉ’、Ａｓ ５
５０１人れ、更に液体封止剤としてＢ２０６を１５０１
その上に入れ、ルツボを高圧容器内に設置し、アルゴン
ガスを圧入して２０気圧とした後にルツボを１２６０
ｔ；に加熱し、原料元素、封止剤が完全に溶融して上部
にＢ２Ｏ３溶融液層が、下部にＧａＡｓ 融液層が形
成したら、種結晶をゆっくり下降させ、ＧａＡｓ 融
液層に接触したら、１分間１０回、ルツボは逆方向に１
分間２０回の割合で回転させながら種結晶を９關／時の
速度で引き上げた。予測及び温度補正に用いる所定時間
としてはこの条件での（Ｌ＋τつ時間に相当する３０分
を用いた。
窒化ボロン製ルツボにＧａ ５００ ｆｉ’、Ａｓ ５
５０１人れ、更に液体封止剤としてＢ２０６を１５０１
その上に入れ、ルツボを高圧容器内に設置し、アルゴン
ガスを圧入して２０気圧とした後にルツボを１２６０
ｔ；に加熱し、原料元素、封止剤が完全に溶融して上部
にＢ２Ｏ３溶融液層が、下部にＧａＡｓ 融液層が形
成したら、種結晶をゆっくり下降させ、ＧａＡｓ 融
液層に接触したら、１分間１０回、ルツボは逆方向に１
分間２０回の割合で回転させながら種結晶を９關／時の
速度で引き上げた。予測及び温度補正に用いる所定時間
としてはこの条件での（Ｌ＋τつ時間に相当する３０分
を用いた。
成長した結晶の重量及び長さは重量センサーと位置セン
サーにより測定して演算回路へ送り、訣９回路では３０
分先の結晶形状変化パターンを過去３０分間の結晶形状
変化パターンで予測し、予じめ設定しである形状変化パ
ターンと比較し、検出された温度補正値は３０分経過後
、温度補正値が全旭出力されるように、ゆっくり変化さ
せた。
サーにより測定して演算回路へ送り、訣９回路では３０
分先の結晶形状変化パターンを過去３０分間の結晶形状
変化パターンで予測し、予じめ設定しである形状変化パ
ターンと比較し、検出された温度補正値は３０分経過後
、温度補正値が全旭出力されるように、ゆっくり変化さ
せた。
このような状態で結晶の引き上げを約８時間行った結果
、直径５０關、長さ約１００鰭、重坦約９０ｏｚの円筒
状ＧａＡｓ 単結晶が得られ、結晶の径変動は±１％
以内であった。
、直径５０關、長さ約１００鰭、重坦約９０ｏｚの円筒
状ＧａＡｓ 単結晶が得られ、結晶の径変動は±１％
以内であった。
原料のＧａ ５００ ？に対してＡｓを５７０ｇ−とＡ
ｓを過剰の割合でルツボに入れ、他は全く同一の条件で
結晶成長を行った結果、形成した単結晶の直径変動は５
０才±０．５才の範囲内であり、更に同じ条件で５本単
結晶を作成したがいずれも径変動は±１％以内であった
。
ｓを過剰の割合でルツボに入れ、他は全く同一の条件で
結晶成長を行った結果、形成した単結晶の直径変動は５
０才±０．５才の範囲内であり、更に同じ条件で５本単
結晶を作成したがいずれも径変動は±１％以内であった
。
第１図はヒーターの温度を上昇させたときの結晶径の変
化の時間遅れを示すグラフ、第２図は本発明の方法を実
施するだめの説明図、第３図は結晶径の変化量を示すグ
ラフ、第４図はヒーターの加熱状態と結晶径の変化状態
の関係を示すグラフである。 ／・・・成長結晶、ユ・・・重量センサー、３・・・位
置センサー、グ・・・演ね回路、左・・・ヒータ一温度
調整回路、６・・・ヒーター。 特設出願人 工業技術院長 用田後良戸第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 第３図 υ今 間 −（Ｌ＋７） ＋（１＋’γ）第
２図 す 第４図（Ａ） 椅 聞 第４図（Ｂ） 崎 問
化の時間遅れを示すグラフ、第２図は本発明の方法を実
施するだめの説明図、第３図は結晶径の変化量を示すグ
ラフ、第４図はヒーターの加熱状態と結晶径の変化状態
の関係を示すグラフである。 ／・・・成長結晶、ユ・・・重量センサー、３・・・位
置センサー、グ・・・演ね回路、左・・・ヒータ一温度
調整回路、６・・・ヒーター。 特設出願人 工業技術院長 用田後良戸第１図（Ａ） 第１図（Ｂ） 第３図 υ今 間 −（Ｌ＋７） ＋（１＋’γ）第
２図 す 第４図（Ａ） 椅 聞 第４図（Ｂ） 崎 問
Claims (1)
- 成長中の結晶重量及び結晶引き上げ長さを検出して結晶
形状の変化パターンを記憶し、所定時間後の結晶形状の
変化パターンを同じ時間まで遡った結晶形状の変化パタ
ーンより予測し、予測した形状変化パターンを予じめ設
定された形状変化パターンと比較して結晶原料融液を加
熱するヒーターの温度補正値を設定し、上記温度補正値
を徐々にヒーターに与えてヒーター加熱温度をゆっくり
制御して結晶成長を行うことを特徴とするＩＩＩ −Ｖ
族化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792783A JPS59184797A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
| GB08408563A GB2140704B (en) | 1983-04-04 | 1984-04-03 | Control of crystal pulling |
| US06/596,705 US4586979A (en) | 1983-04-04 | 1984-04-04 | Method for manufacture of III-V group compound semiconductor single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792783A JPS59184797A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184797A true JPS59184797A (ja) | 1984-10-20 |
| JPS6243959B2 JPS6243959B2 (ja) | 1987-09-17 |
Family
ID=13069634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5792783A Granted JPS59184797A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59184797A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270391A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｌｅｃ法による単結晶引き上げ方法 |
| US6294017B1 (en) * | 1987-06-30 | 2001-09-25 | The National Research Development Corporation | Growth of semiconductor single crystals |
| JP2013159525A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
-
1983
- 1983-04-04 JP JP5792783A patent/JPS59184797A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270391A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｌｅｃ法による単結晶引き上げ方法 |
| US6294017B1 (en) * | 1987-06-30 | 2001-09-25 | The National Research Development Corporation | Growth of semiconductor single crystals |
| JP2013159525A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243959B2 (ja) | 1987-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5772553B2 (ja) | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | |
| US20040083947A1 (en) | Process for producing a silicon single crystal which is doped with highly volatile foreign substances | |
| US5030315A (en) | Methods of manufacturing compound semiconductor crystals and apparatus for the same | |
| Kürten et al. | Czochralski growth of SitGe1-x single crystals | |
| US4586979A (en) | Method for manufacture of III-V group compound semiconductor single crystal | |
| US5933751A (en) | Method for the heat treatment of II-VI semiconductors | |
| JPS59184797A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP3269463B2 (ja) | 薄膜成長温度の補正方法 | |
| KR20030020474A (ko) | 잉곳 성장 장치 제어 시스템 | |
| JPH0413319B2 (ja) | ||
| US5240685A (en) | Apparatus for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt | |
| JPH0557240B2 (ja) | ||
| JPH03291915A (ja) | 分子線エピタキシー装置の基板温度制御法 | |
| JPS59184796A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPS6339557B2 (ja) | ||
| JPH03126693A (ja) | ２―６族化合物半導体結晶の製造方法 | |
| CA1228524A (en) | Method for growing a gaas single crystal by pulling from gaas melt | |
| JP2781857B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH078754B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| Sasaki et al. | Highly producible HgCdTe molecular beam epitaxy growth technique using radiational substrate heating | |
| JP2737990B2 (ja) | 化合物半導体単結晶製造装置 | |
| JP2766716B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS62176983A (ja) | ３−ｖ族化合物半導体の製造装置 | |
| JPH04108689A (ja) | 単結晶の外径制御方法 | |
| JPH02133395A (ja) | Ｉｎｐ単結晶の製造方法 |