JPS59193616A - スライス回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば映像信号中に混在する雑音を抑圧し、
Ｓ／Ｎを改善する回路等で使用するスライス回路に関す
るものである。

従来例の構成とその問題点 一般に、日常生活における映像機器の普及に伴なって、
映像画質に対する要求は高くなり、とりわけ、Ｓ／Ｈに
関しては、再生方式にかかわらず、向上が望まれている
。

そこで、Ｓ／Ｎ改善の一手段として、雑音その他の無用
成分の影響を最小にするために、種々の方法が提案され
、例えば、°第１図に示すように、雑音を含む信号の小
さな振幅変化を除去するスライス回路と呼ばれる手段を
含む構成のものがある。

第１図に示しだ構成例では、入力信号は、２の低域沖波
器と３の高域ろ波器によって、低域成分と高域成分とに
分離される。そして、高域成分は一定振幅以下の信号を
抜きとる回路４（以下、スライス回路）によって、雑音
を含む、小振幅信号が除去される。第２図の（ａ）は入
力信号、ｂが雑音等の小振幅信号を含む高域成分を示し
、Ｃにスライス回路４で、効果的にノイズ成分を除去し
た信号を示す。このように、小振幅成分とともに雑音を
除去された高域成分は、５の加算器で低域成分と加算さ
れて、出力信号（第２図（ｄ））が得られる。

以上のような構成で雑音抑圧が行なわれる。

ここで、使われたスライス回路として一般的に用いられ
ている回路には、例えば、第３図に示すような非線形素
子であるダイオードを用いた回路がある。これについて
、ＩＣ回路等で、一般に広く使われるシリコン・ダイオ
ードを用いた場合の入出力特性を第４図に示す。シリコ
ン・ダイオードの順方向降下電圧ＶＤは、一般に約０．
７　Ｖであるので、入出力特性は、ダイオード８，９が
導通する約士０．７ｖ以上の信号が伝達され、釣上０．
７ｖ以下の振幅の信号について、除去するスライス回路
の特性をあられしている。

ところが、第１図の構成でスライス回路は、雑音除去と
ともに、高域信号成分も除去してしまうので、必要以上
にスライス・レベルを大キクスることは好ましくなく、
このスライス・レベルの設定は画質に対して、非常に重
要である。

シカるに、第３図に示す構成法では、スライスレベルは
、ダイオードの特性に依存するだけであり、任意の値に
設定できない。したがって雑音成分の振幅が比較的小さ
い場合には、雑音振幅が、ダイオードの順方向降下電圧
である±０．７ｖに対応するように、入力信号を大きく
増幅する必要がある。例えば、入力信号１　Ｖｐｐに対
して、５％以下をノイズ成分とみなしてそれ以下をスラ
イスする回路を構成する場合を考えると、スライス回路
のスライス・レベルが、２×ＶＤ−１，４ｖｐｐ　　で
あナミノクレンジを極端に大きくする必要があり、回路
構成の上で好ましくない。

さらに、スライス・レベルの設定が大きい温度係数を持
っているダイオードの順方向電圧降下特性に依存してい
るために、温度によって、スライス・レベルが変動して
し寸い、画質にとって、都合が悪い。

発明の目的 本発明は、このような欠点を除去するものであす、簡単
な構成で、任意のスライス・レベルニ設。

定でき、且つ温度に対する依存性を極めて少なくし、効
果的に雑音を抑圧するスライス回路を提供するものであ
る。

発明の構成 本発明のスライス回路は、ブツシュグル出力回路に、正
・負のレベルシフト回路を備え、まだ、ＰＮＰとＮＰＨ
のトランジスタを、グツシュプルを構成するトランジス
タと相補の対応で組みあゎさるよう構成されている。

具体的には、入力端を共通とした正のレベルシフト回路
と負のレベルシフト回路を備え、正のレベルシフト回路
の出力端に、エミッタフォロワーであるＮＰＮのトラン
ジスタを接続し、負のレベルシフト回路の出力端には、
エミッタフォロワーであるＰＮＰのトランジスタを接続
して構成することで、入力信号を、レベルシフト回路に
よってきまる電圧と、ＰＮＰおよびＮＰＨのトランジス
タのベース・エミッタ間電圧分だけ、レベルシフトする
。そして、グツシュプルを構成するトランジスタと相補
の対応になるように、先のエミッタフォロワーのＮＰＨ
のトランジスタのエミッタに、プッシュプルを構成する
ＰＮＰ　）ランジスタのベースヲ接続シ、エミッタフォ
ロワース）Ｐ　Ｎ　Ｐノトランジスタのエミッタには、
プッシュプルを構成するＮＰＮのトランジスタのベース
を接続している。

この構成によって、スライス回路のスライス・レベルは
、任意に決定でき、温度の変化に対してスライス・レベ
ルが安定なものとなる。

実施例の説明 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第５図は、本発明の１実施例であり、１４は＋Ｖｓ＋だ
けレベル・シフトする回路であり、１５は−ＶＳ２だけ
、　レベル・シフトする回路である。

１６はエミッタ・ツメロワーのＮＰＮトランジスタ、１
８もエミッタ・フォロワーのＰ　Ｎ　Ｐ　）ランジスタ
である。この場合、電流源１７．１９の電流値は等しい
ことか望ましく、寸だ抵抗で構成してもよい。２０ｉｊ
：ＮＰＮ）ランジスタであり、２のＰＮＰ　）ランジス
タとプッシュプル出力段を構成しており、２０のベース
は、トランジスタ１８のエミッタに接続され、トランジ
スタ２１のベースはトランジスタ１９のエミッタに接続
されている。１３と２３は等しい電圧源、１２は入力信
号源、２２は９荷であり、信号は、入力端子１１より入
力きれ、出力端子２４に出力される。２５は電源端子で
ある。

入力端子１１へ入力された信号をＶｉｎ（ｔ）とし、電
圧源１３の電圧をＶａとすると、レベルシフト回路１４
によって入力信号か＋Ｖ’Ｓ＋だけレベルシフトされ、
トランジスタ１６のべ−７，電位ＶＢ＋６はＶＢ＋６＝
Ｖａ＋Ｖｉｎ（ｔ）＋Ｖｓ＋　　　−・＝　　（１）と
なる。また、トランジスタ１６では、トランジスタのベ
ース・エミッタ間ｔ　圧Ｖ　Ｂ　Ｅ　＋　６タケレベル
シフトされるので、トランジスタ２１０ベース電圧ＶＢ
２＋は、 Ｖｎ＋ｚ＋＝ｖａ十Ｖｉｎ（ｔ）＋Ｖｓ＋−ＶＢＥ＋６
゛−直２）となる。ところで、トランジスタ２１は、Ｐ
ＮＰトランジスタであり、また、出力端では、入力端と
等しい電圧Ｖａの電圧源２３を持つ。しだがって、トラ
ンジスタ２１が動作する条件は、トランジスタ２１のベ
ース・エミッタ間電圧Ｖｎｇ２＋　全考慮して ＶＢ２１≦”２Ｌ＝ＶＢＥ２＋　　・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・（３）であればよい。

しだがって、トランジスタ２１の動作条件は、式％式％
（３） （４） を得る。ここで、トランジスタ１６と２１の特性を等し
くすることで　ＶＢＥ　Ｉ　６牛’ＶＢＥ２　ｓとなる
から、式（４）は Ｖｉｎ　（ｔ）≦−ＶＳｊ　　・・・・・・・・・・・
・・・・−・・・−・川・・・・（６１となる。

同碌にして、入力信号’Ｖｉｎ（ｔｌは、レベルソフト
回路１６　チーＶＳ２だけレベルシフトされた後、ＰＮ
Ｐであるトランジスタ１８によって、ベース・エミッタ
間電圧−ＶＢＥｊ８だけレベルシフトされるので、トラ
ンジスタ２ｏのベース電圧”Ｂ２０は旭ＶＢ２ｏ＝Ｖａ
十Ｖｉｎ（ｔｌ−ｖｓ２−１−ＶＢ＋ｉ＋ａ　　−−−
（６）となる。ここで、トランジスタ２０が動作する条
件はエミッタに接続されている電圧源２３の電位がＶａ
　であることと、トランジスタ２０がＮＰＮトランジス
タであることからトランジスタ２ｏのベースエミッタ間
電圧をＶＢＥ２０とすると、ｖＢ２０≧Ｖａ十ＹＢｒ、
ｚｏ　　　°、　、、、　゛、　−−、゛、　−−４７
）であり、さらに式（６）、（７）から Ｖａ　＋　Ｖｉｎ（ｔ）　　ＶＳ２　十ＶＢＥＩ８≧ｖ
ａ　＋ＶＢＥ２０°°゛（８）となる。ここで、トラン
ジスタ１８とトランジスタ２０の特性を等しくすること
でＶＢＥ１８　幸ＶａＥ２ａとなるから、式（８）は Ｍｉｎ（ｔ）≧ＶＳ２　　　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・（９）と彦る。

前記式（５）と（９）により、入出力特性は、第６図の
ようになり、スライス区間ｖｓＬＩｃｅは十ＶＳｊ≧ｖ
ｓｔ、ｒｃｅ≧−ＶＳ２であることがわかる。したがっ
て、スライス区間は、レベルシフト電圧によってのみ決
定　　゛　　′できる。一般には、レベル・シフト電圧
ＶＳｊとＶＳ２を等しくとることで、スライス回路の効
果をあげでいる。

第７図は、本発明の他の実施例のうち、レベル・シフト
回路を、抵抗２６・２７と電流源２８゜２９で構成した
例を示す。抵抗２６．２７の値を等しく　Ｒｓとし、電
流源の電流値を工ｓとすれば、レベルシフト電圧ｖｓは
　ｖｓ−±ＩＳ　”　ＲＳで与えられ、同時にスライス
電圧を決定している。

発明の効果 以上のように本発明によると、スライスすべきレベルが
、レベル・シフト回路のレベル−シフト電圧によって任
意に決められ、微小な振幅信号の除去にも、適切なスラ
イスレベルを容易に設定できる。

また、相補的なトランジスタの組み合わせによってトラ
ンジスタのベース・エミッタ電圧を打ち消すことで、ス
ライス・レベルがレベルシフト電圧にだけ依存して、ト
ランジスタの特性、特に温度特性によるスライス・レベ
ルの依存性が極めて少なくなる。

さらに、構成が、抵抗と電流源とＰＮＰ）ランジスタ、
ＮＰＮトランジスタで可能であることから、ＩＣ回路に
応用ができ、まだ、トランジスタの特性をあわせる点で
は、ＩＣで構成することで、さらに有利となる等の利点
を有し、スライス回路として、実用上きわめて有用なも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のスライス回路を用いた雑音除去回路の
ブロック図、第２図でａは雑音除去回路の入力信号を示
す波形図、ｂはノイズを含む高域成分を示す波形図、Ｃ
はスライス回路を通過した高域成分を示す波形図、ｄは
雑音除去回路の出力信号を示す波形図、第３図は従来の
スライス回路図、第４図は従来のスライス回路例の入出
力特性を示す図、第６図は本発明の１実施例のスライス
回路を示す電気回路図、第６図は同実殉例の入出力特性
を示す図、第７図は本発明の他実施例を示す電気回路図
である。 １．７．１１・・・・・・入力端子、２・・・・・低域
ｆ波器、３・・・・・・高域沖波器、４・・・・・・ス
ライス回路、５・・・・・加算器、６，１０．２２・・
・・・・出力端子、８，９・・・・・・シリコン・ダイ
オード、１２・・・・・・信号源、１３゜２３・・・・
・・を圧源、　１４　、１５・・・・・レベル・シフト
回路、１６　、２０・・・・・ＮＰＮ　トランジスタ、
１８゜２１・・・・・・ＰＮＰ　）ランジスタ、２２・
・・・・・負荷、２６・・・・・・電源端子、２６．２
７・・・・・・抵抗、１７゜１９　、２８．２９・・・
・・・電流源。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第３
図 ｑ 第４図 第５図 第６図 第７図 ・−７９−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 入力信号を正にレベルシフトする目的の第１のレベルシ
   フト回路ト、ソの第１のレベルシフト回路と入力端を共
   通にし入力信号を負にレベルシフトする口約の第２のレ
   ベルシフト回路と、前記第１のレベルシフト回路の入力
   端子とは異なる端子にベースが接続されて且つエミッタ
   フォロワーであるＮＰＨの第１のトランジスタと、前記
   第２のレベルシフト回路の入力端子とは異なる端子にベ
   ースが接続されて且つエミッタ・フォロワーであるＰＮ
   Ｐの第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタの
   エミッタにベースが接続されたＰＮＰの第３のトランジ
   スタと、前記第２のトランジスタのエミッタにベースが
   接続され且つ第３′のトランジスタと、プッシュプル出
   力段を構成するＮＰＨの第４のトランジスタとからなり
   、前記第３と第４のトランジスタのエミッタを共通とし
   て出力端とすることを特徴とするスライス回路。