JPS59204214A - 電磁機構の制御装置 - Google Patents
電磁機構の制御装置Info
- Publication number
- JPS59204214A JPS59204214A JP7953283A JP7953283A JPS59204214A JP S59204214 A JPS59204214 A JP S59204214A JP 7953283 A JP7953283 A JP 7953283A JP 7953283 A JP7953283 A JP 7953283A JP S59204214 A JPS59204214 A JP S59204214A
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- JP
- Japan
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- current
- command signal
- current command
- exciting coil
- exciting
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
- H01H47/22—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
- H01H47/32—Energising current supplied by semiconductor device
- H01H47/325—Energising current supplied by semiconductor device by switching regulator
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Relay Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はリレー、ソレノイド等電磁機構を有する各種
アクチェータの制御装置に係り、特に寛源篭圧変動が太
さくても励磁コイル損失が軽減されるとともに、初期吸
引時にぼ充分な性能を得る電磁機構の制御装置を得よう
とするものでめる◎従来、このねの装置として第１図【
で示すものがあった。図中、ｆｉｌは電流指令信号ｓｌ
と電流帰還信号Ｓ０とを入力としてオンオフ制御信号Ｓ
ｌ全得るヒステリシスコンパレータ、ｔ２１１’Ｊオン
オフ制御イＳ′＠Ｓ１の論理反転を行ない、オンオフ制
御信号５２ヲ得るインバータ、（３）はオンオフ制御信
号Ｓ２で制御さｈ４るＰＮＰ ）ランジスタ、１４ノに
励磁制御信号Ｓ、で制御嘔り、る１ｉＰＮ ）ランジス
タ、＋５１は還流ダイオード、（６）はコイル市、流検
出折抗、（８１げ電磁機構の励磁コイル、（９１ば′電
源である。な訃（７１）。
アクチェータの制御装置に係り、特に寛源篭圧変動が太
さくても励磁コイル損失が軽減されるとともに、初期吸
引時にぼ充分な性能を得る電磁機構の制御装置を得よう
とするものでめる◎従来、このねの装置として第１図【
で示すものがあった。図中、ｆｉｌは電流指令信号ｓｌ
と電流帰還信号Ｓ０とを入力としてオンオフ制御信号Ｓ
ｌ全得るヒステリシスコンパレータ、ｔ２１１’Ｊオン
オフ制御イＳ′＠Ｓ１の論理反転を行ない、オンオフ制
御信号５２ヲ得るインバータ、（３）はオンオフ制御信
号Ｓ２で制御さｈ４るＰＮＰ ）ランジスタ、１４ノに
励磁制御信号Ｓ、で制御嘔り、る１ｉＰＮ ）ランジス
タ、＋５１は還流ダイオード、（６）はコイル市、流検
出折抗、（８１げ電磁機構の励磁コイル、（９１ば′電
源である。な訃（７１）。
（７２）、 （７：Ｕ ｉ’！ヒステリシスコンノヘレ
ータ’ｅ形ｒｌする抵抗で、それぞ）１．設定抵抗、ヒ
ステリシス抵抗、帰還抵抗でるる。また（７４Ｊ（７５
） （４１−ランジスタ＋３Ｎ４１のそれぞれベース抵
抗である。
ータ’ｅ形ｒｌする抵抗で、それぞ）１．設定抵抗、ヒ
ステリシス抵抗、帰還抵抗でるる。また（７４Ｊ（７５
） （４１−ランジスタ＋３Ｎ４１のそれぞれベース抵
抗である。
仄に第１図の従来装置の動作について第２ ＋＆ｆｆに
従って説明する。図中（イ）は励磁コイル（８）全励磁
するかしないかの１に号でろる励磁制御信号Ｓ８、（ロ
ンばＫ （＋１１指令１′１号Ｓ１と励磁コイル電流工
。、ソ・）は励磁コイル電比Ｖ、を示すタイムチャート
凶でりる。
従って説明する。図中（イ）は励磁コイル（８）全励磁
するかしないかの１に号でろる励磁制御信号Ｓ８、（ロ
ンばＫ （＋１１指令１′１号Ｓ１と励磁コイル電流工
。、ソ・）は励磁コイル電比Ｖ、を示すタイムチャート
凶でりる。
励磁コイル（８）は時点り。Ｎから時点ｔ。ＦＦＯ間勃
磁される。
磁される。
時点ｔ。Ｎでに励磁コイル電流ｌ。は零で乏り、） ラ
ｙ シスタｔ３１．＋４１カ共Ｋ ＯＮとなるｔ ＯＮ
からｔ１の期間でに、励磁コイル（８）の電気回路時定
数で増加していく。電流指令信号８１に常に一足値を示
しており、コンパレータヒステリシスがめるため励磁コ
イル電流がヒステリシス分だけ大きなＩＯＭとなる時点
ｔ１でトランジスタ（３）がオフになる。
ｙ シスタｔ３１．＋４１カ共Ｋ ＯＮとなるｔ ＯＮ
からｔ１の期間でに、励磁コイル（８）の電気回路時定
数で増加していく。電流指令信号８１に常に一足値を示
しており、コンパレータヒステリシスがめるため励磁コ
イル電流がヒステリシス分だけ大きなＩＯＭとなる時点
ｔ１でトランジスタ（３）がオフになる。
すると、励磁コイル電流に還流ダイオードを通り減衰し
ていく。そして時点ｔ２においてに増加の場合と逆に電
流指令信号ｓ１よりもコンパレールヒステリシスより小
さいＩＯＮとなシ、再びトランジスタ（３）がＯＮにな
り、コイル電流■ｏが増加していく。以下時点ｔＯＦＦ
まで以上の動作を繰シ返す。
ていく。そして時点ｔ２においてに増加の場合と逆に電
流指令信号ｓ１よりもコンパレールヒステリシスより小
さいＩＯＮとなシ、再びトランジスタ（３）がＯＮにな
り、コイル電流■ｏが増加していく。以下時点ｔＯＦＦ
まで以上の動作を繰シ返す。
このようにトランジスタ（３）のオンオフリップルを含
むが、一定電流指令信号Ｓ！に追従した電流制御を行な
っている。このようにして電源電圧変動が大きくかわる
場合でも定電流制御を行ない励磁のための損失全最小に
制御していた。しかしながら従来の制御方式は初期吸引
時には電源電圧Ｅと励磁コイルインピーダンスとにより
制限されるコイル電流となるので、初期吸引時の電流が
不足し応答が悪かった。
むが、一定電流指令信号Ｓ！に追従した電流制御を行な
っている。このようにして電源電圧変動が大きくかわる
場合でも定電流制御を行ない励磁のための損失全最小に
制御していた。しかしながら従来の制御方式は初期吸引
時には電源電圧Ｅと励磁コイルインピーダンスとにより
制限されるコイル電流となるので、初期吸引時の電流が
不足し応答が悪かった。
この発明に初期吸引時の性能をめげると共に必要最小励
磁コイルを流制御とすることにより励磁損失の少ない制
御装置ｉ７に提供すること全目的としている。
磁コイルを流制御とすることにより励磁損失の少ない制
御装置ｉ７に提供すること全目的としている。
そのため励磁コイルインピーダンスと電源トの協ル１１
嘗ユかるとともに励磁制御信号Ｓ５の立上り微分ヲ得て
ヒステリシスフンノくレータの電流指令信号に〃０算す
ることにより初期励磁電流を大さくするようにし、保持
後Ｋに電流指令信号に応じた定電流制御を行なうように
している。
嘗ユかるとともに励磁制御信号Ｓ５の立上り微分ヲ得て
ヒステリシスフンノくレータの電流指令信号に〃０算す
ることにより初期励磁電流を大さくするようにし、保持
後Ｋに電流指令信号に応じた定電流制御を行なうように
している。
以下−この発明の一実施例を第３図を用いて説明する０
図中、ｔ１＋にヒステリシスフン、（レータ、（２１に
インバータ、（３１はＰＮＰ ）ランジスタ、＋４１は
ＮＰＮ トランジスタ、（５）は還流ダイオード、（６
１は電２１亀検出抵抗、（８）に励磁コイル、（９）は
−ＮＬ源である。
図中、ｔ１＋にヒステリシスフン、（レータ、（２１に
インバータ、（３１はＰＮＰ ）ランジスタ、＋４１は
ＮＰＮ トランジスタ、（５）は還流ダイオード、（６
１は電２１亀検出抵抗、（８）に励磁コイル、（９）は
−ＮＬ源である。
ｆｌｏｌ １Ｊ、抵抗（ＩＯＩＪとコンデンサ（１０２
） ト２１））らｌる微分要素でめる。（７１）は設定
抵抗、（７２）はヒステリシス抵抗、（７３）は帰還抵
抗、（７４バフ５）はトランジスタ（３）および（４）
のベース抵抗でるる。
） ト２１））らｌる微分要素でめる。（７１）は設定
抵抗、（７２）はヒステリシス抵抗、（７３）は帰還抵
抗、（７４バフ５）はトランジスタ（３）および（４）
のベース抵抗でるる。
第４図は第３図に示しｆｃ笑施例の場合の動作説明図で
あり、（イ）に励磁制御信号ｓｓを示し、（ロ）に電流
指令信号Ｓ！と微分を流指令信号ｓＤとの加算結果で必
る合成電流指令信号ＳｘＤと励磁コイル電流ＩＯとを示
し、（）′）ハコイル電圧Ｖｏのタイムチャート波形を
示している。
あり、（イ）に励磁制御信号ｓｓを示し、（ロ）に電流
指令信号Ｓ！と微分を流指令信号ｓＤとの加算結果で必
る合成電流指令信号ＳｘＤと励磁コイル電流ＩＯとを示
し、（）′）ハコイル電圧Ｖｏのタイムチャート波形を
示している。
従来例と同様にトランジスタ１３１のオンオフ制御によ
って微分補償後の合成電流指令信号ＳＩＤに追従制御さ
れる。図中時点ｔＯＮからｔｗまでの期間（−次遅れ時
定数で示づ−）に励磁電流音大きくすれば電磁力が増加
し、初期吸引特性全向上することができる。
って微分補償後の合成電流指令信号ＳＩＤに追従制御さ
れる。図中時点ｔＯＮからｔｗまでの期間（−次遅れ時
定数で示づ−）に励磁電流音大きくすれば電磁力が増加
し、初期吸引特性全向上することができる。
吸引後は従来と同様に保持を流である電流指令信号Ｓ！
に追随制御する。
に追随制御する。
このよりに丁れば、初期吸引時の性能を上げるとと％、
Ｋ、その後の保持は必要最小限の電流制御ができるので
、従来の欠点をなく丁ことかできる◎なお、第３図の実
施例でに微分要素として抵抗とコンデンサを用いたが、
論理回路を用い、初期吸引時の時点ｔＯＮからｔｗのΔ
ルス巾信号を得ても艮いことは言うまでもない。
Ｋ、その後の保持は必要最小限の電流制御ができるので
、従来の欠点をなく丁ことかできる◎なお、第３図の実
施例でに微分要素として抵抗とコンデンサを用いたが、
論理回路を用い、初期吸引時の時点ｔＯＮからｔｗのΔ
ルス巾信号を得ても艮いことは言うまでもない。
第５図は論理回路として単安定マルチバイブレータ（１
０３）とＡＮＤ要素（１０４）とを用いて励磁制御信号
ＳＳの立ち上り微分を得る回路の構成図を示し、第６図
において（イ）に励磁制御信号ｓＳ、（ロ）に微分権、
流指令信号ｓＤとのタイムチャート波形を示１−でいる
。
０３）とＡＮＤ要素（１０４）とを用いて励磁制御信号
ＳＳの立ち上り微分を得る回路の構成図を示し、第６図
において（イ）に励磁制御信号ｓＳ、（ロ）に微分権、
流指令信号ｓＤとのタイムチャート波形を示１−でいる
。
以上の工９にこの発明によれば、初期吸引時の件ｎヒを
めげるとともに、その後の保持は必要最小−ηＬ制御を
行ない、励磁損失の少ない電磁磯得の制御１装置を得る
ことができる。
めげるとともに、その後の保持は必要最小−ηＬ制御を
行ない、励磁損失の少ない電磁磯得の制御１装置を得る
ことができる。
第１図に従来の実施例の構成図、第２図に第１図の動作
ｉｔ＋Ａ明図、第３図にこの発明の一実施例を示す構成
図、第４図に男３図の動作説明図、第５図は微分要素の
変形例を示す図、第６図に第５図の動作説明図である。 図中、ｆｉ＋はコン／曵レータ、＋２１はインバータ％
＋３１（σｐＮＰ ＋・ランジスタ、（４）はＮＰＮ
）ランジスタ、（５）は還流ダイオード、（６）は電流
検出抵抗、（８）に励磁コイル、（９）ｅよ電源、１１
０１に微分要素でるる。 第２図 第３図
ｉｔ＋Ａ明図、第３図にこの発明の一実施例を示す構成
図、第４図に男３図の動作説明図、第５図は微分要素の
変形例を示す図、第６図に第５図の動作説明図である。 図中、ｆｉ＋はコン／曵レータ、＋２１はインバータ％
＋３１（σｐＮＰ ＋・ランジスタ、（４）はＮＰＮ
）ランジスタ、（５）は還流ダイオード、（６）は電流
検出抵抗、（８）に励磁コイル、（９）ｅよ電源、１１
０１に微分要素でるる。 第２図 第３図
Claims (1)
- 一定電流指令信号に応じて定電流制御を行なう電磁機構
の制御装置に訃いて、励磁の要否全示す励磁制御信号の
立ち上り微分信号である微分電流指令信号全得る微分要
素全村力ｎし、上記一定電流指令信号と上記微分電流指
令信号との和を励磁コイルの指令信号としたことを特徴
とする電磁機構の１（り御］呂巨＠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7953283A JPS59204214A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 電磁機構の制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7953283A JPS59204214A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 電磁機構の制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204214A true JPS59204214A (ja) | 1984-11-19 |
| JPS6258122B2 JPS6258122B2 (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=13692597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7953283A Granted JPS59204214A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 電磁機構の制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028083A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Shindengen Mechatronics Co Ltd | ソレノイド駆動制御回路およびソレノイド |
| JP2015133298A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 車載用リレー駆動回路および車載機器 |
-
1983
- 1983-05-07 JP JP7953283A patent/JPS59204214A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028083A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Shindengen Mechatronics Co Ltd | ソレノイド駆動制御回路およびソレノイド |
| JP2015133298A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 三菱電機株式会社 | 車載用リレー駆動回路および車載機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258122B2 (ja) | 1987-12-04 |
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