JPS59209293A - セラミツク放射物体の製造法 - Google Patents
セラミツク放射物体の製造法Info
- Publication number
- JPS59209293A JPS59209293A JP58083397A JP8339783A JPS59209293A JP S59209293 A JPS59209293 A JP S59209293A JP 58083397 A JP58083397 A JP 58083397A JP 8339783 A JP8339783 A JP 8339783A JP S59209293 A JPS59209293 A JP S59209293A
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- JP
- Japan
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- clay
- fired
- titanium
- oxide
- parts
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- Granted
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- Resistance Heating (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セラミック放射物体の製造法に関するもので
ある。
ある。
現在公知のセラミック放射体は、石英管中に発熱エレメ
ントを設けて得られた光熱を、この石英物質をランプ状
などに成形して放射させている、いわゆる「赤外線ヒー
ター」や「遠赤外線ヒーター」などと呼称されているも
のが多い。
ントを設けて得られた光熱を、この石英物質をランプ状
などに成形して放射させている、いわゆる「赤外線ヒー
ター」や「遠赤外線ヒーター」などと呼称されているも
のが多い。
このように従来から熱源として使用されていた前記の石
英管やランプから放射されていた波長は2μ以下であシ
、エネルギーとしては10〜!;()KctLll/靭
j程度である。
英管やランプから放射されていた波長は2μ以下であシ
、エネルギーとしては10〜!;()KctLll/靭
j程度である。
一方、被加熱物からみれば、これらの輻射エネルギーの
利用効率が最も重要な因子となるので必ずしもエネルギ
一単位の大小で比較することはできない。
利用効率が最も重要な因子となるので必ずしもエネルギ
一単位の大小で比較することはできない。
したがって最近有機物などの乾燥の際近赤外線によらな
いで遠赤外線による加熱方法が選択されるようKなつ次
が、該発熱体は表面にレアメタルの酸化物を2イニング
して通電によシ、発熱体よシ出る熱エネルギーを受けて
レアメタルの酸化物がコンバーターとなって遠赤外線を
放射するために優れた効果をあげるものであると説明さ
れている。
いで遠赤外線による加熱方法が選択されるようKなつ次
が、該発熱体は表面にレアメタルの酸化物を2イニング
して通電によシ、発熱体よシ出る熱エネルギーを受けて
レアメタルの酸化物がコンバーターとなって遠赤外線を
放射するために優れた効果をあげるものであると説明さ
れている。
これは何れもカンタル線やニクロム線の発熱体と絶縁物
や金属管、石英管及びその周辺に金属酸化物を用いたも
ので、棒状、ランプ状、パネル状又はソケットタイプの
ものが主体となっている。
や金属管、石英管及びその周辺に金属酸化物を用いたも
ので、棒状、ランプ状、パネル状又はソケットタイプの
ものが主体となっている。
本発明の目的は、これらの発熱体と相違し、酸化金属と
無機質物質の加熱条件の差異による焼結体から構成され
、この焼結体の放射物体への供給熱量が放射物体を通し
て熱の変換によシ遠赤外線として輻射し、被加熱物質に
対して具体的に熱線を放射するために伝熱性の優れた熱
効率の良いセラミック放射物体を得ることにある。
無機質物質の加熱条件の差異による焼結体から構成され
、この焼結体の放射物体への供給熱量が放射物体を通し
て熱の変換によシ遠赤外線として輻射し、被加熱物質に
対して具体的に熱線を放射するために伝熱性の優れた熱
効率の良いセラミック放射物体を得ることにある。
本発明は、酸化チタン製造時、酸溶解過程において排出
されるチタン廃止と、プロピレン重合時に使用される触
媒の残渣を加え、その中に炭化珪素及び粘土焼成物の微
粉末を混合し、粘土を結合材として混練した後成型、乾
燥し、必要に応じて粘土を結合材として混練した後アル
ミ粉末と珪酸ナトリウム溶液を加えて混練し、型枠に注
入して発泡させ、硬化乾燥し、次いでこれらの乾燥物を
100〜i30θ ℃の範囲内において還元焼成或いは
酸化焼成して得た焼成物を所定の形状に整形して、さら
に焼成物の両面を研磨し、その裏面となる層に導電物質
をプリント配線することによシ得られるセラミック放射
物体の製造法である。
されるチタン廃止と、プロピレン重合時に使用される触
媒の残渣を加え、その中に炭化珪素及び粘土焼成物の微
粉末を混合し、粘土を結合材として混練した後成型、乾
燥し、必要に応じて粘土を結合材として混練した後アル
ミ粉末と珪酸ナトリウム溶液を加えて混練し、型枠に注
入して発泡させ、硬化乾燥し、次いでこれらの乾燥物を
100〜i30θ ℃の範囲内において還元焼成或いは
酸化焼成して得た焼成物を所定の形状に整形して、さら
に焼成物の両面を研磨し、その裏面となる層に導電物質
をプリント配線することによシ得られるセラミック放射
物体の製造法である。
しかしてセラミック放射体の素材であるチタン廃止は酸
化チタン、酸化第一鉄を30%前後、又酸化カルシウム
にして約m%硫酸アンモニウム約10%などを含有して
いる。一方プロピレン重合の触媒残渣の元素分析によれ
ば、酸化チタンや酸化アルミニウムの他、塩素を約、W
%ナトリウムを約13%含有している。同上記の百分率
は乾燥重量に換算した値である。
化チタン、酸化第一鉄を30%前後、又酸化カルシウム
にして約m%硫酸アンモニウム約10%などを含有して
いる。一方プロピレン重合の触媒残渣の元素分析によれ
ば、酸化チタンや酸化アルミニウムの他、塩素を約、W
%ナトリウムを約13%含有している。同上記の百分率
は乾燥重量に換算した値である。
したがって、これらの元素は何れも酸化物、塩化物など
の形で存在しているから、他の混線物たるアルミニウム
粉末と珪酸ナトリウムの反応後の珪酸、水酸化アルミニ
ウムや水素との反応や粘土焼成物の微粉末中に存在する
鉄、アルミニウム化合物の触媒的役割と相乗して還元焔
の場合はチタン酸塩化合物の生成やルチルをも含有して
いるために、焼成物の伝導度は増加するものと考えられ
、又磁性も認められるのである。
の形で存在しているから、他の混線物たるアルミニウム
粉末と珪酸ナトリウムの反応後の珪酸、水酸化アルミニ
ウムや水素との反応や粘土焼成物の微粉末中に存在する
鉄、アルミニウム化合物の触媒的役割と相乗して還元焔
の場合はチタン酸塩化合物の生成やルチルをも含有して
いるために、焼成物の伝導度は増加するものと考えられ
、又磁性も認められるのである。
しかも、この配合物に炭化珪素の微粉末を混入すれば温
度上昇とともに導電率も昇ぼる。又混合物をアルカリ発
泡したセラミック焼成体は熱容量が大きいので、一度温
度上昇を行えば冷却し難くなる特徴を有すると同時に、
これらセラミック焼成体は前記組成から裏面加熱によっ
て表面の光熱の波長は変換され遠赤外線領域にあるもの
と思われる。この現象は被加熱物の表面と中心部分の加
熱態様が等しいことからもうかソわれるのである。
度上昇とともに導電率も昇ぼる。又混合物をアルカリ発
泡したセラミック焼成体は熱容量が大きいので、一度温
度上昇を行えば冷却し難くなる特徴を有すると同時に、
これらセラミック焼成体は前記組成から裏面加熱によっ
て表面の光熱の波長は変換され遠赤外線領域にあるもの
と思われる。この現象は被加熱物の表面と中心部分の加
熱態様が等しいことからもうかソわれるのである。
このように本発明の方法によシ得たセラミック焼成体は
波長変換と磁性を有する低温度加熱による放射物体とし
て優れた特性を有する。淘酸化焼成の場合、焼成体の主
要な組成は酸化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化マ
ンガンなどを有するチタン酸塩化物とみられることから
、焼成物は温度が上昇すると共に絶縁性が若干減殺され
て半導体化に移行する傾向があるが、前記化合物により
この現象を防止することができる。又この目的のために
も使用の方途に応じては焼成雰囲気を酸化状態に保つこ
とも配合成分によっては起ってくるものである。
波長変換と磁性を有する低温度加熱による放射物体とし
て優れた特性を有する。淘酸化焼成の場合、焼成体の主
要な組成は酸化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化マ
ンガンなどを有するチタン酸塩化物とみられることから
、焼成物は温度が上昇すると共に絶縁性が若干減殺され
て半導体化に移行する傾向があるが、前記化合物により
この現象を防止することができる。又この目的のために
も使用の方途に応じては焼成雰囲気を酸化状態に保つこ
とも配合成分によっては起ってくるものである。
このようKして製造した焼成物の両表面を研磨し、裏面
層に導体の金属でプリント配線して形状の自由な熱伝達
の優れたセラミック放射物体を製造することができるの
である。
層に導体の金属でプリント配線して形状の自由な熱伝達
の優れたセラミック放射物体を製造することができるの
である。
次に実施例を示す。
実施例1 酸化チタン3II%、酸化第二鉄2♂%、酸
化珪素/2%、硫酸カルシウム54LXを主成分とする
チタン座圧の乾燥物60部に酸化チタン/I%、酸化ア
ルミニウムn%、塩素/llX、酸化ナトリウム7%を
生成分とするプ胃ピレン触媒残渣の70部を加え、さら
に炭化珪素S部と粘土焼成物o、na以下の微粉末lS
部と粘土70部を加えて十分に混練した後プレスで10
0 X 30 X 10 (rrrm)の形状に乾式成
型して乾燥し、この乾燥物をi;100 ℃附近で3
時間還元焼成した。その後取出して、両表面を表面粗さ
3部程度に研磨し、さらにこの片面層に銅合金によシブ
リント配線した。
化珪素/2%、硫酸カルシウム54LXを主成分とする
チタン座圧の乾燥物60部に酸化チタン/I%、酸化ア
ルミニウムn%、塩素/llX、酸化ナトリウム7%を
生成分とするプ胃ピレン触媒残渣の70部を加え、さら
に炭化珪素S部と粘土焼成物o、na以下の微粉末lS
部と粘土70部を加えて十分に混練した後プレスで10
0 X 30 X 10 (rrrm)の形状に乾式成
型して乾燥し、この乾燥物をi;100 ℃附近で3
時間還元焼成した。その後取出して、両表面を表面粗さ
3部程度に研磨し、さらにこの片面層に銅合金によシブ
リント配線した。
上記の工程を経て製造され九セラミック放射物体の物理
的性質は下記のとおシである。
的性質は下記のとおシである。
かさ比重 a、sy7携l
吸 水 率 0./%以下曲げ強度
3!;OKg/crl 摩耗強度 Oθ3f以下 熱伝導度 3Kcall/nh hr ”C耐
酸 度 0.02%耐アルカリ度
003% 実施例二 酸化チタン3t%、酸化第二鉄2ざ%、酸化
珪素72%、硫酸カルシラムコ弘%を生成分とするチタ
ン廃止の乾燥物10部に酸化チタン/1%酸化アルミニ
ウムn%、塩素/l/−%、酸化ナトリウム7%を主成
分とするプロピレン触媒残渣の10部を加え、さらに炭
化珪素5部と粘土焼成物o、swi以下の微粉末75部
、粘土70部に可塑水が約209c前後になるように水
分を加えて十分に混練した。この混線物を押出成型し、
100 X 30 X 10 (m)の形状とした後乾
燥し、l/00℃附近で3時間、酸化焼成した。
3!;OKg/crl 摩耗強度 Oθ3f以下 熱伝導度 3Kcall/nh hr ”C耐
酸 度 0.02%耐アルカリ度
003% 実施例二 酸化チタン3t%、酸化第二鉄2ざ%、酸化
珪素72%、硫酸カルシラムコ弘%を生成分とするチタ
ン廃止の乾燥物10部に酸化チタン/1%酸化アルミニ
ウムn%、塩素/l/−%、酸化ナトリウム7%を主成
分とするプロピレン触媒残渣の10部を加え、さらに炭
化珪素5部と粘土焼成物o、swi以下の微粉末75部
、粘土70部に可塑水が約209c前後になるように水
分を加えて十分に混練した。この混線物を押出成型し、
100 X 30 X 10 (m)の形状とした後乾
燥し、l/00℃附近で3時間、酸化焼成した。
焼成したプレートは表面粗さSμ程度に研磨し、さらに
、この片面層に銅合金によるプリント配線をした。
、この片面層に銅合金によるプリント配線をした。
前記の工程を経て製造されたセラミック放射物体の物理
的性質は下記のとおシである。
的性質は下記のとおシである。
かさ比重 、2j fl/ml
吸 水 率 03%
曲げ強度 1!I;0 #rV/cd摩耗強度
0/ I以下 熱伝導度 、2j KCOII/s Ar”C実施
例3. 酸化チタン3t%、酸化第コ鉄U%、酸化珪素
7.2%、硫酸カルシウム評%を主成分とするチタン廃
止の乾燥物10部に酸化チタン/lrX。
0/ I以下 熱伝導度 、2j KCOII/s Ar”C実施
例3. 酸化チタン3t%、酸化第コ鉄U%、酸化珪素
7.2%、硫酸カルシウム評%を主成分とするチタン廃
止の乾燥物10部に酸化チタン/lrX。
酸化アルミニウムn%、塩素/+−%、酸化ナトリウム
7%を主成分とするプロピレン触媒残渣を70部を加え
、さらに炭化珪素5部、粘土焼成物03w以下の微粉末
75部と粘土を10部を加えて十分に混練した後、珪酸
ナトリウム溶液75部とアルミナ粉末2部を加えてさら
に十分に混線して所定の型枠に注型、発泡後硬化したも
のを十分に乾燥した。しかる後にqoo℃附近で3時間
、酸化焼成した後に取出して両表面を表面粗さ±10μ
程度に研磨し、さらに、両面の小気孔を粘土質モルタル
で埋め、その片面に銅合金によるプリント配線を行った
。
7%を主成分とするプロピレン触媒残渣を70部を加え
、さらに炭化珪素5部、粘土焼成物03w以下の微粉末
75部と粘土を10部を加えて十分に混練した後、珪酸
ナトリウム溶液75部とアルミナ粉末2部を加えてさら
に十分に混線して所定の型枠に注型、発泡後硬化したも
のを十分に乾燥した。しかる後にqoo℃附近で3時間
、酸化焼成した後に取出して両表面を表面粗さ±10μ
程度に研磨し、さらに、両面の小気孔を粘土質モルタル
で埋め、その片面に銅合金によるプリント配線を行った
。
上記の工程を経て製作されたセラミック放射物体の物理
的性質は下記のとおりである。
的性質は下記のとおりである。
かさ比重 10 fl/賜!
吸 水 率 コθ %
曲げ強度 jθ−7c+7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l)チタン廃止にプロピレン重合の触媒残渣を加え、そ
の中に炭化珪素と粘土焼成物の微粉末を混合し、さらに
結合材として粘土を混練した後成型し、次いでざ00〜
4300℃の範囲内で還元焼成又は酸化焼成して得た焼
成物を所定の形状に整形し、整形面を研磨してそ9鼻−
面層にあたる部分にプリント配線を行うセラミック放射
物体の製造法。 リ チタン廃止にプロピレン重合の触媒残渣を加え、そ
の中に炭化珪素と粘土焼成物の微粉末を混合し、さらに
結合材として粘土を混練した後アルミ粉末と珪酸ナトリ
ウム溶液を加えて混線、注型して発泡させ、しかる後硬
化、乾燥し、次いで焼成する特許請求の範囲第7項記載
のセラミック放射物体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083397A JPS59209293A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | セラミツク放射物体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083397A JPS59209293A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | セラミツク放射物体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59209293A true JPS59209293A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH024112B2 JPH024112B2 (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=13801291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58083397A Granted JPS59209293A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | セラミツク放射物体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59209293A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146756A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-04 | 日本セメント株式会社 | 赤外線放射材料 |
| JPS61270254A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-11-29 | シヤンドン ニユ− マテリアル インステイチユ−ト | セラミツク粉末及び製品並びに製法 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083397A patent/JPS59209293A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146756A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-04 | 日本セメント株式会社 | 赤外線放射材料 |
| JPS61270254A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-11-29 | シヤンドン ニユ− マテリアル インステイチユ−ト | セラミツク粉末及び製品並びに製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH024112B2 (ja) | 1990-01-26 |
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