JPS5931865A - カプセル型蒸発源 - Google Patents
カプセル型蒸発源Info
- Publication number
- JPS5931865A JPS5931865A JP13990682A JP13990682A JPS5931865A JP S5931865 A JPS5931865 A JP S5931865A JP 13990682 A JP13990682 A JP 13990682A JP 13990682 A JP13990682 A JP 13990682A JP S5931865 A JPS5931865 A JP S5931865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- laser light
- evaporation source
- evaporated
- capsule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明＆ｊ新規な蒸発源、特に定量の蒸発物質を収容し
たカプセル型蒸発源に関する◇ 従来公知の蒸発源は、被蒸発物質からなるフィラメント
又ｅ、４被蒸発物質を収容したボートに辿′屯して披蒸
究、物゛円の温鹿を上昇させ、蒸着を行う構造のものが
多く使用されている。これら公知の蒸発源はフィラメン
ト部２通電部の複雑な絶縁構造が必要であシ、更にフィ
ラメントの断線及び絶縁不良等の不測の事故が多く、信
頼性のある蒸発源とけ認められず、更に、１個の形状が
大型であシ多数個の蒸発源を使用する必要がある場合に
シ」被蒸着基板近く圧装置できず、一定量の膜厚を形成
する際多量の蒸発物質を必要とする等の諸欠点がある。
たカプセル型蒸発源に関する◇ 従来公知の蒸発源は、被蒸発物質からなるフィラメント
又ｅ、４被蒸発物質を収容したボートに辿′屯して披蒸
究、物゛円の温鹿を上昇させ、蒸着を行う構造のものが
多く使用されている。これら公知の蒸発源はフィラメン
ト部２通電部の複雑な絶縁構造が必要であシ、更にフィ
ラメントの断線及び絶縁不良等の不測の事故が多く、信
頼性のある蒸発源とけ認められず、更に、１個の形状が
大型であシ多数個の蒸発源を使用する必要がある場合に
シ」被蒸着基板近く圧装置できず、一定量の膜厚を形成
する際多量の蒸発物質を必要とする等の諸欠点がある。
公知の蒸発源の前述の如き諸欠点を改良すべく種々検討
の結果、光フアイバー機構によるレーザー光を利用する
新規な構成のカプセル型蒸発源の開発に成功したもので
あり、本発明は前ｎ１１．特１１５１〜求の範囲各項に
明記した如き構成からなるカプセル型蒸発源を提供する
ものである。
の結果、光フアイバー機構によるレーザー光を利用する
新規な構成のカプセル型蒸発源の開発に成功したもので
あり、本発明は前ｎ１１．特１１５１〜求の範囲各項に
明記した如き構成からなるカプセル型蒸発源を提供する
ものである。
本発明の実施態様の数例を示す添付図面に基いて更に詳
細に説明する。
細に説明する。
ｖ、１図は本発明カプセル型蒸発源の例を示す断面図で
あり、１はレーザー光を吸収し又は透過ｌ〜得る材料か
らなるルツボである。尚、レーザー光を吸収し得る月１
１としては炭素又は黒鉛、透過し得る利料としｃｄ石英
等である。ｉ！１λ１図Ａ１黒鉛ルツボであり、（４１
１えＣ・よランｎ−（ｔ、ａｎｃｅｒ ） ｔ’−リゞ
−１ｒ１の力１順Ｊでより容易に破壊１．得る旧牙１か
らなるｉ・ツヅシール２にＪ、り被蒸発物ｒｊ３を旧止
しである。第１図Ｂ Ｖ、１石英ルツボであり、ルツボ
ｍ部＆Ｊ、加熱又ｔ］ルツボ加熱時に発生する内圧によ
り容易ＬＣ破壊し得る。Ｌうに石英薄膜からなるトップ
シール１′どしてＪ’Ｊ止した態様を示す。
あり、１はレーザー光を吸収し又は透過ｌ〜得る材料か
らなるルツボである。尚、レーザー光を吸収し得る月１
１としては炭素又は黒鉛、透過し得る利料としｃｄ石英
等である。ｉ！１λ１図Ａ１黒鉛ルツボであり、（４１
１えＣ・よランｎ−（ｔ、ａｎｃｅｒ ） ｔ’−リゞ
−１ｒ１の力１順Ｊでより容易に破壊１．得る旧牙１か
らなるｉ・ツヅシール２にＪ、り被蒸発物ｒｊ３を旧止
しである。第１図Ｂ Ｖ、１石英ルツボであり、ルツボ
ｍ部＆Ｊ、加熱又ｔ］ルツボ加熱時に発生する内圧によ
り容易ＬＣ破壊し得る。Ｌうに石英薄膜からなるトップ
シール１′どしてＪ’Ｊ止した態様を示す。
本発明のカプセル型蒸発源は」二記の如き構成から在つ
でおり、レーザー光による蒸発源と１２での使用態（卯
を＆’４２ ［ＩＺｌ〜ｕ１，６図にＪ、しい−し説明
する。
でおり、レーザー光による蒸発源と１２での使用態（卯
を＆’４２ ［ＩＺｌ〜ｕ１，６図にＪ、しい−し説明
する。
Ｍｌ、 ２ ［Ｘｌ （ζ］レーザー光をルツボ１の側
面から照射する場合のｔｌ、ｌｉ而面図である。ｐｔ・
ｌｉ蒸発物’ｐｉ ３を装入し、トップシール２で制止
したルツボ１を、水冷シュラウド４内に熱シールド５を
介して保持する。
面から照射する場合のｔｌ、ｌｉ而面図である。ｐｔ・
ｌｉ蒸発物’ｐｉ ３を装入し、トップシール２で制止
したルツボ１を、水冷シュラウド４内に熱シールド５を
介して保持する。
水冷シュラウド４及び熱シールド５を貫通した１／−一
り゛−光照射窓６を設け、光ファイ／ｚ−７より照射さ
れるレーザー光８・を集束レンズ９等により集束シて、
前Ｒ＋】ルツボ１の側壁に照射し、ルツボ１壁を加熱す
るか又ｄルツボ壁を透過し−〔ネ１υ蒸発物質を加熱し
て蒸発させる構成としである。
り゛−光照射窓６を設け、光ファイ／ｚ−７より照射さ
れるレーザー光８・を集束レンズ９等により集束シて、
前Ｒ＋】ルツボ１の側壁に照射し、ルツボ１壁を加熱す
るか又ｄルツボ壁を透過し−〔ネ１υ蒸発物質を加熱し
て蒸発させる構成としである。
第３図ｉｊ 第２図と同様であるが、レーデ−光８をル
ツボ底部より照射する構成としたものであり、同一符号
は同一部材を示している０尚、第６図において１０は断
熱セラミックスである。
ツボ底部より照射する構成としたものであり、同一符号
は同一部材を示している０尚、第６図において１０は断
熱セラミックスである。
第４図〜第６図ｄ本発明蒸発源の使１（」態様のυ例を
示す略図であυ、第４図は本発明蒸発源１１６個を被蒸
着基板１２に対して求心状に配役した例であり、前述し
た如く本発明蒸発源＆」置・久めて小型化し得るので、
蒸発源群１１と基板１２との距真（ＩＬを例えば６０闘
と小さくすることができ、更に蒸発源群の設置幅を約１
００龍のスＲ−スにすることができ、従って、蒸発物質
の無駄を少なくし、効率よく基板面に蒸着膜を生成する
ことができる０へ１，４図におい１１３け過冷却コンデ
ンサーであり、各蒸発１４＜ １１間に配役することに
より蒸発源間相互の汚染防止の作用をなすものである。
示す略図であυ、第４図は本発明蒸発源１１６個を被蒸
着基板１２に対して求心状に配役した例であり、前述し
た如く本発明蒸発源＆」置・久めて小型化し得るので、
蒸発源群１１と基板１２との距真（ＩＬを例えば６０闘
と小さくすることができ、更に蒸発源群の設置幅を約１
００龍のスＲ−スにすることができ、従って、蒸発物質
の無駄を少なくし、効率よく基板面に蒸着膜を生成する
ことができる０へ１，４図におい１１３け過冷却コンデ
ンサーであり、各蒸発１４＜ １１間に配役することに
より蒸発源間相互の汚染防止の作用をなすものである。
＠５図は本発明蒸発源１１を過冷却コンデンサー１３を
介して併設した例を示し、第４図図示の例と同様に蒸発
源１１と基板１２間の距離を小とし、かつ各蒸発源１１
を設置幅を小さくすることができ、更に基板１２又は蒸
発源１１の何れかを移動することによシ基板１２上に異
種の金楓膜又は合金膜を蒸着さぜることもできる。
介して併設した例を示し、第４図図示の例と同様に蒸発
源１１と基板１２間の距離を小とし、かつ各蒸発源１１
を設置幅を小さくすることができ、更に基板１２又は蒸
発源１１の何れかを移動することによシ基板１２上に異
種の金楓膜又は合金膜を蒸着さぜることもできる。
第６図は本発明の小型蒸発源１１をマニピュレータ１４
の先端部に保持し、マスク１５との併用によって基板１
２の特定の位置に蒸発源１１を移動させながら蒸着膜を
成長させ得る例を示す略図である。
の先端部に保持し、マスク１５との併用によって基板１
２の特定の位置に蒸発源１１を移動させながら蒸着膜を
成長させ得る例を示す略図である。
７′＋−、２図１望（示の直＋’ｆ＝、 １０ ｖ囮グ
のグラファイトルツボにルツボ内を減圧したのち、５０
Ｗのヤグ（ＹＡＧ）レーザーを照射してルツボ全体を加
熱した。この時ルツボ全体の最高温度は６３０’Ｃであ
った。ルツボ温度が３００’Ｃの時にルツボの上方１５
０ｍ１の位置でＡｓの蒸気分圧ｔｊ、１ｘ１０ トー
ルであり、基板（ＧａＡｓ）にＧａとともＫＡｓが蒸着
され、光ＩＣ用として適したＧａＡ、ｓ膜の成長に充分
な蒸気分圧が得られた。
のグラファイトルツボにルツボ内を減圧したのち、５０
Ｗのヤグ（ＹＡＧ）レーザーを照射してルツボ全体を加
熱した。この時ルツボ全体の最高温度は６３０’Ｃであ
った。ルツボ温度が３００’Ｃの時にルツボの上方１５
０ｍ１の位置でＡｓの蒸気分圧ｔｊ、１ｘ１０ トー
ルであり、基板（ＧａＡｓ）にＧａとともＫＡｓが蒸着
され、光ＩＣ用として適したＧａＡ、ｓ膜の成長に充分
な蒸気分圧が得られた。
以上詳述した通り、本発明蒸発源は構造が簡イ１であっ
て、小型の蒸発源とすることができ、従って蒸発源と基
板間の距離を小さくし得、蒸発源群を小さいスは−スに
併設することもできるので、蒸発物質を無駄なく利用す
ることができる。又、狭いスＲ−スに蒸発源を配列でき
るのでｎ棟の蒸発物質を同時に使用して複合薄膜層又は
合金膜を容易に成長させることができる等、従来品にみ
られない作用効果を奏し得るものである。
て、小型の蒸発源とすることができ、従って蒸発源と基
板間の距離を小さくし得、蒸発源群を小さいスは−スに
併設することもできるので、蒸発物質を無駄なく利用す
ることができる。又、狭いスＲ−スに蒸発源を配列でき
るのでｎ棟の蒸発物質を同時に使用して複合薄膜層又は
合金膜を容易に成長させることができる等、従来品にみ
られない作用効果を奏し得るものである。
第１図は本発明のカプセル型蒸発源の例を示す断面略図
、繁２図、第６図は本発明カプセル型蒸発源にレーザー
光を照射する態様を示す略図、第４図〜第６図は本発明
カプセル型蒸発源の使用例を示す配置略図であり、図中
、１はルツボ、 ２はトップシール、 ろは被蒸発物實
、 ４は水冷シュラウド、 ５け熱シールド、 ６け照
射窓。 ７は光ファイバー、 ８はレーザー光、 ９は集光レン
ズ、 １０け断熱セラミックス、 １１は蒸発源群、
１２は基板、 １５は過冷却コンデ” −リ−＋ １
４ ｉ１７：＝ピュＬ’ −タ、 １５Ｈ−ｒスフを
それぞれ示す、 第１図 Ａ Ｂ 第２図 第４図 エゴ〜１２ 第５図
、繁２図、第６図は本発明カプセル型蒸発源にレーザー
光を照射する態様を示す略図、第４図〜第６図は本発明
カプセル型蒸発源の使用例を示す配置略図であり、図中
、１はルツボ、 ２はトップシール、 ろは被蒸発物實
、 ４は水冷シュラウド、 ５け熱シールド、 ６け照
射窓。 ７は光ファイバー、 ８はレーザー光、 ９は集光レン
ズ、 １０け断熱セラミックス、 １１は蒸発源群、
１２は基板、 １５は過冷却コンデ” −リ−＋ １
４ ｉ１７：＝ピュＬ’ −タ、 １５Ｈ−ｒスフを
それぞれ示す、 第１図 Ａ Ｂ 第２図 第４図 エゴ〜１２ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ レーザー光の殆どを吸収又は透過し得る材料
からなり被蒸発物質を装入したルツボに、加熱又は内圧
により容易に破壊し得るトップシールを設けたことを特
徴とするカプセル型蒸発源。 （２） ルツボへのレーザー光照射用光ファイアｚ−
轡横を付設した特許請求の範囲第１項記載のカプセル型
蒸発源。 ＋３１ 前記蒸発源のトップシール部への集光機構を
併設した特許ｈ（，求の範囲第１項記載のカプセル型蒸
発源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13990682A JPS5931865A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | カプセル型蒸発源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13990682A JPS5931865A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | カプセル型蒸発源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931865A true JPS5931865A (ja) | 1984-02-21 |
| JPS6157907B2 JPS6157907B2 (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=15256377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13990682A Granted JPS5931865A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | カプセル型蒸発源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931865A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137162A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ蒸着式多層膜形成装置 |
| WO2007065685A1 (de) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Novaled Ag | Verfahren zum abscheiden eines aufdampfmaterials |
| JP2008524991A (ja) * | 2004-12-24 | 2008-07-17 | フナ ホールディングズ ピーティーワイ リミテッド オン ビハーフ オブ エッチジェイ ファミリー トラスト | 海鳥の混獲の減少 |
| WO2025214528A3 (en) * | 2024-04-11 | 2025-12-11 | Vysoke Uceni Technicke V Brne | Effusion device for localised deposition for use in a vacuum chamber |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6396809U (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP13990682A patent/JPS5931865A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63137162A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ蒸着式多層膜形成装置 |
| JP2008524991A (ja) * | 2004-12-24 | 2008-07-17 | フナ ホールディングズ ピーティーワイ リミテッド オン ビハーフ オブ エッチジェイ ファミリー トラスト | 海鳥の混獲の減少 |
| WO2007065685A1 (de) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Novaled Ag | Verfahren zum abscheiden eines aufdampfmaterials |
| EP1798306A1 (de) * | 2005-12-07 | 2007-06-20 | Novaled AG | Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials |
| EP1939320A2 (de) | 2005-12-07 | 2008-07-02 | Novaled AG | Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials |
| EP1939320A3 (de) * | 2005-12-07 | 2008-09-17 | Novaled AG | Verfahren zum Abscheiden eines Aufdampfmaterials |
| US8227029B2 (en) * | 2005-12-07 | 2012-07-24 | Novaled Ag | Method for depositing a vapour deposition material |
| WO2025214528A3 (en) * | 2024-04-11 | 2025-12-11 | Vysoke Uceni Technicke V Brne | Effusion device for localised deposition for use in a vacuum chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157907B2 (ja) | 1986-12-09 |
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