JPS59501523A - Ｃｍｏｓ構造の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＣＭＯＳ構造の形成方法 技術分野 この発明は半導体基板に相補形ｎチャンネル及びｐチャンネル功縁ケ゛−ト装置 を有する集積回路構造を形成する種類の方法に関する。その構造はシリコン・ケ ゛〜ト技術を利用した０ＭＯ８構造の形である。

この発明は、０ＭＯ８構造に対する電気コンタクトの形成に特定の応用を有する 。

背景技術 この種の方法は発行された国際特許出願第ｗｏ　８２１０１３８０号に知ること ができる。その既知の方法においては、相補形電界効果トランノスタの形成は基 板上に厚い酸化物層を設け、そこを通してソース／ドレイン領域にコンタクト穴 を開口し、その領域に金属コンタクトを設ける各工程によって行われる。

ＣＭＯＳ構造のようなＭＯ８ＦＥＴ集積回路のコンタクト形成における地形的材 料的特性はその製造工程における操作を非常にきわどいものにしている。２つの 導電材料、例えば、金属とその下の拡散又は多結晶シリコン層（又は°゛ポリ″ は″ポリソリコン″′とも呼ぶ）との間のコンタクトは該２つの導電層を分離す る層間誘電体に深い急勾配の壁を持つ開口を形成する必要がある。その拡散層に 対するアルミニウム金属コンタクトは拡散領域を通して金属を突き通し、ンヨー トさせるという問題を受ける傾向がある。

すべてのコンタクトについて共通に考えなければならないことはコノタクトを受 けるものについての寸法と場所とを制御する必要があるということである。整合 失敗や過大寸法は隣り合う装置との間で短絡回路をおこすおそれがある。その可 能性を避けるために、設計規準を拡張させて近隣装置を離すようにしている。

その結果、全体的に回路設計規準を収縮させ、コンタクトの最小幾何学的図形及 び間隔が他の因子を左右して装置又はセルの寸法の叢低限界を決定してしまうこ とになる。

更に、３ミクロン又はそれ以下の長さのチャンネルを持ち、そのノース及びドレ イン・ジャンク／コンの深さが寸法的に非常に薄く（たぶん０３ミクロン程度） 、砒素、燐又はボロンのようなドー・ぐンＮ１度が低い（約１　ｘ　１０　／ｃ ｍ又はそれ以下）ような装置を供給しようとする場合に、更に追加の問題が発生 する。それにもかかわらず、このような短チヤンネル装置の濃度は・ぐンチ・ス ルー（ｐｕｎｃｈ−ｔｈｒｏｕｇｈ）現象及び熱い電子注入などのような高い電 界効果を生じさせるかもしれない。そのような高い電界効果を下げ、又は少くす るために濃度を下げると、コンタクト抵抗を増加し、金属突通しの傾向を増加さ せることになるかもしれない。

発明の開示 この発明の目的は、簡単ではあるが、設計寸法を縮少したときでも信頼性のある コンタクトを提供することができ、相補形集積回路構造に対する電気コンタクト の形成に更用するに適した種類の製造方法を提供することである。

従って、この発明によると、それはｎ形基板コンタクト領域に接、触する第１の コンタクト領域とｐ形基板コンタクト領域に接触する第２のコンタクト領域とを 含む構造の上にシリコン層を形成して前記７９３７層の前記第１のコンタクト領 域を含む選ばれた領域にｎ形ドー・やントをドープし、その結果生じた構造を酸 化雰囲気中で加熱して前記７９３７層のドープされた選ばれた領域の上に酸化物 マスク層を形成し、前記酸化物マスク層をマスクとして利用してその構造体のマ スクされていない領域をｐ形ドー・ぐントでドープし、その結果生じた構造体を 加熱して前記ｎ形基板コンタクト領域のｎ形ドー・ぐノド濃度及び前記ｐ形基板 コンタクト領域のｐ形ドー・ぐノド濃度を増加する各工程を特徴とする種類の製 造方法を提供する。

この発明による製造方法は明らかに次に述べる利益を有する。すなわち、加熱工 程から生じたｎ形及びｐ形基板コンタクト領域両方のドー・ぐノド濃度を増加で き、基板コンタクト領域の上に設けられたシリコン層の利用とは高い電界効果を 下げるためにソース／ドレイン・ドーパントの比較的低い濃度を使用でき、絶縁 ケ゛−ト装置の浅いノヤンクンヨンを通す金属の突き通し事故を減少し、コンタ クト抵抗を下げることができる。ｎ形基板コンタクト領域上の７９３７層の一部 の酸化物への変換はその基板領域上の残りのノリコン層部分のｎ形ドー・やスト 濃度の増加をもたらして、基板拡散工程中のｎ形基板コンタクト領域て対するｎ 形ドー・ｅストの拡散を加速させることができる。その上、これらの利点は、ノ リコン層で形成された酸化物マスク層の利用は追加のホトマスク工程を利用して 必要なマスクを提供する方法と比較して有利であるところかられかるように、ホ トマスク工程の形のような追加の複雑な処理工程なしに達成することができると いうことも利益ある点である。故に、夫々ｎ形及びｐ形基板コンタクト領域のド ーパントａ度を増加するために２つの別個なホトマスク動作を利用する方法と比 較して、この方法は大きな利点を有するであろう。その上、基板コンタクト領域 上に７９３７層を設けると、基板表面の形成工程においてアルミニウムのような 金属コンタクトに発生する傾向がある薄くなる（　ｔｈｉｎｎｉｎｇ　）間層を 転減するという利点がある。

この発明の追加する特徴によると、前記シリコン層を形成する工程前に、ｐチャ ンネル形装置のだめに選ばれた領域を除き、ｎ形ドー・ぐストをその構造体に選 択的に注入し、ｎ形ドー・マントをドライブするために基板を加熱してｎチャン ネル形装置のためのｎドープド（ドープされた）領域を形成し及びｎ形ドー・に ストが主人された表面１（初期酸化物マスク層を形成し、マスクとして前記初期 酸化物マスク層を使用してｐチヤンネル形装置のためのｐドルシト領域を形成す るために前記基板をｐ形ドーパントでドープし、前記ｎ形及びｐ形基板コンタク ト領域に対応する開口を持つ層間誘電体層を前記構造体上に形成する各工程が達 成される。

上記のような追加する特徴は、ｐチャンネル装置のだめのｐ形ドーゾド領域の形 成中マスクとして初期酸化物マスク層を利用することにより、この目的のため− に別のホトマスクを用意する必要がないという利点を有する仁とがわかる。

この発明の好ましい実施例を要約すると、まず、第１のポリシリコン・ゲート層 の形成には従来のプロセスが用いられる。そこで、ｐ形活性領域のようなすべて のｐ影領域はｎ形ノース／ドレインのドープ工程中ホトレノストでマスクされる 。次に、アニール／ドライブ工程中、ｎ影領域が優先的に酸化される。その結果 の酸化層はｐ＋ソース及びドレイン領域の注入中ｎ影領域上の注入マスクとして 使用される。

上記の″優先的酸化″とは、適切にドープされたノリコンが速い酸化速度（又は 率）を持つということを意味すると理解するべきである。故に、砒素が重くド− プされたノリコンはｐ形（ボロンがドープされた）シリコン又はドープさｎない ノリコンよυ更て速い酸化速度で酸化されるであろう。例えば、砒素ドープド（ ｄｏｐｅｄ　）　（及び／又は燐ドープド）ノリコンの漫先的酸化速度は温度７ ００〜８ｏｏ℃に２旨てドープされないノリコン又はボロン・ドープド・ノリコ ンよ９５〜１０倍速いであろう。この砒素ドープド・ノリコンの相当速い酸化速 度を利用して注入マスクとして作用する酸化物層の選択的形成を行うことができ る。

層間誘醒体を形成し、ドープド基板領域までコンタクト・ウィンドウを力、トし 、第２のポリシリコン層を形成した後、強化（ｅｎｈａｎｃｅｄ　）コンタクト 拡散（ＥＣＤ　）処理工程を実行するためて第２の漫先的酸化工程が行われる。

この第２の優先的酸ｆヒエｆＬｎ際、ｐ影領域に対するコンタクト・ウィンドウ はホトレノストでマスクされ、ｎ形コンタクトに対するすべてのコンタクト拡散 を含むウェハの部分は砒素又は憐のようなｎ形ドーパントが注入される。そのｎ 形波入面は優先的に酸化されて、そのｍ果生じた談化物層はｐ形基板領域へのコ ンタクト・ウィンドウ上のポリノリコンに対するｐ形ドー、Ｊストの注入中にマ スクとして使用される。その後、短いアニールが行われて、注入破損を取除き、 その下にあるｐ　及びｎ　ソース／ドレイン・ノヤンク／ヨン深さに対する最小 限度の拡散により注入されたドー・０ントを活性化する。

憂先的酸化及び拡散コンタクトに対する強化金属（ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｍｅｔａ ｌ−ｔｏ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　ｃｏｎｔａｃｔ　）技術の有益な相補的・夏用 に加えて、慶先的酸化物マスクはＭロン注入中のホトレノストの夏用を除去する 。これは処理スループ、トと開襟注入電流を制限し且つレノストの剥離問題をお こすかもしれないようなボロン・イオン導入ポリマのクロス・リンキング（ｃｒ ｏｓｓ−１ｉｎｋｉｎｇ）の問題を除去するであろう。

図面の簡単な説明 次に、添付図面を参照してその列によりこの発明の一実施例を説明する。

第１図乃至第９図は、この発明の好ましい実施例の実行に使用される主な製造工 程を順次的に表わした相補形金属酸化物半導体（ＣＭＯ８）ウェハの横断面図で ある。

発明を実施するだめの最良の形態 この実施例はポリ７リコン・ケ゛−ト、局部酸化絶縁酸化物及び大気圧酸化など を使用するｐ井戸ＣＭＯＳプロセスに対して提供される。しかし、この発明は砒 素Ｎ領域を持つノリコン・ゲートＣＭＯ８構造を形成するだめのほかの処理方法 に対し、又はモリブデン、ポリ／リコ／−シリサイド合金等のような別の耐火性 ケ゛−ト材料の使用などに対する適用性についても限定を加えるものではない。

又、ここに説明する選択的砒素強化酸化は通常の熱活性化／アニール・サイクル の部分であるが、低温高圧酸化方式を使用して行うこともできる。その後者の方 式は大体、酸化物／７リコン界面における砒素濃度の強化を除き、砒素注入ドー ピングの側面を保存している。

次に、第１図乃至第９図の横断面図を参照してこの発明を詳細に考察する。これ ら寸法を無視した模式図はこの発明を使用したＣＭＯ８構造の形成に含まれてい る主な製造工程の頴序を例示したものである。特に、第１図はこのプロセスの適 用の開始点を表わす。例示の構造はＣＭＯ８回路を形成するだめの全体的プロセ スの中間に位置する。一部完成したＣＭＯ８装置は約１ｏΩ−儂の固有抵抗を有 する軽くドープされたｎ形シリコン層１１を基礎としている。典型的に層１１は 固有抵抗１〜２０Ω−のを有する’　ＥＰＩ　”　（エピタキシャル）又は゛バ ルク”（ｂｕｌｋ）材料のどちらでもよい。ＥＰＩ層１層上１．０１Ω−αのア ンチモニ・ドープド・シリコン又は砒素ドープド・シリコンのような重くドープ されたｎ形基板１２の上に形成した。（図面を簡単にするために、第２図乃至第 ９図には基板１２は表わしていない。）エピタキシャル層はＣＭＯ３に加えられ たＳＣＲラッチアップの保護を与えるが、このプロセスでは本質的なものではな い。

第１図の中間構造は表面に隣接するｎ井戸１７とｎ井戸１８とを持つ。実際には 、゛′ｎ井戸”はここでは命名法を簡単にするために使用されるが、ｎ井戸１７ が形成されている領域のｎ形表面隣接領域か、又は別々にマスクされたｎドープ ド領域のいずれでもよい。

ｎ井戸１７及びｎ井戸１８の両方とも、そこに存在するエピタキシャル領域１１ の中に形成される。厚いフィールド絶縁酸化物領域２３．−２３は夫々順次形成 されるＰＭＯ８及びＮＭＯ３相補形装置のだめの活性領域１０Ｐ及び１ＯＮを画 成する。

第１図の中間構造を製造するだめの各種方式は当業者にとっては容易に明らかな ものである。しかし、１つの方式を説明すると、ＥＰＩ層１層上１表面隣接領域 （はｎ井戸１８を最終的に形成するために燐注入が与えられる。酸化物層が付着 され、成長される。次に、ホトマスクを使用して酸化物を形成してｐ井戸領域の 輪郭を定めるマスクにし、ボロンが注入される（マスク１：表を見よ）。その後 、ウェハは熱ドライブが与えられて、深さ３〜６ミクロンのｎ井戸１７及びｎ井 戸１８が拡散される。酸化物マスク１を剥した後、典型的に酸化物層を成長し、 窒化物層を付着し、第２のホトマスクを使用してフィールド酸化マスク（マスク ２）に窒化物を形成することによって酸化物及び窒化物の二重層マスクを設ける 。マスク２は夫々ＰＭＯ８及びＮＭＯ８活性領域１０Ｐ及び１ＯＮをカバーする 。

員 （ＥＣＤ構造でない）　（ＥＣＤ構造）１　ｐ井戸　１　ｐ井戸 ２　活性領域　２　活性領域 ３　フィールド注入　３　フィールド注入４　ケ８−　ト　４　ケゝ−ト ５　Ｎ−チャンネルＳ＆Ｄ　５．　、Ｎ−チャンネルＳ＆Ｄ６　Ｐ−チャンネル Ｓ＆Ｄ ７　コンタクト・力、ト　６　コンタクト・力、ドア　Ｎ　コンタクト ８　金属　８　全翼 フィールド領域の酸化前に第３のホトマスクエ穆が使用されてｐ井戸のフィール ド領域２２−２２の輪郭を定め、次いでそれら領域にボロンが注入されて、フィ ールド反転しきい直を改良する。次に、酸化物−窒化物マスクの存在下でフィー ルド領域の絶縁兼化物２３が成長される。その後、酸化物−窒化物マスク自体が 除去され、活性装置領域１０Ｐ及びＩＯＮでケ゛−ト酸化物層２４を６５０Ｘ厚 に成長する。そこで、ウェハはプランケア　ト（ｂｌａｎｋｅｔ　）注入が与え られて、希望する値の最終的ｎチャンネル及びｐチャンネルしきい値電圧に調節 される。

第１図の構造を完成するだめに、ウニ・・の上に０５ミクロン厚の多結晶シリコ ン層２７が付着され、燐のようなｎ形ドー・ぐストを使用してドープされ、希望 する導電性が与えらｎる。ホトレノスト（マスク４）によってケゝ−ト領域がマ スクされ、ポリシリコンがプラズマ又は湿式化学的工、チング剤によって工、チ ングされてＰＭＯ８２７Ｐ及びＮＭＯ８２７Ｎケ゛−トと相互接続２７Ｃとが形 成される。マスク４が除却され、ケ゛−ト酸化物が約４００Ｘ厚となるようにエ ッチされて後のイオン注入浸透を可能にする。

この発明の重大な工程は第２図から始まる図に例示される。図示のように、ホト マスクがＰＭＯ８装置領域（マスク５）をカバーするように供給されて後、ウェ ハに砒素が注入されて、ＮＭＯ８装置１ＯＮのケゝ−ト２７Ｎと自己整合するソ ース２９Ｓ及びドレイン２９Ｄを形成する。マスク５を除去して後、第１の砒素 強化酸化物マスク３ＯＮが形成されて、反応炉動作中に希望するノヤンクション の深さに砒素を拡散する。第３図、ておいて、０４ミクロンのノヤンクンヨン深 さを達成し、特異な酸化物マスク３ＯＮを形成するだめに、マスクされだ５　Ｘ 　１０　ｃＩｒＬ、　８０　ｋｅＶの砒素注入が使用され、比較的低い温度（例 えば、６００℃）の反応炉にウェハを挿入して、注入アニールのだめに約７５０ ℃まで上昇し、７５０℃で１２０分スチームで慶先的酸化を行い、窒素中６０分 間９００℃で拡散し、希望するノヤンクションの深さまで砒素をドライブする各 工程から成る反応炉サイクルが用いられる。゛その結果生じた酸化物マスク３Ｏ Ｎは約１５００〜２０００Ｘ厚の砒素ソース／ドレイン領域２９Ｓ。

２９Ｄ及び砒素注入ケ”−ト２７Ｎ（第３図）を持つ。

酸化及び酸化物成長の正確な時間は選ばれたドライブ温度及び砒素のドーズによ って異る。典型的な５×１０ＣｒＩＬ　ドーズ及び７５０℃の憂先的酸化温度に 対　、しては、１５００〜２０００Ｘ厚の酸化物を形成するために１２０分間１ 浚化動作を受ける。ほかの場所、例えば、非注入領域の上に追加の酸化物層３０ Ｐが約１００〜２００Ｘ厚に形成される。該注入領域は後でＰ＋ノース及びドレ イン領域及び燐ドープド・ポリノリコン・ケ゛−ト２７Ｐ上の約６５０Ｘ厚の酸 化物となるであろう。

酸化の後、ウェー・は短い浸浴エッチを受けて、酸化物３０Ｐを約４００Ｘ厚Ω 元の注入酸化物にエッチ・パックする。このエッチ後、酸（ヒ物マスク３ＯＮは まだ１ＯＮのようなＮ領域の上に約１３００〜１７００久厚が残されている。

次に、Ｐ＋注入（ホロン又はＢＦ２）が第３図に例示するように”ブランケット ”　（ｂｌａｎｋｅｔ　）　ｇ１人として行われる。後に続く９５０℃、１５分 間の酸素による反応炉拡散サイクルの後、５　Ｘ　１０　３　、３０ｋｅＶのホ ロン注入が０．６５ミクロンのノヤンクシー・ン深さのＰＭＯＳソース及びドレ イン３’ｌＳ、３１Ｄを提°洪す−、ＩＰＭＯＳソース／ドレイン領域の形成に 加え、この／−’／　：’スはｐ井戸コンタクトのような池のＰ°拡散の同Ｐン 、・にも使用される。ここで酸化物マスク３０を剥す必２がないことに注意しよ う。

以上説明したシーケンスは、ホロンからの注入”尾端″だけがマスク３ＯＮをＮ 領域まで浸透するだろうからＰ＋及びＮ　ドーズ（ｄｏｓｅ　）の比較的自由な 選択を可能にする。上記の単語″尾端”　（ｔａｉｌ　）とは酸化物３ＯＮを通 してさまざまに浸透する数ボロン原子から成る低いホロン・Ｐ−プ濃度の側面を 称するものと解するべきである。これらボロン原子は砒素の存在がホロンの拡散 係数を犬きく下げるだめ、砒素ドープド・ソース／ドレイン領域から拡散するこ とはない。その結果、ぎロンはいかなるＮＭＯ８装置の・母うメータにも影響を 与えない。

ボロン注入中、ウェハにホトレノスト・マスクがないことから更にもう１つの利 点が生ずる。すなわち、ホトレノスト・マスク（従来のプロセスのマスク６：表 を見よ）の省略はプロセスのスループ、トと同様に注入電流を限定し、レジスト の剥離問題を生じさせるかもしれないようなボロン・イオン導入ポリマのクロス ・リンキング（ｃｒｏｓｓ−１ｉｎｋｉｎｇ　）の問題を除去するであろう。

上記で要約した１５分間の酸素アニール・サイクルは、又ポリンリコン・ケ゛− ド上に酸化物層を形成する。

この酸化物１は層間誘電体３３と共に、後で付着した金属トポリゾリコン・ダー トとの間のより良い誘電的完全性を提供する。

第４図に表わすように、層間誘電体３３　（０，７ミクロン厚二酸化／リコン） がウェハの上に付着される。

それは大気圧又は低気圧における化学的蒸着法やプラズマ・エンハンスド・デポ ジションなどを含む各種方式を使用することができる。ホトマスク（マスク６； 図示していない）が付着又はデボノットされる票化物のコンタクト位置の輪郭を 定めることに使用され、プラズマ・エツチングによって、又はフッ化アンモニア 及びフ、化水素の暖、衝夜による湿式化学的エツチングによって行われるように 、コンタクト・カット又はウィンドウがエツチングされる。次に、ホトレノスト ・マスクが剥がされる。第４図は５個のコンタクト・カットを例示することに注 意するべきである。ＰＭＯ８及びＮＭＯ８のソース及びドレインに対して２つの 各カット３４Ｎ及び３４．　Ｐがあり、ポリノリコン２７Ｃに対するコンタクト のためにカット３４Ｃがある。実際の製造シーケンスにおいては、５個のコンタ クト・カットが同じ横断面に現れることはないかもしれない。それらは例示を容 易にするために、そのように表わしたものである。

次の製造シーケンス工程はＥＣＤコンタクトの注入である。第５図ておいて、ア ンド−ブドーポリシリコン層３５がウェハ上に０．２〜０５ミクロン厚に付着さ れる。ホトレノスト・マスク７がＰＭＯ８活性領域１ｏＰとすべてのＰ゛拡散を カバーするように供給される。マスク７でカバーされないすべての領域は砒素を 使用しテ（５×１０１５乃至２×１ｏ１６ＣＴＬ−２トゞ−ス、８０ｋｅＶ）注 入さする。

第６図において、マスク７を剥がした後、酸化雰囲気にお：する熱サイクル（７ ５０℃、スチームで４時間）は砒素ドーゾドＮ＋ポリンリコン領域の上に優先的 に成長した約０．４ミクロン厚の酸化物マスク３７Ｎを形成し、アンド−ブト（ ドープされない）領域に約８００Ｘ厚の酸ｒヒ物３７Ｐを形成する。この熱サイ クルは、砒素注入の酸化強化ドライブ（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｄｒｉｖｅ−ｉｎ　）をも与えるであろう。

次に、第７図ておいて、″ブランケット″ホロン注入及びアニール／ドライブが 行われて、Ｐ＋ノース及びドレイン領域３１Ｓ、３１Ｄに対して強化コンタクト を形成する高ドーゾド領域４．　Ｉ　Ｓ及び４１Ｄを形成する。ボロンは酸化物 ３７Ｎによって有効にｎ形コンタクト領域からマスクされる。Ｐ＋アニール／ド ライブは３０分間、９ｏｏ℃において行われた。

このアニール／ドライブも又ポリ対ｎ＋コンタクトを強化する。すなわち、二酸 化７リコンの遅い砒素拡散と組合わされだ２す３５に成長された酸化物からの高 度の砒素の隔離（ｄポリ対ｎ　コンタク）３９Ｓ、３９Ｄの上のり化物−，４１ Ｊ界面における砒素１で増加し、下のＮ領域に対する砒素ドー・ぐストの拡散を 刀口速する。

これ（ｄ高くドープされたＮ′領域３９Ｓ、３９Ｄを設定してｎ−チャンネル装 置１ＯＮに対するＥＣＤソース及びドレイン・コンタクトを提供する。それは同 時に高くドープされたＮ゛領域４４をも形成してポリンリコン２７Ｃと後で付着 される金属被覆４２との間の改良されたコンタクトを提供する。

第８図において、酸化物別、誰を行ってポＩＪ　Ｉｔ層３５から酸化物３７を除 去して後、アルミニ６ムのような（又はアルミニウム合金）導線層４２がウェハ の上に付着され、ホトマスク８の存在下でエツチングされて相互接続導線を規定 する。そこで、ウエノ・は約３０秒ポリ／リコンのエッチング剤又はプラズマ・ エツチングによって浸浴（ｄｉｐ　）エッチされ、アルミニウム相互接続線の下 を除き、すべてのポリノリコン３５を除去し、その後マスク８を取り除く。

第９図において、ノやノ／ベーンヨン層４３が付着又はデポジットされる。次に 、周知のように、最終・やッンベー／ヨン層の形成前に追加の層間誘電体層及び 追加の導線／金属相互接侵層を形成することが１〈普通のプロセスであろう。最 後て、マスク９を使用して（図示していない）、金属コンディノブ・・ぐラドの 上の・ゼッ／ベーノヨン層に開口を画成して後、マスクが取除′ｌ！ｌ１１れ、 合金化熱α理が与えられる。

第９図て表わす最終的ＣＭＯ３構造１０は標準ＣＭＯ８ｆ−ロセス（／ｒｃ比較 した場合、追加のホトマスク工程を必要とせずに前述した利点を提供する。前述 の表を見ると、とのＥＣＤ形成シーケンスによるこの発明のプロセスは９回のホ トリノグラフ・マスク形成工程を利用する。

従って、この発明によるプロセスは強化（エン・・ンスド）コンタクトを提供し ない典型的な従来のＣＭＯＳプロセスと同数のマスク工程を使用しながら強化コ ンタクトを提供することができる。Ｎコンタクト・マスク（この発明のプロセス のマスク７）は加えられるが、従来のｐチャンネル・マスク（マスク６）は削除 される。もし、ＥＣＤコンタクトがこの発明によるプロセスで形成されなくてよ いなら、Ｎ＋コンタクト・マスク７は不必要であろうから、この発明のプロセス （は従来のプロセスに比較して１工程のホトリノグラフ・マスク工程を省略しう る結果となる。もし、従来の強化コンタクト拡散が従来のプロセスに与えられる べきであったなら、その従来のプロセスはこの発明のプロセスに比較して更に２ 回のホｌ−１）ノブラフ・−マスク工程の追加を必要としたであろう。それらは 剋とＰ＋ＥＣＤ注入工程を別個にマスクするためである。従って、この発明のプ ロセスは、ＥＣＤ構造を製造する場合には、２回のホトリノグラフ・マスク工程 を有効に節約するととができる。

この発明の典型的なプロセス（ｄ現在のＣＭＯＳプロセスの最高技術水準を代表 すると思われる９マスク・プロセスと比較してそれを改良したものであるが、そ の利点又は適用効果はそれに限定されるという意味で汀ない。もし、この発明が 異なるＣＭＯＳプロセス、例えば、多数のマスク工程を持つものに適用されたな ら、マスク工程の数で同じ相対的節約が行われるほか、その他の利益をも享受し うるであろう。これらの節約及び利益は優先的酸化と、重くドーグされた砒素領 域の遅らされたボロン拡散率との現象の利用の結果である。

０寸 ＬＤ　＜Ｄ 国際調査報告 特表昭５９−５０１５２３　（８）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ａ形基板コンタクト領域（３９Ｓ、３９Ｄ）にコンタクトする第１コンタク ト領域と、ｐ形基板コンタクト領域（４１Ｓ、４１Ｄ）にコンタクトする第２コ ンタクト領域とを含む集積回路構造体の上に７９３７層（３５）を形成し、前記 シリコン層（３５）の選ばれた領域をｎ形ドー・ぞントでＰ−デし、前記選ばれ た領域は前記第１コンタクト領域を含み、生じた構造体を酸化雰囲気で加熱して 前記シリコン層（３５）のドープされた選ばれた領域の上に酸化物マスク層（３ ７Ｎ）を形成し、前記酸化物マスク層（３７Ｎ）をマスクとして利用して前記構 造体のアンマスクド領域をｐ形ドー・ぐントでドープし、その結果生じた構造体 を加熱して前記ｎ形基板コンタクト領域（３９Ｓ、３９Ｄ）のｎ形ドー・セント 濃度及び前記ｐ形基板コンタクト領域（４１Ｓ、４１Ｄ）のｐ形ドー・ぐント濃 度を増加する各工程を含み、相補形ｎチャンネル及びｐチャンネル絶縁ケ゛−ト 装置を持つ集積回路構造体を半導体基板に形成する方法。 ２　前記シリコン層（３５）上に形成された酸化物（３７Ｎ、３７Ｐ）を除去し 、生じた構造体に金属層（４２）を供給し、前記金属層（４２）の輪郭を定めて 前記シリコン層（３５）の前記第１及び第２コンタクト領域にコンタクトする相 互接続導線を形成する各３　前記輪郭を定める工程の後、前記構造体上に・ぐッ シペーション層（４３）を形成する工程を含む請求の範囲２項記載の方法。 ４　前記シリコン層（３５）を形成する工程前に、ｐチャンネル形装置のための 選ばれた領域を除く構造体にｎ形ドー・ぐントを選択的に注入し、基板を加熱し てｎ形ドー−・クントをドライブすることにより前記ｎチャンネル形装置のため のｎトゝ−ブト領域（２９Ｓ、２９Ｄ）を形成し及びｎ形ドーパント注入面に初 期酸化物マスク層（３ＯＮ）を形成し、前記初期酸化物マスク層（３ＯＮ）をマ スクとして使用し前記基板にｐ形ドー・ぞントをドープしてｐチャンネル形装置 のためのｐドープド領域（３１Ｓ、３１Ｄ）を形成し、前記構造体に前記ｎ形及 びｐ形基板コンタクト領域（３９Ｓ。 ３９Ｄ、４１Ｓ、４１Ｄ）に対応する開口を持つ眉間誘電体層（３３）を形成す る各工程の達成を含む請求の範囲１項記載の方法。 ５　前記ｎ形基板コンタクト領域（３９Ｓ、３９Ｄ）は前記ｎドープド領域（２ ９Ｓ、２９Ｄ）に含まれ、前記ｐ形基板コンタクト領域（４１Ｓ、４１Ｄ）は前 記ｐドープド領域（３１Ｓ、３１Ｄ）Ｋ含まれる請求の範囲４項記載の方法。 ６　前記構造体にｎ形ドー・ぐントを選択的に注入する工程の前に、ｎチャンネ ル形及びｐチャンネル形装置のだめのポリソリコン・ケ゛−ト電極（２７Ｎ、２ ７Ｐ）を提供し、ポリシリコン相互接続（２’７Ｃ）を提供する各工程を達成し 、前記初期酸化物マスク層（３，ＯＮ。 ３ｏｃ）は前記ｎチャンネル形ケゝ−ト電極（２７Ｎ）と前記ポリシリコン相互 接続（２７Ｃ）とを力・ぐ−することを特徴とする請求の範囲４項記載の方法。 ７　前記７９３７層（３５）は前記ポリシリコン相互接続（２７Ｃ）の領域と接 触する第３コンタクト領域を含む請求の範囲６項記載の方法。 ８　前記７９３７層（３５）はアンド−ブト（ドープされない）多結晶シリコン の形でｆポノットされる請求の範囲１項記載の方法。 ９　前記ｎ形ドー・ぐントは砒素であり、前記ｐ形ド−パントはボロンである請 求の範囲１項、２項、３項、４項、５項、６項、７項又は８項記載の方法。