JPS5954288A - 混成集積回路の保護装置 - Google Patents
混成集積回路の保護装置Info
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- JPS5954288A JPS5954288A JP57165826A JP16582682A JPS5954288A JP S5954288 A JPS5954288 A JP S5954288A JP 57165826 A JP57165826 A JP 57165826A JP 16582682 A JP16582682 A JP 16582682A JP S5954288 A JPS5954288 A JP S5954288A
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- Japan
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- integrated circuit
- hybrid integrated
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- semiconductor element
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- Pending
Links
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Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 技術分野
本発明は混成集積回路の保護装置、特に熱的に検出を行
う保設装置に関する。
う保設装置に関する。
（ロン 従来技術
出力回路の保膿装置としては第１図に示す如（、コンプ
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧も、鳩を検出し、電圧隻
、■が一定値を超えると保護回路が働いてコンプリメン
タリ−出力トランジスタを遮断する方法が採られていイ
）。
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧も、鳩を検出し、電圧隻
、■が一定値を超えると保護回路が働いてコンプリメン
タリ−出力トランジスタを遮断する方法が採られていイ
）。
斯る方法では正常状７７、！？にも拘らず犬１ご号入力
時に出力回路に過大７１ｉ流が流れて保ＳＩｔ回路が動
作する尽合がある。これは電圧検出方法に、Ｌるイ１１
護装置１つ１は応答床ｊＷがきわめて速いことに起因し
ている。
時に出力回路に過大７１ｉ流が流れて保ＳＩｔ回路が動
作する尽合がある。これは電圧検出方法に、Ｌるイ１１
護装置１つ１は応答床ｊＷがきわめて速いことに起因し
ている。
そこで出力トランジスタの発熱を検出して保護回路を動
作させる方法を提案する。この方法に依れば出力トラン
ジスタの発熱を倹知才ろので大信号入力時に保護回路が
働く不、都合を除去できる。
作させる方法を提案する。この方法に依れば出力トラン
ジスタの発熱を倹知才ろので大信号入力時に保護回路が
働く不、都合を除去できる。
その具体的構造を第２図に示す。アルミニウムの如き金
属基板（１１）の表面に酸化アルミニウム膜の如き絶縁
薄層（１乃を設けた混成集積回路基板（１）−Ｊ二に銅
箔よりなる導電路（２）を設け、導電路（２）上にヒー
トシンク（３）を介して出力用トランジスタ（４）を固
着し、央に感温半導体素子（５）は近隣の導′７１を路
（２）上に固着している。しかしなからｊ耕ろ＋Ｉｌ（
；告では出力トランジスタ（４）の発熱はヒートシンク
（３）→ｎ？に路（２）→絶縁薄層（１２）→金属基板
（１１）→絶縁薄層（１２）→導電路（２）の経路で感
温半導体素子（５）に伝達されるので、検知時間も長（
且つ熱抵抗も太き（なり出力トランジスタ（４）の発熱
を正確に検出できない欠点がある。
属基板（１１）の表面に酸化アルミニウム膜の如き絶縁
薄層（１乃を設けた混成集積回路基板（１）−Ｊ二に銅
箔よりなる導電路（２）を設け、導電路（２）上にヒー
トシンク（３）を介して出力用トランジスタ（４）を固
着し、央に感温半導体素子（５）は近隣の導′７１を路
（２）上に固着している。しかしなからｊ耕ろ＋Ｉｌ（
；告では出力トランジスタ（４）の発熱はヒートシンク
（３）→ｎ？に路（２）→絶縁薄層（１２）→金属基板
（１１）→絶縁薄層（１２）→導電路（２）の経路で感
温半導体素子（５）に伝達されるので、検知時間も長（
且つ熱抵抗も太き（なり出力トランジスタ（４）の発熱
を正確に検出できない欠点がある。
（ハ） 発明の開示
本発明は世１点に鑑刀、てｔＣされ、良好ｌ、Ｃ溝度ス
、や出方法に」、る混成集積回路の保護４リベを１；？
ｆｉ＋、するものである。
、や出方法に」、る混成集積回路の保護４リベを１；？
ｆｉ＋、するものである。
本発明に依る混成集積回路の（’Ｚ護装置ｉ、Ｉｆは第
３１ツ］および第４図に示す如く、ｐグ（ｆべ導件金ｊ
・１ツ’＋’ｊ イ）べ１１）の表面に？縁薄層（１２
）を設けた混Ｔｒ’Ｚ隼イメ１１１１路ニアｉｌ：板ｉ
ｌｌ上に所望の導電路（２）を設け、−外電路（２）
Ｊ二にヒ トシンク（３）を介し７で出力トランジスタ
（４）’、設け、更にヒートシンク（３）上に感温半導
体素子（５）を固着し、出力トラ：／ジスタ（４）の発
熱をＩ盛固半；ｔｊ’、体イ・、了−（５）で検出して
出力回路の電流を遮断する様に構成されている。
３１ツ］および第４図に示す如く、ｐグ（ｆべ導件金ｊ
・１ツ’＋’ｊ イ）べ１１）の表面に？縁薄層（１２
）を設けた混Ｔｒ’Ｚ隼イメ１１１１路ニアｉｌ：板ｉ
ｌｌ上に所望の導電路（２）を設け、−外電路（２）
Ｊ二にヒ トシンク（３）を介し７で出力トランジスタ
（４）’、設け、更にヒートシンク（３）上に感温半導
体素子（５）を固着し、出力トラ：／ジスタ（４）の発
熱をＩ盛固半；ｔｊ’、体イ・、了−（５）で検出して
出力回路の電流を遮断する様に構成されている。
に）実施例
混成集積回路基板（１）はアルミニウムの如き良熱伝導
性金属基板（印の表面を陽極酸化により生成した酸化ア
ルミニウムの如き絶縁薄層（１２）で被覆して形成さね
る。斯る混成集積回路基板（１）は放熱性に富むので出
力回路の組込みにり、に適である。
性金属基板（印の表面を陽極酸化により生成した酸化ア
ルミニウムの如き絶縁薄層（１２）で被覆して形成さね
る。斯る混成集積回路基板（１）は放熱性に富むので出
力回路の組込みにり、に適である。
１４１［る混成集積回路基板（１）−Ｊ：には銅箔より
成る導電路（２）を所望のパターンにエツチング（２て
形成するＯ 導電路（２）上にはヒートシンク（３）なろうイ・１け
するＱヒートシンク（３）上には出力トランジスタ（４
）および感温半導体素子（５）を固着する。ヒートシン
ク（３）の形状は第３図の如く平４′（１，なものでも
、λ）るいは第４図の如く階段状のものでも良い。後者
はボンディングを行う際に導電路（２）との段差をσオ
１１する点で有利でｋ）る。感温半導体素子（５）とし
てはシリコンプレーナー型トランジスタあるいはシリコ
ンダイオード等を用いる。ＰＮ接合のもつ一２ｍＶ’／
ＣのＡｉｔ ｆＢ−係数を利用しているからである。
成る導電路（２）を所望のパターンにエツチング（２て
形成するＯ 導電路（２）上にはヒートシンク（３）なろうイ・１け
するＱヒートシンク（３）上には出力トランジスタ（４
）および感温半導体素子（５）を固着する。ヒートシン
ク（３）の形状は第３図の如く平４′（１，なものでも
、λ）るいは第４図の如く階段状のものでも良い。後者
はボンディングを行う際に導電路（２）との段差をσオ
１１する点で有利でｋ）る。感温半導体素子（５）とし
てはシリコンプレーナー型トランジスタあるいはシリコ
ンダイオード等を用いる。ＰＮ接合のもつ一２ｍＶ’／
ＣのＡｉｔ ｆＢ−係数を利用しているからである。
出力トランジスタ（４）の発熱は感温半導体素子（５）
で直ちに検出され、その出力で出力ｌ・ランジスタ（４
）を流れる電流を遮断する様に働く。具体的には出力ト
ランジスタ（４）とそのドライバ一段の間の電源ライン
にリレー（力を挿入して、感温半導体素子（５）の出力
でこのリレー（７）を遮断する○第５図に更に具体化さ
れた作画装置を示す。感温半導体素子（５）としてＰＮ
Ｐ）ランジスタを用い、ＰＮＰ ）ランジスタのベース
はツェナー？ｌｊ圧を抵抗Ｒ１およびＲ２で分圧して電
圧で所定の保護動作温度に対応してバイアスしている。
で直ちに検出され、その出力で出力ｌ・ランジスタ（４
）を流れる電流を遮断する様に働く。具体的には出力ト
ランジスタ（４）とそのドライバ一段の間の電源ライン
にリレー（力を挿入して、感温半導体素子（５）の出力
でこのリレー（７）を遮断する○第５図に更に具体化さ
れた作画装置を示す。感温半導体素子（５）としてＰＮ
Ｐ）ランジスタを用い、ＰＮＰ ）ランジスタのベース
はツェナー？ｌｊ圧を抵抗Ｒ１およびＲ２で分圧して電
圧で所定の保護動作温度に対応してバイアスしている。
出力トランジスタ（４）の温度上昇に伴いＰＮＰ）ラン
ジスタのベースエミッタ電圧Ｖ、１．が減少し設定電圧
以下になると、ＰＮＰトランジスタは導ｊ山しリレー（
力は遮断して出力トランジスタ（４）（４）の電流を遮
断する。
ジスタのベースエミッタ電圧Ｖ、１．が減少し設定電圧
以下になると、ＰＮＰトランジスタは導ｊ山しリレー（
力は遮断して出力トランジスタ（４）（４）の電流を遮
断する。
（ホ）効果
本発明に依れば出力トランジスタ（４）（４）の過大電
流による発熱を感温半導体素子（５）で検出しているの
で、過大電流を検知するまで若干の猶予ができ瞬時的に
大信号が入力されたときに働くおそれはな（なり過保護
を防止できる。
流による発熱を感温半導体素子（５）で検出しているの
で、過大電流を検知するまで若干の猶予ができ瞬時的に
大信号が入力されたときに働くおそれはな（なり過保護
を防止できる。
更に感温半導体素子（５）は直接ヒートシンク（３）に
固着されるので出力トランジスタ（４）の発熱を早く且
つ正確に検知でき、精度の高い保１ｆｉｉｔｓ）作を行
なえる○ 更にまた従来用いた高ワツトのセメント抵抗を不要とし
、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に寄与できる。
固着されるので出力トランジスタ（４）の発熱を早く且
つ正確に検知でき、精度の高い保１ｆｉｉｔｓ）作を行
なえる○ 更にまた従来用いた高ワツトのセメント抵抗を不要とし
、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に寄与できる。
第１図は従来例を説明する回路１″／．１、第２図Ｑ主
従来の構造を説明する断面図、第３図および第４図は本
発明の構造を説明する断面図、第５図は本発明の具体化
された保護装置を説明する回路１ネ１である０ 主な図番の説明 （１）・・・混成集積回路基板、 （２）・・・導電路
、 （３）・・・ヒートシンク、 （４）・・・出力ト
ランジスタ、（５）・・・感温半導体素子。 出願人 三洋電機株式会社 外】名
従来の構造を説明する断面図、第３図および第４図は本
発明の構造を説明する断面図、第５図は本発明の具体化
された保護装置を説明する回路１ネ１である０ 主な図番の説明 （１）・・・混成集積回路基板、 （２）・・・導電路
、 （３）・・・ヒートシンク、 （４）・・・出力ト
ランジスタ、（５）・・・感温半導体素子。 出願人 三洋電機株式会社 外】名
Claims (1)
- １、混成集積回路基板上に所望の導電路を設は該導電路
上にヒートシンクを介して出力用半導体素子を設けた出
力回路を有する混成集積回路において、前記ヒートシン
ク上に感温半導体ｉ＜子を付着し前記出力用半導体素子
の発熱を前記感温半導体素子で検出して出力回路の電流
を遮断することを特徴とする混成集積回路の保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165826A JPS5954288A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165826A JPS5954288A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954288A true JPS5954288A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=15819731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165826A Pending JPS5954288A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954288A (ja) |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57165826A patent/JPS5954288A/ja active Pending
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