JPS5963086A - 磁気バブルメモリ素子の駆動方法 - Google Patents

磁気バブルメモリ素子の駆動方法

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Publication number
JPS5963086A
JPS5963086A JP57170976A JP17097682A JPS5963086A JP S5963086 A JPS5963086 A JP S5963086A JP 57170976 A JP57170976 A JP 57170976A JP 17097682 A JP17097682 A JP 17097682A JP S5963086 A JPS5963086 A JP S5963086A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
driving
coil
voltage pulse
drive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57170976A
Other languages
English (en)
Inventor
Masashi Amatsu
天津 正史
Takeyasu Yanase
柳瀬 武泰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57170976A priority Critical patent/JPS5963086A/ja
Publication of JPS5963086A publication Critical patent/JPS5963086A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)  発明の技術分野 本発明に磁気バブルメモリ素子の5駆動力法に関するも
のである。
(2)技術の背景 磁気バブルメモリ装Rは不揮発性、大容槍高密度の記憶
が可能、低消費電力、小型軽量であり、さらには機械的
要素を全く含まない固体素子であることから高い信頼性
を有するなど燻々の特徴をもっているため大イタ量メモ
リとして将来が期待されている。
この磁気バブルメモリ装置は、第1図に示す如く磁気バ
ブルメモリ素子1、バブルを駆動するための回転磁界発
生用のコイル2及び3、バブルを安定に保持するための
バイアス磁界発生用磁石4及び5等を具備して構成され
ている。
(3)従来技術と問題点 従来よりバブル磁区を駆動する回転駆動磁界としては、
正弦波、三角波、台形波などの、・駆#J電流を直交し
て配置された駆動磁界発生用のXコイル21.Yコイル
3 If(、流し、その結果生ずる回転磁界が利用され
ている。第2図はその1例を示す図であり、a及びbに
直交するXコイノペYコイルにそitぞれ印加する電圧
及び磁流の波形を示し、Cに回転磁界のりサージュ図を
示す。a及びb図において、それぞれのコイルに矩形電
圧パルス6又げ7を供給すると、駆動′d流はコイルの
インダクタンスによりなせジ破線で示すa口〈三角波駆
動域流8となる。その結果C図のような菱形の回転駆動
磁界リサージ−が得られる。
一方ハフルメモリ素子においては、スタートストップ動
作を安定化するため定常的なホールド磁界を印加するの
が一般的である。従って第3図に示すように駆動磁界の
りサージュ波形に矢印Hで示すホールド磁界印加方向に
ずれることになる。
その結果ホールド磁界印加方向と逆方向では実効的に1
駆動磁界が弱まり、素子のg動磁界を上昇せしめる原因
となっている。
(4)発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、ホールド磁界印加に
よって生じた駆動磁界上昇を抑え、比較的電力消費の少
ない磁気バブルメモリ素子、駆動方法を提供することを
目的とするものである。
(5)発明の構ノ反 そしてこの目的は本発明によれば、バブルメモリチップ
面内にスタートストップ動作!¥fi生安定化のための
定常的なホールド磁界を加えると共に、互に直又して配
置された2つの駆動コイルに一定の周期で変化する駆動
電流を流すことにより生じたバブルメモリチップ面内で
回転する回転駆動磁界によりバブル磁区の転送制御を行
なう磁気バブルメモリ素子の連動方法において、前記駆
動コイルの何れか一方に印加する駆動電流に、前記ホー
ルド磁界と逆方向の面内磁界を作り出すようにパルス状
の補助駆動直流を重畳させたことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子の駆動方法を提供することによって達成さ
れる。
16)発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第4図は本発明による磁気バブルメモリ素子の駆動方法
を説明するための図であり、aはXコイルに印加する駆
動電圧パルス及び駆動′畦面波形、bにXコイルに印加
する駆動′1圧パルス及び駆動電流波形、Cはリサージ
ェ図をそれぞれ示す。
本発明方法に互に直焚したXコイル及びXコイルに図に
示す如く互に位相が90°ずれた駆動電圧パルスを印加
する。即ちXコイルにHa図に示すり日〈従来と同様な
矩形゛螺圧パルス10を印加し、Xコイルにub図に示
す如〈従来と同様な矩形電圧パルス11を印加する他に
、ホールド磁界方向と反対方向の駆動磁界が強くなるよ
うに補助駆動電圧パルス12を印加する。
このようにX、Xコイルに駆動゛区圧パルス金印加する
と、駆動ぼ流にコイルのインダクタンスによりな一止り
破線で示す如く三角波駆動電流13゜13′となる。こ
の場合Xコイルの駆動電流波形は補助駆動電圧パルスに
よって非対称となる。この結果C図に示す如き菱形のり
サージュ波形が得らり1、図のように−Hy方向に脹ら
みホールド磁界による駆動力減少を補償できるようにな
る。
第5図はホールド磁界を−HX側に印加した例を示した
ものであり、aはXコイルに印加する1駆動電圧パルス
及び、駆動電流波形、bはXコイルに印加する駆動電圧
パルス及び駆動電流波形、Cはリサージ二波形をそれぞ
れ示す。
本実施例にHx側に駆動磁界を増加させるため、Xコイ
ルにia図に示す如〈従来と同様な矩形電圧パルスlO
を印加する他に、正7:向の補助電圧パルス12を印加
する。またXコイルにub図に示すクロ<従来と同様な
矩形電圧パルス11を印加する。その結果リサージュ波
形U(c)図のようにHx側に脹らみホールド磁界によ
る。駆動力減少を補償することができる。
(7)発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バブルメモ
リ素子の駆動力法は、補助駆動直流パルスを用いること
によりホールド磁界印加によって生じた駆動磁界上昇を
補償し、成力消費を比較的低く抑え得るといった効果大
なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁気バブルメモリ装置の構成を説明するための
図、第2図は従来の磁気バブルメモリ素子の・駆動方法
を説明するための図、第3図に従来の磁気バブルメモリ
素子の駆動方法にホールド磁界を印加したときのりサー
ジュ図、第4図は本発明による磁気バブルメモリ素子の
駆動方法を説明するための図、第5図は他の実施例を説
明するための図である。 図面において、10σXコイルに印加する駆動電圧パル
ス、11はYコイルに印加する駆動′醒圧パルス、12
け補助駆動電圧パルス、13.13’は駆動′亀流彼形
をそれぞれ示す。 特許出願人 冨士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木   朗 弁理士 西 舘 オロ 之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第1図 第2図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、バブルメモリチップ面内にスタートストップ動作%
    性安定化のための定常的なホールド磁界を加えると′共
    に、互に直交して配置された2つの枢動コイルに一定の
    周期で変化する駆動電流を流すことにより生じたバブル
    メモリチップ面内で回転する回転駆動磁界によりバブル
    磁区の転送制御を行なう磁気バブルメモリ素子の駆動方
    法において、前記駆動コイルの何れか一万に印加する駆
    動電流に、前記ホールド磁界と逆方向の面内磁界を作り
    出すようにパルス状の補助駆動′電流を重畳きせたこと
    を特徴とする磁気バブルメモリ素子の駆動方法。
JP57170976A 1982-10-01 1982-10-01 磁気バブルメモリ素子の駆動方法 Pending JPS5963086A (ja)

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JP57170976A JPS5963086A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 磁気バブルメモリ素子の駆動方法

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JPS5963086A true JPS5963086A (ja) 1984-04-10

Family

ID=15914837

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JP57170976A Pending JPS5963086A (ja) 1982-10-01 1982-10-01 磁気バブルメモリ素子の駆動方法

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5318927A (en) * 1976-08-05 1978-02-21 Fujitsu Ltd Magnetic bubble driving system
JPS53103329A (en) * 1977-02-21 1978-09-08 Fujitsu Ltd Magnetic bubble device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5318927A (en) * 1976-08-05 1978-02-21 Fujitsu Ltd Magnetic bubble driving system
JPS53103329A (en) * 1977-02-21 1978-09-08 Fujitsu Ltd Magnetic bubble device

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