JPS596550A - 半導体素子固着装置 - Google Patents
半導体素子固着装置Info
- Publication number
- JPS596550A JPS596550A JP57116074A JP11607482A JPS596550A JP S596550 A JPS596550 A JP S596550A JP 57116074 A JP57116074 A JP 57116074A JP 11607482 A JP11607482 A JP 11607482A JP S596550 A JPS596550 A JP S596550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- work
- horizontal direction
- workpiece
- collet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子を加熱ｊ、たワークに圧着させ、
両者をすり合わせることにより共晶合金を生成して接合
する半導体素子固着装置に関するものである。
両者をすり合わせることにより共晶合金を生成して接合
する半導体素子固着装置に関するものである。
半導体装置の製造工程のうち、いわゆるダイボンディン
グ工程は、４００〜５００℃の加熱状態で半導体素子を
ワークに圧着させ、その両者をすシ合せることにより金
−シリコンの共晶合金を生成して半導体素子をワークに
固着する工程である。
グ工程は、４００〜５００℃の加熱状態で半導体素子を
ワークに圧着させ、その両者をすシ合せることにより金
−シリコンの共晶合金を生成して半導体素子をワークに
固着する工程である。
従来の半導体素子固着装置には、カム方式と超音波方式
の二種類がある。従来のカム方式を第１図囚、（Ｂ）に
示す。すなわち、半導体素子１はコレット２に保持され
半導体素子加圧用はね５でワーク４に圧着され、ワーク
４はヒータブロック５にワーククランプ６でクランプさ
れる。モータ駆動で上スクラブカム７を動作させてコレ
ット２を水平方向に振巾運動させ、一方、下スクラブカ
ム８でヒータブロック５を垂直面内で揺動運動させて半
導体素子１とワーク４とをすり合せていた。
の二種類がある。従来のカム方式を第１図囚、（Ｂ）に
示す。すなわち、半導体素子１はコレット２に保持され
半導体素子加圧用はね５でワーク４に圧着され、ワーク
４はヒータブロック５にワーククランプ６でクランプさ
れる。モータ駆動で上スクラブカム７を動作させてコレ
ット２を水平方向に振巾運動させ、一方、下スクラブカ
ム８でヒータブロック５を垂直面内で揺動運動させて半
導体素子１とワーク４とをすり合せていた。
しかしながら、従来のカム方式では、半導体素子１に対
しワーク４が揺動するから、安定した金−シリコン合金
状態を得るだめに両者をその全面で接触させるに至るま
では多大の時間を要し、また半導体素子の大小、すり合
わせ面の状態により安定した金−シリコン合金状態が得
られないという欠点があった。
しワーク４が揺動するから、安定した金−シリコン合金
状態を得るだめに両者をその全面で接触させるに至るま
では多大の時間を要し、また半導体素子の大小、すり合
わせ面の状態により安定した金−シリコン合金状態が得
られないという欠点があった。
もつとも、従来のカム方式ではコレット２の振巾運動の
速度が遅いことが、安定した金−シリコン合金状態を短
時間で得ることを阻害する原因になっていることもある
のヤ、従来の超音波方式ではこの点の改良がなされてい
る。すなわち、第２回に示すように、発振器９より発生
した超音波を振動子１０で振動に変換し、さらにホーン
１１で増幅してこれを半導体素子１の上面直上方向から
与えて半導体素子１を振動させると共に、モータ、駆動
により下スクラブカム８でヒータブロック５を垂直面内
で揺動運動させて、半導体素子１とワーク４とをすり合
せていた。
速度が遅いことが、安定した金−シリコン合金状態を短
時間で得ることを阻害する原因になっていることもある
のヤ、従来の超音波方式ではこの点の改良がなされてい
る。すなわち、第２回に示すように、発振器９より発生
した超音波を振動子１０で振動に変換し、さらにホーン
１１で増幅してこれを半導体素子１の上面直上方向から
与えて半導体素子１を振動させると共に、モータ、駆動
により下スクラブカム８でヒータブロック５を垂直面内
で揺動運動させて、半導体素子１とワーク４とをすり合
せていた。
しかしながら、従来の超音波方式の場合では、ばね３に
よる加圧方向と超音波振動負荷方向とが同一であるだめ
に、ばね３の加圧力を大きくすると、素子１の破壊値以
上のスクラブエネルギーにな、つだ場合、逃けがないた
め素子そのものが破壊きれるという欠点があった。そこ
で、ばね３の加圧力を小さくすると、素子１とワーク４
との圧着度合が弱くなるから、金−シリコン合金状態が
不安定になるばかりでなく、半導体素子１がコレット２
から外れてしまう等の欠点があった。
よる加圧方向と超音波振動負荷方向とが同一であるだめ
に、ばね３の加圧力を大きくすると、素子１の破壊値以
上のスクラブエネルギーにな、つだ場合、逃けがないた
め素子そのものが破壊きれるという欠点があった。そこ
で、ばね３の加圧力を小さくすると、素子１とワーク４
との圧着度合が弱くなるから、金−シリコン合金状態が
不安定になるばかりでなく、半導体素子１がコレット２
から外れてしまう等の欠点があった。
本発明は前記問題点を解消するもので、ワークの保持テ
ーブル機構を水平方向に振巾運動可能に設置するととも
に、半導体素子保持用コレットをテーブル機構直上の定
位置に股部したことを特徴とするものである。
ーブル機構を水平方向に振巾運動可能に設置するととも
に、半導体素子保持用コレットをテーブル機構直上の定
位置に股部したことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
尚、第１図囚、（Ｂ）、第２図と同一の構成部分につい
ては同一符号を付して説明する。
ては同一符号を付して説明する。
第３図（５）、（Ｂ）に示すように、本発明は半導体素
子１を加熱したワーク４に圧着させ、両者をすり合せる
ことにより共晶合金を生成して互いに接合する半導体素
子固着装置において、前記ワーク４の保持テーブル機構
を水平方向に振巾運動可能に設置するとともに、半導体
素子保持用コレット２を保持テーブル機構直上の定位置
に設置したものである。実施例では１．ワーク４の保持
テーブル機構は次の構成となっている。すなわち、基板
１２上で水平方向へ摺動するステージ１６上に支柱１４
を介してヒータブロック５が固定して設置されている。
子１を加熱したワーク４に圧着させ、両者をすり合せる
ことにより共晶合金を生成して互いに接合する半導体素
子固着装置において、前記ワーク４の保持テーブル機構
を水平方向に振巾運動可能に設置するとともに、半導体
素子保持用コレット２を保持テーブル機構直上の定位置
に設置したものである。実施例では１．ワーク４の保持
テーブル機構は次の構成となっている。すなわち、基板
１２上で水平方向へ摺動するステージ１６上に支柱１４
を介してヒータブロック５が固定して設置されている。
このヒータブロック５上に、ワーククランプ６で操作し
てワーク４をセットする。また、支柱１４にホーン１１
を突き合せ、引戻しスプリング１３で牽引してその両者
間を密着させる。
てワーク４をセットする。また、支柱１４にホーン１１
を突き合せ、引戻しスプリング１３で牽引してその両者
間を密着させる。
実施例において、先ずワーククランプ６でワーク４をヒ
ータブロック５にセットし、一方、半導体素子１をはね
ろ及びコレット２で保持してこれをワーク４上面に圧着
する。次いで、発振器９より発生した超音波或いは音波
を振動子１０で振動に変換し、これをホーン１１で増幅
してステージ１３及びヒータブロック５を水平方向に振
巾運動させる。本発明では半導体素子１は水平方向への
動きが規制されており、この素子１に対してワーク４が
水平方向に振巾運動するので、半導体素子１の下面とワ
ーク４の上面とはその全面部分で接触してすり合わされ
、共晶合金が生成されて両者は接合される。また、超音
波によりステージ１３及びヒータブロック５を振巾運動
させるならば、これらの水平方向の振巾は小さく、した
がってワーク４に対する半導体素子１の固着位置精度が
向上する。
ータブロック５にセットし、一方、半導体素子１をはね
ろ及びコレット２で保持してこれをワーク４上面に圧着
する。次いで、発振器９より発生した超音波或いは音波
を振動子１０で振動に変換し、これをホーン１１で増幅
してステージ１３及びヒータブロック５を水平方向に振
巾運動させる。本発明では半導体素子１は水平方向への
動きが規制されており、この素子１に対してワーク４が
水平方向に振巾運動するので、半導体素子１の下面とワ
ーク４の上面とはその全面部分で接触してすり合わされ
、共晶合金が生成されて両者は接合される。また、超音
波によりステージ１３及びヒータブロック５を振巾運動
させるならば、これらの水平方向の振巾は小さく、した
がってワーク４に対する半導体素子１の固着位置精度が
向上する。
以上のように、本発明は水平方向への動きを規制して半
導体素子をワークの直上から圧着（、−７だ状態でワー
クを水平方向に振巾運動させるので、半導体素子とワー
クとをその全面部分で面接触によりすり合わさせ接合さ
せるため、半導体素子の大小、裏面状態に拘らず、信頼
性ある金−シリコン合金状態を得ることができる。さら
に、半導体素子に対しワークをその圧着方向と直角方向
に振巾運動させるため、加圧ばねが半導体素子を保護す
ることになり、超音波によりワークを振動させても支障
を来たすことなく、短時間で信頼性のある合金状態を得
ることができるばかりか、素子に対するワークの水平方
向への振巾が少なくなり、その両者の固着位置精度を向
上できる効果を有するものである。
導体素子をワークの直上から圧着（、−７だ状態でワー
クを水平方向に振巾運動させるので、半導体素子とワー
クとをその全面部分で面接触によりすり合わさせ接合さ
せるため、半導体素子の大小、裏面状態に拘らず、信頼
性ある金−シリコン合金状態を得ることができる。さら
に、半導体素子に対しワークをその圧着方向と直角方向
に振巾運動させるため、加圧ばねが半導体素子を保護す
ることになり、超音波によりワークを振動させても支障
を来たすことなく、短時間で信頼性のある合金状態を得
ることができるばかりか、素子に対するワークの水平方
向への振巾が少なくなり、その両者の固着位置精度を向
上できる効果を有するものである。
第１図（４）は従来のカム方式固着装置の正面図、第１
図の）は側面図、第２図は従来の超音波方式固着装置の
正面図、第５図囚は本発明装置の一実施例を示す正面図
、第３図（Ｂ）は側面図である。
図の）は側面図、第２図は従来の超音波方式固着装置の
正面図、第５図囚は本発明装置の一実施例を示す正面図
、第３図（Ｂ）は側面図である。
Claims (1)
- ＋１１ 半導体素子を加熱したワークに圧着させ、両
者をすり合せることにより共晶合金を生成して接合する
半導体素子固着装置において、前記ワークの保持テーブ
ル機構を水平方向に振巾運動可能に膜力するとともに、
半導体素子保持用コレットを保持テーブル機構直上の定
位置に設置したことを特徴とする半導体素子固着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116074A JPS596550A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 半導体素子固着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116074A JPS596550A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 半導体素子固着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS596550A true JPS596550A (ja) | 1984-01-13 |
Family
ID=14678062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116074A Pending JPS596550A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 半導体素子固着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS596550A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196544A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Rohm Co Ltd | 半導体チツプのダイボンデイング方法 |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP57116074A patent/JPS596550A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196544A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Rohm Co Ltd | 半導体チツプのダイボンデイング方法 |
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