JPS5994910A - 周波数微細調整方法 - Google Patents
周波数微細調整方法Info
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- JPS5994910A JPS5994910A JP20428382A JP20428382A JPS5994910A JP S5994910 A JPS5994910 A JP S5994910A JP 20428382 A JP20428382 A JP 20428382A JP 20428382 A JP20428382 A JP 20428382A JP S5994910 A JPS5994910 A JP S5994910A
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- Japan
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- frequency
- saw
- mass
- metal
- interdigital transducer
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
- H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧電基板表面にインタディジタル・トランスジ
ューサ電極を付着して前記基板表面に励起する弾性表面
波（ＳＡＷ）或は表面直下のバルク内を伝播する波（８
ＳＢＷ）等を利用する共振デバイスの周波数微細調整方
法に関する。
ューサ電極を付着して前記基板表面に励起する弾性表面
波（ＳＡＷ）或は表面直下のバルク内を伝播する波（８
ＳＢＷ）等を利用する共振デバイスの周波数微細調整方
法に関する。
従来、圧電基板表面にインタディジタル・トランスジュ
ーサ電極を付着し前記基板表面又は或は８８ＢＷデバイ
スの共振周波数の微細調整方法としてはウェット・エツ
チングと称しエツチング液中で付着電極を溶出したりイ
オン或はプラズマ・エツチングと称してガス中でイオン
化したガス微粒子又はプラズマを高速で電極に衝突させ
電極を削り取る等してデバイス表面に付着した電極質量
全減少せしめたり、陽極酸化法と称して付着電極を酸化
せしめ結合した酸素の質量弁だけ電極質量を増大させて
共振周波数を微細に調整することが行なわれている。
ーサ電極を付着し前記基板表面又は或は８８ＢＷデバイ
スの共振周波数の微細調整方法としてはウェット・エツ
チングと称しエツチング液中で付着電極を溶出したりイ
オン或はプラズマ・エツチングと称してガス中でイオン
化したガス微粒子又はプラズマを高速で電極に衝突させ
電極を削り取る等してデバイス表面に付着した電極質量
全減少せしめたり、陽極酸化法と称して付着電極を酸化
せしめ結合した酸素の質量弁だけ電極質量を増大させて
共振周波数を微細に調整することが行なわれている。
しかしながらこれらはいずれも所定の装置を必要とする
上、ウェット−エツチング、プラズイ・エツチング等は
共振周波数をモニタしながら調整作業を行うことが不可
能である為、能率が悪く実用的ではないという欠点があ
り九。
上、ウェット−エツチング、プラズイ・エツチング等は
共振周波数をモニタしながら調整作業を行うことが不可
能である為、能率が悪く実用的ではないという欠点があ
り九。
本発明は上述の如きＳＡＷデバイス等に対する周波数詞
撃方法の欠点金除去する為になされたものであって、Ｓ
ＡＷデバイス等の圧電基板表面、電極付着全面或は所要
の部分に金属、非金属或はこれらの化合物を当該デバイ
スの共振周波数をモニタしながら或は統計的に蒸着条件
を確定した上でバッチ処理で蒸着することによって七〇
共娠周波数を調整する周波数微細調整方法を提供せんと
するものである。
撃方法の欠点金除去する為になされたものであって、Ｓ
ＡＷデバイス等の圧電基板表面、電極付着全面或は所要
の部分に金属、非金属或はこれらの化合物を当該デバイ
スの共振周波数をモニタしながら或は統計的に蒸着条件
を確定した上でバッチ処理で蒸着することによって七〇
共娠周波数を調整する周波数微細調整方法を提供せんと
するものである。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図及び第２図は夫々ＳＡＷを利用した共振器及びフ
ィルタの構造を示す図である。
ィルタの構造を示す図である。
ＳＡＷ共撮共成器フィルタは周知の如く水晶、リチウム
ナイアベイト或はリチウムタンタレイトの如き圧電基板
１上に所要のインタディジタル・トランスジューサ電極
２，２Ｉ・・・・・・を、更に必要ならば前記電極によ
って励起したＳＡＷを反射して共振器のＱｔ−高める反
射器３，３．・・・・・・等を付着したもので、その製
造法は先ず前記圧電基板の表面に均一の厚さにアルミニ
ウム等を全面蒸着し然る後にフォトエツチングによって
所望の電極パターンを形成するものである。
ナイアベイト或はリチウムタンタレイトの如き圧電基板
１上に所要のインタディジタル・トランスジューサ電極
２，２Ｉ・・・・・・を、更に必要ならば前記電極によ
って励起したＳＡＷを反射して共振器のＱｔ−高める反
射器３，３．・・・・・・等を付着したもので、その製
造法は先ず前記圧電基板の表面に均一の厚さにアルミニ
ウム等を全面蒸着し然る後にフォトエツチングによって
所望の電極パターンを形成するものである。
このような構造を有する８ＡＷデバイス等の共振周波数
を微細に調整する為例えばウェット・エツチングによっ
て電極を溶解せしめその質量を減少させるといった従来
の手法では周波数のモニタリング下にこれを行うことが
不可能である等の欠点があったこと前述のとうりでおる
。
を微細に調整する為例えばウェット・エツチングによっ
て電極を溶解せしめその質量を減少させるといった従来
の手法では周波数のモニタリング下にこれを行うことが
不可能である等の欠点があったこと前述のとうりでおる
。
そこで本発明に於いては共振器又はフィルタに対し直接
その全面或は所定部分に金属又は非金属或はこれらの化
合物を蒸着して周波数の微細な調整を行なうものである
。
その全面或は所定部分に金属又は非金属或はこれらの化
合物を蒸着して周波数の微細な調整を行なうものである
。
第３図及び第４図は夫々ＳＡＷ共振器及びフィルタに本
発明に係る周波数微細調整方法を適用する場合の説明図
である。
発明に係る周波数微細調整方法を適用する場合の説明図
である。
即ち、第３図及び第４図は夫々前記反射器３．３を備え
たＳＡＷ共振器及び入出力電極を備えたＳＡＷフィルタ
に金属を付加蒸着し周波数の微細な調整を行なうべくこ
れらの表面波が閉じ込められる部分、あるいは表面波が
伝搬する部分に相当する面のみを開放したマスク４を用
いて、上記部分にのみ質量を付加すれば良い。
たＳＡＷ共振器及び入出力電極を備えたＳＡＷフィルタ
に金属を付加蒸着し周波数の微細な調整を行なうべくこ
れらの表面波が閉じ込められる部分、あるいは表面波が
伝搬する部分に相当する面のみを開放したマスク４を用
いて、上記部分にのみ質量を付加すれば良い。
このとき必ずしも、マスクを用いる必要はないが、封止
環の後工程を考慮するとマスクを使用した方が良い。
環の後工程を考慮するとマスクを使用した方が良い。
斯くして周波数の微細調整を行うデバイスが共振器であ
ればこれを発振器に、フィルタであればその伝送特性計
測装置に接続した上で真空蒸着槽に収容し、共振周波数
或は伝送特性をモニタしつつ金嘱ヲ付加蒸着し、共振周
波数或は伝送特性が所望の値となったところで蒸着を停
止すればよい。
ればこれを発振器に、フィルタであればその伝送特性計
測装置に接続した上で真空蒸着槽に収容し、共振周波数
或は伝送特性をモニタしつつ金嘱ヲ付加蒸着し、共振周
波数或は伝送特性が所望の値となったところで蒸着を停
止すればよい。
蒸着すべき金属材料としてはＡｇ、Ａｕ、Ｃｒ。
Ｎｉ・・・・・・等呑斡加熱蒸着可能なものであれば種
類は問わない。
類は問わない。
伺、導電性の高い金属を付加蒸着する場合であっても付
着量が極めてわずかで足りる場合には付加蒸着金属は孤
立した島状に付着するため、インタディジタル拳トラン
スジューサ電極同志ミニウムを用いるのは危険が多ので
避けた方がよい。溶融アルミニウムは表面張力が極めて
小５− さくインタディジタル・トランスジューサ電極間に広が
る如く付着するからである。
着量が極めてわずかで足りる場合には付加蒸着金属は孤
立した島状に付着するため、インタディジタル拳トラン
スジューサ電極同志ミニウムを用いるのは危険が多ので
避けた方がよい。溶融アルミニウムは表面張力が極めて
小５− さくインタディジタル・トランスジューサ電極間に広が
る如く付着するからである。
従って、蒸着物質としてアルミニウム或はこれと同様基
板との「濡れ」が良い物質を用いる必要がある場合には
前記インタディジタル串トランスジューサ電極部２，２
への蒸着を避は例えば反射器３，３又は波動の伝搬部の
みに蒸着するようにすればよい。
板との「濡れ」が良い物質を用いる必要がある場合には
前記インタディジタル串トランスジューサ電極部２，２
への蒸着を避は例えば反射器３，３又は波動の伝搬部の
みに蒸着するようにすればよい。
以上、最も一般的な金属材料の付加蒸着について説明し
たが本発明はこれに限定する必要はなく、例えばフッ化
マグネシウム、溶融石英等の化合物或は非金属を付加蒸
着してもよい。これらはいずれも電気伝導度が極めて小
さくしかも安定した物質であるから電極間に付着せしめ
ても全く問題を生じない。
たが本発明はこれに限定する必要はなく、例えばフッ化
マグネシウム、溶融石英等の化合物或は非金属を付加蒸
着してもよい。これらはいずれも電気伝導度が極めて小
さくしかも安定した物質であるから電極間に付着せしめ
ても全く問題を生じない。
同、以上述べた如き物質の微量付加蒸着によってもデバ
イスの主要な定数、例えばＱ１等価インダクタンスは殆
んど影響をうけないことが確認された。
イスの主要な定数、例えばＱ１等価インダクタンスは殆
んど影響をうけないことが確認された。
本発明に係る周波数微細調整方法は上述の如６−
く行なうので通常の蒸着設備以外の格別な装置を必要と
せずしかも周波数又は伝送特性をモニタしながら調整作
業をなしうるので安価かつ高能率にしかもデバイスの特
性を実質的に変えることな（８ＡＷデバイス等の周波数
微細調整金行う上で著しい効果を発揮する。
せずしかも周波数又は伝送特性をモニタしながら調整作
業をなしうるので安価かつ高能率にしかもデバイスの特
性を実質的に変えることな（８ＡＷデバイス等の周波数
微細調整金行う上で著しい効果を発揮する。
更に、本発明に係る周波数微細調整方法は必ずしも周波
数をモニタしながら行うべきことを絶対的要件とするも
のではない。
数をモニタしながら行うべきことを絶対的要件とするも
のではない。
今日、８ＡＷデバイス等は一般に大面積圧電基板上に多
数のフォト−エツチング用マスクを整列せしめてバッチ
処理で一挙に大量のデバイスを製造する。従って周波数
微細調整もパッチ処理で行うことが可能であって、この
為には付加蒸着条件と周波数調整量との関係を統計的に
把握しておけばよいことはいうまでもあるまい。
数のフォト−エツチング用マスクを整列せしめてバッチ
処理で一挙に大量のデバイスを製造する。従って周波数
微細調整もパッチ処理で行うことが可能であって、この
為には付加蒸着条件と周波数調整量との関係を統計的に
把握しておけばよいことはいうまでもあるまい。
伺、本発明は８ＡＷデバイスに限らずインタディジタル
・トランスジューサ電極にて励起しつる全ての波動、例
えば前述の８ＳＢＷ（ＳｕｒｆａｃｅＳｋｉｒｙｍｉｎ
ｃＺＢｕｌｋ Ｗａｖｅ ）の他うブ波、ＳＨ波。
・トランスジューサ電極にて励起しつる全ての波動、例
えば前述の８ＳＢＷ（ＳｕｒｆａｃｅＳｋｉｒｙｍｉｎ
ｃＺＢｕｌｋ Ｗａｖｅ ）の他うブ波、ＳＨ波。
ブルースタインーグーリエー清水波等を利用するデバイ
スにも同様に適用可能である。
スにも同様に適用可能である。
第１図及び第２図は夫々本発明に係る周波数微細調整方
法を適用するＳＡＷ共振器及び８ＡＷフイルタの構造を
示す図、第３図及び第４図は夫々ＳＡＷ共振器及びＳＡ
Ｗフィルタに金属を付加蒸着する際の手法を説明する図
である。 特許出願人 東洋通信機株式会社
法を適用するＳＡＷ共振器及び８ＡＷフイルタの構造を
示す図、第３図及び第４図は夫々ＳＡＷ共振器及びＳＡ
Ｗフィルタに金属を付加蒸着する際の手法を説明する図
である。 特許出願人 東洋通信機株式会社
Claims (1)
- 圧電基板上にインタディジタル・トランスジューサ電極
を付着して前記基板表面上或はバルク内に所望の周波数
の音響的波動音生ぜしめるデバイスに於いて、該デバイ
ス基板表面の全面又は所定の殻部分に金属又は非金属或
はこれらの化合物を付加蒸着して前記デバイスの共振周
波数を所望の値に調整することを特徴とする周波数微細
調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428382A JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20428382A JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994910A true JPS5994910A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0247886B2 JPH0247886B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=16487912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20428382A Granted JPS5994910A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 周波数微細調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994910A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611922U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-08 | 関西日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPS63246911A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-10-13 | レイセオン・カンパニー | 弾性表面波装置及び表面波速度特性調整方法 |
| JPH02268505A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
| US5716042A (en) * | 1996-04-15 | 1998-02-10 | Derviller; Peter Reginald John | Springing means for suspension systems |
| JP2009130806A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110418A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-25 | Victor Co Of Japan Ltd | Surface acoustic wave device |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20428382A patent/JPS5994910A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110418A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-25 | Victor Co Of Japan Ltd | Surface acoustic wave device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611922U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-08 | 関西日本電気株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPS63246911A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-10-13 | レイセオン・カンパニー | 弾性表面波装置及び表面波速度特性調整方法 |
| JPH02268505A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの周波数調整方法 |
| US5716042A (en) * | 1996-04-15 | 1998-02-10 | Derviller; Peter Reginald John | Springing means for suspension systems |
| JP2009130806A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247886B2 (ja) | 1990-10-23 |
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