JPS5998318A - 薄膜磁気再生ヘツド - Google Patents
薄膜磁気再生ヘツドInfo
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- JPS5998318A JPS5998318A JP20823982A JP20823982A JPS5998318A JP S5998318 A JPS5998318 A JP S5998318A JP 20823982 A JP20823982 A JP 20823982A JP 20823982 A JP20823982 A JP 20823982A JP S5998318 A JPS5998318 A JP S5998318A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特にそれの再生ヘッド
におけるイ丑気シールドＮ戸の材質に関するものである
。
におけるイ丑気シールドＮ戸の材質に関するものである
。
曹膜磁気再生ヘッドは、非磁性相からなる基板と、その
上に順次設けられた第１の磁気、シールド薄膜、磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略記する）、第２の磁気
シールド薄膜などから構成されている。この薄１１争磁
気１再生ヘッドは薄膜呻気紀ｈ−ヘッドと対になって薄
膜ヘッドを構成している。
上に順次設けられた第１の磁気、シールド薄膜、磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子と略記する）、第２の磁気
シールド薄膜などから構成されている。この薄１１争磁
気１再生ヘッドは薄膜呻気紀ｈ−ヘッドと対になって薄
膜ヘッドを構成している。
この薄膜磁気再生ヘッドの磁気シールド薄膜ｆ膜として
はその機能を十分に発揮するため、透磁率ならびた飽和
磁束密度がともに高いことが要求される。従来、この磁
気シールド薄膜として、鉄−ニラナル合金からなる二元
系パーマロイや、その二元系パーマロイに例えはクロム
、モリブデン、銅などの第三元素を添加した多元系パー
マロイが用いられている。ところがパーマロイでは一般
に透磁率ならびに飽和磁束密度を十分に高くすることが
難しく、十分なシールド効果が得られなかった。
はその機能を十分に発揮するため、透磁率ならびた飽和
磁束密度がともに高いことが要求される。従来、この磁
気シールド薄膜として、鉄−ニラナル合金からなる二元
系パーマロイや、その二元系パーマロイに例えはクロム
、モリブデン、銅などの第三元素を添加した多元系パー
マロイが用いられている。ところがパーマロイでは一般
に透磁率ならびに飽和磁束密度を十分に高くすることが
難しく、十分なシールド効果が得られなかった。
本発明者らは、スパッタリングなどによって得られるア
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
） （Ｃｏ）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ
）とタンタル（ＴｃＬ）を添加したＣｏ−ｚｒ−ＴｃＬ
の３成分系アモルファス合金、ならびにコバル）（Ｃｏ
）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ）とタンタ
ル（Ｔａ ）とニオブ（Ｎｂ）を添加したＣｏ−ｚｒ
−ＴＧ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金が、それぞれ
薄膜磁気再生ヘッドのシールド材として優れた特性を有
していることを見出した。
モルファス合金薄膜について種々研究した結果、コバル
） （Ｃｏ）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ
）とタンタル（ＴｃＬ）を添加したＣｏ−ｚｒ−ＴｃＬ
の３成分系アモルファス合金、ならびにコバル）（Ｃｏ
）を主成分とし、少量のジルコニウム（Ｚｒ）とタンタ
ル（Ｔａ ）とニオブ（Ｎｂ）を添加したＣｏ−ｚｒ
−ＴＧ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金が、それぞれ
薄膜磁気再生ヘッドのシールド材として優れた特性を有
していることを見出した。
Ｄ初、Ｃｏ −Ｚｒ −’Ｉ’ａ系アモルファス合金に
ついて説明する。
ついて説明する。
基板に結晶化ガラスを用い、コバルトディスク（直径４
インチ、厚さ５市）上にジルコニウムのペレットとタン
タルのペレット （いスレのペレットも縦、横１０劇、
厚さ１酎）を中心より放射状に交互に配積し、ターゲッ
トＪ二のペレットの数をル１１（整することにより合金
組成が変えられるようにする。ぞしてアルゴンによる置
換前の真空度がｌＸｌ０ ＴＯｒｒ以下の高真空にし
、アルゴンの雰囲気中で、高周波？！１．力２． ＯＷ
／ ｃｎ？でスパッタリングを行ない、井板上にコバ
ルトを主成分とするＣ０−ｚｒ−’ｒαの３成分系のア
モルファス合金薄膜を作成する。このようにして作成さ
れた各柚組成の合金試料が後述の各特性試験に使用され
る。
インチ、厚さ５市）上にジルコニウムのペレットとタン
タルのペレット （いスレのペレットも縦、横１０劇、
厚さ１酎）を中心より放射状に交互に配積し、ターゲッ
トＪ二のペレットの数をル１１（整することにより合金
組成が変えられるようにする。ぞしてアルゴンによる置
換前の真空度がｌＸｌ０ ＴＯｒｒ以下の高真空にし
、アルゴンの雰囲気中で、高周波？！１．力２． ＯＷ
／ ｃｎ？でスパッタリングを行ない、井板上にコバ
ルトを主成分とするＣ０−ｚｒ−’ｒαの３成分系のア
モルファス合金薄膜を作成する。このようにして作成さ
れた各柚組成の合金試料が後述の各特性試験に使用され
る。
第１図は、合金中のＺｒ自有率か常に６重量−になるよ
うにして、ＴＧの含有率を柚々変えた場合の保磁力（Ｈ
ｃ）の変化を測定した結果を示す特性図である。従って
この図においてＴＧの含有率がＯホ州チの場合は、Ｃｏ
９４重９％ −Ｚｒ ６ ａｉｊ！％の２成分系合金
となる。この合金も前述とはぽ同様の条件で作成される
。
うにして、ＴＧの含有率を柚々変えた場合の保磁力（Ｈ
ｃ）の変化を測定した結果を示す特性図である。従って
この図においてＴＧの含有率がＯホ州チの場合は、Ｃｏ
９４重９％ −Ｚｒ ６ ａｉｊ！％の２成分系合金
となる。この合金も前述とはぽ同様の条件で作成される
。
この図から明らかなように、ＣＯにＺ’ｒを添加した２
成分系合金ではまだＨｅが高いが、これにさらＫＴαを
小屋添加することにより、すなわちＣｏ −Ｚｒ−Ｔａ
、の３成分系合金になるとＨｃは急に低下する。特にＴ
（Ｌ含有率が約２重量％以上、好ましくは約５重ｉｔ−
以上になるとＨｅを０．１（Ｏｅ）付近まで下げること
ができる。ＴＧの含有率が５重量％以上になるとＨｃの
値はほとんど一定であり、含有率が１７爪Ｍチを越える
と３成分系合金の飽和磁束密度Ｂｓが低くなるため好ま
しくない。従って合金中におけるＴＧの含有率を約２〜
１７重ｈ１チ、好ましくは約５〜１５重量−の範囲に規
制する方が良い。このような傾向は、Ｚｒの含有＊が多
少変化しても同様であることが実験で確認されている。
成分系合金ではまだＨｅが高いが、これにさらＫＴαを
小屋添加することにより、すなわちＣｏ −Ｚｒ−Ｔａ
、の３成分系合金になるとＨｃは急に低下する。特にＴ
（Ｌ含有率が約２重量％以上、好ましくは約５重ｉｔ−
以上になるとＨｅを０．１（Ｏｅ）付近まで下げること
ができる。ＴＧの含有率が５重量％以上になるとＨｃの
値はほとんど一定であり、含有率が１７爪Ｍチを越える
と３成分系合金の飽和磁束密度Ｂｓが低くなるため好ま
しくない。従って合金中におけるＴＧの含有率を約２〜
１７重ｈ１チ、好ましくは約５〜１５重量−の範囲に規
制する方が良い。このような傾向は、Ｚｒの含有＊が多
少変化しても同様であることが実験で確認されている。
このようにｃｏ−Ｚｒ−Ｔａの３成分系合金にすること
により１、Ｃｏ単独あるい１−ＪＣｏ −Ｚｒの２成分
系合金よりもＨｃを極端に低く抑えることができる。ま
たＺｒとＴＧの添加は透磁率μにも大きく影響する。
により１、Ｃｏ単独あるい１−ＪＣｏ −Ｚｒの２成分
系合金よりもＨｃを極端に低く抑えることができる。ま
たＺｒとＴＧの添加は透磁率μにも大きく影響する。
鉛２図はＺｒとＴＧのトータル含有率とμとの関係を測
定した結果を示す特性図で、ＺｒとＴＧとの重搦比が常
にＺｒ：Ｔ（Ｉ−６，５： １０．１になるよう調整さ
れている。この図から明らかなように、Ｃｏ中にＺｒと
Ｔａを添加することによりμが急激に高くなり、宥にｚ
ｒとＴｃＬのトータル含有率が約５〜２０１狂年嘱のｌ
！ｊ＋、囲ではμを４０００以上にすることができ、そ
の中でも特にＺｒとＴａのトータル含有率が約８〜１７
重級チの範囲のものはμが一部しており、品質の安定し
た高透磁率のアモルファス合金が得られる。第２図に示
すような特性は、Ｚ’ｒとＴＣＬの重量比を多少変化し
ても同様の傾向を示す。
定した結果を示す特性図で、ＺｒとＴＧとの重搦比が常
にＺｒ：Ｔ（Ｉ−６，５： １０．１になるよう調整さ
れている。この図から明らかなように、Ｃｏ中にＺｒと
Ｔａを添加することによりμが急激に高くなり、宥にｚ
ｒとＴｃＬのトータル含有率が約５〜２０１狂年嘱のｌ
！ｊ＋、囲ではμを４０００以上にすることができ、そ
の中でも特にＺｒとＴａのトータル含有率が約８〜１７
重級チの範囲のものはμが一部しており、品質の安定し
た高透磁率のアモルファス合金が得られる。第２図に示
すような特性は、Ｚ’ｒとＴＣＬの重量比を多少変化し
ても同様の傾向を示す。
第３図はＺｒとＴａのトータル含有率とＢｓとの関係を
測定した結果を示す特性図で、第２図ｑノ場合と同様に
ＺｒとＴａとの重量比が常にｚｒ：’ｒα−６，５：
１０．１になるようにＷ、ｉ＆されている。この図から
明らかなように、ｚｒとＴａのトータル含有率が茜くな
ろにｉＩ〔つてＢｓは低くなる傾向にあり、特にｚｒと
ＴＣＬのトータル含有率が約２０屯量−を越えるとＢ
Ｓ Ｇ；Ｊ、 １０ Ｋ Ｇ以下になってしまう。
測定した結果を示す特性図で、第２図ｑノ場合と同様に
ＺｒとＴａとの重量比が常にｚｒ：’ｒα−６，５：
１０．１になるようにＷ、ｉ＆されている。この図から
明らかなように、ｚｒとＴａのトータル含有率が茜くな
ろにｉＩ〔つてＢｓは低くなる傾向にあり、特にｚｒと
ＴＣＬのトータル含有率が約２０屯量−を越えるとＢ
Ｓ Ｇ；Ｊ、 １０ Ｋ Ｇ以下になってしまう。
この特性は、ＺｒとＴｃＬの重量比が多少変化しても同
様の傾向を示す。
様の傾向を示す。
この第２図および８）３図の特性曲線から明らかなよう
に、μならびにＢＳの島いアモルファス合金を得るため
には、Ｚｒとｒαのトータル含有率を約５〜２０重量−
の範囲に規制するとよい。
に、μならびにＢＳの島いアモルファス合金を得るため
には、Ｚｒとｒαのトータル含有率を約５〜２０重量−
の範囲に規制するとよい。
このようにＺｒとＴａのトータル含有率を約５〜２０重
量％の範囲に規制しても、その中のＺｒ含有率が低く過
ぎるとＨｃの高いアモルファス合金となる。第４図は、
合金中のＴａ含有率が常にｌＯ０重Ｍ％になるようにし
て、ｚｒの含有率を種々変えた場合のＨｃの変化を測定
した結果を示す特性図である。従ってこの図においてＺ
ｒの含有率が０重量％の場合は、００９０重３１％−Ｔ
ａ １０ｉｊｆ％の２成分系合金となる。この合金も前
述とほぼ同様の条件で作成される。
量％の範囲に規制しても、その中のＺｒ含有率が低く過
ぎるとＨｃの高いアモルファス合金となる。第４図は、
合金中のＴａ含有率が常にｌＯ０重Ｍ％になるようにし
て、ｚｒの含有率を種々変えた場合のＨｃの変化を測定
した結果を示す特性図である。従ってこの図においてＺ
ｒの含有率が０重量％の場合は、００９０重３１％−Ｔ
ａ １０ｉｊｆ％の２成分系合金となる。この合金も前
述とほぼ同様の条件で作成される。
この図から明らかなように、Ｃ０ＫＴ（Ｚを添加した２
成分系合金ならびにＺｒの含有率が２重量％までのＣｏ
−Ｚｒ−Ｔａの３成分系合金は、Ｈｃが冒い。ところが
Ｚｒの含有率が約２５重量％を越えるとＨｃは急激に低
下し、約５重量−以上になるとＨｅはへ１ （Ｏｅ）
以下にすることができる。このようにＣｏ−Ｚｒｒ−Ｔ
ａの３成分系アモルファス合金において、ｚｒを約２５
重量−以上含有することにより、Ｈｅを低く抑えること
ができるが、ｚｒの含有率が余り高くなってもＨｃを低
く抑える効果は同じであり、かえってＢｓが低くなるた
め好ましくない。従ってＨｅを低く抑えしかもＢｓを高
く維持するためにはＺｒの含有率を約２．５〜６．６重
量％、好ましくは約５〜６．５重Ｍ％の範囲に規制する
方がよい。
成分系合金ならびにＺｒの含有率が２重量％までのＣｏ
−Ｚｒ−Ｔａの３成分系合金は、Ｈｃが冒い。ところが
Ｚｒの含有率が約２５重量％を越えるとＨｃは急激に低
下し、約５重量−以上になるとＨｅはへ１ （Ｏｅ）
以下にすることができる。このようにＣｏ−Ｚｒｒ−Ｔ
ａの３成分系アモルファス合金において、ｚｒを約２５
重量−以上含有することにより、Ｈｅを低く抑えること
ができるが、ｚｒの含有率が余り高くなってもＨｃを低
く抑える効果は同じであり、かえってＢｓが低くなるた
め好ましくない。従ってＨｅを低く抑えしかもＢｓを高
く維持するためにはＺｒの含有率を約２．５〜６．６重
量％、好ましくは約５〜６．５重Ｍ％の範囲に規制する
方がよい。
本発明に係るＣｏ −ｚ、−ＴｃＬの系のアモルファス
合金において、ＴｔＬの一部なＮｂと置換した、ｃ。
合金において、ＴｔＬの一部なＮｂと置換した、ｃ。
−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金もｉｆ
述したＣｏ−Ｚｒ−Ｔａのａ＋ｆｆｉ分系アモルファ
ス合金と同様に優れた磁気特性を有している。
述したＣｏ−Ｚｒ−Ｔａのａ＋ｆｆｉ分系アモルファ
ス合金と同様に優れた磁気特性を有している。
第５図は、Ｃｏを８４４重Ｍ％Ｚ「を６１１含有し、残
部の１０重量−がｒαとＮｂがらなり、Ｔａに対するＮ
ｂの廿゛イ換割含を種々変えた場合、すなわちＣａＢ６
− ｚ＋ｒ６− （Ｔａ１０Ｇ−ｘＮｂｘ）ｚａにおい
てＸ値を種々変えた場合の磁気特性を示す図である。
部の１０重量−がｒαとＮｂがらなり、Ｔａに対するＮ
ｂの廿゛イ換割含を種々変えた場合、すなわちＣａＢ６
− ｚ＋ｒ６− （Ｔａ１０Ｇ−ｘＮｂｘ）ｚａにおい
てＸ値を種々変えた場合の磁気特性を示す図である。
この図において曲線ＡはＨｃ特性、曲線Ｂはμ特性をそ
れぞれ示す。この図がら明らかなように、ｃ。
れぞれ示す。この図がら明らかなように、ｃ。
−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合金モＣｏ
−Ｚｒ（−Ｔｃｚの３成分系アモルファス合金とほぼ
同様の優れた磁気特性を有し、むしろＨｃ特性（曲＠Ａ
）ならびにＢｓ特性（曲１１ｃ＞は若干ではあるがＣｏ
−Ｚｒ−Ｔａ系アモルファス合金よりも良好である。こ
のような傾向４１、ｃｏならびにＺｒの含有率が多少変
化しても同様である。
−Ｚｒ（−Ｔｃｚの３成分系アモルファス合金とほぼ
同様の優れた磁気特性を有し、むしろＨｃ特性（曲＠Ａ
）ならびにＢｓ特性（曲１１ｃ＞は若干ではあるがＣｏ
−Ｚｒ−Ｔａ系アモルファス合金よりも良好である。こ
のような傾向４１、ｃｏならびにＺｒの含有率が多少変
化しても同様である。
このＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ−Ｎｂの４成分系アモルファス合
金においても、ｚｒ−’ｒα−Ｎｂのトータル含有率を
約５〜２０重量−の範囲に規制することにより、μおよ
びＢｓの高いアモルファス合金を得ることができる。ま
た、この４成分系アモルファス合金においてもＺｒの含
有率を約２．．５重１１４以上に規制することにより、
Ｈｃを極端に低く抑えることができる。
金においても、ｚｒ−’ｒα−Ｎｂのトータル含有率を
約５〜２０重量−の範囲に規制することにより、μおよ
びＢｓの高いアモルファス合金を得ることができる。ま
た、この４成分系アモルファス合金においてもＺｒの含
有率を約２．．５重１１４以上に規制することにより、
Ｈｃを極端に低く抑えることができる。
本発明に係るＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系およびＣｏ −Ｚｒ−
Ｔａ−Ｎｂ系の合金は、スパッタリングや蒸着によって
形成された合金薄膜の異方性磁界Ｈｋは１５〜２０（Ｏ
ｅ）と大きい。この異方性磁界を小さくする手段につい
て種々検討した結果、スパッタリングや蒸着などによっ
て形成したアモルファス合金薄膜を回転磁界中で熱処理
する手段が有効であることを見出した。この処理で、温
度は３００〜４００ （℃）、回転速度は１０−２０
（ｒ、ｐ、ｍ。
Ｔａ−Ｎｂ系の合金は、スパッタリングや蒸着によって
形成された合金薄膜の異方性磁界Ｈｋは１５〜２０（Ｏ
ｅ）と大きい。この異方性磁界を小さくする手段につい
て種々検討した結果、スパッタリングや蒸着などによっ
て形成したアモルファス合金薄膜を回転磁界中で熱処理
する手段が有効であることを見出した。この処理で、温
度は３００〜４００ （℃）、回転速度は１０−２０
（ｒ、ｐ、ｍ。
）、磁界の強さはｔｏｏ（Ｏｅ）以上、処理時間は３時
間以上が好ましい。例えば温度を３５０（℃）、回転速
度を１ ｏ （ｒ、ｐ、ｍ、 ）、磁界の強さを１００
（Ｏｅ）、処理時間を３時間に股部して１アモルファス
合金薄膜を処理すれば、異方性磁界Ｈｋを約４（Ｏｅ）
まで下げることができる。
間以上が好ましい。例えば温度を３５０（℃）、回転速
度を１ ｏ （ｒ、ｐ、ｍ、 ）、磁界の強さを１００
（Ｏｅ）、処理時間を３時間に股部して１アモルファス
合金薄膜を処理すれば、異方性磁界Ｈｋを約４（Ｏｅ）
まで下げることができる。
第６図は、本発明の実施例に係る薄膜磁気再生ヘッドの
要部分解斜視図である。ｌは非磁性材からなる基板、２
は絶縁被膜、３は第１の８気シールド薄膜、４はＭ Ｒ
素子、５および６は導電薄膜）７は第２の磁気シールド
薄膜である。
要部分解斜視図である。ｌは非磁性材からなる基板、２
は絶縁被膜、３は第１の８気シールド薄膜、４はＭ Ｒ
素子、５および６は導電薄膜）７は第２の磁気シールド
薄膜である。
前記第１の磁気シールド薄膜３および第２の磁気シール
ド薄膜７の一例として、ＣＯ含有率か８３．４重用チ、
ｚｒ含有率が６．５重量％、Ｔａ含有率が１０．１重量
％で、ｚｒとＴａのトータル含有率が１６．６利ＯのＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｔｇの３成分糸アモルファス合金薄膜からな
っている。これら磁気シールド薄膜３，７はそれぞれス
パッタリングで形成されたのち、前述の条件下において
回転磁界中で熱処理される。
ド薄膜７の一例として、ＣＯ含有率か８３．４重用チ、
ｚｒ含有率が６．５重量％、Ｔａ含有率が１０．１重量
％で、ｚｒとＴａのトータル含有率が１６．６利ＯのＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｔｇの３成分糸アモルファス合金薄膜からな
っている。これら磁気シールド薄膜３，７はそれぞれス
パッタリングで形成されたのち、前述の条件下において
回転磁界中で熱処理される。
磁気シールド薄膜３１．７の他の側は、ＣＯ含鳴率が８
５重量％、Ｚｒ、Ｔａ、 Ｎｂの含有率がそれぞれ５重
敞チで、結局Ｚｒ＃Ｔａ、Ｎｂのトータル含有率が１５
重量％のＣｏ−ｚｒｒ−’ｒα−Ｎｂの４成分系アモル
ファス合金ｆ！膜からなっている。これら磁気シールド
薄膜３，７も同様にそれぞれスパッタリングで形成され
、その後前記条件下において回転磁界中で熱処理される
。
５重量％、Ｚｒ、Ｔａ、 Ｎｂの含有率がそれぞれ５重
敞チで、結局Ｚｒ＃Ｔａ、Ｎｂのトータル含有率が１５
重量％のＣｏ−ｚｒｒ−’ｒα−Ｎｂの４成分系アモル
ファス合金ｆ！膜からなっている。これら磁気シールド
薄膜３，７も同様にそれぞれスパッタリングで形成され
、その後前記条件下において回転磁界中で熱処理される
。
本発明は前述のように薄膜磁気再生ヘッドの磁気シール
ド薄膜を、コバルトを主成分とし、それにジルコニウム
とタンタルを少量添加した３成分系アモルファス合金、
ならびにコバルトを主成分とし、それにジルコニウムと
タンタルとニオブを少量添加した４成分系アモルファス
合金で構成したことを特徴とするものである。これらの
アモルファス合金は、透磁率ならびに飽和磁束密度が高
いから、磁気シールド効果を十分に発揮することができ
、再生感１すの向上が図れ、また磁気１シールド薄膜の
膜厚をさらに薄くすることも可能である。
ド薄膜を、コバルトを主成分とし、それにジルコニウム
とタンタルを少量添加した３成分系アモルファス合金、
ならびにコバルトを主成分とし、それにジルコニウムと
タンタルとニオブを少量添加した４成分系アモルファス
合金で構成したことを特徴とするものである。これらの
アモルファス合金は、透磁率ならびに飽和磁束密度が高
いから、磁気シールド効果を十分に発揮することができ
、再生感１すの向上が図れ、また磁気１シールド薄膜の
膜厚をさらに薄くすることも可能である。
第１図はニオブの含有率と保磁力との関係を示す特性図
、第２図はジルコニウムとニオブのトータル含有率と透
磁率との関係を示す特性図、第３図はジルコニウムとニ
オブのトータル含有率と飽和磁束密度との関係を示す特
性図、第４図はジルコニウムと保磁力との関係を示す特
性図、第５図はタンタルに対するニオブの置換量を抽々
変えた場合の磁気、特性図、り）６図は本発明の実施例
に係る薄膜磁気再生ヘッドの要部分解斜視図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・第１の磁気シール
ド薄膜、４・・・・・・Ｍ Ｒ素子、７・・・・・・第
２の磁気シールドｔ４・°膜。 ｇＩＳｌ 図 ０ ５ ｌＯ１５２０Ｔｏ （
Ｗ ｔ ％） 第２ 図 Ｑ ５ １０ １５
２０ ２５Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗｔ％） ｗＳ３ 図 ０ ５ ｌＯＩ５
２０Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗ 第４図 ０ ５ ７０
１５ ２０Ｚｒ（ｗｔ％〕 第５図 乃６図
、第２図はジルコニウムとニオブのトータル含有率と透
磁率との関係を示す特性図、第３図はジルコニウムとニ
オブのトータル含有率と飽和磁束密度との関係を示す特
性図、第４図はジルコニウムと保磁力との関係を示す特
性図、第５図はタンタルに対するニオブの置換量を抽々
変えた場合の磁気、特性図、り）６図は本発明の実施例
に係る薄膜磁気再生ヘッドの要部分解斜視図である。 １・・・・・・基板、３・・・・・・第１の磁気シール
ド薄膜、４・・・・・・Ｍ Ｒ素子、７・・・・・・第
２の磁気シールドｔ４・°膜。 ｇＩＳｌ 図 ０ ５ ｌＯ１５２０Ｔｏ （
Ｗ ｔ ％） 第２ 図 Ｑ ５ １０ １５
２０ ２５Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗｔ％） ｗＳ３ 図 ０ ５ ｌＯＩ５
２０Ｚｒ＋Ｔｏ（ｗ 第４図 ０ ５ ７０
１５ ２０Ｚｒ（ｗｔ％〕 第５図 乃６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 磁気抵抗効果素子の両側に磁気シールド薄膜
をそれぞれ形成してなる薄膜磁気再生ヘッドにおいて、
前記磁気シールド薄膜が、コバルトをＪ１分とし、それ
に少量のジルコニウムとタンタルとを添加した３成分糸
のアモルファス合金で構成されていることを特徴とする
薄膜磁気再生ヘッド。 （２） 特許請求の範囲第（ｊ、１項記載において、
前記ジルコニウムとタンタルのトータル含有率が約５〜
２０重量％のＮｔＬ［に規制されていることを特徴とす
る薄膜磁気再生ヘッドっ （８ン 特ｆｌ：請求の範１Ｕｌｌ第（１）項および
第（乃項記載において、前記ジルコニウムの含有率が約
２．５ ｆＪｊ ％ Ｓ以上に規制されていることを特
徴とする薄膜磁気再生ヘッド。 （４） 狛許請求の範囲第（１）項記載において、前記
磁気シールド薄膜として形成されたコバルトージルフニ
ウムータンタルの３成分系アモルファス合金薄膜が回転
磁界中で熱処理されることを特徴とする薄膜磁気再生ヘ
ッド。 （６）磁気抵抗効果素子の両側に磁気シールド薄膜をそ
れぞれ形成してなる薄明磁気再生ヘッドにおいて、前記
磁気シールド薄膜が、コバルトを主成分とし、それに少
量のジルコニウムとタンタルとニオブとを添加した４成
分系のアモルファス合金で構成されていることケ特徴と
する薄ＩＩＩム磁気再生ヘッド。 ・ （θ） 特許請求の範囲第（６）項記載において、前記
ジルコニウムとタンタルとニオブのトータル含有率が約
５〜２０重Ｉｊｋチの範囲に規制されていることを特徴
とする薄膜磁気再生ヘッド。 （７） 特許１ｉＭ求の範囲第（５）項および第（６
）項記載において、前記ジルコニウムの含有率が約２５
重量−以上に規制されていることを特徴とする薄膜磁気
再生ヘッド。 （８） 特許請求の範囲第（５）項記載において、前
記磁気シールド薄膜として形成されたコバルトージルコ
ニウム−タンタル−ニオブの４成分系アモルファス合金
薄膜が回転磁界中で熱処理されることを特徴とするＮ脱
磁気再生ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20823982A JPS5998318A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 薄膜磁気再生ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20823982A JPS5998318A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 薄膜磁気再生ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998318A true JPS5998318A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16552955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20823982A Pending JPS5998318A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | 薄膜磁気再生ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP20823982A patent/JPS5998318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473492A (en) * | 1993-03-03 | 1995-12-05 | Tdk Corporation | Magnetic head including a reproducing head utilizing a magnetoresistance effect and having a magnetic shielding film containing nitrogen |
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