JPS60103329A - 光画像書込み素子 - Google Patents
光画像書込み素子Info
- Publication number
- JPS60103329A JPS60103329A JP58212071A JP21207183A JPS60103329A JP S60103329 A JPS60103329 A JP S60103329A JP 58212071 A JP58212071 A JP 58212071A JP 21207183 A JP21207183 A JP 21207183A JP S60103329 A JPS60103329 A JP S60103329A
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- JP
- Japan
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- layer
- dopant
- light
- polymer
- electrode
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光画像＃込み素子に関する。
従来技術
表示素子として液晶を用いたものは数多く提案され、既
にライトノ々ルゾ、ディスプレイ、メモリーナどで実用
化されている。しかし、液晶自体の視角依存性や不鮮明
さく明るい周囲光下では見づらいこと）はそのまま液晶
２イトノ々ルゾの欠点として受継がれている。まだ、メ
モリー効果も２４時間程度と短い欠点がある。
にライトノ々ルゾ、ディスプレイ、メモリーナどで実用
化されている。しかし、液晶自体の視角依存性や不鮮明
さく明るい周囲光下では見づらいこと）はそのまま液晶
２イトノ々ルゾの欠点として受継がれている。まだ、メ
モリー効果も２４時間程度と短い欠点がある。
このような液晶表示素子（ＬＣＤ）に代り、ＥＣ材料（
エレクトロクロミック利料）を用いた表示素子（ＥＯＤ
）が近時注目されるようにガってきている。このＥＯＤ
によれば前記の視角依存性や不鮮明性などの欠点をＥＣ
相料で解消できる有利さがある。
エレクトロクロミック利料）を用いた表示素子（ＥＯＤ
）が近時注目されるようにガってきている。このＥＯＤ
によれば前記の視角依存性や不鮮明性などの欠点をＥＣ
相料で解消できる有利さがある。
現在実用性があると考えられているＥＣ材料は１辰化タ
ングステンであり、これを用いた光画像書込み素子は第
４図に示したごときもので、１２は１１２Ｓ Ｏ，であ
る。いま、ＷＯ３薄膜１１ ｉｌｌを負に、対向′［Ｉ
Ｌ極３′側を正に直流／セイアスすると、ＷＯ３薄ｊ１
λ１１の透過率は時間とともに変化し、白色光をこの装
置に入射し透過した光を見るとブルーｖｃＨ色してみえ
る。）ζイアス硫圧の極性を逆にすると着色は消え初め
の状態に戻る。また、ＥＣ材料として晶化タングステン
の外にピオゲン塩も倹討されている。このビオゲン塩を
用いたＥＯＤは、無色のピオゲン溶液が電気化学的酸化
還元反応により、不溶着色破膜が陰極（表示電極）上に
生成されという原理を応用したものである。
ングステンであり、これを用いた光画像書込み素子は第
４図に示したごときもので、１２は１１２Ｓ Ｏ，であ
る。いま、ＷＯ３薄膜１１ ｉｌｌを負に、対向′［Ｉ
Ｌ極３′側を正に直流／セイアスすると、ＷＯ３薄ｊ１
λ１１の透過率は時間とともに変化し、白色光をこの装
置に入射し透過した光を見るとブルーｖｃＨ色してみえ
る。）ζイアス硫圧の極性を逆にすると着色は消え初め
の状態に戻る。また、ＥＣ材料として晶化タングステン
の外にピオゲン塩も倹討されている。このビオゲン塩を
用いたＥＯＤは、無色のピオゲン溶液が電気化学的酸化
還元反応により、不溶着色破膜が陰極（表示電極）上に
生成されという原理を応用したものである。
しかしながら、これら従来のＦｉＯＤでは未だ十分な階
調性が得られないという問題か残されている。
調性が得られないという問題か残されている。
目 的
本発明は上記したような欠点がなく、鮮明な連続階調の
着色／ｅターンが得られる元画（象書込み素子を提供す
るものである。
着色／ｅターンが得られる元画（象書込み素子を提供す
るものである。
イ１４ 成
本発明に係る光画像書込み素子の第１は１．Ｉｅリエン
、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフェニレン、ボリ
アリールアセチレン、ポリアセチレンのごとき線状共役
運＠を有する系の高分子層と光導′電層とが積層されこ
れらは電極で挾まれておシ、高分子層に接する側の電極
は少なくとも透明で、かつ、前記の高分子層及び／又は
光導電層にはドーパントが含有されてなる装置であって
、電界を印加し及び前記の光導電層側の電極面に光ビー
ム又は光像パターンを照射して高分子層上に画像が形成
されるようにしたことを特徴としている、 本発明に停る光画像井込み素子の他の−っは、上記第１
の装置゛において高分子層と光導電層とを積層させない
で、それらをドー・ぞント含有層を介して対向せしめ、
また、高分子層及び／又は光導電層には必要に応じ°て
ドーパントが含有されるようにしたことを特徴としてい
る。
、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフェニレン、ボリ
アリールアセチレン、ポリアセチレンのごとき線状共役
運＠を有する系の高分子層と光導′電層とが積層されこ
れらは電極で挾まれておシ、高分子層に接する側の電極
は少なくとも透明で、かつ、前記の高分子層及び／又は
光導電層にはドーパントが含有されてなる装置であって
、電界を印加し及び前記の光導電層側の電極面に光ビー
ム又は光像パターンを照射して高分子層上に画像が形成
されるようにしたことを特徴としている、 本発明に停る光画像井込み素子の他の−っは、上記第１
の装置゛において高分子層と光導電層とを積層させない
で、それらをドー・ぞント含有層を介して対向せしめ、
また、高分子層及び／又は光導電層には必要に応じ°て
ドーパントが含有されるようにしたことを特徴としてい
る。
ちなみに、本発明者らは特にＥＣ材料として線状共役連
鎖を有する系の高分子を選択し、そのうちの１１ｉ１ｉ
又はそれらが組み合わされたポリマーを含有する層（高
分子Ｊ＠）を着色ｊｄとして光導電層に積層せしめ、こ
の積層体を透明電極で挾み込むことにより良好な光画像
書込み素子が得られることを確かめたのであって、本発
明はそうした知見に基づいて完成されたものである。
鎖を有する系の高分子を選択し、そのうちの１１ｉ１ｉ
又はそれらが組み合わされたポリマーを含有する層（高
分子Ｊ＠）を着色ｊｄとして光導電層に積層せしめ、こ
の積層体を透明電極で挾み込むことにより良好な光画像
書込み素子が得られることを確かめたのであって、本発
明はそうした知見に基づいて完成されたものである。
以下に本−Ａ四を添附の図面に従がいながら更に詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る前記第１の光画像書込み素子（装
置）の概略図、第２図は前記第２の装置６の概略図であ
シ、そこに付された番号で、１は高分子層、２け光導７
１ｔ層、３．３”ｋＪ組電極４はドーパント含有層を表
わしている。便宜上、ここではＭ１図に示した装置を中
心に鮮明を進めることとする〜 高分子層１を０￥成する「線状共役連鎖を有する系の高
分子」には、ポリアセチレン、置換ポリアセチレン、ポ
リチェニレン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリチアジルのようなポリ
エン、ポリイン、ポリメチンイミンあるいはポリフェニ
レン１）” Ｇ’ｉｌ 示ｆきる。ｉ ｆｃ、特開昭５
７−３６１．０６号や特開昭５７−１０５４０３号の公
報ｖｃＨピ、ｌｉｔ！きれているアリールアセチレン、
＋５リマーなどは溶解が可能であるため混合系で用いら
れてもかまわな状ポリアセチレンは分散系での混合とし
ても本発明の高分子層として使用可能である。
置）の概略図、第２図は前記第２の装置６の概略図であ
シ、そこに付された番号で、１は高分子層、２け光導７
１ｔ層、３．３”ｋＪ組電極４はドーパント含有層を表
わしている。便宜上、ここではＭ１図に示した装置を中
心に鮮明を進めることとする〜 高分子層１を０￥成する「線状共役連鎖を有する系の高
分子」には、ポリアセチレン、置換ポリアセチレン、ポ
リチェニレン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポ
リフェニレンサルファイド、ポリチアジルのようなポリ
エン、ポリイン、ポリメチンイミンあるいはポリフェニ
レン１）” Ｇ’ｉｌ 示ｆきる。ｉ ｆｃ、特開昭５
７−３６１．０６号や特開昭５７−１０５４０３号の公
報ｖｃＨピ、ｌｉｔ！きれているアリールアセチレン、
＋５リマーなどは溶解が可能であるため混合系で用いら
れてもかまわな状ポリアセチレンは分散系での混合とし
ても本発明の高分子層として使用可能である。
ところで、これら線状共役連鎖を有する糸の高分子−以
降単に「共役系高分子」と称することがある−の層（高
分子層１）は、光画像書込みがなされた際に、それが着
色層となるところであることから、当初から濃色を呈し
ているのは不適当である。即ち、共役系高分子は製造手
段によってフィルム状で得ら第１．たり粉末状で得られ
たりして針状が異なるものであり、例えば、ＩＦ Ｕチ
ェニンの場合、多ハロゲン化物から化学的に合成すると
黒色粉末として１４＋ちれこれを成形によりフィルム化
しても点色で本発明の高分子層１として採用することは
できない。従って、ポリチェニンを高分子１ｄ １とす
るためには電解重合法を採用する必要がある。
降単に「共役系高分子」と称することがある−の層（高
分子層１）は、光画像書込みがなされた際に、それが着
色層となるところであることから、当初から濃色を呈し
ているのは不適当である。即ち、共役系高分子は製造手
段によってフィルム状で得ら第１．たり粉末状で得られ
たりして針状が異なるものであり、例えば、ＩＦ Ｕチ
ェニンの場合、多ハロゲン化物から化学的に合成すると
黒色粉末として１４＋ちれこれを成形によりフィルム化
しても点色で本発明の高分子層１として採用することは
できない。従って、ポリチェニンを高分子１ｄ １とす
るためには電解重合法を採用する必要がある。
共役系高分子は、ドーパントとの組み合わせにもよるが
それをドーピングすることにより、絶縁帯→全組移転、
半導体→金属移転をおこし、転移の結果、４２楓状態（
又は半導体でも金属に近い状態）ではプラズマ端の反射
が観測される。
それをドーピングすることにより、絶縁帯→全組移転、
半導体→金属移転をおこし、転移の結果、４２楓状態（
又は半導体でも金属に近い状態）ではプラズマ端の反射
が観測される。
そして、共役系高分子はｒｅ ｎｔ子共役系であるため
、さきに具体例としてあげた共役系高分子（ホリアセチ
レンなど）以外のものでもドーピングにより前記転移が
起こると考えらｔしる。
、さきに具体例としてあげた共役系高分子（ホリアセチ
レンなど）以外のものでもドーピングにより前記転移が
起こると考えらｔしる。
光導、重層２の利料にけセレンや８ｅＴｅ 、 Ａｓ２
Ｓｅ３ 。
Ｓｅ３ 。
０ｄ８ｅ などのセレン化合物、Ｃｄ Ｓ Ｔ ＰｂＯ
＋ Ｚｎ Ｏ＋Ｔ 第０２ ＋ Ｚ ｎ ８ ＋アモル
ファスシリコン等のｍ 根元導電体；アントラセン又は
その該導体、ポリピニルカルノζゾール又はその誘導体
、フタロシアニン、キナクリドン、トリアジン等の有機
光導電体が用いられる。光導１−２の形成はこれら光導
電１体を真空蒸着させブこりスノξツタリングさぜたり
する物理的方法を採用するととｒ（より、又は、光導電
体−結着樹脂一浴剤の系を１β布し乾燥する化学的方法
を採用することにより行なわれる。
＋ Ｚｎ Ｏ＋Ｔ 第０２ ＋ Ｚ ｎ ８ ＋アモル
ファスシリコン等のｍ 根元導電体；アントラセン又は
その該導体、ポリピニルカルノζゾール又はその誘導体
、フタロシアニン、キナクリドン、トリアジン等の有機
光導電体が用いられる。光導１−２の形成はこれら光導
電１体を真空蒸着させブこりスノξツタリングさぜたり
する物理的方法を採用するととｒ（より、又は、光導電
体−結着樹脂一浴剤の系を１β布し乾燥する化学的方法
を採用することにより行なわれる。
本発明の元画１象書込み素子は、基本曲番ては、上記の
高分子層］と光導電層２とから構成され、共役系高分子
がドープ、アンドープの状態で色変化を生じることを利
用している。従って、ド、ｅントが高分子層１、光導電
層２のいずれか又は両層に含有されていなければなら々
い。
高分子層］と光導電層２とから構成され、共役系高分子
がドープ、アンドープの状態で色変化を生じることを利
用している。従って、ド、ｅントが高分子層１、光導電
層２のいずれか又は両層に含有されていなければなら々
い。
ドーパントとしてはＬｉ、 Ｎａ、 Ｋ、テトラブチル
アンモニウムなどのドナー、Ｃ４１’２１ Ｂｒ’ｌ＋
ＡＳＦｆｆｌＰＦ’６ 、１３Ｆ３． Ｆｅ（〕ｔ３
．−ＶＯ２、ＭｏＯ４３、’ｒｉ０４ 、 Ｚｒ０ｔ４
。
アンモニウムなどのドナー、Ｃ４１’２１ Ｂｒ’ｌ＋
ＡＳＦｆｆｌＰＦ’６ 、１３Ｆ３． Ｆｅ（〕ｔ３
．−ＶＯ２、ＭｏＯ４３、’ｒｉ０４ 、 Ｚｒ０ｔ４
。
Ｉｒ０４６ 、８０３などのアクセプターが例示できる
。
。
高分子層１又は光導電層２にドーパントを含有させる手
段（廿いろいろ考えられるが、中でも、高分子層］を電
解重合法で形成する際にその高分子；※１にドー、ｅン
トを含有させるのが有利である。
段（廿いろいろ考えられるが、中でも、高分子層］を電
解重合法で形成する際にその高分子；※１にドー、ｅン
トを含有させるのが有利である。
これら品分子ハ）１１及び光導電層２の積層体は二枚の
電極３．３′でサンドインチされている。電４愼３（又
は３′）はガラス類、フィルム類等の支持体３１（又ｔ
ま３１′）上に導電膜３２（又１ｉ３ｚ’）が設けられ
たものであるが、高分子層１に接する位置にある電極３
−読み出しくｌｌ１ｌの電極−は透明でなければなら々
い。書込まれた画像を電極３方向（図面のうえでは左方
向）から視るだめである。電極３′−身込み側の電極−
は矢印方向からの書込み光（光ビーム又は光像、Ｒター
ン）が光導電Ｉ＠２に達することのできるものであれば
、必ずしも透明である必要はないが、書込み光を効率よ
く光導゛厄暦２に吸収させなければならないことから、
やはりう明であるのか好ましい。このため、１，１極３
、３’にはネサガラスや、透明なガラス、樹脂フィル
ム上ニＩｎＯ２，５ｎＯＪＡどの透明蒸着膜を施したも
の等が使用されるのが望ましい。電極３，３′にはそれ
ぞれ電圧（電界）が印加できるようにされている。
電極３．３′でサンドインチされている。電４愼３（又
は３′）はガラス類、フィルム類等の支持体３１（又ｔ
ま３１′）上に導電膜３２（又１ｉ３ｚ’）が設けられ
たものであるが、高分子層１に接する位置にある電極３
−読み出しくｌｌ１ｌの電極−は透明でなければなら々
い。書込まれた画像を電極３方向（図面のうえでは左方
向）から視るだめである。電極３′−身込み側の電極−
は矢印方向からの書込み光（光ビーム又は光像、Ｒター
ン）が光導電Ｉ＠２に達することのできるものであれば
、必ずしも透明である必要はないが、書込み光を効率よ
く光導゛厄暦２に吸収させなければならないことから、
やはりう明であるのか好ましい。このため、１，１極３
、３’にはネサガラスや、透明なガラス、樹脂フィル
ム上ニＩｎＯ２，５ｎＯＪＡどの透明蒸着膜を施したも
の等が使用されるのが望ましい。電極３，３′にはそれ
ぞれ電圧（電界）が印加できるようにされている。
電極における導電膜３２．３２’の厚さは０．１〜１．
０ｌｍ程度、支持体３１ 、３１’の厚さは数ｐｍ−数
１０μｍ程度か適当である。光導電層２の厚さは０．１
〜数ｐｍ、高分子層１の厚さは０．１〜数ｐｍであると
きに良好な結果が得られるが、これらの厚みに応じて印
加電圧を変える必要かある。ドーノセントの含有量は一
概に決めると♂はできないか、多い方が一般的には有利
である。
０ｌｍ程度、支持体３１ 、３１’の厚さは数ｐｍ−数
１０μｍ程度か適当である。光導電層２の厚さは０．１
〜数ｐｍ、高分子層１の厚さは０．１〜数ｐｍであると
きに良好な結果が得られるが、これらの厚みに応じて印
加電圧を変える必要かある。ドーノセントの含有量は一
概に決めると♂はできないか、多い方が一般的には有利
である。
一方、第２図に示した装置は、第１図の装置との対比で
いえば、ドーパント含有層４か高分子層１と光導電層２
との間に更に設けられたものである。ドーパント含有層
４は固層、液層のいずれであってもよいが、効亭よいド
ーパントの注入、注出全考慮すれば液層（電解液とドー
パントとから栂成されている）である。第２図ではドー
パント含有１ば層のためのスペーサーは省略されている
。
いえば、ドーパント含有層４か高分子層１と光導電層２
との間に更に設けられたものである。ドーパント含有層
４は固層、液層のいずれであってもよいが、効亭よいド
ーパントの注入、注出全考慮すれば液層（電解液とドー
パントとから栂成されている）である。第２図ではドー
パント含有１ば層のためのスペーサーは省略されている
。
ドーパント含鳴ノー４を設ける怠図は、（イ）既述のご
とく、電解重合法で高分子層ｌを形成すると同時に晶分
子１煙１中にドーパントを含有させることができるか、
ドープ鷲か少ないときのドーパントの補足、（ロ）第１
図の装置では高分子層１、光導電層２とも同相でドーパ
ントが移動しにくいか、液相のドーパント含有層（ドー
パント含有液層）を設けてドーパントを動きやすくする
、（ハ）高分子層１をアンドーゾ状態にしておく、等で
ある。Ｋ） （ロ）は着色濃度を上げることができるた
め効果的である。また、（ハ）の場合か想定されること
から、ドーパント含有層４が設けられるときには高分子
層１又は光導・１層２へのドーパントの含有は任意であ
る。ドーパント含有層４の厚さは０．１〜数ｐｍが適当
である。
とく、電解重合法で高分子層ｌを形成すると同時に晶分
子１煙１中にドーパントを含有させることができるか、
ドープ鷲か少ないときのドーパントの補足、（ロ）第１
図の装置では高分子層１、光導電層２とも同相でドーパ
ントが移動しにくいか、液相のドーパント含有層（ドー
パント含有液層）を設けてドーパントを動きやすくする
、（ハ）高分子層１をアンドーゾ状態にしておく、等で
ある。Ｋ） （ロ）は着色濃度を上げることができるた
め効果的である。また、（ハ）の場合か想定されること
から、ドーパント含有層４が設けられるときには高分子
層１又は光導・１層２へのドーパントの含有は任意であ
る。ドーパント含有層４の厚さは０．１〜数ｐｍが適当
である。
次にこれらの装置を用いての光画像書込みの方法につい
て説明するが、第１図及び第２図に表４つされた装置と
も画像形成手段について変りがないので、ここでも第１
図の装置を中心にして説明を加えることとする。
て説明するが、第１図及び第２図に表４つされた装置と
も画像形成手段について変りがないので、ここでも第１
図の装置を中心にして説明を加えることとする。
一旦、全面に光を照射し逆電界をかけてドーパントを光
導電層２に移しておくことか望才しい。胱串し側の電極
３に電圧を印加した状態で書込み光を照射すると、光導
電層２の光のあたった部分は抵抗が下がり、その下った
部分は直接部分子層１に電界が印加されたことになって
ドーパントが高分子層１にドープされるようになる。光
のあたらなかった部分は、光ｍｚ層２のために絶縁され
ていることから、ドーパントの移動は起らない。この結
果、観５測者は鋭測者側（読出し側）力）ら入射される
光の変調光及び／又は書込み側からの透過光を読出し光
として観察することかできる。
導電層２に移しておくことか望才しい。胱串し側の電極
３に電圧を印加した状態で書込み光を照射すると、光導
電層２の光のあたった部分は抵抗が下がり、その下った
部分は直接部分子層１に電界が印加されたことになって
ドーパントが高分子層１にドープされるようになる。光
のあたらなかった部分は、光ｍｚ層２のために絶縁され
ていることから、ドーパントの移動は起らない。この結
果、観５測者は鋭測者側（読出し側）力）ら入射される
光の変調光及び／又は書込み側からの透過光を読出し光
として観察することかできる。
なお、前記のとおり、高分子層１にドーパントが含有（
ドープ）されるかされないかで高分子層１は色変化を起
すのであって、共役系高分子とじ−Ａントとの種々の組
み合わせによりいろいろな色の読出し光が得られる。従
って、目的に応じて、共役糸高分子とドーパントとの種
類が適宜逃択されてよい。
ドープ）されるかされないかで高分子層１は色変化を起
すのであって、共役系高分子とじ−Ａントとの種々の組
み合わせによりいろいろな色の読出し光が得られる。従
って、目的に応じて、共役糸高分子とドーパントとの種
類が適宜逃択されてよい。
書込み光には１ｉｅ−Ｎｅ、 ＹＡＩＧなどのレーザー
ビームや、キセノンフラッシュ、水銀灯なトノ光導か用
いられるが、これらは光導電Ｍ２の光感度との関係にお
いて適当に選択されるものである。
ビームや、キセノンフラッシュ、水銀灯なトノ光導か用
いられるが、これらは光導電Ｍ２の光感度との関係にお
いて適当に選択されるものである。
回路をオープンにすると、即ち画像パターンか形成かな
された状態で電圧の印加をやめれば、画像パターンはそ
のまま保持しメモリーされる。
された状態で電圧の印加をやめれば、画像パターンはそ
のまま保持しメモリーされる。
続いて、両俄形成の際とは逆極性の電圧を電極３に印加
ずれは画１：９か消去される。
ずれは画１：９か消去される。
本発明にｔｈる光画像書込み素子は以上のごとき構成か
らなっているが、従来のＢＣＤと同様に必要に応じて、
訪′亀体ミラー、反射防止膜、遮光膜などが単独で又は
組み合わされて設けられてよい。
らなっているが、従来のＢＣＤと同様に必要に応じて、
訪′亀体ミラー、反射防止膜、遮光膜などが単独で又は
組み合わされて設けられてよい。
実施例１
、Ｊ ａ （ｔ）図に示したように、約’ｌＯｐｍ厚の
ポリエステルフィルム（支持体）３１上に約Ｑ、３ｐｍ
厚のＩｎ０１（導電層）３２が設けられた透明電極３を
プラス極につなぎ、Ａｆ ＃ ５をマイナス極につない
だ状態で電解重合法により透明電極表面にＢＰ、 （ド
ーパント）を含有した約３μｍ厚のポリチェニン膜（高
分子層）１を形成せしめてＡ積層体を得た（第３（２）
図参照）。電解重合条件は、寛解液：ベンジエ） ＩＪ
ル、電踏質： Ｂｕ４ＮＢＦ４（１モル）、七ノマー：
チオフエン（０，１モル）、通電景： ２ ｍｈ／ｃｄ
（ｔ ｏ分間）であった。
ポリエステルフィルム（支持体）３１上に約Ｑ、３ｐｍ
厚のＩｎ０１（導電層）３２が設けられた透明電極３を
プラス極につなぎ、Ａｆ ＃ ５をマイナス極につない
だ状態で電解重合法により透明電極表面にＢＰ、 （ド
ーパント）を含有した約３μｍ厚のポリチェニン膜（高
分子層）１を形成せしめてＡ積層体を得た（第３（２）
図参照）。電解重合条件は、寛解液：ベンジエ） ＩＪ
ル、電踏質： Ｂｕ４ＮＢＦ４（１モル）、七ノマー：
チオフエン（０，１モル）、通電景： ２ ｍｈ／ｃｄ
（ｔ ｏ分間）であった。
一方、前記とまったく同じ透明′成極３′の表面に、真
空蒸着法によって、約３μｍ厚の８ｅ薄膜（光４％層）
２を形成せしめてＢ栢層体を得た（第３（３）図）０ これらを圧着して第１図に表わされた装置をつくった。
空蒸着法によって、約３μｍ厚の８ｅ薄膜（光４％層）
２を形成せしめてＢ栢層体を得た（第３（３）図）０ これらを圧着して第１図に表わされた装置をつくった。
続いて、透明・電極３に約１５Ｖの電圧を印加しＹＡＧ
レーザーを用いた画像ノｅクーン（書込み光）を照射し
たところ、読出し側からの反射光が妨色→＾色に変化し
た画像パターンが得られた。そのスイッチング時間はｆ
Ｊ ８０ ｍ５ｅｃであった。回路をオープンにすると
、青色画像パターンは保持されメモリーされた。
レーザーを用いた画像ノｅクーン（書込み光）を照射し
たところ、読出し側からの反射光が妨色→＾色に変化し
た画像パターンが得られた。そのスイッチング時間はｆ
Ｊ ８０ ｍ５ｅｃであった。回路をオープンにすると
、青色画像パターンは保持されメモリーされた。
次に、透明・電極３に０〜−１ｏｖの電圧を印加すると
、画像部の宵色は赤色に変化して画像パターンは消去さ
れた。
、画像部の宵色は赤色に変化して画像パターンは消去さ
れた。
こうした赤色→青色のパターン変化を数百回以上繰り返
えしたか、その動作特性の変化はほとんど認められなか
った。
えしたか、その動作特性の変化はほとんど認められなか
った。
芙農例２
ｍ ３ （２）図のものとｇ ３ （３）図のものとの
間にアセトニ） ＩＪルーＢｕ４ＮＢＦ４ 電解液全封
入せしめて第２図に表わされた装置をつ（つた（ドーパ
ント含有数層の厚さは約３μｍ）。
間にアセトニ） ＩＪルーＢｕ４ＮＢＦ４ 電解液全封
入せしめて第２図に表わされた装置をつ（つた（ドーパ
ント含有数層の厚さは約３μｍ）。
実施例３
実施例１ （Ｊ） Ａ積層体をつくるのと同じ方法で透
明電極３表面に約１μｍ厚のポリピロール・ＢＦ４膜を
形成せしめ、ＢＦＲ層体のＳｅ薄膜の代りに約３Ｐｍ厚
のポリビニルカルバゾール層を形成せしめ、これら間に
アセトニトリル−ＢＬＩ４ＮＢＦ４ ｍ 解液を注入し
た約３ ｐｍ厚の゛ドーパント含有層を設けて、第２図
に表わされた装置をつくった。
明電極３表面に約１μｍ厚のポリピロール・ＢＦ４膜を
形成せしめ、ＢＦＲ層体のＳｅ薄膜の代りに約３Ｐｍ厚
のポリビニルカルバゾール層を形成せしめ、これら間に
アセトニトリル−ＢＬＩ４ＮＢＦ４ ｍ 解液を注入し
た約３ ｐｍ厚の゛ドーパント含有層を設けて、第２図
に表わされた装置をつくった。
七較例
第５図に表わしたＬＣＤを作成した。なお、第３図にお
いて、２は約６ｐｍ厚のポリビニルカルバゾール層、３
、３’は１２μｍ厚のポリエステルフィルム上に約０
．３μｍ厚のＩｎ、Ｏ，が設けられた透明電極、６は反
射膜、７は８ｉ０２配向膜、８はスペーサー、９はネマ
チック液晶層（約９ｐｍ厚）である。
いて、２は約６ｐｍ厚のポリビニルカルバゾール層、３
、３’は１２μｍ厚のポリエステルフィルム上に約０
．３μｍ厚のＩｎ、Ｏ，が設けられた透明電極、６は反
射膜、７は８ｉ０２配向膜、８はスペーサー、９はネマ
チック液晶層（約９ｐｍ厚）である。
これら実施例２、実施例３及び比較例の装置（光画像書
込み素子）８用いて実施例１と同じようにして画像の書
込みを行なった。その条件及び結果を実施例１のものと
ともに表−１に示す。なお、実施例２及び実施例３の装
置においては、色パターン変化を数１００回以上繰り返
してもその動作特性にほとんど変化がみられないの力身
イｉめられた。
込み素子）８用いて実施例１と同じようにして画像の書
込みを行なった。その条件及び結果を実施例１のものと
ともに表−１に示す。なお、実施例２及び実施例３の装
置においては、色パターン変化を数１００回以上繰り返
してもその動作特性にほとんど変化がみられないの力身
イｉめられた。
表 −１
注）○は良好、Δは普通、Ｘは不良を表わす。
効 果
これまでの記述から明らかなように、本発明の光画像書
込み素子によれば、応答速度が速い、コントラストが高
い、視野角か広い、半永久的に記憶できる、カラー化が
容易である、階調性が冒い、などの効果がもたらされる
。
込み素子によれば、応答速度が速い、コントラストが高
い、視野角か広い、半永久的に記憶できる、カラー化が
容易である、階調性が冒い、などの効果がもたらされる
。
第１図及び第２図は本発明に係る光画像書込み素子の二
側の概Ｗｄ図、第３図は第１図に示した装置を作成する
ためのｄ兄明図、第４図及び第５図はともに比較の装置
の概略図である。 ｌ・・・高分子層 ２・・・光導電層
側の概Ｗｄ図、第３図は第１図に示した装置を作成する
ためのｄ兄明図、第４図及び第５図はともに比較の装置
の概略図である。 ｌ・・・高分子層 ２・・・光導電層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホリエン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフェ
ニレン、ポリアリールアセチレン１、ｔＰ Ｕアセチレ
ンのごとき線状共役連鎖を有する系の高分子層と光導電
ノーとが積層されこれらは電極で挾まれており、高分子
１ｅ４ Ｋ接する１１１１１の電極は少々くとも透明で
、がっ、前記の高分子１ｅｆｔ及び／又は光導電層には
ドーパントが含有されてなる装置であって、電界を印加
し及び前記の光導電層側の電極面方向から光ビーム又は
光１象パターンを照射して胚分子層上に画像が形成され
るようにしたことを特徴とする光画像書込み素子。 ２ ポリエン、ポリイン、ポリメチンイミン、ポリフェ
ニレン、ポリアリールアセチレン、ポリアセチレンのご
とき線状共役連鎖を有する系の高分子層と光導電層とが
ドーパ・ント含有層を介して対向されこれらは電極で挾
まれており、高分子層に接する側の電極は少なくとも透
明で、かつ、必要に応じて前記の高分子層及び／又は光
導電層にはドーパントが含有されてなる装置であって、
電界を印加し及び前記の光導′電層側の電４４ｉ ｊＩ
＋方向から光ビーム又は光像パターンを照射して高分子
層上に画家が形成されるようにしたことを特徴とする光
画像書込み素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212071A JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212071A JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103329A true JPS60103329A (ja) | 1985-06-07 |
| JPH0530252B2 JPH0530252B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=16616378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58212071A Granted JPS60103329A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 光画像書込み素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275423A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子とその製造方法 |
| JPH03152183A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Sekisui Chem Co Ltd | エレクトロクロミック素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667881A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-08 | Ibm | Electrochromic display unit |
| JPS5711323A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | Electrochromic display element |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP58212071A patent/JPS60103329A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667881A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-08 | Ibm | Electrochromic display unit |
| JPS5711323A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | Electrochromic display element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6275423A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Nec Corp | 光応答性高分子薄膜素子とその製造方法 |
| JPH03152183A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Sekisui Chem Co Ltd | エレクトロクロミック素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530252B2 (ja) | 1993-05-07 |
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