JPS60116204A - Mic装置 - Google Patents
Mic装置Info
- Publication number
- JPS60116204A JPS60116204A JP58222196A JP22219683A JPS60116204A JP S60116204 A JPS60116204 A JP S60116204A JP 58222196 A JP58222196 A JP 58222196A JP 22219683 A JP22219683 A JP 22219683A JP S60116204 A JPS60116204 A JP S60116204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- line
- frequency signal
- branched
- slot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はMIC装置、特に側平面回路を用いたMIC装
置に関する。
置に関する。
技術の背景
マイクロ波帯あるいはミリ波帯の信号伝送デバイスとし
て近年MIC(Microwave Integrat
edClrcuit ’ )装置が用いられている。そ
して、例えば平衡・不平衡変換回路用のMIC装置とし
てはいわゆる側平面回路を用いる形式のものが用いられ
ている。すなわちMIC装置のペースをなす誘電体基板
の上面および下面(内平面)ともに信号伝送線路を形成
してなる形式のものである。このようなMIC装置を用
いて例えばミキサあるいは変調器等を構成することがで
きる〇 従来技術と問題点 第1A図は両平面回路を用いた一般的なMIC装置の一
例を示す平面図であシ、第1B図は第1A図におけるI
B−IB断面図である。第1AおよびIB図において、
11はスロット線路であシ、導体面12内に、一部が2
分岐され且つ全体に環状をなすように形成された溝から
な)、平衡線路をなす。これらは誘電体からなる基板1
3の上面に形成され、その下面にはストリップライン1
4が形成される。ストリップライン14は不平衡線路を
なす。
て近年MIC(Microwave Integrat
edClrcuit ’ )装置が用いられている。そ
して、例えば平衡・不平衡変換回路用のMIC装置とし
てはいわゆる側平面回路を用いる形式のものが用いられ
ている。すなわちMIC装置のペースをなす誘電体基板
の上面および下面(内平面)ともに信号伝送線路を形成
してなる形式のものである。このようなMIC装置を用
いて例えばミキサあるいは変調器等を構成することがで
きる〇 従来技術と問題点 第1A図は両平面回路を用いた一般的なMIC装置の一
例を示す平面図であシ、第1B図は第1A図におけるI
B−IB断面図である。第1AおよびIB図において、
11はスロット線路であシ、導体面12内に、一部が2
分岐され且つ全体に環状をなすように形成された溝から
な)、平衡線路をなす。これらは誘電体からなる基板1
3の上面に形成され、その下面にはストリップライン1
4が形成される。ストリップライン14は不平衡線路を
なす。
このようなMIC装置10は例えばミキサあるいは変調
器として構成され、ミキサとして使用されるならばポー
ト■は受信信号の入力側、ポート■はローカル信号の入
力側、ポート■は中間周波信号の出力側となる。又、変
調器として使用されるならばポートのは搬送波信号の入
力側、ポート■は変調された信号の出力側、ポート■は
ベースバンド信号の入力側と々る。
器として構成され、ミキサとして使用されるならばポー
ト■は受信信号の入力側、ポート■はローカル信号の入
力側、ポート■は中間周波信号の出力側となる。又、変
調器として使用されるならばポートのは搬送波信号の入
力側、ポート■は変調された信号の出力側、ポート■は
ベースバンド信号の入力側と々る。
本発明は上記ポートのうちポート■に深く関連し、りの
ポート■は環状のスロット線路11に囲まれた島状導体
15に、ワイヤ16を介して接続される。ワイヤ16は
例えばAuワイヤからなる。
ポート■は環状のスロット線路11に囲まれた島状導体
15に、ワイヤ16を介して接続される。ワイヤ16は
例えばAuワイヤからなる。
なお、ワイヤ16は必要に応じてマイクロチップコンデ
ンサ17で中継される。ただし、このマイクロチップコ
ンデンサ17は一般的な部分ではない@ポート■からは
、前記ワイヤ16を通して低周波信号(既述の中間周波
信号又はベースバンド信号)が出力され又は入力される
。
ンサ17で中継される。ただし、このマイクロチップコ
ンデンサ17は一般的な部分ではない@ポート■からは
、前記ワイヤ16を通して低周波信号(既述の中間周波
信号又はベースバンド信号)が出力され又は入力される
。
第1Aおよび第1B図に示したMIC装置10において
不都合々点が生じている。この不都合な点とはワイヤ1
6によって引き起こされるアイソレーション特性の劣化
にある。具体的には、ワイヤ16とスロット線路11と
の間のアイソレーションである。このワイヤ16はスロ
ット線路11上に直交して布線されておシ、スロット線
路11を伝搬する電磁界がワイヤ16に漏出する。結局
、スロット線路11にリアクタンス負荷が挿入されたの
と等価になる。このリアクタンス負荷そノモのは軽負荷
であるが、例え軽負荷であっても変調器として機能する
場合にはかなシの悪影響を及ぼす。すなわち、前記ベー
スバンド信号のデータ″1”を表わす被変調波°(スロ
ット線路11のうちワイヤ16がブリッジしない側のス
ロット線路を転送される)と該ベースバンド信号のデー
タ゛O#を表わす被変調波(スロット線路11のうちワ
イヤ16をブリッジした側のスキット線路を転送される
)との間に、所望の位相差πが確保されず、そのπに対
し前記リアクタンス負荷に相当する分の位相ずれを生ず
る。これはいわゆる符号量干渉にもつながる。
不都合々点が生じている。この不都合な点とはワイヤ1
6によって引き起こされるアイソレーション特性の劣化
にある。具体的には、ワイヤ16とスロット線路11と
の間のアイソレーションである。このワイヤ16はスロ
ット線路11上に直交して布線されておシ、スロット線
路11を伝搬する電磁界がワイヤ16に漏出する。結局
、スロット線路11にリアクタンス負荷が挿入されたの
と等価になる。このリアクタンス負荷そノモのは軽負荷
であるが、例え軽負荷であっても変調器として機能する
場合にはかなシの悪影響を及ぼす。すなわち、前記ベー
スバンド信号のデータ″1”を表わす被変調波°(スロ
ット線路11のうちワイヤ16がブリッジしない側のス
ロット線路を転送される)と該ベースバンド信号のデー
タ゛O#を表わす被変調波(スロット線路11のうちワ
イヤ16をブリッジした側のスキット線路を転送される
)との間に、所望の位相差πが確保されず、そのπに対
し前記リアクタンス負荷に相当する分の位相ずれを生ず
る。これはいわゆる符号量干渉にもつながる。
第2図は従来のMIC装置の一例を示す平面図である。
なお、第1図と同一の構成要素には同一の参照番号を付
して示す(後述の第3A、3B、4゜5Aおよび5B図
についても同様)。第2図のMIC装置20は、前述し
たワイヤ16によるリアクタンス負荷の発生を排除した
ものであシ、このようなワイヤ16を用いることなく、
スルーホール21を通して、前記島状導体15へ前記低
周波信号を供給し、又はこれよシ該低周波信号を取シ出
すものである。この低周波信号の授受は、ホード■なら
びに高周波側のストリップライン14およびスルーホー
ル21を通して行なわれるので、該ポート■とストリッ
プライン14との間には高周波チョーク22を設け、又
、ポート■との間に低域阻止コンデンサ23を設けなけ
ればならない。
して示す(後述の第3A、3B、4゜5Aおよび5B図
についても同様)。第2図のMIC装置20は、前述し
たワイヤ16によるリアクタンス負荷の発生を排除した
ものであシ、このようなワイヤ16を用いることなく、
スルーホール21を通して、前記島状導体15へ前記低
周波信号を供給し、又はこれよシ該低周波信号を取シ出
すものである。この低周波信号の授受は、ホード■なら
びに高周波側のストリップライン14およびスルーホー
ル21を通して行なわれるので、該ポート■とストリッ
プライン14との間には高周波チョーク22を設け、又
、ポート■との間に低域阻止コンデンサ23を設けなけ
ればならない。
かくしてワイヤ16(第1A、IB図)によるリアクタ
ンス負荷の生成は排除される。
ンス負荷の生成は排除される。
ところが第2図に示したMIC装置20には問題がある
。最も大きな問題は、スルーホール21を導入したこと
によってもたらされる。す匁わち、セラミック等からな
る基板13にスルーホールのだめの孔開は加工を施すこ
とは、その加工の困難性よシ、コスト増を招くとと゛も
に、加工歪に基づくクラックの発生のおそれがあること
から信頼性を低下させることになる。勿論、セラミック
のグリーンシートの状態で予め孔開けしておくことによ
)上記問題は解決されるが、設計変更、他種のMIC装
置との共用等において汎用性に欠は実用的でない□又、
もう1つの問題は高周波チョーク22゜低域阻止コンデ
ンサ23が必要となることである。
。最も大きな問題は、スルーホール21を導入したこと
によってもたらされる。す匁わち、セラミック等からな
る基板13にスルーホールのだめの孔開は加工を施すこ
とは、その加工の困難性よシ、コスト増を招くとと゛も
に、加工歪に基づくクラックの発生のおそれがあること
から信頼性を低下させることになる。勿論、セラミック
のグリーンシートの状態で予め孔開けしておくことによ
)上記問題は解決されるが、設計変更、他種のMIC装
置との共用等において汎用性に欠は実用的でない□又、
もう1つの問題は高周波チョーク22゜低域阻止コンデ
ンサ23が必要となることである。
発明の目的
従りて本発明の目的は、簡単な手法で上記問題点の解決
が図れるMIC装置を提供することである。
が図れるMIC装置を提供することである。
発明の構成
上記目的を達成するため本発明は、前記ワイヤが、2分
岐されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対
し等しいりアクタンス負荷を与えるように布線されるよ
うにしたことを特徴とするものである。
岐されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対
し等しいりアクタンス負荷を与えるように布線されるよ
うにしたことを特徴とするものである。
発明の実施例
第3A図は本発明に基づ(MIC装置の第1実施例を示
す平面図であり、第3B図は第3A図における3B−3
B断面図である。第3Aおよび3B図のMIC装置30
においては、新たにワイヤ36が設けられ、その一端は
島状導体15に接続し、その他端は、ワイヤ16と対称
的に伸びるとともに好ましくはマイクロチップコンデン
サ37に終端すれる。このよう表ワイヤの対称配置によ
シ、i2図oスルーホール21を設けるこトナく、2分
岐されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対
し相互にほぼ等しいりアクタンス負荷を与えることがで
き既述の悪影響が排除される。要するに2分岐されたス
ロット線路の各々のアイソレーション特性をバランスさ
せるのである。
す平面図であり、第3B図は第3A図における3B−3
B断面図である。第3Aおよび3B図のMIC装置30
においては、新たにワイヤ36が設けられ、その一端は
島状導体15に接続し、その他端は、ワイヤ16と対称
的に伸びるとともに好ましくはマイクロチップコンデン
サ37に終端すれる。このよう表ワイヤの対称配置によ
シ、i2図oスルーホール21を設けるこトナく、2分
岐されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対
し相互にほぼ等しいりアクタンス負荷を与えることがで
き既述の悪影響が排除される。要するに2分岐されたス
ロット線路の各々のアイソレーション特性をバランスさ
せるのである。
第4A図は本発明に基づ(MIC装置の第2実施例を示
す平面図であル、第4B図は第4A図における4B−4
B断面図である。本第2実施例では、既述した、2分岐
されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対し
相互にほぼ等しいリアクタンス負荷を与えるという考え
方を実現するために、ワイヤ16はこれらスロット線路
の各々からほぼ等距離をもって、島状導体15よシはぼ
垂直に伸びるように布線される。垂直に伸びた該ワイヤ
16の他端は前記高周波信号による電磁界の影響を殆ど
受けない適当な高さのところで前記ポート■(図示せず
)に終端される。
す平面図であル、第4B図は第4A図における4B−4
B断面図である。本第2実施例では、既述した、2分岐
されたスロット線路の各々を伝搬する高周波信号に対し
相互にほぼ等しいリアクタンス負荷を与えるという考え
方を実現するために、ワイヤ16はこれらスロット線路
の各々からほぼ等距離をもって、島状導体15よシはぼ
垂直に伸びるように布線される。垂直に伸びた該ワイヤ
16の他端は前記高周波信号による電磁界の影響を殆ど
受けない適当な高さのところで前記ポート■(図示せず
)に終端される。
第5図は第3A図および3B図に示したMIC装置30
を変調器として使用する場合の一例を示す平面図である
。変調器50は、基板の下面に設けたストリップライン
51よシ入力された搬送波入力信号CR1nをポート■
で受信する。変調された信号M。ut”、ポート■よシ
出力される。この変調のためのべ一そバンド入力信号B
inはポート■に印加される。このベースバンド入力信
号Binは@1#。
を変調器として使用する場合の一例を示す平面図である
。変調器50は、基板の下面に設けたストリップライン
51よシ入力された搬送波入力信号CR1nをポート■
で受信する。変調された信号M。ut”、ポート■よシ
出力される。この変調のためのべ一そバンド入力信号B
inはポート■に印加される。このベースバンド入力信
号Binは@1#。
0”のデータ信号であ)、例えばデータ″1″は正極性
信号、データ″′0”は負極性信号を割シ当てたバイポ
ーラ信号である。データ″1”が入力されたとき、ダイ
オード52がオン、ダイオード53がオフとなシ、デー
タ″′O”が入力されたときはこの逆になる。ダイオー
ド52がオフ(データ’o’)のとき、図中上側のスロ
ット線路にのみ図示する矢印Aの向きの電磁界が伝搬さ
れる。逆にダイオード53がオフ(データ″1”)のと
き、図中下側のスロット線路にのみ図示する矢印Bの向
きの電磁界が伝搬される。これら電磁界の位相は、スト
リップライン14との結合部において丁度πだけずれて
おシ、データ″1”、0”が区別される。この場合その
πのずれは、ワイヤ16および36の存発明の詳細 な説明したように本発明によれば、入力および出力間の
アイソレーション特性が良いMIC装置が実現される。
信号、データ″′0”は負極性信号を割シ当てたバイポ
ーラ信号である。データ″1”が入力されたとき、ダイ
オード52がオン、ダイオード53がオフとなシ、デー
タ″′O”が入力されたときはこの逆になる。ダイオー
ド52がオフ(データ’o’)のとき、図中上側のスロ
ット線路にのみ図示する矢印Aの向きの電磁界が伝搬さ
れる。逆にダイオード53がオフ(データ″1”)のと
き、図中下側のスロット線路にのみ図示する矢印Bの向
きの電磁界が伝搬される。これら電磁界の位相は、スト
リップライン14との結合部において丁度πだけずれて
おシ、データ″1”、0”が区別される。この場合その
πのずれは、ワイヤ16および36の存発明の詳細 な説明したように本発明によれば、入力および出力間の
アイソレーション特性が良いMIC装置が実現される。
第1A図は両平面回路を用いた一般的なMIC装置の一
例を示す平面図、第1B図は第1A図における1B−I
B断面図、第2図は従来のMIC装置の一例を示す平面
図、第3A図は本発明に基づくMIC装置の第1実施例
を示す平面図、第3B図は第3A図における3B−3B
断面図、第4A図は本発明に基づ(MIC装置の第2実
施例を示す平面図、第4B図は第4A図における4B−
4B断面図、第5図は第3A図および3B図に示したM
IC装置30を変調器として使用する場合の一例を示す
平面図である。 11・・・スロット線路、12・・・導体面、13・・
・基板、14・・・ストリップライン、16.36・・
・ワイヤ。 第1A図 第旧図 坦 第2図 頌 第3A図 第3B図 匁
例を示す平面図、第1B図は第1A図における1B−I
B断面図、第2図は従来のMIC装置の一例を示す平面
図、第3A図は本発明に基づくMIC装置の第1実施例
を示す平面図、第3B図は第3A図における3B−3B
断面図、第4A図は本発明に基づ(MIC装置の第2実
施例を示す平面図、第4B図は第4A図における4B−
4B断面図、第5図は第3A図および3B図に示したM
IC装置30を変調器として使用する場合の一例を示す
平面図である。 11・・・スロット線路、12・・・導体面、13・・
・基板、14・・・ストリップライン、16.36・・
・ワイヤ。 第1A図 第旧図 坦 第2図 頌 第3A図 第3B図 匁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、高周波信号の伝搬を行なうスロット線路およびスト
リアシラインをそれぞれ基板の上面および下面に有し、
該スロット線路は、前記上面に設けた導体面内に形成し
た溝からなシ且っその一部は島状導体を包囲するように
2分岐されるとともに全体に環状をなし、該島状導体に
対しては低周波信号の伝送を担うワイヤの一端が接続さ
れるMIC装置において、 前記ワイヤが、前記の2分岐されたスロット線路を伝搬
する各前記高周波信号に対し相互にほぼ等しいリアクタ
ンス負荷を与えるように布線されることを特徴とするM
IC装置。 2、前記ワイヤが2本を対にしてab、該2本のワイヤ
は、前記島状導体よシ前記の2分岐されたスロット線路
に対して相互に対称となるように配置される特許請求の
範囲第1項記載のMIC装置。 3、前記ワイヤが、前記の2分岐されたスロット線路の
各々からほぼ等距離をもって、前記島状導体よシはぼ垂
直に伸びる特許請求の範囲第1項記載のMIC装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222196A JPS60116204A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | Mic装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222196A JPS60116204A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | Mic装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116204A true JPS60116204A (ja) | 1985-06-22 |
| JPH0142162B2 JPH0142162B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=16778646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222196A Granted JPS60116204A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | Mic装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116204A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253001A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 位相検出器 |
| JPH01140822A (ja) * | 1987-09-23 | 1989-06-02 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 集積化ミリメートル波トランシーバ |
| FR2662308A1 (fr) * | 1990-05-17 | 1991-11-22 | Centre Nat Etd Spatiales | Dispositif de transition entre deux lignes hyperfrequence realisees en technologie planaire. |
| JPH06276025A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-30 | Nec Corp | マイクロ波検波回路 |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58222196A patent/JPS60116204A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6253001A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド | 位相検出器 |
| JPH01140822A (ja) * | 1987-09-23 | 1989-06-02 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 集積化ミリメートル波トランシーバ |
| FR2662308A1 (fr) * | 1990-05-17 | 1991-11-22 | Centre Nat Etd Spatiales | Dispositif de transition entre deux lignes hyperfrequence realisees en technologie planaire. |
| JPH06276025A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-30 | Nec Corp | マイクロ波検波回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0142162B2 (ja) | 1989-09-11 |
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