JPS60163476A - Light source stabilization device - Google Patents

Light source stabilization device

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Publication number
JPS60163476A
JPS60163476A JP59019173A JP1917384A JPS60163476A JP S60163476 A JPS60163476 A JP S60163476A JP 59019173 A JP59019173 A JP 59019173A JP 1917384 A JP1917384 A JP 1917384A JP S60163476 A JPS60163476 A JP S60163476A
Authority
JP
Japan
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temperature
circuit
light
signal
recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP59019173A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Kimizuka
純一 君塚
Kaoru Seto
瀬戸 薫
Yukihide Ushio
行秀 牛尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP59019173A priority Critical patent/JPS60163476A/en
Publication of JPS60163476A publication Critical patent/JPS60163476A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Head (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、レーザービーム等の発光源の出力を安定化す
る光源安定化装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a light source stabilizing device for stabilizing the output of a light emitting source such as a laser beam.

従来技術 従来この種の装置にあっては、記録中のレーザ光量を安
定化させるために光量制御を行っているものがある。例
えば、特願昭55−7643号においては、レーザのバ
ックビームを検出し、その光量に応じてレーザ光量を制
御する方法が提案されている。
BACKGROUND ART Conventionally, some apparatuses of this type perform light intensity control in order to stabilize the laser light intensity during recording. For example, Japanese Patent Application No. 55-7643 proposes a method of detecting the back beam of a laser and controlling the amount of laser light in accordance with the amount of light detected.

ところが、レーザのバックビームを検出してフィードバ
ックをかける方法では、光量は安定化できるものの、発
光波長までは安定化できなかった。これがため、レーザ
光を露光する感光体の感度が波長によって変化すると、
たとえ光量を安定化しても記録される画像の濃度が変化
し、一定濃度の画像を記録できないという欠点があった
However, although the method of detecting the laser back beam and applying feedback could stabilize the amount of light, it was not possible to stabilize the emission wavelength. For this reason, if the sensitivity of the photoreceptor exposed to laser light changes depending on the wavelength,
Even if the amount of light is stabilized, the density of the recorded image changes, and there is a drawback that it is not possible to record an image with a constant density.

さらにまた、周囲温度が変化した場合、光検出素子の感
度が変化し、レーザの光量が変化するという欠点もあっ
た。
Furthermore, when the ambient temperature changes, the sensitivity of the photodetecting element changes, resulting in a change in the amount of laser light.

目 的 本発明の目的はL述した欠点の除去にある。the purpose The object of the present invention is to eliminate the drawbacks mentioned above.

本発明の他の目的は安定したビーム出力が得られる光源
安定化装置の提供にある。
Another object of the present invention is to provide a light source stabilizing device that can provide stable beam output.

本発明の他の目的はビームの光量と発光波長を共に安定
化させた光源安定化装置の提供にある。
Another object of the present invention is to provide a light source stabilizing device that stabilizes both the light intensity and emission wavelength of a beam.

本発明の他の目的は、発光素子と受光素子とを同時に加
熱して温度制御を行うことにより受光素子の温度ドリフ
トを防止するようにした光源安定化装置を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide a light source stabilizing device that prevents temperature drift of the light receiving element by simultaneously heating the light emitting element and the light receiving element and controlling the temperature thereof.

本発明の更なる目的は安定したビームを用いて優れた画
像記録を行なうことのできる画像記録装置の提供にある
A further object of the present invention is to provide an image recording apparatus that can perform excellent image recording using a stable beam.

本発明の他の目的は構成が簡単で安価な光源安定化装置
を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a light source stabilizing device that is simple in construction and inexpensive.

本発明の更なる目的は安全性の高い光源安定化装置の提
供にある。
A further object of the present invention is to provide a highly safe light source stabilizing device.

実 施 例 以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。Example Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明による光源安定化装置をビーム記録装置
に適用した実施例を示すものであり、ここで、半導体レ
ーザ発生器lより発生したレーザビームL1はコリメー
タレンズ2により平行光束L2となって、矢印F方向に
一定速度で回転する回転多面鏡の形態の偏向器3に入射
する。
FIG. 1 shows an embodiment in which the light source stabilizing device according to the present invention is applied to a beam recording device, in which a laser beam L1 generated from a semiconductor laser generator 1 is converted into a parallel beam L2 by a collimator lens 2. The light then enters a deflector 3 in the form of a rotating polygon mirror that rotates at a constant speed in the direction of arrow F.

この回転多面鏡3で偏向されたレーザビームL3は、結
像レンズ4により静電記録装置を構成する感光ドラム5
上に結像される。この結像スポットは回転多面鏡3の回
転に応じて矢印P方向に移動する。
The laser beam L3 deflected by the rotating polygon mirror 3 is directed to a photosensitive drum 5 constituting an electrostatic recording device by an imaging lens 4.
imaged on top. This imaging spot moves in the direction of arrow P according to the rotation of the rotating polygon mirror 3.

従って、回転多面鏡3を高速度で回転させると共に、感
光ドラム5を一定方向に定速度で回転させることによっ
て感光ドラム5の全域をレーザビームL3で走査するこ
とが出来る。
Therefore, by rotating the rotating polygon mirror 3 at a high speed and rotating the photosensitive drum 5 in a certain direction at a constant speed, the entire area of the photosensitive drum 5 can be scanned with the laser beam L3.

6は感光ドラム5の情報記録領域外に配設したビーム検
出器であり、かがるビーム検出器6にレーザビームL3
が到来したことを検知して同期信号(BD倍信号を形成
する。この同期信号を情報処理回路7に印加して、当該
同期信号に制御されたタイミングで記録信号を半導体レ
ーザ発生器1に印加する。
6 is a beam detector disposed outside the information recording area of the photosensitive drum 5, and the laser beam L3 is transmitted to the beam detector 6.
Detects the arrival of the synchronizing signal and forms a synchronizing signal (BD double signal. This synchronizing signal is applied to the information processing circuit 7, and a recording signal is applied to the semiconductor laser generator 1 at a timing controlled by the synchronizing signal. do.

従って、レーザ発生器1がらは記録信号によって変調さ
れたレーザビームLlが出射される。かかる制御は例え
ば特開昭51−89346号において広く知られている
ものであるのでここでの詳しい説明は省略する。
Therefore, the laser generator 1 emits a laser beam Ll modulated by the recording signal. Since such control is widely known, for example, in Japanese Patent Application Laid-open No. 51-89346, detailed explanation will be omitted here.

この様に記録信号により変調されたレーザビームL3が
感光ドラム5に照射される訳であるが、この感光ドラム
5は予め不図示の帯電器により一様に帯電されているの
で、レーザビームL3の照射により当咳照射に応じた静
電潜像が形成され、かかる静電潜像を不図示の現像器に
より顕像化し、この顕像を不図示の転写器により紙等に
転写し、この転写された紙を不図示の定着器により定着
することにより、記録信号に応じた画像が記録された記
録紙を得ることが出来る。尚、上述の如きシーケンスは
周知のものであるので特に詳細な説明は省略する。
The laser beam L3 modulated by the recording signal is irradiated onto the photosensitive drum 5 in this way, but since the photosensitive drum 5 has been uniformly charged in advance by a charger (not shown), the laser beam L3 is An electrostatic latent image corresponding to the irradiation is formed by the irradiation, this electrostatic latent image is visualized by a developing device (not shown), this developed image is transferred to paper etc. by a transfer device (not shown), and this transfer is performed. By fixing the printed paper using a fixing device (not shown), it is possible to obtain a recording paper on which an image corresponding to the recording signal is recorded. Incidentally, since the above-mentioned sequence is well known, a detailed explanation thereof will be omitted.

半導体レーザ発生器lは前述の如く前方に向けてレーザ
ビーム(フロントビーム)Llを出射するのと同時に後
方に向けてバックビームBBを出射しているものである
が、かかるバックビームBBを光検出素子itで受光し
てビーム強度に応じた検出信号を形成する。尚、光検出
素子としては、例えばフォトダイオード等が好適である
。この検出信号を制御回路12に印加して半導体レーザ
発生器lのビーム出射強度を制御する。
As mentioned above, the semiconductor laser generator l emits the laser beam (front beam) Ll forward and at the same time emits the back beam BB backward. The element it receives the light and forms a detection signal according to the beam intensity. Note that, for example, a photodiode or the like is suitable as the photodetecting element. This detection signal is applied to the control circuit 12 to control the beam emission intensity of the semiconductor laser generator l.

WtJz図は前述した制御回路12及び情報処理回路7
の一部に含まれる光量制御装置を更に詳しく説明する回
路図であり、ここで13は一定電位の基準信号を発生す
る基準レベル設定回路、14は光検出素子11を含む光
検出回路11aがらの検出信号と基準レベル設定回路1
3かもの基準信号との大小を比較し、検出信号の方が大
きくなったときにカウンタ16のカウント動作を停止さ
せる比較回路である。15は一定周波数の信号を発振す
る発振回路、16は発振回路15に接続して、その発振
信号を計数するカウンタであり、入力端子T1よりカウ
ンタ16にタイミング信号が印加されることにより計数
を開始し、所定値まで計数しても比較回路14の出力に
よりカウント動作が停止しないときは1桁あふれ信号を
信号線SCIより導出してカウンタをクリヤしでカウン
ト動作を停止すると共に、比較回路14の比較動作を停
止する。
The WtJz diagram shows the aforementioned control circuit 12 and information processing circuit 7.
2 is a circuit diagram illustrating in more detail the light amount control device included in a part of the device, in which 13 is a reference level setting circuit that generates a reference signal of a constant potential, and 14 is a circuit diagram of a photodetection circuit 11a including a photodetection element 11. Detection signal and reference level setting circuit 1
This is a comparison circuit that compares the detection signal with three reference signals and stops the counting operation of the counter 16 when the detection signal becomes larger. 15 is an oscillation circuit that oscillates a signal of a constant frequency, and 16 is a counter that is connected to the oscillation circuit 15 and counts the oscillation signal. Counting starts when a timing signal is applied to the counter 16 from the input terminal T1. However, if the counting operation does not stop due to the output of the comparator circuit 14 even after counting up to a predetermined value, a one-digit overflow signal is derived from the signal line SCI to clear the counter and stop the counting operation, and at the same time, the output of the comparator circuit 14 Stop comparison operation.

17はカウンタ16の計数値をアナログ量に変換するD
/A変換回路、18はD/A変挽変格回路17続され、
得られたアナログ信号を増幅する電流増幅回路、19は
入力端子T2から印加された記録信号に応じてオン/オ
フ動作するスイッチ回路であり、本装置においては端子
T2にデジタル°゛l′′信号が加えられてスイッチ回
路19がオンとなったときは信号線SLIを介して電流
を半導体レーザー発生器lに印加し、端子T2に≠ジタ
ル°°0°′信号が加えられてオフのときは半導体レー
ザ発生器lに電流を印加しない如く構成する。
17 is D that converts the count value of the counter 16 into an analog quantity.
/A conversion circuit 18 is connected to D/A conversion circuit 17,
A current amplifying circuit 19 amplifies the obtained analog signal, and 19 is a switch circuit that operates on/off according to the recording signal applied from the input terminal T2. is applied to turn on the switch circuit 19, a current is applied to the semiconductor laser generator l via the signal line SLI, and when a ≠digital °°0°' signal is applied to terminal T2 and the switch circuit 19 is turned off, the current is applied to the semiconductor laser generator l via the signal line SLI. The structure is such that no current is applied to the semiconductor laser generator l.

上述の如き構成より成るビーム記録装置の動作について
更に説明するならば、入力端子T1よりタイミング信号
が印加されると(例えばこのタイミング信号はビーム記
録装置が1頁相当の画像の記録を完了して次の1頁の記
録に入る間の遊び時間の間に導出される)、スイッチ回
路19をオン状態に保持すると共にカウンタ16をクリ
ヤした後カウント動作を開始させる。
To further explain the operation of the beam recording device configured as described above, when a timing signal is applied from the input terminal T1 (for example, this timing signal is transmitted when the beam recording device has completed recording an image equivalent to one page). (deduced during the idle time between recording of the next page), the switch circuit 19 is held in the on state, and after the counter 16 is cleared, the counting operation is started.

従って、カラン)16が計数を行うのにつれて、その計
数値Naは徐々に増加する訳であるから、信号線SLI
上の電流もこれに応答して増加してゆく、これにより半
導体レーザ発生器lがらの出射ビームの強度も徐々に大
きくなるものであるが、検出信号が基準信号より大きく
なるまでカランi・動作は続けられる。
Therefore, as the callan 16 performs counting, the count value Na gradually increases, so the signal line SLI
The current above also increases in response to this, and as a result, the intensity of the emitted beam from the semiconductor laser generator also gradually increases. can be continued.

この様にしてカウンタ16が所定の計数値Naに達した
ときに検出信号が基準信号よりも大きくなったとすると
、比較回路14の出力によりカウント動作が停止され、
カウンタ16は次のタイミング信号が印加されるまでこ
の計数値Naを保持し、スイッチ回路19のオン保持状
態はクリヤされる。
In this way, if the detection signal becomes larger than the reference signal when the counter 16 reaches the predetermined count value Na, the counting operation is stopped by the output of the comparison circuit 14,
The counter 16 holds this count value Na until the next timing signal is applied, and the ON state of the switch circuit 19 is cleared.

従って、信号線S L l lにはこの計数値Naに応
じた電流Iaが導出されており、入力端子T2に記録信
号が印加されたときに、この電流Iaに応じて半導体レ
ーザ発生器lが駆動される。
Therefore, a current Ia corresponding to this count value Na is derived to the signal line S L l l, and when a recording signal is applied to the input terminal T2, the semiconductor laser generator l is activated in accordance with this current Ia. Driven.

光検出回路11a等における故障によりカウンタ16が
予め設定した計数値N2に達しても比較回路14よりカ
ウンタ停止信号が導出されないときには、カウンタ16
は信号線S CI J二に桁あふれ信号を導出して比較
回路14の動作を停止させ、かつ、スイッチ回路19の
オン状態をクリヤし、そしてカウンタ16をクリヤして
初期状態での計数値N1に戻す。従って信号線SLI上
の電流が大きくなって半導体レーザ発生器1が破損しそ
うになるときは、駆動電流が減少して半導体レーザ発生
器1の破損を事前に防止することができる。
When the counter stop signal is not derived from the comparator circuit 14 even if the counter 16 reaches the preset count value N2 due to a failure in the photodetector circuit 11a or the like, the counter 16
derives an overflow signal to the signal line SCIJ2, stops the operation of the comparator circuit 14, clears the ON state of the switch circuit 19, and clears the counter 16 to set the count value N1 in the initial state. Return to Therefore, when the current on the signal line SLI becomes large and the semiconductor laser generator 1 is about to be damaged, the drive current is reduced and damage to the semiconductor laser generator 1 can be prevented in advance.

第3図は他の実施例を示すものであり、ここではw42
図に示した発振回路15.カウンタ16、D/A変換器
17のかわりに時間の経過と共に出力レベルが上昇する
ランプ波発生回路20を用い、入力端子T1へのタイミ
ング信号の印加によりランプ波の発生を開始し、比較回
路14の出力でそのときの出力レベルをホールドする。
FIG. 3 shows another embodiment, in which w42
Oscillation circuit 15 shown in the figure. Instead of the counter 16 and the D/A converter 17, a ramp wave generation circuit 20 whose output level increases with the passage of time is used, and a ramp wave generation circuit 20 starts generating a ramp wave by applying a timing signal to the input terminal T1. The current output level is held at the output.

本例においてその他の回路の動作は第2図の実施例の場
合と同じであり、第2図と同じ回路には同じ番号を伺し
である。
In this example, the operation of other circuits is the same as in the embodiment of FIG. 2, and the same circuits as in FIG. 2 are designated by the same numbers.

以Eの第2図および第3図に示した実施例においては、
前述のタイミング信号は、レーザビームL1により感光
ドラム5f:にある頁の記録が完了して次の頁の記録が
始まる前に導出し、光量調整の完了後に当該法の頁の記
録を開始するものとして説明してきたが、他の実施例と
して、レーザビームL1がビーム検出器6に到達してか
ら感光ドラム5Fにおける転写領域(WS、−WT)の
左端WSに到達するまでにタイミング信号を導出し、か
つビームが左端WSに到達する前に光量調整が完了する
如く構成してもよいものである。
In the embodiment shown in FIGS. 2 and 3 below,
The timing signal described above is derived before the laser beam L1 finishes recording a certain page on the photosensitive drum 5f and starts recording the next page, and starts recording the corresponding page after the light intensity adjustment is completed. However, as another embodiment, a timing signal is derived from when the laser beam L1 reaches the beam detector 6 until it reaches the left end WS of the transfer area (WS, -WT) on the photosensitive drum 5F. , and the light amount adjustment may be completed before the beam reaches the left end WS.

また、上述の各実施例においては、光検出回路12の入
射光としては半導体レーザ発生器lのバックビームBB
を利用しているが、フロントビームL1の一部または光
量制御期間のみ光学系を用いてフロントビームLlを光
検出回路に導くようにすることもできる。
In each of the embodiments described above, the back beam BB of the semiconductor laser generator l is used as the incident light of the photodetector circuit 12.
However, it is also possible to guide the front beam L1 to the photodetection circuit using an optical system only for a part of the front beam L1 or during the light amount control period.

次に、第1図に示した温度制御回路24について述べる
。半導体レーザ発生器lと光検出素子llとは、第1図
に示すように、熱伝導度の良いベース211.に取付け
ておく、(ベース21としては1例えばアルミ、銅等か
ら構成される金属板が適当である。)このベース21に
密着して加熱素子22を取付け、さらにベース21に温
度検出素子23を密着して取付ける。この温度検出素子
23は、例えばサーミスタ、熱電対とすることができる
。尚、半導体レーザの温度を正確に検出するため、温度
検出素子を半導体レーザの近傍に取付けるのが好ましい
。加熱素子22は、例えばニクロムヒータをシリコンゴ
ムやマイカ等で絶縁したものとすることができる。
Next, the temperature control circuit 24 shown in FIG. 1 will be described. As shown in FIG. 1, the semiconductor laser generator 1 and the photodetector 11 are mounted on a base 211 . (A metal plate made of aluminum, copper, etc. is suitable as the base 21.) A heating element 22 is attached in close contact with this base 21, and a temperature detection element 23 is further attached to the base 21. Install closely. This temperature detection element 23 can be, for example, a thermistor or a thermocouple. Note that in order to accurately detect the temperature of the semiconductor laser, it is preferable to attach a temperature detection element near the semiconductor laser. The heating element 22 can be, for example, a nichrome heater insulated with silicone rubber, mica, or the like.

温度制御回路24は、温度検出素子23で検出した出力
に応じて加熱素子22の電流を変化させる回路であるが
、この回路の詳細例を第4図に示す、第4図において、
25および26は温度検出素子23を回路24に接続す
る入力端子、27は温度検出素子23に電源Vccを供
給する抵抗。
The temperature control circuit 24 is a circuit that changes the current of the heating element 22 according to the output detected by the temperature detection element 23, and a detailed example of this circuit is shown in FIG.
25 and 26 are input terminals that connect the temperature detection element 23 to the circuit 24; 27 is a resistor that supplies the power supply Vcc to the temperature detection element 23;

28および29は基準電圧を決める分圧抵抗、30は演
算増幅器、31はその演算増幅器30の帰還抵抗、32
はベース電が仁制御抵抗、33は演算増幅器30の出力
を抵抗32を介して供給される電流増幅用トランジスタ
で電源Vccに接続されている。34および35は加熱
素子22をトランジスタ33と大地電位との間に接続す
る出力端子である。
28 and 29 are voltage dividing resistors that determine the reference voltage, 30 is an operational amplifier, 31 is a feedback resistor of the operational amplifier 30, and 32
33 is a current amplifying transistor to which the output of the operational amplifier 30 is supplied via the resistor 32, and is connected to the power supply Vcc. 34 and 35 are output terminals connecting the heating element 22 between the transistor 33 and ground potential.

ベース21の温度が低い時は、温度検知素子23の抵抗
が増加し、入力端子25の電圧が増加する。こめ電圧が
分圧抵抗28と29で決まる基準電圧より高くなると、
演算増幅器30はトランジスタ33のコレクタ電流を増
加させるように動作する。この結果、ヒータ22の電流
が増加してベース21の温度が一ヒ昇する。他方、ベー
ス21の温度が高い時は4温度の低いときに比べてコレ
クタ電流は減少する。この結果、ベース21の温度が一
定に保たれる。従って光量制御の際、光検出素子の温度
変化による感度変動を防止でき光量を安定化させられる
。また同時に温度変化による発光素子の発光波長の変動
を防止できる。このため感光体の波長感度特性にばらつ
きがあっても安定した画像濃度を確保できる。ところで
この一定温度を制御温度と呼ぶ。しかして、この制御温
度は分圧抵抗28と29で決まる。半導体レーザは熱に
は弱いので、加熱温調する場合には、制御温度を最高周
囲温度(例えば45℃)とほぼ等しい温度とする。
When the temperature of the base 21 is low, the resistance of the temperature sensing element 23 increases and the voltage at the input terminal 25 increases. When the voltage becomes higher than the reference voltage determined by voltage dividing resistors 28 and 29,
Operational amplifier 30 operates to increase the collector current of transistor 33. As a result, the current of the heater 22 increases and the temperature of the base 21 rises by a bit. On the other hand, when the temperature of the base 21 is high, the collector current decreases compared to when the base 21 temperature is low. As a result, the temperature of the base 21 is kept constant. Therefore, when controlling the amount of light, fluctuations in sensitivity due to temperature changes of the photodetecting element can be prevented and the amount of light can be stabilized. At the same time, it is possible to prevent fluctuations in the emission wavelength of the light emitting element due to temperature changes. Therefore, even if there are variations in the wavelength sensitivity characteristics of the photoreceptor, stable image density can be ensured. By the way, this constant temperature is called a control temperature. Therefore, this control temperature is determined by the voltage dividing resistors 28 and 29. Since semiconductor lasers are sensitive to heat, when controlling the heating temperature, the control temperature is set to be approximately equal to the maximum ambient temperature (for example, 45° C.).

ここで最高周囲温度とは半導体レーザを使用した場合の
装置(半導体レーザ)の周囲温度の最高値を言う。
Here, the maximum ambient temperature refers to the maximum ambient temperature of a device (semiconductor laser) when a semiconductor laser is used.

ところで、ベルチェ効果を使用【7た素子でレーザの加
熱とn却の双方な一素子で行う方法も鷹えれるが、この
場合、ベルチェ素子は高価であり。
By the way, it is also possible to use a single element that uses the Beltier effect to perform both laser heating and cooling, but in this case, the Beltier element is expensive.

またベルチェ素子は電流の方向を切換えなければ加熱、
冷却を切換えられないのでその制御が複雑であったが、
本発明の場合には加熱だけでよいので、安いヒータを使
用でき、かつ駆動回路も簡単な構成でよく、従って装置
を安価に構成できる。
In addition, the Beltier element will heat up if the direction of the current is not switched.
Control was complicated because the cooling could not be switched, but
In the case of the present invention, since only heating is required, an inexpensive heater can be used, and the drive circuit can also be of simple construction, so that the device can be constructed at low cost.

以上詳述した様に、同一ベースとに配置した発光素子と
光検出素子を同時に最高周囲温度にて温度制御するとと
もに光量制御を行なうことにより、安価な構成で発光素
子の光量と発光波長を安定化させることができた。
As detailed above, by controlling the temperature of the light emitting element and the photodetecting element placed on the same base at the same time at the maximum ambient temperature and controlling the light amount, the light amount and emission wavelength of the light emitting element can be stabilized with an inexpensive configuration. I was able to make it happen.

本発明による他の実施例として第5図に示す如く第4図
の抵抗29を可変抵抗29′とし、その装置が使用され
る地域に応じて例えばサービスマンが抵抗値を切換え、
制御温度を切換える様に構成しても良い。例えば気温の
低い地域で装置を使用する場合、制御温度を低く設定し
てやることにより、半導体レーザ及び光検出素子をより
早く制御温度に到達させることができる。従って装置を
短時間でレディ(使用可能)状態にすることができる。
As another embodiment according to the present invention, as shown in FIG. 5, the resistor 29 in FIG. 4 is replaced with a variable resistor 29', and a service person, for example, can change the resistance value depending on the area where the device is used.
It may be configured to switch the control temperature. For example, when the device is used in a region with a low temperature, by setting the control temperature low, the semiconductor laser and the photodetection element can reach the control temperature more quickly. Therefore, the device can be made ready (usable) in a short time.

又、制御温度を切換えたときは同時に光量を切換えても
良い。この光量の切換えは、第2図に示す基準レベル設
定回路13を可変抵抗29′と連動させ、可変抵抗29
′の抵抗値の変化に応じて基準信号を切換えれば良い。
Furthermore, when the control temperature is changed, the amount of light may be changed at the same time. This switching of the amount of light is achieved by interlocking the reference level setting circuit 13 shown in FIG. 2 with the variable resistor 29'.
It is sufficient to switch the reference signal according to the change in the resistance value of '.

通常、感光ドラムの感度は温度によって変わるので、地
域に応じて制御温度と同時に光量を切換えることにより
安定した画像を得ることができる。
Normally, the sensitivity of a photosensitive drum changes depending on the temperature, so a stable image can be obtained by changing the amount of light at the same time as the control temperature depending on the region.

また−ヒ述の全ての実施例においては、半導体レーザ及
び光検出素子が制御温度に達した後光量制御を行なうの
が好ましい、何故なら本例の如く1頁の画像記録を完了
して次の1頁の記録に入る間の遊び時間に光量を調整す
る装置においては、半導体レーザ及び光検出素子が一定
温度(制御温度)に達していないので光量制御を行なっ
てしまうと、1頁の画像記録の最中に半導体レーザの温
度が変化し、それにともない光量が変化し、画像濃度が
変化する危険性があるからである。
Furthermore, in all the embodiments described above, it is preferable to control the light amount after the semiconductor laser and the photodetection element reach the control temperature, because as in this example, one page of image recording is completed and the next In a device that adjusts the light intensity during idle time while recording one page, if the light intensity is controlled because the semiconductor laser and photodetection element have not reached a certain temperature (control temperature), the image recording of one page will not be possible. This is because there is a risk that the temperature of the semiconductor laser changes during the process, the amount of light changes accordingly, and the image density changes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明を適用したビーム記録装置の構成の1例
を示す図、第2図および第3図は光量制御回路の2例を
示す図、第4図は本発明による温度制御回路の1例を示
す図、第5図は他の実施例における温度制御回路の構成
例を示す図である。 ここで1は半導体レーザ、2はコリメータレンズ、3は
回転多面鏡、5は感光ドラム、7は情報処理回路、11
は光検出素子、llaは光検出回路、21はベース、2
2は加熱素子、23は温度検出素子、24は温度制御回
路である。 特許出願人 キャノン株式会社
FIG. 1 is a diagram showing one example of the configuration of a beam recording device to which the present invention is applied, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing two examples of a light amount control circuit, and FIG. 4 is a diagram showing a temperature control circuit according to the present invention. FIG. 5 is a diagram showing an example of the configuration of a temperature control circuit in another embodiment. Here, 1 is a semiconductor laser, 2 is a collimator lens, 3 is a rotating polygon mirror, 5 is a photosensitive drum, 7 is an information processing circuit, 11
is a photodetection element, lla is a photodetection circuit, 21 is a base, 2
2 is a heating element, 23 is a temperature detection element, and 24 is a temperature control circuit. Patent applicant Canon Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 発光手段と前記発光手段を加熱するための加熱手段と、
前記発光手段の温度を検出するだめの温度検出手段と、
前記温度検出手段の出力に応じて前記加熱手段を制御す
る温度制御手段と、前記温度制御手段の制御温度を切換
える切換手段とを具えたことを特徴とする光源安定化装
置。
a light emitting means; a heating means for heating the light emitting means;
temperature detection means for detecting the temperature of the light emitting means;
A light source stabilizing device comprising: temperature control means for controlling the heating means according to the output of the temperature detection means; and switching means for switching the control temperature of the temperature control means.
JP59019173A 1984-02-03 1984-02-03 Light source stabilization device Pending JPS60163476A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220213A (en) * 1998-02-02 1999-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light source device and control method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11220213A (en) * 1998-02-02 1999-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor light source device and control method thereof

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