JPS60211798A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
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- JPS60211798A JPS60211798A JP59066438A JP6643884A JPS60211798A JP S60211798 A JPS60211798 A JP S60211798A JP 59066438 A JP59066438 A JP 59066438A JP 6643884 A JP6643884 A JP 6643884A JP S60211798 A JPS60211798 A JP S60211798A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬＪ子）
に係り、基板上に低抵抗化したバッファ層を介し℃発光
１−を形成した構成に関する。
に係り、基板上に低抵抗化したバッファ層を介し℃発光
１−を形成した構成に関する。
ＥＬ素子は周知のよ５に、ＺｎＳ 、Ｚｎ５ａ、 Ｃｄ
５ｆ）ような■〜■族化合物に発光中心を形成する活性
物質としてＭｒＬ％Ｃｒ、 ＴＣＥｒ、 Ｔ、、 Ｙ、
Ｉｓ等の遷移金属や希土類金属を添加した薄膜を用い、
電場印加により電子を発光中心に衝突させて発光を得る
ものである。従来のＥＬ水素子構造としては次のような
ものがある。
５ｆ）ような■〜■族化合物に発光中心を形成する活性
物質としてＭｒＬ％Ｃｒ、 ＴＣＥｒ、 Ｔ、、 Ｙ、
Ｉｓ等の遷移金属や希土類金属を添加した薄膜を用い、
電場印加により電子を発光中心に衝突させて発光を得る
ものである。従来のＥＬ水素子構造としては次のような
ものがある。
（α）母体に活性物質を添加したエレクトロルミネッセ
ンス素子（ＥＬ水素子の上下に絶縁層を設は交流電圧の
印加により発光中心を電子の衝突により励起する交流駆
動型で、その駆動に１０００ｖ−ｉｏｏｖ程度の高電圧
を必要とする。
ンス素子（ＥＬ水素子の上下に絶縁層を設は交流電圧の
印加により発光中心を電子の衝突により励起する交流駆
動型で、その駆動に１０００ｖ−ｉｏｏｖ程度の高電圧
を必要とする。
（Ｊ） 電極膜に接してＥＬ水素子設け、直流電圧印加
により負電極側からＫＬ薄膜へ注入される電子で発光中
心を衝突励起させて発光させる直流駆動型でありｓ ｚ
ｎｓｍのような母体化合物にＭ、のような活性物質を添
加した物質を抵抗加熱法によりガラス基板上のＩｎ２Ｏ
５°８３０２ （所謂ＩＴＯ）から成る透明電極膜へ真
空蒸着法によって被着したものであるが、このものはＥ
Ｌ薄膜の厚みを５０００Ａ以上しないと発光せず高輝度
が得られない。これはう０００Ｘ以下の膜厚ではＥＬ薄
膜が十分な結晶性を呈さないためと考えられる。そして
５０００Ａ程度或いはそれ以上の厚いＥＬ薄膜において
電子による衝突励起を可能にする電場を印加する九はか
なりの高い電圧が必要となり１発元閾値電圧は最低でも
２（１’要し℃いる。
により負電極側からＫＬ薄膜へ注入される電子で発光中
心を衝突励起させて発光させる直流駆動型でありｓ ｚ
ｎｓｍのような母体化合物にＭ、のような活性物質を添
加した物質を抵抗加熱法によりガラス基板上のＩｎ２Ｏ
５°８３０２ （所謂ＩＴＯ）から成る透明電極膜へ真
空蒸着法によって被着したものであるが、このものはＥ
Ｌ薄膜の厚みを５０００Ａ以上しないと発光せず高輝度
が得られない。これはう０００Ｘ以下の膜厚ではＥＬ薄
膜が十分な結晶性を呈さないためと考えられる。そして
５０００Ａ程度或いはそれ以上の厚いＥＬ薄膜において
電子による衝突励起を可能にする電場を印加する九はか
なりの高い電圧が必要となり１発元閾値電圧は最低でも
２（１’要し℃いる。
（ｃｌ Ｇ（ｌＡ＃やＧｅの単結晶基板上に格子整合し
たｚｎｓ 、−Ｍ、単結晶層よりなるＫＬ薄膜を分子線
エピタキシャル成長法を用いて成長させたものがある。
たｚｎｓ 、−Ｍ、単結晶層よりなるＫＬ薄膜を分子線
エピタキシャル成長法を用いて成長させたものがある。
このものはＥＬ薄膜が薄く結晶性も良℃・ため５ｖ前後
の低閾値電圧で高効率、高輝度の発光が可能な素子が得
られる。しかしながら基板材料のＧａＡ。
の低閾値電圧で高効率、高輝度の発光が可能な素子が得
られる。しかしながら基板材料のＧａＡ。
やＧｅの単結晶は非常釦高価であり、また大面積のもの
は得難いとい５問題がある。さらにＧａＡ＃は単結晶で
はあるが基板の表面は加工によって結晶に占；れを生じ
ているから、基板に接したＺｎ８ｇ−Ｍｎ層は非結晶の
ガラス基板を用いた場合に比べて少なくはあるが結晶が
乱れ易く基板の近くでは輝度が低下するとい５問題もあ
る。
は得難いとい５問題がある。さらにＧａＡ＃は単結晶で
はあるが基板の表面は加工によって結晶に占；れを生じ
ているから、基板に接したＺｎ８ｇ−Ｍｎ層は非結晶の
ガラス基板を用いた場合に比べて少なくはあるが結晶が
乱れ易く基板の近くでは輝度が低下するとい５問題もあ
る。
（ｄ） 安価な基板側斜としてガラスを用い、このガラ
ス基板上にＩＴＯ電極膜を介して分子線エピタキシャル
成長法によりＺｎＳ、−Ｍｎ単結晶層を形成することも
研究されているが、非結晶のガラス基板上に直接ｚｎｓ
じＭｎ結晶層を形成するため、結晶格子が整容され良好
な発光性が得られる忙は成程度の厚さが必要となり１発
光層の厚さを増し、全体に発光中心となる活性物質Ｍｎ
が分散されているにもかかわらず非結晶のガラス基板に
接したｚｎｓｇの結晶性が不良でありかつ結晶の乱れが
輝度を減衰するため、基板に近い位置のＭｎは発光して
も輝度を上げることは出来ないという問題がある。
ス基板上にＩＴＯ電極膜を介して分子線エピタキシャル
成長法によりＺｎＳ、−Ｍｎ単結晶層を形成することも
研究されているが、非結晶のガラス基板上に直接ｚｎｓ
じＭｎ結晶層を形成するため、結晶格子が整容され良好
な発光性が得られる忙は成程度の厚さが必要となり１発
光層の厚さを増し、全体に発光中心となる活性物質Ｍｎ
が分散されているにもかかわらず非結晶のガラス基板に
接したｚｎｓｇの結晶性が不良でありかつ結晶の乱れが
輝度を減衰するため、基板に近い位置のＭｎは発光して
も輝度を上げることは出来ないという問題がある。
ｔｇ＋ ガラス基板上にＩＴＯ電極膜を介してＺ、Ｓ。
を主体としたバッファ層を形成しこのバッファ層上にＺ
ｎＳ、−Ｍｎ発光層を形成することによりバッファ層で
結晶性を整え″Ｃ許抄佇す帰低電圧で輝度を高くしよう
とする方法があり、バッファ層の低抵抗化のためにＧ、
を添加する方法がある。 しかしながらバッファ層の介
在は、その厚さ分だけ電気抵抗が高くなるため、これを
可及的に低くしなければバッファ層を介在させた意味が
なくなる。またＧ、の添加量を増せば抵抗は低（なるが
ｚ？＆ｓ＃の結晶性がそこなわれるという問題もある。
ｎＳ、−Ｍｎ発光層を形成することによりバッファ層で
結晶性を整え″Ｃ許抄佇す帰低電圧で輝度を高くしよう
とする方法があり、バッファ層の低抵抗化のためにＧ、
を添加する方法がある。 しかしながらバッファ層の介
在は、その厚さ分だけ電気抵抗が高くなるため、これを
可及的に低くしなければバッファ層を介在させた意味が
なくなる。またＧ、の添加量を増せば抵抗は低（なるが
ｚ？＆ｓ＃の結晶性がそこなわれるという問題もある。
本発明は上述のような問題に鑑み、基板上に■〜■族化
合物例えばｚ１％Ｓ−を主体とし低抵抗化のためにＢ
、 ＡＩ、 Ｉｎ、 Ｔｊの何れか一種を添加したバッ
ファ層を形成し、このバッファ層上に■〜■族化合物例
えばｚｎＳ−に発光中心となる活性物質例えばＭ、を添
加した発光層を形成したことにより低抵抗化したバッフ
ァ層によって結晶性を整え結晶性の最も良くなった位置
に発光層を形成し発光層の厚さを薄くして低電圧での動
作を可能圧するとともに高輝度の発光を得ようとするも
のである。
合物例えばｚ１％Ｓ−を主体とし低抵抗化のためにＢ
、 ＡＩ、 Ｉｎ、 Ｔｊの何れか一種を添加したバッ
ファ層を形成し、このバッファ層上に■〜■族化合物例
えばｚｎＳ−に発光中心となる活性物質例えばＭ、を添
加した発光層を形成したことにより低抵抗化したバッフ
ァ層によって結晶性を整え結晶性の最も良くなった位置
に発光層を形成し発光層の厚さを薄くして低電圧での動
作を可能圧するとともに高輝度の発光を得ようとするも
のである。
本発明は、基板上に■〜■族化合物を主体とし低抵抗化
のためＫ Ｂ 、 Ａ１． Ｉｎ、 ＴＡ’の何れか一
種よりなる導電性物質を添加したバッファ層を形成し。
のためＫ Ｂ 、 Ａ１． Ｉｎ、 ＴＡ’の何れか一
種よりなる導電性物質を添加したバッファ層を形成し。
このバッファ層上［１１〜■族化合物に発光中心となる
活性物質を添加した発光層を形成し、低抵抗化したバッ
ファ層で結晶性を整え低電圧で結晶性の最良の位置に発
光層を形成するものである。
活性物質を添加した発光層を形成し、低抵抗化したバッ
ファ層で結晶性を整え低電圧で結晶性の最良の位置に発
光層を形成するものである。
本発明に用いられる基板としては、ガラス。
ＧａＡ、単結晶やＳｉ単結晶等がある。バッファ層に用
ある。バッファ層の厚さは０．３μｍ以上必要であり。
ある。バッファ層の厚さは０．３μｍ以上必要であり。
バッファ層の膜厚が薄い場合は格子不整合、不純物混合
のために結晶性が劣ることになり、また膜厚が２μｍ以
上になると電気抵抗が増大し発光所要電圧を増すことに
なる。バッファ層の低抵抗化のために添加される導電性
物質としては、Ｂ、Ａｌ。
のために結晶性が劣ることになり、また膜厚が２μｍ以
上になると電気抵抗が増大し発光所要電圧を増すことに
なる。バッファ層の低抵抗化のために添加される導電性
物質としては、Ｂ、Ａｌ。
Ｉｎ、ＴＩ があり、これらのうちの何れか−・種がバ
くなるとｚｎＳ−の結晶性が不良となる。また発光層に
用いられる■〜■族化合物はバッファ層と同一の化合物
が用いられ、０．１％〜０．５ ％の活性物質としての
Ｍｎが添加される。活性物質としてはＭｎ、”ｒ ｓ
Ｔｂ ＊ Ｅｒｓ Ｔｍｂ Ｙｂ等がある。発光層の厚
さはＯｏうμｍ−０，５μｍであり０．２μｍ以下であ
ると輝度が低くなり０．６μｍ以上になると輝度は高く
なるが所要電圧も高くなる。また電極としては、基板が
ガラスの場合は基板とバッファ層間に１ｎ２０ｓ、 ５
ｎ０２よりなるＩＴＯと請われる透明電極が用いられる
。
くなるとｚｎＳ−の結晶性が不良となる。また発光層に
用いられる■〜■族化合物はバッファ層と同一の化合物
が用いられ、０．１％〜０．５ ％の活性物質としての
Ｍｎが添加される。活性物質としてはＭｎ、”ｒ ｓ
Ｔｂ ＊ Ｅｒｓ Ｔｍｂ Ｙｂ等がある。発光層の厚
さはＯｏうμｍ−０，５μｍであり０．２μｍ以下であ
ると輝度が低くなり０．６μｍ以上になると輝度は高く
なるが所要電圧も高くなる。また電極としては、基板が
ガラスの場合は基板とバッファ層間に１ｎ２０ｓ、 ５
ｎ０２よりなるＩＴＯと請われる透明電極が用いられる
。
基板がＧａＡ、の場合は＊ ＧａＡ＃基板上に直接バッ
ファ層が形成される。
ファ層が形成される。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１
牙１図に示すように、ガラス基板１１１上に厚さ０゜２
μｍのＩＴＯ透明電極膜（２）、低抵抗用にＩｔｓをド
ープしたＺｆｉＳ−よりなる厚さ０．３μｍのバッフ７
層１３）。
μｍのＩＴＯ透明電極膜（２）、低抵抗用にＩｔｓをド
ープしたＺｆｉＳ−よりなる厚さ０．３μｍのバッフ７
層１３）。
Ｍｎ０．１１をドープしたＺｆｉＳ−よりなる厚さｏ、
ｕｔｔｍノ発光層＋４１．Ａｌ蒸着による厚さＯ０歿珈
の電極層（５）が順次形成されている。そしてバッファ
層（３）と発光層１４）はＺｓ 、 Ｓ ｇ 、 Ｍｎ
、Ｉ％の各元素単体を独立に分子線エピタキシャル成長
法によって形成させたものである。
ｕｔｔｍノ発光層＋４１．Ａｌ蒸着による厚さＯ０歿珈
の電極層（５）が順次形成されている。そしてバッファ
層（３）と発光層１４）はＺｓ 、 Ｓ ｇ 、 Ｍｎ
、Ｉ％の各元素単体を独立に分子線エピタキシャル成長
法によって形成させたものである。
次に実施例１の構造を有するＥＬ素子を分子線エピタキ
シャル成長装置を用いて製造する方法を矛２図について
説明する。
シャル成長装置を用いて製造する方法を矛２図について
説明する。
この成長装置自体は周知のものであって、超高真空ペル
ジャー（７１内に基板（１）を配置して、成長すべき薄
膜の構成元素単体Ｚｒ＆、８．．Ｍ、、■露を個りに分
子線発生用セル＋８１ ＋９１１（ｌ １ｕｌｌ中にチ
ャージし１％各セル１８１１９１００１ ｔｔｌｌから
の分子ビームを基板Ｉｌｌに照射して成長を行うもので
ある。各セル＋８１１９１１１０１１１υの周囲は液体
窒素のシュラウド（１２１で囲まれ、冷却されており。
ジャー（７１内に基板（１）を配置して、成長すべき薄
膜の構成元素単体Ｚｒ＆、８．．Ｍ、、■露を個りに分
子線発生用セル＋８１ ＋９１１（ｌ １ｕｌｌ中にチ
ャージし１％各セル１８１１９１００１ ｔｔｌｌから
の分子ビームを基板Ｉｌｌに照射して成長を行うもので
ある。各セル＋８１１９１１１０１１１υの周囲は液体
窒素のシュラウド（１２１で囲まれ、冷却されており。
成長中に周囲から不要な蒸気が発生するのが防がれてい
る。Ｕはシャッタであり、外部からの操作で所要期間の
み基板ｔｔｌｌへの分子線成長を実施できるよ５に構成
され℃いる。基板…は例えば０．２μｍ厚さのＩＴＯ被
覆ガラス基板であり１分子線成長装置内ではヒータが付
設され温度制御された基板ホルダ（１４１上に設置され
る。本実施例では成長中の基板＋１１の温度は５５０Ｃ
に保たれ、２ルＳ 、−１ｎバッファ層１３１． Ｚｎ
Ｓ、−Ｍｎ発光層（４）の成長が順次行われる。分子線
セル（８１ｆ９＋ ｆｆα［］Ｊ中にはそれぞれＺ３．
Ｓｓ、Ｍｎ、Ｉ、が元素単体で配置され、各々独立に付
設されたヒータによって温度制御がなされ、ｚｎセル（
８）は５＃ＯＵ、８ｇセル１９）は１６０〜１７０ Ｃ
、Ｍｎセル＋１（ｌは６００Ｃ，Ｉルセルσυは３００
Ｃに保たれている。成長中のペルジャー（７１内の真空
度は望ましくは１０Ｔｏｒｒ程度以下であるが、１０Ｔ
ｏｒｒ程度でも結果には大差は認められなかった。次に
発光層（４）上忙はＡＩ電極膜（５）を真空蒸着により
被覆する。
る。Ｕはシャッタであり、外部からの操作で所要期間の
み基板ｔｔｌｌへの分子線成長を実施できるよ５に構成
され℃いる。基板…は例えば０．２μｍ厚さのＩＴＯ被
覆ガラス基板であり１分子線成長装置内ではヒータが付
設され温度制御された基板ホルダ（１４１上に設置され
る。本実施例では成長中の基板＋１１の温度は５５０Ｃ
に保たれ、２ルＳ 、−１ｎバッファ層１３１． Ｚｎ
Ｓ、−Ｍｎ発光層（４）の成長が順次行われる。分子線
セル（８１ｆ９＋ ｆｆα［］Ｊ中にはそれぞれＺ３．
Ｓｓ、Ｍｎ、Ｉ、が元素単体で配置され、各々独立に付
設されたヒータによって温度制御がなされ、ｚｎセル（
８）は５＃ＯＵ、８ｇセル１９）は１６０〜１７０ Ｃ
、Ｍｎセル＋１（ｌは６００Ｃ，Ｉルセルσυは３００
Ｃに保たれている。成長中のペルジャー（７１内の真空
度は望ましくは１０Ｔｏｒｒ程度以下であるが、１０Ｔ
ｏｒｒ程度でも結果には大差は認められなかった。次に
発光層（４）上忙はＡＩ電極膜（５）を真空蒸着により
被覆する。
実施例２
矛）図に示すものは、単結晶のＧａＡｓ基板１１＋上に
。
。
ＩｎをドープしたＺ、Ｓ、よりなるバッファ層１３１
、 ＭｎをドープしたＺ、８ｇよりなる発光層（４）が
順次分子線エピタキシャル成長法によって形成され、基
板ｉｌ＋と発光層（４）圧夫々Ａ、−Ｇ、−電電極α９
とＡμ電極（１６１とが蒸着形成されたものである。
、 ＭｎをドープしたＺ、８ｇよりなる発光層（４）が
順次分子線エピタキシャル成長法によって形成され、基
板ｉｌ＋と発光層（４）圧夫々Ａ、−Ｇ、−電電極α９
とＡμ電極（１６１とが蒸着形成されたものである。
バッファ層に導電性物質としてＩｎを添加した実施例１
のＥＬ累子＜１１と、実施例１においてバッファ層にＩ
ｎ１Ｃ代えてＧａを！添・、加したＥＬ素子（ＩＩ）と
、実施例１においてバッファ層に導電性物質を全く添加
しないＥＬ素子（Ｊを、バッファ層の厚さを変化させな
がらその輝度を比較した結果を矛４図に示す。実験の方
法は、夫人の素子の輝度を受元累子＜Ｓｉ太陽電池）の
短絡電流により測定し、ｉｉ子効率として表わした。
のＥＬ累子＜１１と、実施例１においてバッファ層にＩ
ｎ１Ｃ代えてＧａを！添・、加したＥＬ素子（ＩＩ）と
、実施例１においてバッファ層に導電性物質を全く添加
しないＥＬ素子（Ｊを、バッファ層の厚さを変化させな
がらその輝度を比較した結果を矛４図に示す。実験の方
法は、夫人の素子の輝度を受元累子＜Ｓｉ太陽電池）の
短絡電流により測定し、ｉｉ子効率として表わした。
この矛舖図より、バッファ層に導電物質Ｉｎを添加した
（Ｉ）が最も効率が良＜ ｂ Ｇａ添加（１）が稍劣り
。
（Ｉ）が最も効率が良＜ ｂ Ｇａ添加（１）が稍劣り
。
導電性物質無添加の（Ｉは、バッファ層を介在させた効
果が殆んど表われていない。
果が殆んど表われていない。
本発明によれば、基板上に■〜■族化合物を主体とし低
抵抗化のためにＢ 、 ＡＩ、 Ｉｎ、 Ｔｌの何れか
一種よりなる導電性物質を添加したバッフ７層を形成し
、このバッファ層上Ｋｌｆ（〜■族化合物に発光中心と
なる活性物質を添加した発光層を形成したから、基板上
に形成されたバッファ層の結晶性が最良になった位置に
発光層を形成することにより発光層の結晶性を高め高輝
度の発光を得ることが出来、しか本発光層は結晶格子が
整合されているから層の厚さを可及的に薄くすることが
出来。
抵抗化のためにＢ 、 ＡＩ、 Ｉｎ、 Ｔｌの何れか
一種よりなる導電性物質を添加したバッフ７層を形成し
、このバッファ層上Ｋｌｆ（〜■族化合物に発光中心と
なる活性物質を添加した発光層を形成したから、基板上
に形成されたバッファ層の結晶性が最良になった位置に
発光層を形成することにより発光層の結晶性を高め高輝
度の発光を得ることが出来、しか本発光層は結晶格子が
整合されているから層の厚さを可及的に薄くすることが
出来。
さら九、バッファ層釦は、低抵抗化のためにＢ。
Ａｌｌ、 Ｉｎ、 ＴＩの何れか一種よりなる導電性物
質を添加したから、バッファ層の介在によっても抵抗値
が高くなることがなく、前述の発う′ｅ層を薄く形成し
得ることと相まって発光閾値電圧を低くすることが出来
る。
質を添加したから、バッファ層の介在によっても抵抗値
が高くなることがなく、前述の発う′ｅ層を薄く形成し
得ることと相まって発光閾値電圧を低くすることが出来
る。
矛１図は本発明の一実施例を示すエレクトロルミネツセ
ン不素子の拡大断面図、矛２図は同上素す図表である。 （ｌ）０・基板、（３）・・バッファ層、１４）・・発
光層。 バッフ１層の厚ぐ （７”ｍ）
ン不素子の拡大断面図、矛２図は同上素す図表である。 （ｌ）０・基板、（３）・・バッファ層、１４）・・発
光層。 バッフ１層の厚ぐ （７”ｍ）
Claims (1)
- Ｉｌｌ 基板上に■〜■族化合物を主体とし低抵抗化の
ためにＢ 、 Ａ１． Ｌ％、Ｔ／の何れか一種よりな
る導電性物質を添加したバッファ層を形成し、このバッ
ファ層上にトｌ族化合物に発光中心となる活性物質を添
加した発光層を形成したことを特徴とするエレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066438A JPS60211798A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066438A JPS60211798A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211798A true JPS60211798A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13315774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066438A Pending JPS60211798A (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211798A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993021744A1 (fr) * | 1992-04-16 | 1993-10-28 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Element electroluminescent a film minces |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59066438A patent/JPS60211798A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993021744A1 (fr) * | 1992-04-16 | 1993-10-28 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Element electroluminescent a film minces |
| US5641582A (en) * | 1992-04-16 | 1997-06-24 | Komatsu Ltd. | Thin-film EL element |
| US5670207A (en) * | 1992-04-16 | 1997-09-23 | Komatsu Ltd. | Forming a thin-film EL element |
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