JPS60214579A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60214579A JPS60214579A JP7220084A JP7220084A JPS60214579A JP S60214579 A JPS60214579 A JP S60214579A JP 7220084 A JP7220084 A JP 7220084A JP 7220084 A JP7220084 A JP 7220084A JP S60214579 A JPS60214579 A JP S60214579A
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- JP
- Japan
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- filaments
- filament
- phase
- face
- film
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は複数個の平行なフィラメントを有する半導体
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
〈従来技術〉
従来、半導体レーザ装置において、高出力光を得るため
に、単一フィラメントレーザを複数個平行にならべ、そ
れらの間の光学位相を同期させる位相同期レーザアレイ
を用いる方法が考えられている。
に、単一フィラメントレーザを複数個平行にならべ、そ
れらの間の光学位相を同期させる位相同期レーザアレイ
を用いる方法が考えられている。
しかしながら、従来のように単一フィラメントレーザを
平行に並べた形のものでは、フイラメン）間のレーザ光
の位相力６８０°ずれることが多く、位相同期したレー
ザアレイを制御よく得ることは困難であった。このよう
に、１８０°位相のずれたレーザアレイの遠視野像は第
１図に示すように、複数の鋭いピークを持九、光学系に
より集光することは不可能である。
平行に並べた形のものでは、フイラメン）間のレーザ光
の位相力６８０°ずれることが多く、位相同期したレー
ザアレイを制御よく得ることは困難であった。このよう
に、１８０°位相のずれたレーザアレイの遠視野像は第
１図に示すように、複数の鋭いピークを持九、光学系に
より集光することは不可能である。
〈発明の目的〉
そこで、本発明の目的は、同位相の高出力光を得ること
ができる半導体レーザ装置を提供することにある。
ができる半導体レーザ装置を提供することにある。
〈発明の構成〉
本発明は制御よく位相同期したレーザアレイを得るため
に、出力光を取り出すフィラメントの間に光の位相結合
のための、フィラメント（活性導波路）を設けた構造を
有するものである。複数平行導波路型光結合器において
、ある１本の導波路にレーザ光を入射したとき、＠接す
る導波路に結合し、光が移動することが知られている。
に、出力光を取り出すフィラメントの間に光の位相結合
のための、フィラメント（活性導波路）を設けた構造を
有するものである。複数平行導波路型光結合器において
、ある１本の導波路にレーザ光を入射したとき、＠接す
る導波路に結合し、光が移動することが知られている。
これは、第２図（、）に示すように、導波路“１”に入
射した光の電界により導波路“２”に分極が誘起され、
再びその分極により光が発生する原理である。この導波
路゛２゛に移動した光は、結晶中の分極とのエネルギー
のやり取りによるものであるため、第２図（１））に示
すように、導波路“１゛に入射した光の電界位相と比べ
ると、９０”位相遅れのあるものとなる。この基礎的な
原理は活性な導波路が並んだレーザアレイにおいても成
立するものである。
射した光の電界により導波路“２”に分極が誘起され、
再びその分極により光が発生する原理である。この導波
路゛２゛に移動した光は、結晶中の分極とのエネルギー
のやり取りによるものであるため、第２図（１））に示
すように、導波路“１゛に入射した光の電界位相と比べ
ると、９０”位相遅れのあるものとなる。この基礎的な
原理は活性な導波路が並んだレーザアレイにおいても成
立するものである。
しｈ化、レーザアレイの場合、端面部での反射率により
、反射部での位相の境界条件が固定されており、全フィ
ラメントの端面が同一反射率のと鰺は、隣接フィラメン
ト間の光電異位相は０°か１８０°にしかなり得ない。
、反射部での位相の境界条件が固定されており、全フィ
ラメントの端面が同一反射率のと鰺は、隣接フィラメン
ト間の光電異位相は０°か１８０°にしかなり得ない。
これは前述の原理と矛盾をもつものであることぎわかる
。このために、同一構造に設計したレーザアレイでも、
位相同期するものと、１８０°位相のずれるものが現わ
れ、その制御が不可能になるという問題がある。この問
題を解消すべく、本発明の構成は複数本の平行なフィラ
メンＹのらち、１本おきのフィラメントの端面に高反射
膜を設けて、偶数番目のみ、または奇数番目のみのフィ
ラメントから光を取り出すようにしたことを特徴として
いる。
。このために、同一構造に設計したレーザアレイでも、
位相同期するものと、１８０°位相のずれるものが現わ
れ、その制御が不可能になるという問題がある。この問
題を解消すべく、本発明の構成は複数本の平行なフィラ
メンＹのらち、１本おきのフィラメントの端面に高反射
膜を設けて、偶数番目のみ、または奇数番目のみのフィ
ラメントから光を取り出すようにしたことを特徴として
いる。
〈実施例〉
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第３図に示すように、Ｐ型ＧａＡｓ基板１にＶ型の溝１
ａをホトリソグラフィとエツチングにより形成し、その
上にＰ型Ａ １ｘＧａ＋−ｘＡｓクラッド層２、Ａｌｙ
Ｇａ１−ｙＡｓ活性層３、ｎ型Ａ、ｇｘＧａ、−ＸＡＳ
クラッド層４、ｎ＋型ＧａＡｓキ＋ツブ層５を成長させ
る。ここで、Ｖ＜Ｘとしている。基板側と成長層側に抵
抗性電極７，８を設け、ヘト開により共振器とし、レー
ザアレイとした。その後、ホトリソグラフィ技術などを
用いて、フィラメント１本おぎの端面９に高反射率膜を
形成し、他のフィラメントの端面８には光出力を取り出
すために低反射率膜を設ける。裏面も同一の膜を形成す
る。この構造で第４図に示すように内部の光電界は隣接
するフィラメント間で９０°位相がずれることになり、
結晶中の分極を介した光の結合３− の原理に矛盾しない。また、ある１つのフィラメントか
呟その左右に存在するフィラメントを見たととの対称性
より、１つおとのフィラメントは同位相となる。これに
より低反射率膜を設けた部分８からの出力光は位相同期
したレーザ光になり、第５図に示すように遠視野像は鋭
い単一ピークとなった。
ａをホトリソグラフィとエツチングにより形成し、その
上にＰ型Ａ １ｘＧａ＋−ｘＡｓクラッド層２、Ａｌｙ
Ｇａ１−ｙＡｓ活性層３、ｎ型Ａ、ｇｘＧａ、−ＸＡＳ
クラッド層４、ｎ＋型ＧａＡｓキ＋ツブ層５を成長させ
る。ここで、Ｖ＜Ｘとしている。基板側と成長層側に抵
抗性電極７，８を設け、ヘト開により共振器とし、レー
ザアレイとした。その後、ホトリソグラフィ技術などを
用いて、フィラメント１本おぎの端面９に高反射率膜を
形成し、他のフィラメントの端面８には光出力を取り出
すために低反射率膜を設ける。裏面も同一の膜を形成す
る。この構造で第４図に示すように内部の光電界は隣接
するフィラメント間で９０°位相がずれることになり、
結晶中の分極を介した光の結合３− の原理に矛盾しない。また、ある１つのフィラメントか
呟その左右に存在するフィラメントを見たととの対称性
より、１つおとのフィラメントは同位相となる。これに
より低反射率膜を設けた部分８からの出力光は位相同期
したレーザ光になり、第５図に示すように遠視野像は鋭
い単一ピークとなった。
この構造では、フィラメント間の反射率の相異１こより
、しとい値電流が異なることがある。これをなくすため
に前面が高反射率のものには裏面に低反射率の膜を付け
るようにすればよい。また次に挙げた構造のものでも同
一効果が期待できる。
、しとい値電流が異なることがある。これをなくすため
に前面が高反射率のものには裏面に低反射率の膜を付け
るようにすればよい。また次に挙げた構造のものでも同
一効果が期待できる。
ｉ）他のレーザ構造のものをフィラメントとして平行に
並べたもの、 ｉｉ）全ての伝導型が逆のもの、 〈発明の効果〉 以上のように、本発明によれば、レーザフィラメントを
複数本平行に並べた構造のレーザアレイにおいて、一本
おとち端面に高反射膜を設けているので、位相同期した
高出力光を得ることがでト４− る。
並べたもの、 ｉｉ）全ての伝導型が逆のもの、 〈発明の効果〉 以上のように、本発明によれば、レーザフィラメントを
複数本平行に並べた構造のレーザアレイにおいて、一本
おとち端面に高反射膜を設けているので、位相同期した
高出力光を得ることがでト４− る。
第１図は従来の半導体レーザ装置の遠視野像を示すグラ
フ、第２図（、）は導波路型結合器の俣式図、第２図（
ｂ）は光電界のＸ方向の変化を示すグラフ、第３図は本
発明の一実施例の斜視図、第４図は上記実施例の光電界
強度を示すグラフ、第５図は上記実施例の遠視野像を示
すグラフである。 １・・・基板、２，４・・・クラッド層、５・・・キャ
ップ層、６，７・・・抵抗性電極。 特許出願人 シャープ株式会社
フ、第２図（、）は導波路型結合器の俣式図、第２図（
ｂ）は光電界のＸ方向の変化を示すグラフ、第３図は本
発明の一実施例の斜視図、第４図は上記実施例の光電界
強度を示すグラフ、第５図は上記実施例の遠視野像を示
すグラフである。 １・・・基板、２，４・・・クラッド層、５・・・キャ
ップ層、６，７・・・抵抗性電極。 特許出願人 シャープ株式会社
Claims (1)
- （１）複数本の平行なフィラメントを有する構造で、一
本おきのフィラメントの端面に高反射膜を設けて、偶数
番目のみまたは奇数番目のみのフィラメントから光を取
り出すようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7220084A JPS60214579A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7220084A JPS60214579A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214579A true JPS60214579A (ja) | 1985-10-26 |
| JPH0584076B2 JPH0584076B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=13482351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7220084A Granted JPS60214579A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214579A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4730327A (en) * | 1985-12-16 | 1988-03-08 | Lytel Incorporated | Dual channel fabry-perot laser |
| US5042046A (en) * | 1989-03-06 | 1991-08-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6376053B2 (ja) | 2015-06-22 | 2018-08-22 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | ジョイントコネクタ |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP7220084A patent/JPS60214579A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4730327A (en) * | 1985-12-16 | 1988-03-08 | Lytel Incorporated | Dual channel fabry-perot laser |
| US5042046A (en) * | 1989-03-06 | 1991-08-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584076B2 (ja) | 1993-11-30 |
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