JPS60216565A - ウエハのダイシング方法 - Google Patents
ウエハのダイシング方法Info
- Publication number
- JPS60216565A JPS60216565A JP60046588A JP4658885A JPS60216565A JP S60216565 A JPS60216565 A JP S60216565A JP 60046588 A JP60046588 A JP 60046588A JP 4658885 A JP4658885 A JP 4658885A JP S60216565 A JPS60216565 A JP S60216565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- region
- dicing
- chipping
- blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウェハ、特にシリコンやゲルマニウム等の半導
体あるいはガラス，セラミック等の如く硬脆性物質から
なるウエノ−の切削（ダイシング）方法に関するもので
ある。たとえば、特公昭５〇一４５４９号公報には、ス
クライ゛プ・ラインの周辺部のＳｔ基板およびＳｉＯ□
側面なＣＶＤ膜で被覆した後、カッターによりスクライ
プする技術が示めされている。
体あるいはガラス，セラミック等の如く硬脆性物質から
なるウエノ−の切削（ダイシング）方法に関するもので
ある。たとえば、特公昭５〇一４５４９号公報には、ス
クライ゛プ・ラインの周辺部のＳｔ基板およびＳｉＯ□
側面なＣＶＤ膜で被覆した後、カッターによりスクライ
プする技術が示めされている。
半導体装置の製造において、一枚の半導体ウェハに数多
くの同一構造を有する半導体素子を不純物拡散蒸着等に
より同時に形成し、そのあと半導体ウェハをその一主面
から厚さ方向に向かって切削し，個々の半導体素子に分
離（ベレット化）する工程がある。このような切削法と
して第１図に示すように外周部にダイヤそンドの砥粒か
らなる外周刃を有す本回転砥宕（ブレード）１を例えば
シリコンウェハ２の素子形成領域３間に位置する切断し
ようとする領域４に沿って同図破線で示すようにその一
生表面から厚さ方向に向って切断（ダイシング）する方
法が知られている。５はシリコン基板である。半導体素
子は半導体材料と同等かあるいはより硬い保護膜（二酸
化シリコン等）で被覆されているため、上述のダイシン
グ法により切削する場合はこれらの保護膜等より半導体
材料上直接の方が切削しやすいので切断領域４０基板表
面だけ保護被膜な除去している。
くの同一構造を有する半導体素子を不純物拡散蒸着等に
より同時に形成し、そのあと半導体ウェハをその一主面
から厚さ方向に向かって切削し，個々の半導体素子に分
離（ベレット化）する工程がある。このような切削法と
して第１図に示すように外周部にダイヤそンドの砥粒か
らなる外周刃を有す本回転砥宕（ブレード）１を例えば
シリコンウェハ２の素子形成領域３間に位置する切断し
ようとする領域４に沿って同図破線で示すようにその一
生表面から厚さ方向に向って切断（ダイシング）する方
法が知られている。５はシリコン基板である。半導体素
子は半導体材料と同等かあるいはより硬い保護膜（二酸
化シリコン等）で被覆されているため、上述のダイシン
グ法により切削する場合はこれらの保護膜等より半導体
材料上直接の方が切削しやすいので切断領域４０基板表
面だけ保護被膜な除去している。
このようなダイシング法はウェハ表面をダイヤモンドカ
ッターにより罫掻いて浅い切溝を形成し、この切溝に沿
ってベレット間をクラッキングするスクライプ法に比較
し、ウェハを完全に切断することも可能であり、また極
めて平滑な切断面を得ることができるのでベレット欠け
（チッピング）が少なく、ペレットのハンドリングが容
易になる等の長所がある。しかしながら本願発明者はこ
のようなダイシング法においてもブレードが新しいうち
は上記の如くチッピングは少ないが、ブレードが摩耗す
るにつれてチッピングが多（なるという欠点を発見した
。すなわち第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように切断
領域４に沿ってシリコン基板５に切削孔６が形成される
が、同時に切削孔６からチッピングが発生し、素子形成
領域３にクラック７が発生する。またダイシングにおい
てもチッピングを考慮し、切断領域はブレードの幅の約
２倍以上にしているが、このようにした場合、ウニノ１
内の素子集積密度を向上し得ないという欠点のあること
を究明した。
ッターにより罫掻いて浅い切溝を形成し、この切溝に沿
ってベレット間をクラッキングするスクライプ法に比較
し、ウェハを完全に切断することも可能であり、また極
めて平滑な切断面を得ることができるのでベレット欠け
（チッピング）が少なく、ペレットのハンドリングが容
易になる等の長所がある。しかしながら本願発明者はこ
のようなダイシング法においてもブレードが新しいうち
は上記の如くチッピングは少ないが、ブレードが摩耗す
るにつれてチッピングが多（なるという欠点を発見した
。すなわち第２図（ａ） 、 （ｂ）に示すように切断
領域４に沿ってシリコン基板５に切削孔６が形成される
が、同時に切削孔６からチッピングが発生し、素子形成
領域３にクラック７が発生する。またダイシングにおい
てもチッピングを考慮し、切断領域はブレードの幅の約
２倍以上にしているが、このようにした場合、ウニノ１
内の素子集積密度を向上し得ないという欠点のあること
を究明した。
本発明は上述のような従来の欠点にもとづきなされたも
のであり、その目的はチッピングを防止し、素子の集積
密度を高め得るようなダイシング法を提供すること忙あ
る。このような目的を達成するため、本発明は半導体材
料からなるウニノ１の一方の主表面からその厚さ方向に
向ってダイシングする方法でありて、切断刃が接する前
記主表面を除き少なくともダイシングしようとする領域
内の主表面に半導体材料と比べて粘度が大きい金属から
なるガードリング層を形成し、そのあとウェハを切削す
ることを特徴とするものである。以下実施例によって本
発明の詳細な説明する。
のであり、その目的はチッピングを防止し、素子の集積
密度を高め得るようなダイシング法を提供すること忙あ
る。このような目的を達成するため、本発明は半導体材
料からなるウニノ１の一方の主表面からその厚さ方向に
向ってダイシングする方法でありて、切断刃が接する前
記主表面を除き少なくともダイシングしようとする領域
内の主表面に半導体材料と比べて粘度が大きい金属から
なるガードリング層を形成し、そのあとウェハを切削す
ることを特徴とするものである。以下実施例によって本
発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例による半導体装置の製造工程
においてダイシングする直前のウェハ８の平面図を示す
。ウェハ８はシリコン基板９と素子形成領域ｌＯとを有
し、この素子形成領域に互い忙同−の素子が形成されて
いる。１１は素子形成領域間の切断領域であり、互いに
直交して基盤目のようｋなっている。第３図の点線で囲
んだ部分Ａを拡大して第４図（ａ）に示す。第４図（ｂ
）は同図（ａ）のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。同図（
ａｌ 、 （ｂ）に示すように素子形成領域間の切断領
域１１にはブレードが接する領域１２な除く表面にアル
ミニウムからなるガードリング層１３が形成されている
。
においてダイシングする直前のウェハ８の平面図を示す
。ウェハ８はシリコン基板９と素子形成領域ｌＯとを有
し、この素子形成領域に互い忙同−の素子が形成されて
いる。１１は素子形成領域間の切断領域であり、互いに
直交して基盤目のようｋなっている。第３図の点線で囲
んだ部分Ａを拡大して第４図（ａ）に示す。第４図（ｂ
）は同図（ａ）のＩＶ−ＩＶ矢視断面図である。同図（
ａｌ 、 （ｂ）に示すように素子形成領域間の切断領
域１１にはブレードが接する領域１２な除く表面にアル
ミニウムからなるガードリング層１３が形成されている
。
このガードリング層の形成は素子形成時に同時に形成す
ることができる。次にこのようなりエバをＩ！５図に示
すようにウェハ吸着台に吸着し、切削する。１４はウェ
ハ８の吸着台であり、クエへ８は吸着台１４に設けられ
た吸着孔（図示せず）を介して固定される。１５はウェ
ハ８の上部に設けられたブレードである。このブレード
１５は同図矢印Ｂで示すように回転できるよ５＆Ｃなり
ており、また同図矢印Ｃで示すようにウニノ・上を水平
方向に移動できるようＫなっている。１７は冷却水供給
管であり、ブレード１５によって切削される切断領域に
局部的に冷却水１６を吹きつけ、切削孔内の切削くずな
洗い流すようになって−する。１９は切削によってウニ
ノー全表面に洗浄水１Ｂを供給し、ウェハ表面に付着し
た切削くずな洗い流すための洗浄水供給管である。２０
は洗浄水１８の噴出孔である。なお冷却水供給管１７は
ブレード１５の水平方向に追随して水平方向に移動し得
るようＫなりており、常に切削孔内の切削を洗い流すよ
うに構成されている。吸着台に吸着されたウニノーをブ
レード１５を矢印Ｂ方向に毎分１８０００〜３００００
回転させ同時に矢印Ｃ方向に移動させながら、切断領域
に沿りて順次その厚さ方向に切削しながら個々に切断分
離する。第６図はこのようにして切削されたウニノ１の
要部を拡大して示すものであり、同■（ａ）はその平面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のｗ−ｖｘ’矢視断面１で
ある。同図に示すように切断領域１１にチッピング２１
は発生するが、この領域内のブレードが接する部分を除
く基板９０表面にはアルミニウムのガードリング層１３
が形成されているため、チッピング２１は素子形成領域
ｌ。
ることができる。次にこのようなりエバをＩ！５図に示
すようにウェハ吸着台に吸着し、切削する。１４はウェ
ハ８の吸着台であり、クエへ８は吸着台１４に設けられ
た吸着孔（図示せず）を介して固定される。１５はウェ
ハ８の上部に設けられたブレードである。このブレード
１５は同図矢印Ｂで示すように回転できるよ５＆Ｃなり
ており、また同図矢印Ｃで示すようにウニノ・上を水平
方向に移動できるようＫなっている。１７は冷却水供給
管であり、ブレード１５によって切削される切断領域に
局部的に冷却水１６を吹きつけ、切削孔内の切削くずな
洗い流すようになって−する。１９は切削によってウニ
ノー全表面に洗浄水１Ｂを供給し、ウェハ表面に付着し
た切削くずな洗い流すための洗浄水供給管である。２０
は洗浄水１８の噴出孔である。なお冷却水供給管１７は
ブレード１５の水平方向に追随して水平方向に移動し得
るようＫなりており、常に切削孔内の切削を洗い流すよ
うに構成されている。吸着台に吸着されたウニノーをブ
レード１５を矢印Ｂ方向に毎分１８０００〜３００００
回転させ同時に矢印Ｃ方向に移動させながら、切断領域
に沿りて順次その厚さ方向に切削しながら個々に切断分
離する。第６図はこのようにして切削されたウニノ１の
要部を拡大して示すものであり、同■（ａ）はその平面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）のｗ−ｖｘ’矢視断面１で
ある。同図に示すように切断領域１１にチッピング２１
は発生するが、この領域内のブレードが接する部分を除
く基板９０表面にはアルミニウムのガードリング層１３
が形成されているため、チッピング２１は素子形成領域
ｌ。
内に達することな（このガードリング層１３でストップ
される。チッピング２１がガードリング層１３によって
ストップされる理由は、ガードリングがブレードの刃先
の案内ガードの役目をし、刃先の振動を減少させるとと
もに刃先のシリコン基板に与える圧力を吸収する緩衝壁
の役目を果すためと考えられる。
される。チッピング２１がガードリング層１３によって
ストップされる理由は、ガードリングがブレードの刃先
の案内ガードの役目をし、刃先の振動を減少させるとと
もに刃先のシリコン基板に与える圧力を吸収する緩衝壁
の役目を果すためと考えられる。
以上、実施例に述べたよ５に本発明によればダイシング
ブレードの刃先の状態に関係なくダイシングによるチッ
ピング領域を極めて小さくすることができ、発生しても
ガードリング層によりチッピングの拡りを防止し得るの
で従来のようにチッピングによるペレット欠けな少なく
することができる。またガードリング層によりチッピン
グの拡りを防止し得ることから、従来のようにチッピン
グを考慮して切断領域を大きくする必要もないので、素
子の集積密度を高めることができる。さらにまた本発明
はブレードが接する表面にはガードリング層は設けない
ため、ダイシングブレードの目すまりも少なく、刃先の
摩耗、損傷が減少し、ブレードの寿命を延ばすこともで
きる。
ブレードの刃先の状態に関係なくダイシングによるチッ
ピング領域を極めて小さくすることができ、発生しても
ガードリング層によりチッピングの拡りを防止し得るの
で従来のようにチッピングによるペレット欠けな少なく
することができる。またガードリング層によりチッピン
グの拡りを防止し得ることから、従来のようにチッピン
グを考慮して切断領域を大きくする必要もないので、素
子の集積密度を高めることができる。さらにまた本発明
はブレードが接する表面にはガードリング層は設けない
ため、ダイシングブレードの目すまりも少なく、刃先の
摩耗、損傷が減少し、ブレードの寿命を延ばすこともで
きる。
以上のように、回転ブレードにより切削されるＳｉ基板
等の表面近傍をねばりのあり、かつ、接着性のよい金属
層でガードすることにより、チッピング等の機械的歪の
影響が内部素子領域に達するのを防止することができる
。
等の表面近傍をねばりのあり、かつ、接着性のよい金属
層でガードすることにより、チッピング等の機械的歪の
影響が内部素子領域に達するのを防止することができる
。
第１囚は従来のウェハダイシング法の説明図、第２図（
ａ）は従来のダイシング法によって得られたウェハの要
部平面図、同図（ｂ）は同図（ａｌの■−■矢視断面図
、第３図は本発明の一実施例によるウェハの平面図、第
４図（ａ）は第３図Ａｍの拡大平面図、第４図（ｂｌは
第４図のｒＶ−ＩＶ矢視断面図、第５図は本発明のダイ
シング法の説明図、第６図（ａ）は本発明のダイシング
法により切削されたウェハの要部平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＶｌ−Ｖｌ’矢視断面図である。 １．１５・・・ダイシングブレード、２．８・・・ウェ
ハ、３．１０・・・素子形成領域、４．１１・・・切断
領域、５，９・・・シリコン基板、６・・・切溝、７．
２１・・・チッピング領域、１２・・・ブレードの接す
る領域、１３・・・アルミニウム層、１４・・・ウェハ
吸着台、１６・・・冷却水、１７・・・冷却水供給管、
１８・・・洗浄水、１９・・・洗浄水供給管、２０・・
・噴出孔。 第 １ 図 第 ２ 図 （６しン
ａ）は従来のダイシング法によって得られたウェハの要
部平面図、同図（ｂ）は同図（ａｌの■−■矢視断面図
、第３図は本発明の一実施例によるウェハの平面図、第
４図（ａ）は第３図Ａｍの拡大平面図、第４図（ｂｌは
第４図のｒＶ−ＩＶ矢視断面図、第５図は本発明のダイ
シング法の説明図、第６図（ａ）は本発明のダイシング
法により切削されたウェハの要部平面図、同図（ｂ）は
同図（ａ）のＶｌ−Ｖｌ’矢視断面図である。 １．１５・・・ダイシングブレード、２．８・・・ウェ
ハ、３．１０・・・素子形成領域、４．１１・・・切断
領域、５，９・・・シリコン基板、６・・・切溝、７．
２１・・・チッピング領域、１２・・・ブレードの接す
る領域、１３・・・アルミニウム層、１４・・・ウェハ
吸着台、１６・・・冷却水、１７・・・冷却水供給管、
１８・・・洗浄水、１９・・・洗浄水供給管、２０・・
・噴出孔。 第 １ 図 第 ２ 図 （６しン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体材料からなるウェハ、又は集積回路ウェハな
一方の主表面からその厚さ方向に向って回転ブレードに
よりダイシングする方法であって。 ブレードが接する前記主表面な除き少なくともダイシン
グしようとする領域内の主表面に半導体材料と比べてや
わらかい金属層からなるガード層を形成し、そのあとウ
ェハを切削する工程を含むことを特徴とするウェハのダ
イシング方法。 ２、上記ガード層は、アルミニウムを主成分とすること
を特徴とする特許 記載のウェハのダイシング方法。 ３、上記ブレードによりウェハを切削するＫあたり，ブ
レードがウェハ表面に直接に接するようにウェハ上面の
蟲該部分の被膜を除去した状態にすることを特徴とする
上記特許請求の範囲第１項又は２項に記載のクエへのダ
イシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046588A JPS60216565A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | ウエハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046588A JPS60216565A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | ウエハのダイシング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15447477A Division JPS5487169A (en) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | Dicing method for wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216565A true JPS60216565A (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=12751451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60046588A Pending JPS60216565A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | ウエハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216565A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4997792A (en) * | 1989-11-21 | 1991-03-05 | Eastman Kodak Company | Method for separation of diode array chips during fabrication thereof |
| JPH05326697A (ja) * | 1992-05-23 | 1993-12-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP60046588A patent/JPS60216565A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4997792A (en) * | 1989-11-21 | 1991-03-05 | Eastman Kodak Company | Method for separation of diode array chips during fabrication thereof |
| US5300806A (en) * | 1989-11-21 | 1994-04-05 | Eastman Kodak Company | Separation of diode array chips during fabrication thereof |
| JPH05326697A (ja) * | 1992-05-23 | 1993-12-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5462636A (en) * | 1993-12-28 | 1995-10-31 | International Business Machines Corporation | Method for chemically scribing wafers |
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