JPS60231341A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60231341A
JPS60231341A JP59086825A JP8682584A JPS60231341A JP S60231341 A JPS60231341 A JP S60231341A JP 59086825 A JP59086825 A JP 59086825A JP 8682584 A JP8682584 A JP 8682584A JP S60231341 A JPS60231341 A JP S60231341A
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JP
Japan
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semiconductor device
ceramic substrate
cap
recess
heat sink
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Application number
JP59086825A
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English (en)
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JPH031835B2 (ja
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Masahide Yamauchi
山内 眞英
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH031835B2 publication Critical patent/JPH031835B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60Seals

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体素子をキャンプにより封止してなる
半導体装置に関するものである。
〔従来技術〕
従来この種の半導体装置として第1図及び第2図に示す
ものがあり、第1図はその斜視図、第2図はその断面図
である。図において、2は銅等か□らなる放熱板であり
、該放熱板2には、半導体素子(図示せず)等を搭載し
たセラミック基板4が半田等で接着されている。3は外
部リードであり、これは上記セラミック基板4の所定位
置に半ITI (=1けにより接着され、これらにより
半完成品が形成されている。そして−I−起生完成品の
封11−を行うため、エポキシ等からなるキャンプlが
接着剤5により放熱板2上に取り付けられている。
この従来装置において、キャップ1で封11二を行なう
には、キャンプ1の下面周縁に例えばシリコン接着剤5
を塗布し、これを放熱板2の所定位置に固定し、この状
態で恒温槽でキュアを例えば150℃で2時間行い、こ
れにより接着しなければならない。
しかしこのような接着作業では、接着剤5の磨を一定に
すること及びキュア時の加圧力を一定にすることが難し
く、そのため上記従来装置では十分な接着強度が得られ
ず、キャンプ1が離脱する等のトラブルが発生するとい
う問題があった。またこの作業には熟練者がかなりの時
間をかけなければならず、製造コストも高くなっていた
〔発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、キャンプの内周面に四部を設け、
該凹部にセラミック基板の周縁部を嵌合させるようにす
ることにより、信頼性を向−にでき、かつ作業工程を合
理化できる半導体装置を提供することを目的としている
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第3図及び第4図は本発明の一実施例を示し、図におい
て、7は銅等から成る放熱板であり、該放熱板7には半
導体素子(図示せず)等を搭載したセラミック基板4が
半田等で接着されている。
3は外部リードであり、これは上記セラミック基板4の
所定位置に半■1付けされ、これらにより半完成品が形
成されている。上記半完成品の封止を行うため本実施例
では、キャップ6の内壁に四部8を設け、該凹部8にセ
ラミック基板4の周縁部を強制的に嵌合せしめている。
そしてこの嵌合を容易になすためキャンプ6の材質は、
PBT等の弾性のあるものが使用されており、また放熱
板7はセラミック基板4より小さな寸法に形成されてい
る。
このように本実施例では、セラミック基板4をキャンプ
6の凹部8に嵌合せしめたので、キャップ6が外れるの
を防止して信頼性を向上できるとともに、従来のような
キャップを放熱板に接着する作業を不要にでき、コスト
を低減できる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明にかかる半導体装置によれば、キャ
ップの内周面に凹部を設り、該凹部にセラミック基板を
強制的にはめ込んで機械的に固定するようにしたので、
接着不良等が発生することはなく、信頼性を向上できる
効果があり、また接着作業が不要となって簡単かつ短時
間に封止できるためコストを低減できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の斜視図、第2図はその断面
図、第3図はこの発明の一実施例による半導体装置の斜
視図、第4図(a)はその断面図、第4図(blはその
一部拡大断面図である。 4はセラミック基板、6はキャップ、8はギャップ内面
の四部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. +11 セラミック基板上に搭載した半導体素子をキャ
    ップにより封止してなる半導体装置において、上記キャ
    ップの内周面に凹部を形成し、該凹部に上記セラミック
    基板の周縁部を嵌合させたことを特徴とする半導体装置
JP59086825A 1984-04-27 1984-04-27 半導体装置 Granted JPS60231341A (ja)

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JP59086825A JPS60231341A (ja) 1984-04-27 1984-04-27 半導体装置

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JP59086825A JPS60231341A (ja) 1984-04-27 1984-04-27 半導体装置

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JPS60231341A true JPS60231341A (ja) 1985-11-16
JPH031835B2 JPH031835B2 (ja) 1991-01-11

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