JPS60239714A - イオンプレ−テイング方法 - Google Patents
イオンプレ−テイング方法Info
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- JPS60239714A JPS60239714A JP59095727A JP9572784A JPS60239714A JP S60239714 A JPS60239714 A JP S60239714A JP 59095727 A JP59095727 A JP 59095727A JP 9572784 A JP9572784 A JP 9572784A JP S60239714 A JPS60239714 A JP S60239714A
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- JP
- Japan
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- net
- layer
- conductive plate
- electrochromic
- ion
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/153—Constructional details
- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はエレクトロクロミック素子製造に際し・エレク
トロクロミック層上に絶縁層あるいは電極層を形成する
ための、イオンシレーティング方法に関する。
トロクロミック層上に絶縁層あるいは電極層を形成する
ための、イオンシレーティング方法に関する。
エレクトロクロミック現象を利用する電気化学的発消色
素子すなわちエレクト算クロミック素子は、例えば、数
字表示素子、ｘ−ｙマ） ＩＪクスディスプレイ、光学
シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で
分類すると液体型と固体盤に分けられる。このうち、全
固体型エレクトロクロミック素子の構成例を第１図及び
第２図に示すＯ 第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よ）寿る第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜２から
なゐ絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
素子すなわちエレクト算クロミック素子は、例えば、数
字表示素子、ｘ−ｙマ） ＩＪクスディスプレイ、光学
シャッタ、絞シ機構等に応用できるもので、その材料で
分類すると液体型と固体盤に分けられる。このうち、全
固体型エレクトロクロミック素子の構成例を第１図及び
第２図に示すＯ 第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よ）寿る第１電極２、陽極側発
色層であるエレクトロクロミック層３、誘電体膜２から
なゐ絶縁層４、導電体膜より成る第２電極５を順次積層
してなるものである。
また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示す構造゛における絶縁層４と第２電極５との間に
、さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミ
ック層６を積層したものである。
図に示す構造゛における絶縁層４と第２電極５との間に
、さらに、陰極側発色層である第２のエレクトロクロミ
ック層６を積層したものである。
上記の構造において、基板１は一般的にガラス板によっ
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。
て形成されるが、これはガラス板に限らず、プラスチッ
ク板またはアクリル板等の無色透明な板ならばよく、ま
た、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく、第
２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例えば
、保護カバーとするなどの目的で）両側に設けてもよい
。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透明導
電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必要が
ある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素子が
できる。
第１電極２あるいは第２電極５を構成する透明導電膜と
しては、ＩＴＯ膜（酸化インジウムＩ ｎ ２０ ｓ中
に酸化錫Ｓ ｎＯ２をドーグしたもの）やネサ膜等が用
いられる。
しては、ＩＴＯ膜（酸化インジウムＩ ｎ ２０ ｓ中
に酸化錫Ｓ ｎＯ２をドーグしたもの）やネサ膜等が用
いられる。
陽極側発色層であるエレクトロクロミック層３は、従来
、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ，） ＋水酸化イリジウム（
Ｉｒ（ＯＨ）２ ） ｒ水酸化＝ｙケル（Ｎｉ （ＯＨ
）２ ）等によって形成されている。
、三酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ，） ＋水酸化イリジウム（
Ｉｒ（ＯＨ）２ ） ｒ水酸化＝ｙケル（Ｎｉ （ＯＨ
）２ ）等によって形成されている。
誘電体からなる絶縁層４は、誘電体のみでなく、固体電
解質等のようなものでもよく、例えば二讃化ジ、ｖ＝＋
ｙ（ＺｒＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ） ＋
酸化ケイ素（ｓｉｏ 、 ５ｔｏ２）等に代表される酸
化物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ ） 、フ、化
マグネシウム（、ＭｇＦ２ ）等に代表されるフッ化物
を用いて形成する。
解質等のようなものでもよく、例えば二讃化ジ、ｖ＝＋
ｙ（ＺｒＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２０５ ） ＋
酸化ケイ素（ｓｉｏ 、 ５ｔｏ２）等に代表される酸
化物、あるいはフッ化リチウム（ＬｉＦ ） 、フ、化
マグネシウム（、ＭｇＦ２ ）等に代表されるフッ化物
を用いて形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミック層６は
、酸化タングステン（ＷＯ２＊ ＷＯ３） ＋酸化モリ
ブデン（Ｍａｉｌ 、 Ｍｏ５ｓ ） 、五酸化バナジ
ウム（ｖ２０５）等を用いて形成する。
、酸化タングステン（ＷＯ２＊ ＷＯ３） ＋酸化モリ
ブデン（Ｍａｉｌ 、 Ｍｏ５ｓ ） 、五酸化バナジ
ウム（ｖ２０５）等を用いて形成する。
この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、第２図の構成のエレクトロクロミ
、り素子においては、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック層６に用いるエレクトロクロミック物質と
して、ＷＯｓを用いる場合には、次の（１）式で表わさ
れる酸化還元反応が起き着色する。
は、第１電極２と第２電極５の間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応が起き、着色、消色をする。この
着色機構は、例えば、第２図の構成のエレクトロクロミ
、り素子においては、エレクトロクロミック層６へのカ
チオンと電子のダブルインジェクションによるブロンズ
形成にあると一般的に言われている。例えば、エレクト
ロクロミック層６に用いるエレクトロクロミック物質と
して、ＷＯｓを用いる場合には、次の（１）式で表わさ
れる酸化還元反応が起き着色する。
ＷＯ５＋ ＸＨ” ＋ ｘ ＠−：ｉ” Ｉ（ＸＷＯ５
（ｘは正の数）（１）（１）式に従って、タングステン
ブロンズＨ，ＷＯ，が形成され着色するが、ここで印加
電圧を逆転すれば消色状態となる。（１）式のこの様な
反応は、全固体型エレクトロクロミック素子においては
、素子内部の絶縁層によってプロトンＨ＋が供給され着
色する。
（ｘは正の数）（１）（１）式に従って、タングステン
ブロンズＨ，ＷＯ，が形成され着色するが、ここで印加
電圧を逆転すれば消色状態となる。（１）式のこの様な
反応は、全固体型エレクトロクロミック素子においては
、素子内部の絶縁層によってプロトンＨ＋が供給され着
色する。
この様な構成及び作用を有するエレクトロクロミック素
子において、絶縁層４や電極層２，５を、エレクトロク
ロミック層３，６上に反応性高周波イオンブレーティン
グ法にょ多形成すると、例えば、層３上に層４、層６上
に層５、層６上に層４、層３上に層２を形成する場合な
どがある）、着色が起き消色しなくなったシ、あるいは
消色状態のまま着色しなくなるなどの不都合があった。
子において、絶縁層４や電極層２，５を、エレクトロク
ロミック層３，６上に反応性高周波イオンブレーティン
グ法にょ多形成すると、例えば、層３上に層４、層６上
に層５、層６上に層４、層３上に層２を形成する場合な
どがある）、着色が起き消色しなくなったシ、あるいは
消色状態のまま着色しなくなるなどの不都合があった。
例えば、ｗｏ、層６上に、Ｈ２０雰囲気下で、Ｔａ２０
５層４をイオンブレーティング法にょ多形成すると、ブ
ルーに色付き、消去する方向に電圧を印加しても消色し
なかったシ、色ムラになったシする。また雰囲気をＨ２
Ｏから０２に代えると、ｗｏ３のエレクトロクロ臂−１
力序Ｌ１イ＾憔郁礒で句恭ふ７〔発明の目的〕 本発明の目的は、この様な従来の欠点を解消して、エレ
クトロクロミック素子の絶縁層あるいは電極層を反応性
高周波イオンブレーティング法にょ多形成するに際して
、エレクトロクロミック層の発色・消色性能等の機能に
悪影響を及ぼさずにイオンデレーティングによる絶縁層
あるいは電極層の設層を行なうことができる方法を提供
することにある。
５層４をイオンブレーティング法にょ多形成すると、ブ
ルーに色付き、消去する方向に電圧を印加しても消色し
なかったシ、色ムラになったシする。また雰囲気をＨ２
Ｏから０２に代えると、ｗｏ３のエレクトロクロ臂−１
力序Ｌ１イ＾憔郁礒で句恭ふ７〔発明の目的〕 本発明の目的は、この様な従来の欠点を解消して、エレ
クトロクロミック素子の絶縁層あるいは電極層を反応性
高周波イオンブレーティング法にょ多形成するに際して
、エレクトロクロミック層の発色・消色性能等の機能に
悪影響を及ぼさずにイオンデレーティングによる絶縁層
あるいは電極層の設層を行なうことができる方法を提供
することにある。
上記目的は、反応性高周波イオンブレーティング装置を
用いて、エレクトロクロミ、り素子の絶縁層あるいは電
極層を形成する際に、蒸着材料の蒸発源上で網状かっこ
れ以外の部分がし中へいされた導電性板体を、高周波コ
イルと基板との間に介在させ、この導電性板体の前記し
ゃへい部分を、イオンシレーティング装置内壁に近接さ
せ、じがモ少すくとも１ケ所で該内壁に接触させるイオ
ンブレーティング方法によって達成される。
用いて、エレクトロクロミ、り素子の絶縁層あるいは電
極層を形成する際に、蒸着材料の蒸発源上で網状かっこ
れ以外の部分がし中へいされた導電性板体を、高周波コ
イルと基板との間に介在させ、この導電性板体の前記し
ゃへい部分を、イオンシレーティング装置内壁に近接さ
せ、じがモ少すくとも１ケ所で該内壁に接触させるイオ
ンブレーティング方法によって達成される。
本発明で使用する反応性高反応性イオンプレーチメンゲ
馳晋け、餅鯰笛１１ｉＳＱｌｆｆ箒１−４−＋ｎも働羞
も有することができる。即ち、装置本体１１内に、電子
ビーム蒸発源（電子銃）１２と基板ホルダー１３とが相
対向して配置され、バイアス電圧を印加するための直流
バイアス源１−４と接続されている。１５は高周波フィ
ルであシ、装置本体１１外の周波数１０ ＭＨｚ前後（
市販品としては１３．５６ＭＦｆｚが一般的）、出力１
００〜５００Ｗ程度の高周波発振器を含む適宜の高周波
電源設備（図示しない：と接続されている。１６及び１
７は、装置本体１１内に、それぞれＨ２０雰囲気及び０
□雰囲気を醸しだすためのＨ２０蒸気供給源及び０□ガ
スデンベで１）、それぞれニードルパルプ１８．１９を
介して装置本体１１内と通じている。
馳晋け、餅鯰笛１１ｉＳＱｌｆｆ箒１−４−＋ｎも働羞
も有することができる。即ち、装置本体１１内に、電子
ビーム蒸発源（電子銃）１２と基板ホルダー１３とが相
対向して配置され、バイアス電圧を印加するための直流
バイアス源１−４と接続されている。１５は高周波フィ
ルであシ、装置本体１１外の周波数１０ ＭＨｚ前後（
市販品としては１３．５６ＭＦｆｚが一般的）、出力１
００〜５００Ｗ程度の高周波発振器を含む適宜の高周波
電源設備（図示しない：と接続されている。１６及び１
７は、装置本体１１内に、それぞれＨ２０雰囲気及び０
□雰囲気を醸しだすためのＨ２０蒸気供給源及び０□ガ
スデンベで１）、それぞれニードルパルプ１８．１９を
介して装置本体１１内と通じている。
図中、２０は、ホルダー１３に固定される基板（被蒸着
体）である。
体）である。
本発明方法においては、この様に装置内に配置される基
板２０と高周波コイル１５との間に、導電性板体２１を
介在させる。この板体２１は、蒸着材料の蒸発源即ち電
子ビーム蒸発源上で網状かつこれ以外の部分でじゃへい
された金属（例えばｈｔ）等の導電性板体で構成される
。これは、例えば第４図に示した様な網状部分２２とし
ゃへい部分２３の形状を有し、ＡＡ板２３を穿孔しこの
部分にＡＡメツシュ２３を張るか、あるいはＡｔメッシ
ェのしゃへい部分２３にＡｔホイル等を貼付するといっ
た方法で簡便に得られる。
板２０と高周波コイル１５との間に、導電性板体２１を
介在させる。この板体２１は、蒸着材料の蒸発源即ち電
子ビーム蒸発源上で網状かつこれ以外の部分でじゃへい
された金属（例えばｈｔ）等の導電性板体で構成される
。これは、例えば第４図に示した様な網状部分２２とし
ゃへい部分２３の形状を有し、ＡＡ板２３を穿孔しこの
部分にＡＡメツシュ２３を張るか、あるいはＡｔメッシ
ェのしゃへい部分２３にＡｔホイル等を貼付するといっ
た方法で簡便に得られる。
網状部分２２の１目あたシの開口面積は１〜２５ｍａｔ
が好ましい。１簡２未満では、膜形成の生産性が低く、
２５■２を超えると、グロー放電の影響を抑えることが
できない。
が好ましい。１簡２未満では、膜形成の生産性が低く、
２５■２を超えると、グロー放電の影響を抑えることが
できない。
本発明によれば、との様な構成・配置の導電性板体を用
いることによシ、基板（被蒸着物）へ直接にグロー放電
があたらなくなり、また、グロー放電によって分割され
たイオン（例えば、プロトンＨ＋ ）も、網状部分に引
き寄せられるため、エレクトロクロミック層の着色等の
悪影響を排除することができる。また、この様な効果は
、網状部分２２以外の部分をし中へいしていることと、
導電性板体２１を装置本体１１内壁にできる限シ近接さ
せ、しかも板体２１の少なくとも１カ所を本体１１の内
壁と接触させていることによシ、更に強まる。
いることによシ、基板（被蒸着物）へ直接にグロー放電
があたらなくなり、また、グロー放電によって分割され
たイオン（例えば、プロトンＨ＋ ）も、網状部分に引
き寄せられるため、エレクトロクロミック層の着色等の
悪影響を排除することができる。また、この様な効果は
、網状部分２２以外の部分をし中へいしていることと、
導電性板体２１を装置本体１１内壁にできる限シ近接さ
せ、しかも板体２１の少なくとも１カ所を本体１１の内
壁と接触させていることによシ、更に強まる。
実施例
第３図及び第４図に示した反応性高周波イオンブレーテ
ィング装置を用いて、本発明水沫を実施し、第２図に示
した層構成のエレクトロクロミック素子を作製した。
ィング装置を用いて、本発明水沫を実施し、第２図に示
した層構成のエレクトロクロミック素子を作製した。
ガラス基板ｌ上に１適宜の引き出し電極部及びリード部
を備えたＩＴＯ膜２を形成し、次いで水酸化イリジウム
層３ （Ｈ２０雰囲気下でイオングレーティング法によ
り金属イリジウムを蒸着）を形成した。
を備えたＩＴＯ膜２を形成し、次いで水酸化イリジウム
層３ （Ｈ２０雰囲気下でイオングレーティング法によ
り金属イリジウムを蒸着）を形成した。
かくして得られた被蒸着体（基板）を第３図のイオンシ
レーティング装置内の基板ホルダー１３上に固定し、供
給源１６よシ供給されるＨ２０雰囲気下で、五酸化タン
タル層４を形成した（層厚３０００Ｘ 、層形成速度２
Ｘ／ｇｅｅ）。
レーティング装置内の基板ホルダー１３上に固定し、供
給源１６よシ供給されるＨ２０雰囲気下で、五酸化タン
タル層４を形成した（層厚３０００Ｘ 、層形成速度２
Ｘ／ｇｅｅ）。
次いで、酸化タングステン膜６を形成した（層厚３００
０＾１層形成速度１０ Ｘ／ ５ｅｃ）。
０＾１層形成速度１０ Ｘ／ ５ｅｃ）。
最後に、これも本発明方法によシ、テンペ１７から供給
される０２雰囲気下でＩＴＯ膜５を形成した（層厚２０
００芙９層形成速度５Ｘ／ＩＩｅｃ）。
される０２雰囲気下でＩＴＯ膜５を形成した（層厚２０
００芙９層形成速度５Ｘ／ＩＩｅｃ）。
このエレクトロクロミ、り素子の、消色時の透過率は約
８０チで、見栄えのよいエレクトロクロミ、り素子とな
りていた。（着色時の透過率は４（１，応答速度は２５
０ｍ５ｅｃ、素子面積は２５ｍ雪であった。） 〔発明の効果〕 、本発明によれば、反応性高周波イオンブレーティング
法固有の欠点である被蒸着物に対する直接のグロー放電
、あるいはグロー放電によって分割されたイオンによる
被蒸着物の着色などが防止されるため、本発明方法によ
シエレクトロクロミシク素子のエレクトロクロミック層
上に絶縁層あるいは電極層を堆積させる場合の、エレク
トロクロミック層の着色・消色不良等の動作不良を良好
に防止することができる。
８０チで、見栄えのよいエレクトロクロミ、り素子とな
りていた。（着色時の透過率は４（１，応答速度は２５
０ｍ５ｅｃ、素子面積は２５ｍ雪であった。） 〔発明の効果〕 、本発明によれば、反応性高周波イオンブレーティング
法固有の欠点である被蒸着物に対する直接のグロー放電
、あるいはグロー放電によって分割されたイオンによる
被蒸着物の着色などが防止されるため、本発明方法によ
シエレクトロクロミシク素子のエレクトロクロミック層
上に絶縁層あるいは電極層を堆積させる場合の、エレク
トロクロミック層の着色・消色不良等の動作不良を良好
に防止することができる。
第１図及び第２図は、本発明に係るエレクトロクロミッ
ク素子の２つの構成例を示した断面図、第３図は、本発
明で使用する反応性高周波イオンブレーティング装置の
概略図、第４図は本発明で使用する導電性板体の平面図
である。 １・・・基板、２・・・第１電極、３・・・エレクトロ
クロミック層、４・・・絶縁層、５・・・第２電極、６
・・・エレクトロクロミック層、１１・・・反応性イオ
ンブレーティング装置の本体、１２・・・電子ビーム蒸
発源（電子銃）、１３・・・傘（基板ホルダー）、１４
・・・ＤＣバイアス源、１５・・・高周波コイル（ＲＦ
コイル）、１６・・・Ｈ２０蒸気供給源、１７・・・０
□ガスデンペ、１８．１９・・・ニードルパルプ、２０
・・・基板（被蒸着体）、２１・・・導電性板体、２２
・・・網状部分、２３・・・しゃへい部分。 第 ２ｒＸＪ 塩３図 簡
ク素子の２つの構成例を示した断面図、第３図は、本発
明で使用する反応性高周波イオンブレーティング装置の
概略図、第４図は本発明で使用する導電性板体の平面図
である。 １・・・基板、２・・・第１電極、３・・・エレクトロ
クロミック層、４・・・絶縁層、５・・・第２電極、６
・・・エレクトロクロミック層、１１・・・反応性イオ
ンブレーティング装置の本体、１２・・・電子ビーム蒸
発源（電子銃）、１３・・・傘（基板ホルダー）、１４
・・・ＤＣバイアス源、１５・・・高周波コイル（ＲＦ
コイル）、１６・・・Ｈ２０蒸気供給源、１７・・・０
□ガスデンペ、１８．１９・・・ニードルパルプ、２０
・・・基板（被蒸着体）、２１・・・導電性板体、２２
・・・網状部分、２３・・・しゃへい部分。 第 ２ｒＸＪ 塩３図 簡
Claims (1)
- 反応性高周波イオンブレーティング装置を用いて、エレ
クトロクロミック素子の絶縁層あるいは電極層を形成す
る際に、蒸着材料の蒸発源上で網状かつこれ以外の部分
でし中へいされた導電性板体を、高周波コイルと基板と
の間に介在させ、この導電性板体の前記しゃへい部分を
、イオンシレーティング装置内壁に近接させしかも少な
くとも１ケ所で該内壁に接触させることを特徴とするイ
オンブレーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095727A JPS60239714A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | イオンプレ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59095727A JPS60239714A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | イオンプレ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239714A true JPS60239714A (ja) | 1985-11-28 |
Family
ID=14145503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59095727A Pending JPS60239714A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | イオンプレ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239714A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960072A (en) * | 1987-08-05 | 1990-10-02 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming a thin film |
| US5879741A (en) * | 1993-03-24 | 1999-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59095727A patent/JPS60239714A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960072A (en) * | 1987-08-05 | 1990-10-02 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for forming a thin film |
| US5879741A (en) * | 1993-03-24 | 1999-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
| US6261634B1 (en) | 1993-03-24 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
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