JPS60254781A - 磁気検出器の製造方法 - Google Patents
磁気検出器の製造方法Info
- Publication number
- JPS60254781A JPS60254781A JP59111441A JP11144184A JPS60254781A JP S60254781 A JPS60254781 A JP S60254781A JP 59111441 A JP59111441 A JP 59111441A JP 11144184 A JP11144184 A JP 11144184A JP S60254781 A JPS60254781 A JP S60254781A
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- thin strip
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- conductive
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明はバーバー・ボール型の磁気抵抗素子である磁気
検出器（磁気センサ）の製造方法、特にセルフアライン
メントの手法により正確に位置合せを行なえるようにし
た磁気検出器の製造方法に関する。
検出器（磁気センサ）の製造方法、特にセルフアライン
メントの手法により正確に位置合せを行なえるようにし
た磁気検出器の製造方法に関する。
（２）技術の背景
磁気抵抗９）Ｊ果を利用して磁界を検出するためにば磁
界と出力との直線性を得る必要がある。その一つの手段
として磁性薄帯に４５度傾けて多数の導電性薄帯を設け
ることにより磁界の変化に比例した磁気抵抗の変化を得
ることができる。すなわち、素子の抵抗ρは、磁化の方
向（Ｍｌ）と電流（’ＩＩ ）との成す角θに関係し、
ρ−ρ、＋Δρｏ ＣＯ５２θで表される。ここでΔρ
０＝ρ、、−ρ工であり、ρ、１とρ工は各ｈａｔ化の
方向と電流が平行および直角の時の比抵抗を示す。従っ
てθが４５度になるように、抵抗の低い導電性薄帯中に
電流を流すと第１図の線に示すようにある範囲で磁界と
出力との線型性（直線性）を得ることができる。
界と出力との直線性を得る必要がある。その一つの手段
として磁性薄帯に４５度傾けて多数の導電性薄帯を設け
ることにより磁界の変化に比例した磁気抵抗の変化を得
ることができる。すなわち、素子の抵抗ρは、磁化の方
向（Ｍｌ）と電流（’ＩＩ ）との成す角θに関係し、
ρ−ρ、＋Δρｏ ＣＯ５２θで表される。ここでΔρ
０＝ρ、、−ρ工であり、ρ、１とρ工は各ｈａｔ化の
方向と電流が平行および直角の時の比抵抗を示す。従っ
てθが４５度になるように、抵抗の低い導電性薄帯中に
電流を流すと第１図の線に示すようにある範囲で磁界と
出力との線型性（直線性）を得ることができる。
第２図は従来例をｆａｌの断面図とｆｂ）の平面図に示
し、図において１は表面に二酸化シリコン（Ｓｉ０２）
層が形成されたシリコンウェハまたはパイレックス基
板を示ｔ。パーマロイ、ニッケルーコバルト等の磁性薄
膜が蒸着法およびスパッタ法でイ（１着され、リソグラ
フィーおよびエンチング技術によって短冊形の磁性薄膜
２が形成される。磁化の方向がパターンに平行に向いて
いるようにすると前記した直線性が良くなるから、真空
中で温度を」二げ、短冊に平行に磁界を加え、磁界容易
軸をパターンの長手方向に作る。または、磁界中で磁性
膜を付着させて異方性を生じせしめても良い。
し、図において１は表面に二酸化シリコン（Ｓｉ０２）
層が形成されたシリコンウェハまたはパイレックス基
板を示ｔ。パーマロイ、ニッケルーコバルト等の磁性薄
膜が蒸着法およびスパッタ法でイ（１着され、リソグラ
フィーおよびエンチング技術によって短冊形の磁性薄膜
２が形成される。磁化の方向がパターンに平行に向いて
いるようにすると前記した直線性が良くなるから、真空
中で温度を」二げ、短冊に平行に磁界を加え、磁界容易
軸をパターンの長手方向に作る。または、磁界中で磁性
膜を付着させて異方性を生じせしめても良い。
次に当該薄帯２上にチタン（Ｔｉ） 、クロム（Ｃｒ）
等の密着層６を介して金等の導電性膜が積層され、リソ
グラフィーにより磁性薄帯に対して４５度伸けて導電性
薄帯３が作られる。なお、シリコンウェハを用いるとき
はその上に絶縁膜を形成する。
等の密着層６を介して金等の導電性膜が積層され、リソ
グラフィーにより磁性薄帯に対して４５度伸けて導電性
薄帯３が作られる。なお、シリコンウェハを用いるとき
はその上に絶縁膜を形成する。
（３）従来技術と問題点
バーバー・ポール型の検出器は磁性薄帯上に導電性薄帯
が形成されて成るが、従来下層の磁性薄帯から順次積層
されて形成されていた。しがし、この方法によると当該
上下層の位置合せを厳密に行わないと出力効率が落ちる
欠点があった。
が形成されて成るが、従来下層の磁性薄帯から順次積層
されて形成されていた。しがし、この方法によると当該
上下層の位置合せを厳密に行わないと出力効率が落ちる
欠点があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、磁性薄帯と導電性薄帯
を正確に位置合せをするための効率の良い磁気検出器の
゛製造方法を提供することを目的とする。
を正確に位置合せをするための効率の良い磁気検出器の
゛製造方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によると、磁性薄帯から成る磁
性層上に約４５度傾けて導電性薄帯から成る導電層が配
置されて成る磁気検出器を作る方法にして、前記両薄膜
を積層し磁性薄帯の幅よりも長い導電性薄帯を形成した
後に同一パターンをマスクに導電層と磁性層を同時にエ
ツチングすることによって前記磁性薄帯を形成すること
を特徴とする磁気検出器の製造方法を提供することによ
って達成される。
性層上に約４５度傾けて導電性薄帯から成る導電層が配
置されて成る磁気検出器を作る方法にして、前記両薄膜
を積層し磁性薄帯の幅よりも長い導電性薄帯を形成した
後に同一パターンをマスクに導電層と磁性層を同時にエ
ツチングすることによって前記磁性薄帯を形成すること
を特徴とする磁気検出器の製造方法を提供することによ
って達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
本発明は正確な位置合せを行う手段として導電性薄帯（
長さりを磁性薄帯（幅Ｗ）より長くしくＷ＜Ｚ）、両薄
膜を順次上層からエツチングしてパターンを形成するも
のである。
長さりを磁性薄帯（幅Ｗ）より長くしくＷ＜Ｚ）、両薄
膜を順次上層からエツチングしてパターンを形成するも
のである。
第３図（Ａ）、、、’（Ｅ）の断面図と同図中）１．。
（Ｑｌの平面図に本発明実施例を示すが、平面図（ｂｌ
、 、 。
、 、 。
（０）ルよ断面図（Ｂ）、、、（Ｅ）に対応する。第３
図（Ａ）に示される如く基板ＩＩ上に磁性層（Ｉ！！ｉ
ｉ厚３００〜５００人）１２、密着層（ＩＩ！１厚２５
０−１０００人）１６、導電層（膜厚５００〜２０００
人）１３を連続して成膜する。磁化容易軸の形成は従来
の場合と同様である。
図（Ａ）に示される如く基板ＩＩ上に磁性層（Ｉ！！ｉ
ｉ厚３００〜５００人）１２、密着層（ＩＩ！１厚２５
０−１０００人）１６、導電層（膜厚５００〜２０００
人）１３を連続して成膜する。磁化容易軸の形成は従来
の場合と同様である。
リソグラフィーとエツチング技術（ケミカル。
プラズマ、イオンミリング）を用い磁性層１２の幅（Ｗ
）よりも長い導電層１３を作製する（第３図（Ｂ））。
）よりも長い導電層１３を作製する（第３図（Ｂ））。
このとき、密着層１６も同時にエツチングする。次に新
たなレジスト膜１８を用い磁性層１２をリソグラフィー
によりパターニングするが（第３図（Ｃ１） 、ｆｆ１
Ｊ＜Ｗより長いために厳密に位置合せを行う必要はない
（第３図（ｂ）、ｆｃｌ参照）。磁性薄帯よりはみ出た
導電体層１３は磁性薄帯を形成する際に同時にエツチン
グされる（第３図（Ｄ） 、 ＋ｄ））。
たなレジスト膜１８を用い磁性層１２をリソグラフィー
によりパターニングするが（第３図（Ｃ１） 、ｆｆ１
Ｊ＜Ｗより長いために厳密に位置合せを行う必要はない
（第３図（ｂ）、ｆｃｌ参照）。磁性薄帯よりはみ出た
導電体層１３は磁性薄帯を形成する際に同時にエツチン
グされる（第３図（Ｄ） 、 ＋ｄ））。
最後に５ｉ０２等の保護層１４が作製され、篩等の導体
によって第２図の外部端子５に対応する端子が形成され
て完成する（第３図（Ｅ） 、 （ｅｌ）。
によって第２図の外部端子５に対応する端子が形成され
て完成する（第３図（Ｅ） 、 （ｅｌ）。
本発明によれば、Ｗより長い導電性薄帯を用い上層より
順次パターンを形成してゆくことにより、簡略な位置合
せにより正確な磁性層と導電層の位置関係を実現するこ
とができるので、出力効率の低下を防ぐことができ、そ
の効果は大きい。
順次パターンを形成してゆくことにより、簡略な位置合
せにより正確な磁性層と導電層の位置関係を実現するこ
とができるので、出力効率の低下を防ぐことができ、そ
の効果は大きい。
なお、薄帯や密着層等用いる材料は実施例に限らない。
また薄帯の幅、形状等も図示の場合限定されず又つづら
折り形状にした場合のコーナ部分等にも適用できる。シ
リコンウェハを用いるときは従来の場合と同様にその上
に絶縁膜を設けなければならないが、パイレックス基板
を用いるときはその必要がない。エツチングをケミカル
エツチングでなすときは基板１１は影響を受けないが、
イオンミリングのときは基板も若干エツチングされる。
折り形状にした場合のコーナ部分等にも適用できる。シ
リコンウェハを用いるときは従来の場合と同様にその上
に絶縁膜を設けなければならないが、パイレックス基板
を用いるときはその必要がない。エツチングをケミカル
エツチングでなすときは基板１１は影響を受けないが、
イオンミリングのときは基板も若干エツチングされる。
しかし、基板は磁気抵抗素子をのせる台として設けられ
るものであるから、それのエンチングは別に問題はない
。
るものであるから、それのエンチングは別に問題はない
。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、同じパターン
を用いセルフアラインメントの位置合せにより正確に磁
性層と導電層の位置関係を実現することができるので出
力効率の低下をなくす効果がある。
を用いセルフアラインメントの位置合せにより正確に磁
性層と導電層の位置関係を実現することができるので出
力効率の低下をなくす効果がある。
第１図は本検出器の原理を説明する図、第２図は従来例
の断面図と平面図、第３図は本発明の実施例を示す図で
ある。 ｔｉ−一基板、１２−磁性層、１３−導電層、１４−保
護層、１５−外部端子、１６−密着層、１７、１８−−
レジスト膜 （ｂ） 第１図 ｊｌｓ ２ ｉ”ｊ 第３図
の断面図と平面図、第３図は本発明の実施例を示す図で
ある。 ｔｉ−一基板、１２−磁性層、１３−導電層、１４−保
護層、１５−外部端子、１６−密着層、１７、１８−−
レジスト膜 （ｂ） 第１図 ｊｌｓ ２ ｉ”ｊ 第３図
Claims (1)
- 磁性薄帯から成る磁性層上に約４５度傾けて導電性薄帯
から成る導電層が配置されて成る磁気検出器を作る方法
にして、前記両層を積層し磁性薄帯の幅よりも長い導電
性薄帯を形成した後に同一パターンをマスクに導電層と
磁性層を同時にエツチングすることによって前記磁性薄
帯を形成することを特徴とする磁気検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111441A JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111441A JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254781A true JPS60254781A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0325036B2 JPH0325036B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=14561276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111441A Granted JPS60254781A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 磁気検出器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254781A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200683A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Sony Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843237A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-22 | ||
| JPS57102160U (ja) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111441A patent/JPS60254781A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4843237A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-22 | ||
| JPS57102160U (ja) * | 1980-12-15 | 1982-06-23 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01200683A (ja) * | 1988-02-04 | 1989-08-11 | Sony Corp | 磁気抵抗素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325036B2 (ja) | 1991-04-04 |
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