JPS60255988A - ビアリ−ル体の製造法 - Google Patents

ビアリ−ル体の製造法

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JPS60255988A
JPS60255988A JP59112072A JP11207284A JPS60255988A JP S60255988 A JPS60255988 A JP S60255988A JP 59112072 A JP59112072 A JP 59112072A JP 11207284 A JP11207284 A JP 11207284A JP S60255988 A JPS60255988 A JP S60255988A
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JP
Japan
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biaryl
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JP59112072A
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English (en)
Inventor
Shigeru Torii
滋 鳥居
Hideo Tanaka
秀雄 田中
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Resonac Corp
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ビアリール体の製造法、史に詳し3 (式中、Xは・・ロゲンヲ示ス。R’、R’、R”、R
’、R’i水素、炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐の低
級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ア
ミド基、又は置換基を有することのめるフェノキシ基を
示し R1とR2もしくはR2とR3H1不飽和結台及
び/又はヘテロ原子を含むことのめる炭素鎖で環をなく
してもよい。) で示される置換もしくは未置換のハロベンゼン(以下単
にハロベンゼンという)を、0価又は2価のパラジウム
化合物を含む有機溶媒中電解還元を行っ℃、一般式 (式中、R1,R”+Rs、R4,R’U前記VCIW
Jシ。)で示さnるビアリール体を得る、一般式(2)
で示さnるビアリール体の製造法に関する。
一般式(2)で示さnるビアリール体は医薬品、工業薬
品等の合成中間体として有用な化合物でらるが、ビアリ
ール体(2)は、従来ベンゼンなどの芳香族化合物及び
その誘導体を高温にて、金属触媒を用いて反応させて得
ていた。この反応は高圧下で行うことも多く、収率が低
いことや。
又異性体の生成もあって、工業的製造法としては問題が
多く、効率のよい製造法の出現が強く望まnていた。本
発明者らは、このような従来のビアリール体(2)の製
造法の欠点を改良すべく鋭意研究を行(・本発flAK
至った。
本発明は・全く新しい発想に基づくもので、その概要を
模式的に表示すると次式のようになる。
(21 (式中Xはハロゲン;Rnは置換基;Lnは配位子)ア
リールハライドと0価又Vi2価のパラジウム化合物か
ら生じるアリールパラジウム錯体(5)は通常求核剤を
作用させると置換生成物と同時にパラジウム化合物が再
生される。本発明者らは、この核剤にかえて電子(+e
−)を作用させて同じようなパラジウム化合物の循環が
できれば、活性な反応様(例えば反応式1中アリールラ
ジカル(4))が発生し、このものが新しいアリール−
アリールカフプリング反応7行うものと考え。
パラジウム化合物存在下てハロベンゼンの電解還元を詳
細に検討した結果、期待通りの反応が進行する条件を究
明することに成功した。
反応に供する一般式(1)で表わされる置換又は未置換
ハロベンゼンのXで示されるハロゲン原子としては臭素
及び沃素が好ましい。置換基RIR% Rs R3R5
さしては水素又はメチル基、エチル基、イソプロピル基
、イソプロペニル基、第三級ブチル基、ヘキシル基等の
炭素数1〜6の低級アルキル基の他、メトキシ基、エト
キシ基、インプロポキシ基、第三級ブトキシ基等のアル
コキシ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブ
チルアミノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基等のジアル
キルアミノ基、ギ酸アミド基、アセトアミド基、グロピ
オアミド基等のアミド基、フェノキシ基、P−メトキシ
フェノキシ基、P−メチルフェノキシ基等の置換もしく
は未置換の2エノキシ基などが例示できるが5とnらの
基の中で同種もしくは2種以上の異なった基がそれぞn
選ばする。又、R1とR2又はR2とR3は、不飽和結
合及び/又はヘテロ原子を含む炭素鎖で結ばれた環をな
くしてもよ(・。具体例とじ工tl、1−フロモナンタ
レン、1−ブロモ−2−メトキシナフタレン、2−ヨー
ドナフタレン、1−ブロモアントラセン% 1−ブロモ
ー5.6.7゜8−テトラヒドロナフタレン、N−7セ
テルー5−ブロモインドール等が挙げろnる。しかし。
R1又はR’4C,第三級ブチル基等のかさ高い基が置
換すると目的のビアリール体(2)の収率は著しく低く
、好ましくない。又、ニトロ基やカルボキシル基等の強
い電子吸引性基も不適当である。
本発明、の電解還元反応Vi、陽極室とをイオン又換膜
やガラスフィルター等の隔膜で分離した通常用いらIL
る分離型反応器を用いて行われるのが好ましい。電極の
材料VCは、各種の導電材料を用いることが可能である
が、陰極材料としては鉛板が経済的かつ効率面でも優n
て(・る。上記の電極を設置した反応容器に、mk、及
び支持電解質が加えられる。
溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド等のアミド類、ジオキサン、ジエチルエーテル、
1.2−ジメトキシエタン。
テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸エチル、ギ酸
エチル、ギ酸メチル等のエステル類、ジクロルメタン、
1,2−ジクロルエタン、1.1−ジクロルエタン等の
ハロゲン化炭化水素5ベンゼン、トルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素、7セトニトリル、ブチロニトリル等
のニトリル類、ヘキサホスホンアミド等の非プロトン性
極性溶媒から選ばれる1凍く、しくに2凍以上ノ混合溶
媒が用いられるが、ジメチルホルムアミドを単独もしく
は主溶媒とする混合溶媒が好複しい。
支持電解質として、ハロゲン塩や過塩素酸塩スルホン酸
塩などが溶剤に対する濃度として、1〜60%(重量%
以下同じ)、好ましくは3〜10%加えられる。添加す
る支持塩の具体例としてはテトラエチルアンモニウムヨ
ージド。
テトラメメチルアンモニウムプロミド、テトラエ°チル
アンモニウム過塩素酸、テトラエチルアンモニウムパラ
トルエンスルホンW/、fトラブチルアンモニウムパラ
トルエンスルホン酸等の第4級アンモニウム塩、リチウ
ムヨーシト、カリウムプロミド、過塩素酸リチウム、過
塩素酸ナト、リウム、パラトルエンスルホン酸ナトリウ
ム等のアルカリ金属塩等が挙げられる。
上記支持電解質を溶かした有機溶媒は、あらかじめ窒素
ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを通気して、酸素を
除去しておくことが好ましい。これは、酸素がパラジウ
ム錯体と反応して目的の反応の収率を低下させるのを防
ぐためである。
次に、陰極室にハロベンゼン(1〕と0価又は2価パラ
ジウム触媒を加える。ハロベンゼン(1)の濃度は用い
る溶媒に対する溶解度により一定しないが5通常1〜2
0%、5〜10%の濃度が好ましい。0価又は2価パラ
ジウム化合物は基質ノハロベンゼン(1)K対して0.
3〜100モル%の割合で添加され、好ましい傍加童は
、基質の構造や電解条件により異なるが1通常0.5〜
10モル%の範囲で添加さnる。添加さnるパラジウム
化合物は、ハロベンゼン(1)と反応してアリールパラ
ジウム錯体を与えるもので6nば特に限定はなく、通常
用いらnる0価及び2価のパラジウム化合物が用いらn
る。具体的vcl−jテトラキストリフェニルホスフィ
ンパラジウム(0価)、ビストリンエニルホスフインパ
ラジウム(2価)、クロリド等のホスフィンをリガンド
とするパラジウム化合物などが例示できる。
次に液を攪拌しながら室温下、定電流の電流を流し電解
反応を行う。温度は室温でよいが。
液の溶解度、反応速度を調部するため、適宜調整してよ
い。電流密度は出発?l’Jl[の種類、支持塩、溶剤
5反応槽の型状等によって異なるが。
1mA/aI11〜500mA/allIの範囲、好ま
しくハ3IIIA/ on’〜200 m^/an’の
範囲で適宜調整さnる。
通常、電流密度は一定に保って電解さnるが、反応途中
上記範囲で変化させてもよい。端子電圧仁採用さnる電
解条件により一定しな(・が。
通常2〜50Vの範囲で変化する。出発物質のハロベン
ゼン誘導体がほぼ完全に消費した時点で通電を止めるが
1通電電気量は5用(・たハロベンゼン(1)1モルに
つき1〜10 F、 通常U2〜5Fの範囲でおる。反
応生成物は、陰極室の反応液な取り出し常法に従っ工処
理すると目的のビアリール体が得らnる。生成物線蒸留
、カラムクロマトあるいけ再結晶等の方法で精製できる
。本発明の方法により、高温・高圧を必要としない安価
・安全な方法でビアリール体を製造することができる。
本発明の方法により、高温、高圧を必要としない安価、
安全な方法で、ビアリール体をa造することができる。
実施例1 陰極に鉛板(2,0CfflX 2.Ocm )、陽極
に白金板(1,5cmx 2.Ocm )をとりつけた
容@50ccの陽陰極室をガラスフィルターで分離した
反応槽を準備する。こnVCテトラエテルアンモニウム
パラトルエンスルホン酸s OoIDg、 及ヒシメチ
ルホルムアミド11CCを両極室に均等に加え。
アルゴンガスな30分通し脱酸素を行う。このf、陰f
fl室1cP−t−ブチルヨードベンゼン73■(02
8血胎)とPd (PPhs)454■(10Mo1%
)を加えた。反応温度20℃、電流を10a+AJC一
定に保って2.5時間通電した。
この間端子電圧は9〜12Vに変わり、全通電電気量は
五5F/ma7iに相当する。
電解の後、陰極室の反応物は常法通り処理したのち、シ
リカゲルカラムクロマトでヘキサン−酢酸エチル(20
/1)の混合溶媒で展開して精製すると4.4′−ジ−
t−ブチルビフェニルが36.6■(収率98%)得ら
nた。このビフェニルのIHN M Rの値は次の通り
であった。
’HNMR(CDCl2) δ1.31 (18H,S
)7〜7.4 (8H,、m) 実施例2 実施例1において、パラジウム触媒としてPdCJz(
PPhs)zを用いて5.3F/rnaAの電気量を通
電した以外は、全く同様に反応させ4.4’−一ジー【
−ブチルビフェニルを収率97%で得た。
実施例3〜8 表1に示す電解条件以外は全て実施例1と同様の方法で
行つた。
a)ジメチルホルムアミド b)アセトニトリル C)テトラヒドロフラン d) テトラエチルアンモニウムパラトルエンスルホン
酸 *軸側9〜14 表2に示したハロゲンゼン訪導体を表2V?−示す骨性
以外は実施例1に示した方法で電解還元を行って相当す
るビアリル体を得た。
く宍2〉 手 続 主甫 ヱ巳 書彷式) %式% 1、事件の表示 昭和59年特許願第112072号 車“2、発明の名
称 ビアリール体の製造法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号名称(445
)日立化成工業株式会社 代表者横山亮次 4、代理人 ■160 居所 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号日立化成工業
株式会社内 昭和59年9月25日(発送日) 6 補正の対象 明細書の全文。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 に4 (式中、Xはハロゲンを示す。2% RS )j!、R
    4,R5は水素、炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐の低
    級アルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基。 アミド基、又は置換基を有することのあるフェニルオキ
    シ基の中から選ばれる同種もしくは異種の基を示し、R
    1とR2もしくはR2とR3は不飽和結合及び/又はへ
    テロ原子を含むことのある炭素鎖で環をなしてもよい。 ) で示さnる置換もしくは未置換のハロベンゼンな、0価
    又は2価のパラジウム化合物ケ含む有機溶媒中電解還元
    を行って、一般式 (式中、R:冑R? Re R6は前記に同じ。)で表
    されるビアリール体を得る、ビアリール体の製造法。
JP59112072A 1984-05-31 1984-05-31 ビアリ−ル体の製造法 Pending JPS60255988A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013528703A (ja) * 2010-04-23 2013-07-11 セラマテック インコーポレイテッド アリールアルキル界面活性剤前駆体の電気化学合成

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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