JPS60260057A

JPS60260057A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS60260057A
Application number: JP59115748A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Masahiro Kanai; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-06-06
Filing date: 1984-06-06
Publication date: 1985-12-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材をしては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６〜
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、感光層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、その
高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される１
０νΩｃｍ以上の暗抵抗の確保するには、水素原子やハ
ロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の
量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必要
性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必要
がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの
制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以−Ｌの層構成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８
１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報に
記載されである様に光受容層を支持体と感光層の間、又
は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構造と
したりして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提
案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理の容
易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に向け
ての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の夫々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現わ、れ、画像不良の要因となる、
殊に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画
像の見悪くさは顕著となる。　まして、使用する半導体
レーザー光の波長領域が長波長になるにつれ感光層に於
ける該レーザー光の吸収が減少してくるので前記の干渉
現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉ０と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入厚差で不
均一であると、反射光Ｒ，，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ入（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄの条件のどちらに合
うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変化
を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００人〜±１００００人の凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が現存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｉ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
感光層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−３
ｔ系感光層形成の際のプリズマによってダメージを受け
て、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のＡ−Ｓｔ系感光層の形成に悪影響を与
えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して透過光Ｉ、となる。透過光１
１は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光に２．に２　、に３・・−・となり、残
りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出射光
Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ。

と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２、第２層での反射光ＲＩ＋支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止すること
は不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５Ｃ）２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ、＝ｍ入また
は２ｎｄＩ＝（ｍ＋展）λが成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｄＩ　
＋　ｄ２　＋　ｄ３　＋　ｄ４の夫々−性があるため明
暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は、画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの目的は、電子写真法を利用するデジ
タル画像記録、取分け、ハーフトーン情報を有するデジ
タル画像記録が鮮明に且つ高解像度、高品質で行える光
受容部材を提供することでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
受容部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における光反射
を低減し、入射光を効率よく利用できる光受容部材を提
供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と；シリコン原子を含
む非晶質材料からなり少なくとも一部の層領域が感光性
を有する層と１反射防止機能を有する表面層とからなる
光受容層と；を有する光受容部材であって、前記少なく
とも一部の層領域が感光性を有する層は、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選択される少なくとも一種
を層厚方向には不均一な分布状態で含有する事を特徴と
している。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状
を有する支持体（下図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿
って、１つ以上の感光層を有する多層構成の光受容層は
、第６図（Ａ）に拡大して示されるように、第２層６０
２の層厚ｄ５からｄらと連続的に変化している為に、界
面６０３と界面６０４とは互いに傾向きを有している。

従って、この微小部分（ショートレンジ）文に入射した
可干渉性光は、該微小部公文に於て干渉を起し、微小な
干渉縞模様を生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ＞に示す様に入射光ＩＯにする反
射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合ｒ　（Ｂ）Ｊよりも非平行な場合ｒ　
（Ａ）　Ｊ〜は干渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視
し得る程度に小さくなる。その結果、微小部分の入射光
量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一　（ｄ７−ｄ８）でも同様に伝える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
（Ｄ）’Ｊ参照）また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

その上、微小部分内の各層界面は、一種のスリットとし
て働き、そこで回折現像を生じる。

そのため各層での干渉は、層厚の差による干渉と層界面
の回折による干渉との積として効果が現われる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は何等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、文≦Ｌであ
る。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　ｄ６）は、照射光の波長
を入とすると、であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層。

電気絶縁性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発
明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層厚を
光学的レベルで正確に制御できることからプリズマ気相
法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用され
る。

本発明の目的を達するための支持体の加工方法としては
、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸着
、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの機
械的方法などが利用できる。しかし、生産管理を容易に
行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいもの
である。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした鎖線構造を有する。突起部の鎖線構造は、
二重、正型の多重螺線構造、又は交叉端線構造とされて
も差支えない。

或いは、鎖線構造に加えて中心軸に沿った遅線描造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、−次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい。又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数衣す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい。しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を効果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１には感光層を構成するＡ−３ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、Ａ−３ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

−上記した層堆積−Ｌの問題点、電子写真法のプロセス
上の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結
果、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　
ｐＬｍ−０、３７ｚｍ、より好ましくは２００ｐＬｍ−
１ｐＬｍ、最適には５０　ｐ、、　ｍ　〜５　ＩＬｍで
あるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．ＩＪＬｍ−５ｐ
−ｍ、より好ましくは０．３ｐＬｍ〜３ＩＬｍ、最適に
は０．６ｇｍ〜２ル単とされるのが望ましい。支持体表
面の凹部のピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、
四部（又は線状突起部）の傾斜面の傾きは、好ましくは
１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度、最適には
４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層圧の不均一
に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０．
１７ｚｍ〜２ｇｍ、より好ましくは０．１ｇｍ　〜１．
５ｐＬｍ、最適には０．２ｐｍ〜ｌｐｍとされるのが望
ましい。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第１０図に示される光受容部材１ｏｏｏは、本発明の目
的を達成する様に表面切削加工された支持体１００１上
に、光受容層１００２を有し、該光受容層１００２は支
持体１００１側より電荷注入防止層１００３．感光層１
０．０４　、表面層１００５で構成されている。

支持体１００１としては、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、
ステ７レス、ａｔ　、Ｃｒ　、Ｍｏ　。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩″′ビニリデン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側の
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｉＣｒ　。

Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ２，５ｎ０２　。

Ｉ　Ｔｏ　（Ｉ　ｎ２０３　＋Ｓ　ｎ０２　）等から成
る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或いは
ホ＋）　ｘ　；＜　フルフィルム等の合成樹脂フィルム
であればＮｉＣｒ、ＡＩ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
、等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は、前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
任意の形状として得、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば、第１θ図の光受容部材ｔｏｏｏを電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。支持体の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される
様に適宜決定されるが、光受容部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が十分発揮される
範囲内であれば可能な限り薄くされる。しかしながら、
この様な場合、支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、好ましくは１０ｐ以上とされる。

電荷注入防止層１００３は、感光層１００４への支持体
１００１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化
を計る目的で設けられる。

電荷注入防止層１００３は、水素原子又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｔ（以後ｒＡ−３ｉ　（
Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性を支
配する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層１００３に含有される伝導性を支配する
物質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不
純物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対し
て、ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導性を
与えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には、
ｐ型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第■
族原子）例えばＢ（硼素）　、ＡＩ　（アルミニウム）
　、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、ＴＩ（タ
リウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、Ｇ
ａである。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に含有される伝
導性を支配する物質（Ｃ）の含有量は、要求される電荷
注入防止特性、或いは該電荷注入防止層１００３が支持
体１００１上に直に接触して設けられる場合には、該支
持体１ｏｏｉとの接触界面に於ける特性との関係等、有
機的関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前
記電荷注入防止層に直に接触して設けられる他に層領域
の特性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
制御する物質の含有量としては、好適には、０．００１
−５ＸＩＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には０．５
〜ｌＸｌ０”　ａｔ　ｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１〜
５Ｘ１０’　ａｔｏｍｉＣ，ｐｐｍとされるのが望まし
い。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３に於ける物質（
Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上、より好適には５０ａｔ　。

ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌ　ＯＱ　ａ　ｔ’　ｏ
　ｍ　ｉＣｐｐｍ以上とすることによって、例えば含有
させる物質ＣＣ）が前記のｐ型不純物の場合には光受容
層の自由表面がΦ極性に帯電処理を受けた際に支持体側
から感光層中へ注入される電子の移動を、より効果的に
阻止することが出来、又、前記含有させる物質（Ｃ）が
前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由表面がｅ
極性に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注
入される正孔の移動を、より効果的に阻止することが出
来る。

電荷注入防止層１００３の層厚は、好ましくは３０人〜
１０μ、より好適には４０人〜８ル、最適には５０人〜
５終とされるのが望ましい。

感光層１００４は、Ａ−Ｓ　ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成さ
れ、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生す
る電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両
者を有する。

感光層１００４は層厚としては、好ましくは、１〜１０
０　ｐ、　ｍ　、より好ましくは１〜８０ｐｍ。

最適には２〜５０ｐＬｍとされるのが望ましい。

感光層１００４には、電荷注入防止層１００３に含有さ
れる伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層１０
０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量として
含有させても良い。

この様な場合、前記感光層１００４中に含有される前記
伝導特性を支配する物質の含有量としては、電荷注入防
止層１００３に含有される前記物質の極性や含有量に応
じて所望に従って適宜決定されるものであるが、好まし
くは０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より
好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適
には０．１〜２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが
望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４に同種の伝導性を支配する物質を″含有させる場合
には、感光層１００４に於ける含有量としては、好まし
くは３０　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於て、電荷注入防止層１００３及び感光層１０
０４中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原
子（Ｘ）の量又１１水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ）は好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、よ
り好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望まし
い。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、Ｃ１が好ましいものと
して挙げられる、。

第１θ図に示す光受容部材に於ては、電荷柱入防止層１
００３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁
層を設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層
１００３とを併用しても笠支えない。

障壁層形成材料としては、Ａ交２０３．ＳｉＯ２＋　Ｓ
　ｉ３　Ｎ４等の無機電気絶縁材料やポリカーボネート
等の有機電気絶縁材料を挙げることができる。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持と体光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層中には、酸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選択される少なくとも一種の原子が層厚方向には不均一
な分布状態で含有される。少なくとも一部の層領域が感
光性を有する層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＮ）
は、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の全層
領域に含有されても良いし、或いは、光受容層の一部の
層領域のみに含有させることで偏在させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＱＣＮ）が４
光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる原子（ＯＣＮ）の含有されている層
領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的
とする場合には、光受容層の全層領域を占める様に設け
られ、支持体と受容層との間の密着性の強化を図るのを
主たる目的とする場合には、少なくとも一部の層領域が
感光性を有する層の支持体側端部領域を占める様に設け
られる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に設けられる層領域（ＯＣＮ）に含有される原子
（ＯＣＮ）の含有量は、層領域（ＯＣＮ）自体に要求さ
れる特性、或いは該層領域（ＯＣＮ）が支持体に直に接
触し、て設けられる場合には、該支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選
択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の量は
、形成される光費塾部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜状められるが、好ましくは、０．００１〜
５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．００２〜４
０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％最適には、０．００３〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が少なくとも一部の
層領域が感光性を有する層の全域を占めるか、或いは、
少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の全域を占
めなくとも、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯの光受容層の
層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣ
Ｎ）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前
記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚ＴＯが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３’Ｏａｔｏｍｉ
ｃ％以下、より好ましくは２０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　
ｃ％以下、最適にはｌＯａｔｏｍｉｃ％以下とされるの
が望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
障壁層には、少なくとも含有されるのが望ましい。詰り
、少なくとも一部の層領域が感光性を有する層の支持体
側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させることで、支
持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出来
る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、　素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、感光層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、少なくとも一部の層領
域が感光性を有する層中に複数種含有させても良い。即
ち、例えば、電荷注入防止層中には、酸素原子を含有さ
せ、感光層中には、窒素原子を含有させたり、或いは、
同一層領域中に例えば酸素原子と窒素原子とを共存させ
る形で含有させても良い。

第１７図乃至第２５図には、本発明における光受容部材
の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第１７図乃至第２５図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層領域（ＯＣＮ）の層厚を示
し、ｔ８　は支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置
を、ｔＴ　は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の
端面の位置を示す。

即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＱＣＮ）は
ｔＢ　側よりｔＴ側に向って層形成がなされる。

第１７図には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１７図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（ＯＣ
Ｎ）の表面とが接する界面位置ｔｅ　よりｔｌ　の位置
までは、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１　なる一定
の値を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（Ｏ
ＣＮ）に含有され、位置ｔｔ　よりは濃度Ｃ，Ｌより界
面位置を丁　に至るまで徐々に連続的に減少されている
。界面位置ｔｌ　においては原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃは濃度Ｃとされる。

第１８図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置Ｔ８　より位置ｔ７に至るま
で濃度Ｃ十から徐々に連続的に減少して位置１Ｔ　にお
いて濃度Ｃｒ；　どなる様な分布状態を形成している。

第１９Ｕｉ！Ｊの場合には、位置ｔＢ　より位置ｔえ　
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値
とされ、位置ｔ２　と位置ｔｌ　との間において、徐々
に連続的に減少され、位置ｔＴ　に　おいて、分布濃度
Ｃは実質的に零とされている（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。

第２０図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ＴＢ　より位置を丁　に至るまで、濃度Ｃｇ　より連
続的に徐々に減少され、位置を丁　において、実質的に
零とされている。

第２１図に示す零においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置ＴＢ　と位置ｔ３　間においては、濃度Ｃｑ
　と一定値であり、位置を丁　においては濃度ＣＩＯと
される。位置ｔ　と位置を丁　との間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔａ　より位置ｔ　に至るまで減少
されている。

第２２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
８　より位置ｔ＋までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位
置し４　より位置ｔ工までは濃度Ｃ１、より濃度Ｃ＋３
までは一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２３図に示す例においては、位置ｔＢ　より位置を丁
　に至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１
＋より実質的に零に至る様に一次関数的に減少している
。

第２４図においては、位置ｔ　より位置ｔ５　に至るま
では原子（ＯＣＮ）の分布一度Ｃは、濃度Ｃ１９よりＣ
ｌ３　まで−次間数的に減少され、位置ｔ５　と位置１
丁　との間においては、濃度Ｃ，６の一定値とされた例
が示されている。

第２５図に示される例においては、原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔＢ　においては濃度Ｃ＋＋Ｉであり
、位置ｔ４　に至るまではこの濃度Ｃより初めは緩やか
に減少され、を乙　の位置付近においては、急激に減少
されて位置ｔ、では濃度ｃ、εとされる。

位置ｔ６　と位置ｔｒ７　との間においては、初め急激
に減少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位
置ｔｒｌ　で濃度ＣＩ＋１となり、位置ｔ７　と位置ｔ
ｇとの間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置
１ｇ　において、濃度ＣＺＯに至る。位置ｔδ　と位置
時　の間においては、濃度Ｃ□。より実質的に零になる
様に図に示す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第１７図乃至第２５図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方行の分布状態の
典型例の幾くっかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔ　側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成り低くされた部分を有する原子（
ＯＣＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に設けられてい
る。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域ＣＢ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢ　より５用以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂ　より５用までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかが、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜決められる。

局材領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（ＯＣＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｒａａｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上１　より好適には８００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上、最適には１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＯＣＮ）は、支持体側からの層厚で５ｗ以内（
１８から５にの層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｒ１ａ
ｘが存在する様に形成されるのの一部の層領域を占める
様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ）と他の層領域
との界面において、屈折率が緩やかに変化する様に、原
子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態を形成するのが望ま
しい。

この様にすることで、光受容層に大洲される光が層接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、層領埠（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩壺かに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば、第１７図乃至第２０図、第２３図
及び第２５図に示される分布状態となる様に、原子（Ｏ
ＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明において、水素原子又は／及びハロゲン原子を含
有するＡ−Ｓ　ｉ　（ｒＡ−３ｉ　（Ｈ。

Ｘ）Ｊ　と記す）で構成される感光層を形成するには例
えばグロー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブ
レーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
って成される。例えば、グロー放電法によって、ａ−３
ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層を形成するには、基本
的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原
料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ−５ｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッ
タリング法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の
不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットを使用して、必
要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
スパッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラ
ズマ雰囲気を形成して前記のターゲットをスパッタリン
グしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛
ｅ１蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる
以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行う
ことが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ｉＨｙ、５ｉｚＨ６，Ｓ　ｉ、３
　Ｈｌ　、　Ｓ　ｉφ　Ｈ１２等のガス状態の又はガス
化し得る水素化　素（シラン類）が有効に使用されるも
のとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、
Ｓｔ供給効率の良さ等の点で５ｉＨｐ　、Ｓｉ２Ｈ４、
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化ホウ素化合物も有効なものとして本発明にお
いては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノーロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ、Ｃ文Ｆ、ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　、
ＢｒＦ３　、ＩＦ３　、ＩＦ７＋　ＩＣＭ、ＩＢｒ等の
／＼ロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含むホウ素化合物、所謂、ｌ＼ロゲン原
子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例え
ばＳ　ｉ　Ｂ４　、　Ｓ　ｉ２　Ｂ６　、　Ｓ　ｉ　０
文。、、ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましｌ／）
ものとして挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素化
ホウ素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲ
ン原子を含むａ−３ｉから成る感光層を形成する事が出
来る。

グロー放電法に従って、／＼ロゲン原子を含む感光層を
作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の原料ガ
スとなるハロゲン化硅素とΔｒ。

１（２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量にな
る様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放
電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成する
ことによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るも
のであるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原
子を含むホウ素化合物のガスも所望量混合して層形成し
ても良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比
で複数種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むホ
ウ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。又、水素原
子を導入する場合は、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、Ｂ２、或いは前記したシラン類のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ、ＨＣＭ、ＨＢｒ、ＨＩ等ノハロゲン化水素
、ＳｉＨ２Ｆ２゜ＳｉＨ２Ｉ　、ＳｉＨ２０文２．５ｉ
ＨＣ交３　。

５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化ホウ素等のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含むハロ
ゲン化物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子を導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防止層又は感光層中に、伝
導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或い
は第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の際
に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入
用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成す
る為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この様
な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとしては
、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で
容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。そ
の様な第■族原子導入の出発物質として具体的には硼素
原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４　Ｈｌｏ　、　Ｂ
５　Ｂ５　、　Ｂ５　Ｈｔｌ　、　Ｂ６　Ｈｌ。

＋　Ｂ６　ＨＩＬ、　１３６　Ｈ１ψ等の水素化硼素、
ＢＦ３゜ＨＣＭ３　、ＢＢ　ｒ３等のハロゲン化ホウ素
等が挙げられる。この他、Ａ文Ｃ文３　、Ｇａ０文、、
Ｇａ　（Ｃ）（３）　３　、　Ｉ　ｎｃＪ１３　、　Ｔ
ＪｌｊＣＪ１３等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４１、ＰＦ３　、ＰＦ５　
、ＰＣｌ３　、ＰＣｌ５　、ＰＢ　ｒ３　、　Ｐ　Ｂ　
ｒ　５　、　Ｐ　Ｉ　３等のハロゲン合溝が挙げられる
。この他ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　、Ａｓ００文。

、ＡＳＢｒ３　、ＡｓＦ５　、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．。

Ｓ　ｂＦ５　、Ｓ　ｂｃｕ３　＋　５ｂＣｓＬ５　ｒ　
Ｂ　ｉＨ３５ＢｉＣ文３．Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る
本発明に於いて、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層に原子（ＯＣＮ）の含有された層領域（ＯＣＮ）
を設けるには、少なくとも一部の層領域が感光性を有す
る層の形成の際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前
記した光受容層形成−用の出発物質と共に使用して、形
成される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い
。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（’０２）、、オゾン（０３）
、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸
化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸
化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素（Ｎ２’Ｏ３）、三
酸化窒素（ＮＯ３）シリコン原子（Ｓ　ｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサン（Ｈ３５ｉＯＳｉＨ３）、）ジシロキサン
（Ｈ３Ｓ　ｉＯＳ　ｉ　Ｈ２０Ｓ　ｉ　Ｈ３）等の低級
シロキサン、メタン（ＣＨ４）、エタン（ＣＺＨ＆）、
プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（ｎ−Ｃｏ　Ｈ１）
　＋ペンタン（ＣｓＨｔ）等の炭素数１〜５の飽和炭化
水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）
、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、
インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（ＣｓＨｌｏ）等
の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセチレン（Ｃ
２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ
４Ｈ＆）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素、窒
素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、、ヒドラジン（Ｈ
２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３　Ｎ）　３．アジ化
アンモニウム（Ｎ　Ｈ４Ｈ５）’　＋三弗化窒素（’Ｆ
ａＮ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等々を挙げることが出
来る。スパッタリング法の場合には、原子（ｏｃＮ）導
入用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した
前記のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質と
して、５ｉ０２．Ｓｉ３Ｎ４、カーボンブラック等を挙
げることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共
にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用され
る。

本発明において、少なくとも一部の層領域が感光性を有
する層の形成の際に、原子（ＯＣＮ）の含有される層領
域（ＯＣＮ）を設ける場合、該層領域（ＯＣＮ）に含有
される原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃを層厚方向に変化さ
せて所望の層厚方向の分布状ｆｉ（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏ
ｆｉｌｅ）を有する層領域（ＯＣＮ）を形成するには、
グロー放電の場合には、分布濃度Ｃを変化させるべき原
子（ＯＣＮ）導入用の出発物質のガスを、そのガス流量
を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚方
向で変化させて、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の所望の分
布状態（ｄｅｐｆｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには
、第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。第二にはスパッタリング用のタ
ーゲットを、例えばＳｉとＳ　ｉ　Ｏｘ　との混合され
たターゲットを使用するのであれば、ＳｉとＳ　ｉ　Ｏ
ｚ　との混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め
変化させておくこおによって成される。

反射防止機能を持つ表面層１００５の厚さは、次のよう
に決定される。

表面層の材料の屈折率をｎとし、照射光の波長をλとす
ると、反射防止機能を持つ表面層の厚さｄは、入ｄ＝　−ｍ　（ｍは奇数）　ｎが好ましいものである。

また、表面層１００５の材料としては、表面層を堆積す
る感光層の屈折率をｎａとすると、ｎ＝　４の屈折率を有する材料が最適である。

この様な光学的条件を加味すれば、反射防止層の層厚は
、露光光の波長が近赤外から可視光の波長域にあるもの
として、０．０５〜２ｇｍとされるのが好適である。

本発明に於いて、反射防止機能を持つ表面層１００５の
材料として有効に使用されるものとしては、例えば、Ｍ
ｇ　Ｆ２　、　Ａ　１２０３　、　Ｚ　ｒ　０２　。

ＴｉＯ２ＺｎＳ、ＣｅＯ２、ＣｅＦ２　．５ｉ０２、Ｓ
　ｉ　Ｏ、Ｔ　ａ　２　０　ｒ、＋　Ａ　ｎ　Ｆ　３　
、Ｎ　ａ　Ｆ　。

Ｓｉ３Ｎ４等の無機弗化物、無機酸化物や無機窒化物、
或いは、ポリ塩化ビニル、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂、弗化ビニリデン、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、酢酸セルロース等の有機化合物が挙げ
られる。

これらの材料は、本発明の目的をより効果的且つ容易に
達成する為に、層厚を光学的レベルで正確に制御できる
ことから、蒸着法、スパッタリング法、プラズマ気相法
ＣＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、塗布法が採
用される。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１本実施例ではスポット系８０ｐＬｍ、の半導体レー、ザ
ー（波長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−Ｓｉ
、：Ｈを堆積させる円筒状のＡＭ支持体（長さくＬ）　
３５７ｍｍ　、径（ｒ）８０ｍｍ）上に旋盤で螺線状の
溝を作成した。このときの溝の断面形状を第１１図（Ｂ
）に示す。

このＡｎ支持体上に第１２図の装置で電荷注入防止層、
感光層、を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１２０１は高周波電源、１
２０２はマツチングボックス、１２０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１２０４はＡ文支特
体回転用モータ、１２０５はＡＭ支持体、１２−０６は
Ａｎ支持体加熱用ヒータ、１２０７はガス導入管、１２
０８は高周波導入用カソード電極、１２０９はシールド
板、１２１０はヒータ用電源、１２２１〜１２２５゜１
２４１〜１２４５はバルブ、１２３１　Ｎ１２３５はマ
スフロコントローラー、１２５１〜１２５５はレギュレ
ーター、１２６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１２６２はシ
ラン（ＳｉＨ４）ボンベ、１２６３はジポラン（Ｂ２Ｈ
６）ボンベ、１２６４は酸化窒素（Ｎｏ）ボンベ、１２
’６５１ｉメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１２６１〜１２６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１２０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１Ｏ−７Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時に
１２０６のヒータにより１２０５のＡＭ支持体を２５０
　”Ｏまで加熱し２５０°Ｃで一定に保った。１２０５
のＡｎ支持体の温度が２５０℃で一定になった後１２２
１〜１２２５．１２４１〜１２４５．１２５１〜１２５
５のノ短しブを閉じ、１２６１−１２６５のボンベの元
栓を開け、１２０３の拡散ポンプをメカニカルブースタ
ーポンプに代えた。１２５１〜１２５５のレギュレータ
ー付き／くルプの二次圧を１゜５Ｋｇ／ｃｒｎ’に設定
した。１２３１のマスフロコントローラーを３００３Ｃ
ＣＭに設定し、１２４１のバルブと１２２１のバルブを
順に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１２６１の５ｉＨａガスを１２３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０　Ｓ　ＣＣＭＩコ設定して、
Ｈ２ガスの導入と同様の操作で５ｉＨａガスを堆積装置
に導入した。次に１２６３のＢ２Ｈ６ガス流量を５ｉＨ
ａガス流量に対して、１６００Ｖｏｌ　ｐＰｍになるよ
うに１２３３のマスフローコントロラ−を設定して、Ｈ
２ガスの導入と同様な操作でＢ　２　Ｈ６ガスを堆積装
置内に導入した。

次に１２６４のＮｏガス流量をＳ　ｉ　Ｈａガス流量に
対して、３．４　Ｖｏ１％になるように１２３４のマス
フローコントロラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様
な操作でＮｏガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１２０１の高周波電源のスイッチを入れ１２０２のマ
ツチングボックスを調節して、１２０５のＡｎ支持体と
１２０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、高
周波電力を１６０ｗとし５ｐＬｍ厚でＡ−３ｉ：Ｈ：Ｂ
：０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−３ｉ：Ｈ層となる。）
を堆積した（電荷注入防止層）。この際、Ｎｏガス流量
をＳｉＨ４ガス流量に対して、第２３図に示す様に変化
させ、層形成終了時にはＮｏガス流量が零になるように
した。この様にして５ｇｍ厚のＡ−３ｉ：Ｈ：Ｂ：Ｏ（
Ｐ型）層を堆積したのち、放電を切らずに、１２２３及
び１２２４を閉めＢ２上、、’ＮＯの流入を止める。

そして高周波電力１５０Ｗで２０ｐｍ厚のＡ−５ｉ：Ｈ
層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）。その
後高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装置
を排気し、ＡＩＬ支持体の温度を室温まで下げて、感光
層まで形成した支持体を取り出した。

同様な方法で支持体上に感光層まで形成したものを、２
２本作製した。

次に、１２６１の水素（Ｈ２）ボンベをアルゴン（Ａ　
ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し、カソー
ド電極上に、第１表（条件Ｎｏ１Ｏ１）に示す表面層材
料を一面にはる。前記感光層まで形成したものの１本を
設置し、堆積装置内を、拡散ポンプで十分に減圧する。

その後、アルゴンガスを０．０１５Ｔｏｒｒまで導入し
、高周波電力１５０Ｗでグロー放電を起こし、表面材料
をスパッタリングして、前記支持体りに、第１表（条件
Ｎｏ１Ｏ１）の表面層を堆積した。（サンプルＮｏｔ　
Ｏｌ）同様に残りの２１本について、第１表（条件Ｎｏ
１０２〜１２２）の条件で表面層を堆積した。（サンプ
ル１ｌｋ１１０２〜１２２）これらは第１１図（Ｂ）、
（Ｃ）のように感光層の表面と支持体の表面とは非平行
であった。この場合Ａｎ支持体の中央と両端部とでの平
均層厚の層厚差は２１Ｌｍであった。

以上２２種類の電子写真用の光受容部材について、波長
７８０ｎｍの反導体レーザーをスポフト径８０ｇｍで第
１３図に示す装置で画像露光を行い、それを現像、転写
して画像を得た。

この場合、干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電
子写真特性を示すものが得られた。

実施例２シリンダー状Ａ文支持体２２木の表面を旋盤で、第１４
図のように加工した。

このシリンダー状Ａｎ支特体各々に実施例１と同様な条
件でＡ−３ｉ：Ｈの電子写真用光受容部材を作製した。

この電子写真用光受容部材を実施例１と同様に第１３図
の装置で画像露光を行い、現像、転写して画像を得た。

この場合の転写画像には、干渉縞はみられず実用上十分
な特性であった。

実施例３第１５図、第１６図に示す表面性のシリンター状ＡＭ支
持体上に、第２表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。

これら電子写真用光受容部材については、実施例工と同
様な画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して普通紙上に可視画像を得た。この様な画像
形成プロセスを１０万回連続繰返し行った。

この場合、得られた画像の総てに於て干渉縞は見られず
、実用に十分な特性であった。又、初期の画像と１０万
回目の画像の間には、何等差違はなく、高品質の画像で
あった。

実施例４第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状／ｌｌ
ｊ支持体上に、第３表に示す条件で電子写真用光受容部
材を形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、転
写、定着して、普通紙上に可視画像を得た。

この場合に得られた画像には、干渉縞は見られず、実用
に十分な特性であった。

実施例５第１５図、第１６に示す表面性のシリンダー状Ａ文支持
体上に、第４表に示す条件で電子写真用光受容部材を形
成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像、露光装置を用いて、画像露光を行い、現像、
転写、定着して普通紙上に可視画像を得た。

実施例６第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第５表に示す条件で電子写真用光受容部材を
形成した。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写、
定着して、普通紙上に可視画像を得た。

実施例７第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第６表に示す条件と第２６図に示すＮｏとＳ
ｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用光
受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件と
手順に従った。

実施。

第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａ５Ｌ
支持体上に、第７表に示す条件と第２７図に示すＮＯと
ＳｉＨ４のガス流量比の蕎化率曲線に従って電子写真用
光受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の″条
件と手順に従った。

これら電子写真用光受容部材について、実施例１と同様
な、画像露光を用いて、画像露光を行い、現像、転写、
定着して、普通紙−Ｌに可視画像を得た。

実施例９ｔＪｆｊｌｓ図、第１６図に示す表面性のシリンダー状
Ａ文支持体上に、第８表に示す条件と第２８図に示すＮ
ｏ、！：ＳｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電
子写真用光受容部材を形成した。その他は実施例１と同
様の条件と手順に従った。

実施例１０第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａ文支
持体上に、第９表に示す条件と第２９図に示すＮｏとＳ
ｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用光
受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件と
手順に従った。

実施例１１第１５図、第１６図に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支
持体上に、第１０表に示す条件と第３０図に示すＮｏと
ＳｉＨ４のガス流量比の変化率曲線に従って電子写真用
光受容部材を形成した。その他は実施例１と同様の条件
と手順に従った。

［発明の効果］以上、詳細に説明した様に、本発明によれば。

可干渉性単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容
易であり、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転
現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解消すること
ができ、更には光感度性、高ＳＮ比特性、及び支持体と
の間に良好な電気的接触性を有し、デジタル画像記録に
好適で、しかも表面における光反射を低減し、入射光を
効率よく利用できる光受容部材を提供することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの説明図である。第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ代表的な支持体の表面状
態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層構成の説明図である。第１２図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。第１３図は、実施例で使用した画像露光装置である。第１１図、第１４図、第１５図、第１６図は、実施例で
使用したＡｎ支持体の表面状態の説明図である。第１７図乃至第２５図は夫々層領域（ＯＣＮ）中の原子
（ＯＣＮ）の分布状態を説明する為の図、第２６図乃至
第３０図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の変
化率曲線を示す説明図である。１０００．１１００・・・・・・・・・光受容部材１０
０２゜１１０６・・・・・・・・・光受容層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・Ａｎ支持体１００３・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・電荷注入防止層１００４・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・感光層１
００５・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・表面層１３０１・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・電子写真用光受容部材１３０２・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レ
ーザー１３０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・ｆθレンズ１３０４・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ポリゴンミラー１３０５
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・露
光装置の平面図１３０６・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・露光装置の側面図笥　３　図ＩＩ４　図第　５　開第　６　閃（Ｄ）第　７１％ｊｌ（八）　ＣＢ）（Ｃ）ＩＦ？ ↑ イ肛　Ｘ１Ｋ　１３　図第　１４　ヅ＠１６　図（）Ｌ晶１−１１第　１７　図 − 第旧図第　１９　図第２０図一＠２１図し第２２図＠２３　図第　２４図し＠２５図第２６図１ガスシ１％Ｌ量比９２７　図刀“ス矢トしＩＩ　２８　面力”又１量比− 第２９因〃゛ス〉赴ｌ支Ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピ
ークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成
されている支持体と；シリコン原子を含む非晶質材料か
らなり少なくとも一部の層領域が感光性を有する層と、
反射防止機能を有する表面層とからなる光受容層と；を
有する光受容部材であって、前記少なくとも一部の層領
域が感光性を有する層は、酸素原子、炭素原子及び窒素
原子の中から選択される少なくとも一種を層厚方向には
不均一な分布状態で含有する事を特徴とする光受容部材
。
（２）　前記層領域が、光導電性を有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（３）　前記光受容層が多層構造を有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（４）　前記凸部が規則的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）　前記凸部が周期的に配列されている特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（６）　前記凸部の夫々は、−次近似的に同一形状を有
する特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（７）　前記凸部は、副ピークを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の光受容部材。
（８）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（９）　前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心に
して非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光
受容部材。
（１０）　前記凸部は、機械的加工によって形成された
特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。