JPS60262475A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
- Publication number
- JPS60262475A JPS60262475A JP59118425A JP11842584A JPS60262475A JP S60262475 A JPS60262475 A JP S60262475A JP 59118425 A JP59118425 A JP 59118425A JP 11842584 A JP11842584 A JP 11842584A JP S60262475 A JPS60262475 A JP S60262475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- frame
- receiving element
- electrode
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光素子と受光素子とを光軸結合して組合わせ
、入出力間を電気的には分離したまま信号のみを伝達す
るホトカプラに関するものである。
、入出力間を電気的には分離したまま信号のみを伝達す
るホトカプラに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のホトカプラはそのほとんどがリードフレームに発
光素子と受光素子とを対峙させて搭載したもので、その
外形はデュアルインラインパッケージを採用している。
光素子と受光素子とを対峙させて搭載したもので、その
外形はデュアルインラインパッケージを採用している。
しかしながら電子機器の小型化、高信頼化を進めるため
にはさらに小型、高信頼性かつ組立自動化に適したホト
カプラが必要となっている。
にはさらに小型、高信頼性かつ組立自動化に適したホト
カプラが必要となっている。
発明の目的
本発明は、小型化、冒信頼化はもとより、量産化および
組立て自動化にすぐれたホトカプラを提供するものであ
る。
組立て自動化にすぐれたホトカプラを提供するものであ
る。
発明の構成
この目的を達成するために本発明のホトカプラば、スル
ーホールにて電気的導通を持たせたボンディング用電極
および半田付は用電極を有する印刷配線基板と樹脂封止
用の枠型の絶縁基板とを多連状で積層したものにその枠
内部で前記印刷配線基板に発光素子および受光素子を組
み込み、光反射性物質で封止したものであり、これによ
り、外部リード構造の微小化と、素子自体の超小型化が
実現される。
ーホールにて電気的導通を持たせたボンディング用電極
および半田付は用電極を有する印刷配線基板と樹脂封止
用の枠型の絶縁基板とを多連状で積層したものにその枠
内部で前記印刷配線基板に発光素子および受光素子を組
み込み、光反射性物質で封止したものであり、これによ
り、外部リード構造の微小化と、素子自体の超小型化が
実現される。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
まず第１図は本発明の積層前の両糸板構造を示す展開図
である。第１図において、セラミック印刷配線基板１は
複数配線部２，３のそれぞれに、タングステンメタライ
ズのスルーホール電極４を形成したもので、これに枠型
のセラミック基板６を積層する。
である。第１図において、セラミック印刷配線基板１は
複数配線部２，３のそれぞれに、タングステンメタライ
ズのスルーホール電極４を形成したもので、これに枠型
のセラミック基板６を積層する。
次に、各配線部２，３およびスルーホール電極４に対し
ては、それぞれ、Ｎｉ またはＡｕまたはＡｑメッキを
施し、ボンディング可能な電極を形成した後、発光素子
６および受光素子７を光軸結合状態で、それぞれ、各配
線部上にダイスボンディングし、さらに、リード線結合
のだめのワイヤボンディングを行う。この状態での斜視
図を第２図に示す。
ては、それぞれ、Ｎｉ またはＡｕまたはＡｑメッキを
施し、ボンディング可能な電極を形成した後、発光素子
６および受光素子７を光軸結合状態で、それぞれ、各配
線部上にダイスボンディングし、さらに、リード線結合
のだめのワイヤボンディングを行う。この状態での斜視
図を第２図に示す。
さらに第３図は本発明の完成品を断面図で示すものであ
る。第３図において、ベースとなるセラミック印刷配線
基板１と枠型のセラミック基板６とで囲まれた枠内部の
部分には発光素子６．受光素子７およびこれらのボンデ
ィングワイヤを保護するための光透過性樹脂８を注入硬
化しており、その表面には光反射性物質９を設けて発′
ｙｔ、素子からの光が受光素子にむけて効率良く反射さ
れるようにする。さらに枠型のセラミック基板５の内面
にも光反射性物質を設けてその反射効率を高めてもよい
。またスルーホール４はボンディング用電極となる配線
部２と半田付は用電極となる裏面側配線部３とを導通さ
せるためのものである。
る。第３図において、ベースとなるセラミック印刷配線
基板１と枠型のセラミック基板６とで囲まれた枠内部の
部分には発光素子６．受光素子７およびこれらのボンデ
ィングワイヤを保護するための光透過性樹脂８を注入硬
化しており、その表面には光反射性物質９を設けて発′
ｙｔ、素子からの光が受光素子にむけて効率良く反射さ
れるようにする。さらに枠型のセラミック基板５の内面
にも光反射性物質を設けてその反射効率を高めてもよい
。またスルーホール４はボンディング用電極となる配線
部２と半田付は用電極となる裏面側配線部３とを導通さ
せるためのものである。
第４図は本発明の上記の光反射性物質９を設ける以前の
多連状態を示す図であり、また、この図中、１ｏは光反
射性物質９を設けた後のダイシングラインであり、この
ラインに沿って切断すれば、ホトカプラの単体が分離さ
れる。
多連状態を示す図であり、また、この図中、１ｏは光反
射性物質９を設けた後のダイシングラインであり、この
ラインに沿って切断すれば、ホトカプラの単体が分離さ
れる。
発明の効果
本発明によると、次のような効果をあげる。
（１）従来の外部リード（ピン）構造にくらべ、チップ
ボンド構造であシ、超小型が可能である。
ボンド構造であシ、超小型が可能である。
（２）一枚のシートに集積するため製造および検査ライ
ンが自動化可能であり量産性が高い。
ンが自動化可能であり量産性が高い。
（３）一枚のシートに集積するため品質が均一化され信
頼性が上がる。
頼性が上がる。
（４）従来のチップ部品と類似であシテーピング包装が
可能であるためユーザーでの組立作業が自動化できる。
可能であるためユーザーでの組立作業が自動化できる。
第１図は本発明実施例要部の積層前の両基板の構造展開
図、第２図は各素子の組み込み状態の斜視図、第３図は
本発明実施例完成品の断面図、第４図は多連シート状に
おける光透過性樹脂を注入硬化した状態での斜視図であ
る。 １・・・・・・セラミック印刷配線基板、２・・・・・
・ボンディング用電極配線部、計・・・・・半田付は用
電極配線部、４・・・・・・スルーホール電極、５・・
・・・・枠型セラミック基板、６・・・・・・発光素子
、７・・・・・・受光素子、８・・・・・・光通過性樹
脂、９・・・・・・光反射性物質。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図、第２図は各素子の組み込み状態の斜視図、第３図は
本発明実施例完成品の断面図、第４図は多連シート状に
おける光透過性樹脂を注入硬化した状態での斜視図であ
る。 １・・・・・・セラミック印刷配線基板、２・・・・・
・ボンディング用電極配線部、計・・・・・半田付は用
電極配線部、４・・・・・・スルーホール電極、５・・
・・・・枠型セラミック基板、６・・・・・・発光素子
、７・・・・・・受光素子、８・・・・・・光通過性樹
脂、９・・・・・・光反射性物質。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 印刷配線基板と枠型の絶縁基板とを積層し、この枠内部
の印刷配線基板上に発光素子および受光素子を互いに光
軸結合させて搭載したホトカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118425A JPS60262475A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118425A JPS60262475A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262475A true JPS60262475A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14736322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118425A Pending JPS60262475A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262475A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005502205A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-20 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装可能な光結合素子パッケージ |
| DE19733996B4 (de) * | 1997-08-06 | 2006-03-23 | Leuze Electronic Gmbh & Co Kg | Optoelektronischer Sensor |
| US7030359B2 (en) | 2002-03-07 | 2006-04-18 | CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH | Sensor detecting reflected light and method for its manufacture |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59118425A patent/JPS60262475A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19733996B4 (de) * | 1997-08-06 | 2006-03-23 | Leuze Electronic Gmbh & Co Kg | Optoelektronischer Sensor |
| JP2005502205A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-20 | フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション | 表面実装可能な光結合素子パッケージ |
| US7030359B2 (en) | 2002-03-07 | 2006-04-18 | CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH | Sensor detecting reflected light and method for its manufacture |
| DE10309747B4 (de) * | 2002-03-07 | 2011-11-24 | CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH | Auflichtsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
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