JPS6089828A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高密度記録特性の優れた垂直磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。

（従来例の構成とその問題点） 短波長記録特性の優れた方式として垂直記録方式が知ら
れている。これは媒体の膜面に垂直方向の残留磁化を利
用するものである。従ってこの方式においては、膜面の
略々垂直方向に残留磁化が残る垂直磁化膜が必要となる
。垂直磁化膜としては、ＣＯとＣｒを主成分とするいわ
ゆるＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜が優れた特性を有している
。Ｃｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜はスパッタリング法や真空蒸
着法（イオンシレーティング法のように蒸発原子の一部
をイオン化して膜を堆積する方法も含む。）により作製
されるが、特に後者の方法によれば非常に高い膜堆積速
度が達成出来、量産に適している。しかし以下に説明す
るように、実際に真空蒸着法によシＣｏ　−Ｃｒ垂直磁
化膜の作製を行なうと、種々の皺が発生するという問題
が生じた。皺が発生すると、磁気記録媒体として使用す
ることは不可能であり、何らかの解決策が必要である。

真空蒸着法によｆｌ　Ｃｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を作製す
る方法としては、基板を円筒状キャンの周面に沿わせて
走行させつつ蒸着を行なう方法が最も優れている。

第１図はＣｏ　−（：ｒ垂直磁化膜を作製するだめの従
来の真空蒸着装置内部の正面図である。

高分子材料よ構成る基板１は円筒状キャン２の周面に沿
って走行する。３及び４はそれぞれ基板入側ローラ及び
基板出側ローラであシ、テープ状の基板１を案内走行さ
せるものである。５は蒸着源、６は遮蔽板である。以上
の様に構成された従来の真空蒸着装置について以下その
動作を説明する。

基板入側ローラ３にょシ案内された高分子材料より成る
基板１は、円筒状□キャン２の回転に従いその周面、に
沿って走行し、基板出側ローラ４によ：・・ ９巻取シ側へ案内される。なお、円、筒状キャン２は周
面の温度を３５０Ｃ付近まで任意に温度設定が可能であ
る。蒸発源５はＣｏ　−Ｃｒ合金インゴットを加熱蒸発
させ、遮蔽板６にょｐ垂直入射に近い成分を有する蒸発
原子のみが高分子材料よ９成る基板１に付着してＣｏ　
−Ｃｒ垂直磁化膜を形成する。

しかし、上記の構成によりＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を作
製すると、下記の様な問題が発生する。即ち、Ｃｏ　−
Ｃｒ垂直磁化膜に信号を記録再生すると、膜面に垂直方
向の保持力Ｈｃ土の大きな膜はど高い再生出力が得られ
る。保持力ＨＯ上は蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂが上昇す
るに従い高くなる。Ｃｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を実用化す
るためには、少なくとも４０００ｅの保持力Ｈｅ土が必
要である艇、そのためには蒸着時の基板温度Ｔｓｕｔ）
を門２０℃以上にしなければならないことが実験の結果
間らかになった。より好ましくは保持力Ｈｃ土として８
０００ｅ以上の値を有する膜が必要であるが、この場合
には蒸着時の基板温度Ｔ８ｕｂは２００℃以上にしなけ
ればならない。

なお、ここで述べた蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂとは円筒
状キャンの周囲温度のことである。また、高分子材料よ
構成る基板１としては、表面性、安定性。

量産性等の点から考えてポリエチレンテレフタレートフ
ィルムあるいはＩリアミド系のフィルムが適している。

ところがこれらのフィルムを用い、第１図に示される様
な方法によって円筒状キャン２の周面の温度を１２０℃
以上として蒸着を行なうと、蒸着部で波状の皺が発生す
る。

第２゛図はこのときの基板１上に発生する波状の皺の発
生状態を示す立体図であシ、７は波状の皺を示す。この
よう・な波状皺７は、円筒状キャン２と基板１との接触
が不充分の場合に蒸着部で発生することが明らかになっ
た。そこでこれを防止する方法として、高分子材料よ構
成る基板１の上に導体膜を形成してこの導体膜と円筒状
キャン２との間に電位差を設け、静電引力によって密着
させることが考えられる。なお、この導体膜としてパー
マロイやＴｉを用いると垂直磁気記録媒体としての記録
再生特性や配向性が向上する。

第３図は上記の様に導体膜と円筒状キャン２との間に電
位差を設けて、ｃｏ−ｃｒ膜を蒸着した場合の状態を示
す立体図である。８は表面（円筒状キャン２に接してい
ない面）に導体膜の形成された高分子材料より成る基板
である。導体膜と円筒状キャン２との間に印加する電圧
としては、直流電圧でも良いし、交流電圧でも良い。上
記の方法によれば、第２図に示される様な波状皺７は消
滅するが、基板８が円筒状キャン２に接する際に、ラン
ダムな皺９が発生する。このランダムな皺９の発生する
原因は次の様に考えられる。基板８が円筒状キャン２に
接する際に、円筒状キャン２が高温のため、基板８が急
激に加熱され変形を生じる。変形が修正されない状態で
静電引力により円筒状キャン２に密着するため、基板８
にはランダムな皺９が発生する。

第４図は第３図のランダムな皺９を改良することを試み
た装置の立体図である。この装置の構成は第３図と殆ん
ど同じであるが、第４図では基板入側ローラ３をニップ
ローラ３′に変更した点が異なっている。ニップローラ
３′の表面は一般にコ゛ムで作られている。表面に導体
膜の形成された高分子材料より成る基板８は、円筒状キ
ャン２に接し始める際に、ニラノロ＝う３′にょシ円筒
状キャン２に押さえつけられる。しかしながらこの構成
でも、円筒状キャン２の温度を高くし、基板８と円筒状
キャン２との間に電圧を印加して、、　Ｃｏ　−Ｃｒ垂
直磁化膜を作製すると、基板８が円筒状キャン２に接触
する際に急激な加熱のため変形が発生し、これが修正さ
れる前にニップローラ３′によって押さえつけられるた
めに折シ皺１０が発生する。

以上の様に従来の構成では、Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜を蒸
着する際に、高分子材料よ構成る基板に皺が発生し、磁
気記録媒体としては使用出来ないという問題点を有して
いた。

（発明の目的） 本発明は上記の様な問題点を解決するものであり、皺の
ない良好な垂直磁気記録媒体を製造するだめの方法を提
供することを目的としている。

（発明の構成） 本発明は１２０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面
に沿って走行しつつある、表面に導体膜の形成された高
分子材料よ構成る基板上に、ｃｏとＣｒを主成分とする
垂直磁化膜を真空蒸着法によフ形成する際に、上記基板
が上記円筒状キャンに接している部分において、上記基
板の上記円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部と
の間の位置よりも後方部分は上記円筒状キャンと上記導
体膜をほぼ同電位にし、かつ上記位置よシも前方部分は
上記円筒状キャンと上記導体膜を異なる電位にするよう
にした垂直磁気記録媒体の製造方法であり、本発明の方
法を用いることにより皺のない垂直磁気記録媒体が得ら
れるものである。

（実施例の説明） 第５図は本発明の製造方法の一実施例を説明するだめの
真空蒸着装置内部の正面図である。

図において、円筒状キャン２及び基板入側ローラ３は接
地されている。また、基板出側ローラ４は、表面に導体
膜の形成された高分子材料よ構成る基板８の表面の導体
部と円筒状キャン２との間に電位差を設けるために電源
１１に接続されている。なお、基板出側ローラ４の電位
は正でも負でも良いし、交流でもよい。矢印１２の場所
で基板８は円筒状キャン２に接し始め、矢印１３の場所
で離れる。前者の場所を接触開始部、後者を接触終了部
と称し、両部の間においては基板８け円筒状キャンに接
している・１４は蒸着膜形成部であり、ここでＣｏ　−
Ｃｒ垂直磁化膜が形成される。

１５は接触開始部１２と蒸着膜形成部１４との間に設け
られた接地電位の金属ローラであり、これを基板８０表
面の導体膜に接触させている。

以上のような配置にすることにより、金属ローラ１５の
位置よシも後方部分は円筒状キャン２と導体膜がほぼ同
電位になり、金属ローラ１５の位置よシも前方部分は円
筒状キャン２と導体膜は異なった電位になる。なお、こ
こで金属ローラ１５の位置よシも後方部分とは矢印ｊ２
側でちゃ、前方部分とは矢印１３である。

次に上記のように構成された真空蒸着装置の動作につい
て説明する。基板８は矢印１２の部分で円筒状キャン２
に接し始め、この部分から金属ローラ１５に接している
部分までの間においては、基板８上の導体膜と円筒状キ
ャン２とはほぼ同電位になっているので両者間に力は働
かない。従って第３図に示したようなランダムな皺は入
らない。

金属ローラ１５の前方では基板８上の導体膜が電源１１
により電圧を印加されているので、円筒状キャン２と基
板８上の導体膜との間に静電引力が働き２、基板８が円
筒状キャン２に張シ付く。

第３図及び第４図に示される従来の方法においては、基
板８が円筒状キャン２に接する際に、基板８が急激に加
熱され変形が発生し、この変形が修正される前に円筒状
キャンに密着していたためにランダムな皺あるいは折り
皺が発生していたが、本発明においては基板８が円筒状
キャン２に接してから金属ローラ］５までの間では基板
８と円筒状キャン２との間には基板８のテン７ョンによ
る刀身外の力は働いていないので、基板８は円筒状キャ
ン２上をほぼ自由に動ける。即ち、基板８が円筒状キャ
ン２に接し始めると、基板８は急激に熱変形するが、こ
の変形の際に基板８と円筒状キャン２との間に静電引力
のような強い力が働いていないので、ランダムな皺や折
り皺を発生せずに熱変形を終了する。金属ローラ１５の
前方では基板８は熱変形を終了した状態で静電引力によ
り円筒状キャン２に張シ伺く。従って円筒状キャンに張
シ付く際に皺は全く入らない。蒸着膜形成部１４におい
ては、基板８上の導体膜と円筒状キャン２との間の静電
引力により基板８は円筒状キャン２に張シ付いているた
めに、第２図に示されるような波状の皺も入らない。こ
のように、本発明の方法によれば皺は全く発生しない。

なお、電源１１の具体的な電圧値や接触開始部１２と金
属ローラ１５の距離等は、円筒状キャン２の直径及び温
度、基板の幅及び膜厚、基板上の導体膜の膜厚等によシ
異なる。−例として、円筒状キャンの直径を５０ｃｒ＋
＋、温度を２５０℃、基板の幅及び膜厚をそれぞれ１５
６ｎ及び１２μｍ１基板上の導体膜を膜厚３　ｏ、ｏ　
ＯＸパーマロイとした場合に、電源１１の電圧を１０〜
１５０Ｖ、接触開始部１２と金属ローラ１５の距離を８
〜４０ｃｒｎとすると、皺の全くない長尺のＣｏ　−Ｃ
ｒ垂直磁気記録媒体が安定に得られた。

次に本発明の具体的な実施例について説明する。

第５図に示した真空蒸着装置によって幅１５ｔＹｎ１膜
厚１０＾ｍのポリアミド系フィルム上に膜厚２０００Ｘ
のパーマロイ膜を蒸着し、さらにその上に膜厚１０００
ＸのＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を蒸着した。

但し、幅１５ｃｙｎのフィルムの幅方向の両端１ｃｍは
マージン部として蒸着膜を形成しなかった。即ち、蒸着
膜の形成されている幅は１３ｃｆｎである。・ぐ−マロ
イ膜蒸着の際には、直径５０ｍの円筒状キャン２の周面
の温度を室温に設定したので、皺は入らなかった。ノぐ
一マロイ膜の上にさらにＣｏ　−’Ｃｒ垂直磁化膜を蒸
着する際には、円筒状キャン２の周面の温度を２６０℃
とし、電源１１により金属ローラ４に一７０Ｖの電圧を
印加した。また接触開始部１２と金属ローラ１５との距
離を１３ｃ１ｎとした。蒸着の完了した垂直磁気記録媒
体において、皺は皆無であった。また、Ｃｏ−Ｃｒ垂直
磁化膜のＨｅ土は８５００ｅとなっており、優れた短波
長記録再生特性を示した。

（発明の効果）　゛ 以上説明したように本発明の方法によれば、従来、高分
子材料よシなる基板上にＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を蒸着
する際に生じていた皺を完全に除去することが可能であ
シ、皺のない垂直磁気記録媒体を提供出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はＣｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を作製するための従来
の真空蒸着装置内部の正面図、第２図〜第４図は従来の
真空蒸着装置において基板に発生する皺を説明するため
の立体図、第５図は本発明の製造方法の一実施例を説明
するための真空蒸着装置内部の正面図である。 １．８・・・基板、２・・・円筒状キャン、３・・・基
板入側ローラ、４・・・基板出側ローラ、５・・・蒸発
源、６・・・遮蔽板、７・・・波状皺、９・・・ランダ
ムな皺、１０・・・折シ皺、１１・・・電源、１２・・
矢印・接触開始部、１３・・・矢印・接触終了部、１４
・・・蒸着膜形成部、１５・・・金属ローラ。 第１図 第２図 １ 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １２０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に沿って
   走行しつつある、表面に導体膜の形成された高分子材料
   より成る基板上に、ＣＯとＣｒを主成分とする垂直磁化
   膜を真空蒸着法によフ形成する際に、上記基板が上記円
   筒状キャンに接している部分において、上記基板の上記
   円筒状キャンへの接触開始部と蒸着膜形成部との間の位
   置よシも後方部分は上記円筒状キャンと上記導体膜をほ
   ぼ同電位にし、かつ上記位置よシも前方部分は上記円筒
   状キャンと上記導体膜を異なる電位にすることを特徴と
   する垂直磁気記録媒体の製造方法。