JPS61120345A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録特性の優れた垂直磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。

従来例の構成とその問題点 短波長記録特性の優れた方式として垂直記録方式が知ら
れている。これは媒体の膜面に垂直方向の残留磁化を利
用するものである。従ってこの方式においては、膜面の
垂直方向に残留磁化が残る垂直異方性膜が必要となる。

垂直異方性膜としては、ＣｏとＣｒを主成分とするいわ
ゆるＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜が優れた特性を有している
。Ｃｏ−Ｃｒ垂直異方性膜はスパッタリング法や真空蒸
着法（イオンブレーティング法のように蒸発原子の一部
をイオン化して膜を堆積する方法も含む。）により作製
されるが、特に後者の方法によれば非常に高い膜堆積速
度が達成出来、量産に達している。

しかし、以下に説明するように、実際に真空蒸着法によ
りＣｏ　−Ｃｒ垂直異方性膜の作製を行なうと、種々の
皺が発生するという問題が生じた。皺が発生すると、磁
気記録媒体として使用することは不可能であり、何らか
の解決策が必要である。

真空蒸着法によりＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を作製する方
法としては、基板を円筒状キャンの周囲に沿わせて走行
させつつ蒸着を行なう方法が最も優れている。

第１図はＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を作製するだめの従来
の真空蒸着装置内部の正面図である。

高分子材料より成る基板１は円筒状キャン２の周面に沿
って走行する。３及び４はそれぞれ基板入側ローラ及び
基板出側ローラであり、テープ状の基板１を案内走行さ
せるものである。６は蒸発源、６は遮蔽板である。以上
の様に構成された従来の真空蒸着装置について以下その
動作を説明する。

基板入側ロー２３により案内された高分子材料より成る
基板１は、円筒状キャン２の回転に従いその周面に沿っ
て走行し、基板出側ロー２４により巻取り側へ案内され
る。なお、円筒状キャン２は周面の温度を３５０℃付近
まで任意に温度設定が可能である。蒸発源６はＣｏ−Ｃ
ｒ合金インゴットを加熱蒸発させる。遮蔽板６により、
垂直入射に近い成分を有する蒸発原子のみが、高分子材
料よ構成る基板１に付着してＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を
形成する。

しかし、上記の構成によりＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を作
製すると、下記の様な問題が発生する。即ち、Ｃｏ−Ｃ
ｒ垂直異方性膜に信号を記録再生すると、膜面に垂直方
向の保磁力Ｈｃ土の大きな膜はど高い再生出力が得られ
る。ＨＣ土は蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂが上昇するに従
い高くなる。Ｃｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を実用化するため
には、少なくとも３００″６ｏのＨｃ土が必要であるが
、そのためには蒸着時の基板温度Ｔｇｕｂを８０℃以上
にしなければならないことが実験の結果間らかになった
。

より好ましくはＨＣ土　としてｓ　ｏ　ｏ　′６ｏ　以
上の値を有する膜が必要であるが、この場合には蒸着時
の基板温度Ｔｓｕｂは１５０℃以上にしなければならな
い。なお、こ＼で述べた蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂとは
円筒状キャンの周面温度のことである。

また、高分子材料としては、表面性、安定性、量産性の
点から考えてポリエチレンテレフタレート、ポリイミド
系あるいはポリアミド系のフィルムが適している。とこ
ろがこれらのフィルムを用い、第１図に示される様な方
法によって円筒状キャン２の周面の温度を８０℃以上と
して蒸着を行なうと、蒸着部で波状の皺が発生する。

第２図はこの時の基板１上に発生する波状の皺の発生状
態を示す立体図であり、７は波状の皺を示す。このよう
な波状数７は、円筒状キャン２と基板１との接触が不充
分の場合に蒸着部で発生することが明らかになった。そ
こでこれを防止する方法として、高分子材料より成る基
板１の上に導体膜を形成してこの導体膜と円筒状キャン
２との間に電位差を設け、静電引力によって密着させる
ことが考えられる。なお、この導体膜としてパーマロイ
やＴｉを用いると垂直磁気記録媒体としての記録再生特
性や配向性が向上する。

第３図は上記の様に導体膜と円筒状キャン２との間に電
位差を設けて、Ｃｏ−Ｃｒ膜を蒸着した場合の状態を示
す立体図である。８は表面（円筒状キャン２に接してい
ない面）に導体膜の形成された高分子材料より成る基板
である。導体膜と円筒状キャン２との間に印加する電圧
としては、直流電圧でも良いし、交流電圧でも良い。上
記の方法によれば、第２図に示される様な波状数７は消
滅するが、基板８が円筒状キャン２に接する際に、ラン
ダムな皺９が発生する。このランダムな皺９の発生する
原因は次の様に考えられる。基板８が円筒状キャン２に
接する際に、円筒状キャン２が高温のだめ、基板８が急
激に加熱され変形を生じる。変形が修正されない状態で
静電引力により円筒状キャン２に密着するため、基板８
にはランダムな皺９が発生する。

第４図は第３図のランダムな皺９を改良することを試み
た装置の立体図である。この装置の構成は第３図と殆ん
ど同じであるか、第４図では基板入側ロー２３をニップ
ローラ３′に変更した点が異なっている。ニップローラ
３′の表面は一般にゴムで作られている。表面に導体膜
の形成された高分子材料より成る基板８は、円筒状キャ
ン２に接し始める際Ｋ、ニップローラ３′により円筒状
キャン２に押さえつけられる。しかしながらこの構成で
も、円筒状キャン２の温度を高くし、基板８と円筒状キ
ャン２との間に電圧を印加して、Ｃｏ−Ｃｒ垂直異方性
膜を作製すると、基板８が円筒状キャン２に接触する際
に急激な加熱のため変形が発生し、これが修正される前
にニップローラ３′によって押さえつけられるために折
れ皺１０が発生する。

以上の様に従来の構成では、高分子材料より成る基板に
Ｃｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を蒸着する際、安定して皺なし
には出来ず、磁気記録媒体としては使用出来ないという
問題点を有していた。

発明の目的 本発明は上記の様な問題点を解決するものであり、皺の
ない良好な垂直磁気記録媒体を安定して製造するための
方法を提供することを目的としている。

発明の構成 本発明は８０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に
沿って走行しつつある、表面に導体膜の形成された高分
子材料より成る基板上に、ＣｏとＣｒを主成分とする垂
直異方性膜を真空蒸着法により形成する際に、上記円筒
状キャンとしてその周面が含フッ素系樹脂膜で覆われて
いるものを使用し、かつ上記導体膜と上記円筒状キャン
を異なる電位にするようにした垂直磁気記録媒体の製造
方法であり、本発明の方法を用いることにより皺のない
垂直磁気記録媒体が安定して得られる。

実施例の説明 第５図は本発明の製造方法の一実施例を説明するための
真空蒸着装置内部の正面図である。

図において、円筒状キャン２は接地されている。

また、基板入側ローラ３及び基板出側ローラ４は、表面
に導体膜の形成された高分子材料より成る基板８の表面
の導体部と円筒状キャン２との間に電位差を設けるため
に電源１１に接続されている。

なお、その電位は正でも負でも良いし、交流でも良い。

また、矢印１２の場所で基板８は円筒状キャン２に接し
始め、この場所を接触開始部と称する。１３は蒸着膜形
成部であり、こ＼でＣｏ　−Ｃｒ垂直異方性膜が形成さ
れる。１４は円筒状キャン２の周面で基板８が滑り易い
ように設けられた、含７ノ素系樹脂膜である。次に円筒
状キャン２に入ってから出て行くまでの間での基板８の
変化を考える。基板８は最初、昇温された円筒状キャン
２に（含フッ素系樹脂膜１４を通して間接的に）接触開
始部１２で触れ急激に加熱されそのために変形を生ずる
こともある。含フッ素系樹脂膜１４がない場合は基板８
は、その上の導体膜と円筒状キャン２の間の電位差によ
り、その変形が修正される前に円筒状キャン２に密着し
、ランダムな皺あるいは折れ皺を生じていた。それに対
し、含フッ素系樹脂膜１４があると、その基板８との摩
擦係数の小ささにより、例え基板８に変形が生じていて
も、基板８上の導体膜と円筒状キャン２の間の電位差に
よる静電引力でその変形は円筒状キャン２に押さえつけ
られ含フッ素系樹脂膜１４上、を滑り平らに伸ばされて
し捷う。この様にして、基板８は含フッ素系樹脂膜１４
を間に介し、円筒状キャン２に皺なしで密着して張り付
いてＣｏ−Ｃｒ蒸着膜形成部１３に着く。次に蒸着膜形
成部１３で第２図のような波状の皺が入らないためには
、基板８と円筒状キャン２が十分密着して張り付いてお
ればよく、そのだめには基板８と円筒状キャン２の間に
十分大きい静電引力が働けばよい。含フッ素系樹脂膜１
４が基板８と円筒状キャン２の間に入シ静電引力は弱め
られるとはいえ、基板８上の導体膜と円筒状キャン２の
間の電位差をより大きくすればすむことである。かぐの
如く、本発明の方法によれば皺は全く発生しない。

尚、電源１１の具体的電圧値、含フッ素系樹脂膜１４の
膜厚、円筒状キャン２の温度、基板８の幅及び膜厚、基
板８上の導体膜の膜厚等は相互に依存をし、場合で異な
る。

又、基板８のヤング率が高い時など、完全に皺の取れな
い場合があったが、基板８を接触開始部１２と蒸着膜形
成部１３６間でハロゲンライト１５を用い加熱し柔軟化
すると皺は全く発生しなくなった。

次に本発明の具体的実施例について説明する。

第５図に示した真空蒸着装置（円筒状キャン２の直径は
６ＱｃｒＩＬ）によって幅１５ｃｍ、膜厚５ｏμｍのポ
リイミド系フィルム上に膜厚３ｏＱＯ人のノζ−マロイ
膜を蒸着し、さらにその上に膜厚１５００人のＣｏ　−
Ｃｒ垂直異方性膜を本発明の方法に従い蒸着した。但し
、幅１１５ｃｍのフィルムの幅方向の両端Ｉ　Ｃｍは、
マージン部として蒸着膜を形成しなかった。即ち、蒸着
膜の形成されている幅は１３ｃｍである。パーマロイ膜
蒸着の際には、円筒状キャン２の周面の温度を室温に設
定したので、皺は入らなかった。パーマロイ膜の上に更
にＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を蒸着する際の条件としては
、円筒状キャン２の温度１００℃、含７フ素系樹脂膜１
４の厚み３０μｍ、又電源１１により金属ローラ３゜４
に−５ｏｏＶの電圧を印加した。蒸着の完了した垂直磁
気記録媒体において、皺は皆無であった。

また、Ｃｏ　−Ｃｒ垂直異方性膜のＨｃ土は７ＱＯ′６
゜となっており、優れた短波長記録再生特性を示した。

発明の詳細 な説明したように本発明の方法によれば、従来、高分子
材料よりなる基板上にＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を蒸着す
る際に生じていた皺を完全に除去することが可能であり
、皺のない垂直磁気記録媒体を提供出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はＣｏ−Ｃｒ垂直異方性膜を作製するための従来
の真空蒸着装置内部の正面図、第２図、第３図、第４図
は従来の真空蒸着装置において基板に発生する皺を説明
するための立体図、第５図は本発明の製造方法の一実施
例を説明するための真空蒸着装置内部の正面図である。 １．８・・・・・・基板、２・・・・・・円筒状キャン
、３・・・・・・基板入側ローラ、４・・・・・・基板
出側ローラ、５・・・・・・蒸発源、６・・・・・・遮
蔽板、７・・・・・・波状皺、９・・・・・・ランダム
な皺、１ｏ・・・・・・折れ皺、１１・・・・・・電源
、１２・・・・・・矢印・接触開始部、１３・・・・・
・蒸着膜形成部、１４・・・・・・含フッ素系樹脂膜、
１５・・・・・・ハロゲンライト。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図 ！ 第３図 第４図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）８０℃以上に昇温された円筒状キャンの周面に沿
   って走行しつつある、表面に導体膜の形成された高分子
   材料より成る基板上に、ＣｏとＣｒを主成分とする垂直
   異方性膜を真空蒸着法により形成する際に、上記円筒状
   キャンとしてその周面が含フッ素系樹脂膜で覆われてい
   るものを使用し、かつ上記導体膜と上記円筒状キャンを
   異なる電位にすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の
   製造方法。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体の
   製造方法において、上記基板と上記円筒状キャンの接触
   開始部から蒸着膜形成部に至る間で、上記基板をハロゲ
   ンライト等で加熱することを特徴とする垂直磁気記録媒
   体の製造方法。