JPS61128528A - アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 - Google Patents
アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法Info
- Publication number
- JPS61128528A JPS61128528A JP59250225A JP25022584A JPS61128528A JP S61128528 A JPS61128528 A JP S61128528A JP 59250225 A JP59250225 A JP 59250225A JP 25022584 A JP25022584 A JP 25022584A JP S61128528 A JPS61128528 A JP S61128528A
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- nitrogen
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はプラズマの物理化学反応を利用したアルミニウ
ム−シリコン−鋼（以下ｕ−ｓｉ−ａｕとする）合金の
ドライエツチング法に関するものであり、特に半導体集
積回路の製造工程におけるＡｌ１− Ｓｉ −Ｏｕ金合
金ドライエツチング法に関する。
ム−シリコン−鋼（以下ｕ−ｓｉ−ａｕとする）合金の
ドライエツチング法に関するものであり、特に半導体集
積回路の製造工程におけるＡｌ１− Ｓｉ −Ｏｕ金合
金ドライエツチング法に関する。
従来の技術および発明が解決しようとする問題点従来の
Ａｌ１− Ｓｉ −Ｏｕ金合金ドライエツチング法は反
応ガスとして、四塩化炭素、三塩化硼素、塩素などの塩
素系ガスの単一ガスもしくは混合ガスを用いていた。し
かしこのような塩素系ガスのみでは反応生成物である塩
化銅の蒸気圧が小さく、かつプラズマ中のイオンのスパ
ッタリング作用が小さいため、Ｉ’Ｊ３ Ｓｉ Ｃ
ｕ合金の銅成分のみがエツチング基板表面に残るという
欠点を有していた。又、塩素系ガスにヘリウムを添加す
る方法も知られているが、その効果はプラズマの熱的安
定性の向上であり、スパッタリング作用の増大には影響
しない。故に塩素系ガスにヘリウムを添加してもエツチ
ング基板表面に銅成分が残るという欠点を有していた。
Ａｌ１− Ｓｉ −Ｏｕ金合金ドライエツチング法は反
応ガスとして、四塩化炭素、三塩化硼素、塩素などの塩
素系ガスの単一ガスもしくは混合ガスを用いていた。し
かしこのような塩素系ガスのみでは反応生成物である塩
化銅の蒸気圧が小さく、かつプラズマ中のイオンのスパ
ッタリング作用が小さいため、Ｉ’Ｊ３ Ｓｉ Ｃ
ｕ合金の銅成分のみがエツチング基板表面に残るという
欠点を有していた。又、塩素系ガスにヘリウムを添加す
る方法も知られているが、その効果はプラズマの熱的安
定性の向上であり、スパッタリング作用の増大には影響
しない。故に塩素系ガスにヘリウムを添加してもエツチ
ング基板表面に銅成分が残るという欠点を有していた。
又、塩化鋼の蒸気圧を高くするために、エツチング基板
の温度を上げる方法も知られているが、エツチングのマ
スク材料となるレジストがエツチングされやすくなるた
め、その効果は小さい。
の温度を上げる方法も知られているが、エツチングのマ
スク材料となるレジストがエツチングされやすくなるた
め、その効果は小さい。
発明の構成
本発明は、塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガス
中で前記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン−
銅合金を化学反応及び物理反応により加工するアルミニ
ウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法において
、前記塩素系の反応ガスに銅成分を残さないスパッタリ
ング作用を生ずるガス、窒素１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖ
ｏｌ％、アルゴンｌ Ｑ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｗ％、
または両者の混合ガスを１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｌ
％を混合するドライエツチング法である。
中で前記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン−
銅合金を化学反応及び物理反応により加工するアルミニ
ウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法において
、前記塩素系の反応ガスに銅成分を残さないスパッタリ
ング作用を生ずるガス、窒素１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖ
ｏｌ％、アルゴンｌ Ｑ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｗ％、
または両者の混合ガスを１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｌ
％を混合するドライエツチング法である。
作用
本発明は塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガスに
窒素、アルゴンまたは両者の混合ガス１０ Ｖｏｌ％〜
５０ Ｖｏｌ％を混合したので、銅成分を残さないでア
ルミニウム−シリコン−銅合金を加工できる。
窒素、アルゴンまたは両者の混合ガス１０ Ｖｏｌ％〜
５０ Ｖｏｌ％を混合したので、銅成分を残さないでア
ルミニウム−シリコン−銅合金を加工できる。
実施例
本発明で使用したドライエツチング装置を第１図に示す
。
。
使用方法は、ステンレス製反応室（１１内に塩素系の反
応ガス（２）と窒素、アルゴンの少なくとも一者の、ま
たは両者の混合の添加ガス（３１を導入しながら、図示
しない排気手段により適当な減圧状態にして高周波電源
（４）から高周波電圧を印加し両電極（５１、（６１間
にプラズマを発生させて行なった。
応ガス（２）と窒素、アルゴンの少なくとも一者の、ま
たは両者の混合の添加ガス（３１を導入しながら、図示
しない排気手段により適当な減圧状態にして高周波電源
（４）から高周波電圧を印加し両電極（５１、（６１間
にプラズマを発生させて行なった。
ｋＪ３− Ｓｉ −Ｃｕ合金の被エツチング物（７）は
高周波電圧供給側の電極（５）上に載置されている。
高周波電圧供給側の電極（５）上に載置されている。
塩素系ガスに対する窒素、アルゴン、または両者の混合
ガスの添加量は１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｌ％であり
、最も良い結果は約３０ Ｖｏｌ％で得られる。
ガスの添加量は１０ Ｖｏｌ％〜５０ Ｖｏｌ％であり
、最も良い結果は約３０ Ｖｏｌ％で得られる。
窒素、アルゴンまたは混合の添加量が５０ Ｖｏｌ％を
越えると４およびｊＪ −Ｓｉ合金のエツチング速度が
急速に低下し、好ましくない結果となる。
越えると４およびｊＪ −Ｓｉ合金のエツチング速度が
急速に低下し、好ましくない結果となる。
又 窒素およびアルゴンの添加量が１０ Ｖｏｌ％未満
ではスパッタリングの作用が小さく銅成分を完全にエツ
チングすることができない。
ではスパッタリングの作用が小さく銅成分を完全にエツ
チングすることができない。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
直径７５ ｍｍのシリコンウェハ上に厚さ０．５μｍの
熱酸化膜を形成し、その上に厚さ１μｍの同一５ｉ−Ｃ
ｕ合金をスパッタリング蒸着した。その局−Ｓｉ −Ｃ
ｕ合金膜上に厚さ１．２μｍのホトレジス） ０ＦＰＲ
−ｓｏｏｋ塗布し、露光現像によりマスクパターンを形
成した。以上のように作成した試料。
熱酸化膜を形成し、その上に厚さ１μｍの同一５ｉ−Ｃ
ｕ合金をスパッタリング蒸着した。その局−Ｓｉ −Ｃ
ｕ合金膜上に厚さ１．２μｍのホトレジス） ０ＦＰＲ
−ｓｏｏｋ塗布し、露光現像によりマスクパターンを形
成した。以上のように作成した試料。
をドライエツチング装置の高周波電圧供給側の電極上に
載置し、下記のエツチング条件でエツチング加工を実施
した。
載置し、下記のエツチング条件でエツチング加工を実施
した。
Ｐｅｒ ｍ１ｎｕｔｅ ）
圧力の単位＝ｍ Ｔｏｒｒ” （ｆｆｉ土１１Ｔｏｒｒ
）エツチング条件Ａの場合 第２図に示すようにエツ
チング基板表面に銅のエツチング残りが発生している。
）エツチング条件Ａの場合 第２図に示すようにエツ
チング基板表面に銅のエツチング残りが発生している。
エツチング条件Ｂの場合 第３図に示すようにエツチ
ング基板表面に銅のエツチング残りが発生しておらず、
マスクパターン通りのエツチングが実現できた。これは
三塩化硼素と塩素の混合ガスに窒素を添加することによ
り、陰極降下電圧が増大し、イオンのスパッタ作用が大
きくなったためと考えられる。
ング基板表面に銅のエツチング残りが発生しておらず、
マスクパターン通りのエツチングが実現できた。これは
三塩化硼素と塩素の混合ガスに窒素を添加することによ
り、陰極降下電圧が増大し、イオンのスパッタ作用が大
きくなったためと考えられる。
実施例２
実施例１において、エツチング条件Ｂの窒素をアルゴン
にかえて、同様のエツチングを行なった場合、エツチン
グ基板表面にＯｕ成分のエツチング残りは発生しなかっ
た。
にかえて、同様のエツチングを行なった場合、エツチン
グ基板表面にＯｕ成分のエツチング残りは発生しなかっ
た。
なお、第１、第２の実施例において塩素系ガスは三塩化
硼素と塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭
素、三塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそ
れら王者のどのような組み合わせの混合ガスをしでもよ
いことは言うまでもない。
硼素と塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭
素、三塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそ
れら王者のどのような組み合わせの混合ガスをしでもよ
いことは言うまでもない。
発明の効果
本発明は、ｋ１３− Ｓｉ −Ｏｕ金合金ドライエッチ
とにより、エツチング基板表面にエツチング残りを発生
させないことができ、実用的効果を生ずる６
とにより、エツチング基板表面にエツチング残りを発生
させないことができ、実用的効果を生ずる６
第１図は本発明で使用したドライエツチング装置の概略
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエツチング
条件Ａでエツチングした場合の走査電子顕微鏡写真、第
３図は本発明の第１の実施例におけるエツチング条件Ｂ
でエツチングした場合の走査電子顕微鏡写真を示す。 １：反応室 ２：塩素系の反応ガス ３：窒素およ
びアルゴンの少なくとも一方の添加ガス４：高周波電源
５，６：電極 ７：弱−３ｉ −（ｌｕ金合金被
エツチング物 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１図 手 続 補 正 書 （方式）昭和６０年４月
２４日 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−２５０２２５す２ 発
明の名称 アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所〒５７１大阪府門真市大字門真１．００６番地住
所〒１８５東京都国分寺市南町三丁目１２番１１号昭
和６０年３月６日 （発送日昭和６０年３月２６日）６
、補正の対象 アルゴンにかえて、同様のエツチングを行なった場合、
エツチング基板表面にＣｕ成分のエツチング残りは発生
しなかった。 なお、第１、第２の実施例において塩素系ガスは三塩化
硼素と塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭
素、三塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそ
れら王者のどのような組み合わせの混合ガスをしてもよ
いことは言うまでもない。 発明の効果 本発明は、ＡＪ？ ８１ Ｇｕ金合金ドライエツチ
ングにおいて、塩素系の反応ガスに’１１ Ｘ 、ｙ
ｔ、ボンの少なくとも一者を、または両者を混合したガ
スを用いることにより、エツチング基板表面にエツチン
グ残りを発生させないことができ、実用的効果を生ずる
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明で使用したドライエツチング装置の概略
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエツチング
条件Ａでエツチングした場合の走査電子顕８１鏡写真に
基いて描いた図、第３図は本発明の第１の実施例におけ
るエツチング条件Ｂでエツチングした場合の走査電子顕
微鏡写真に基いて描いた図、を示す。
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエツチング
条件Ａでエツチングした場合の走査電子顕微鏡写真、第
３図は本発明の第１の実施例におけるエツチング条件Ｂ
でエツチングした場合の走査電子顕微鏡写真を示す。 １：反応室 ２：塩素系の反応ガス ３：窒素およ
びアルゴンの少なくとも一方の添加ガス４：高周波電源
５，６：電極 ７：弱−３ｉ −（ｌｕ金合金被
エツチング物 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１図 手 続 補 正 書 （方式）昭和６０年４月
２４日 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 特願昭５９−２５０２２５す２ 発
明の名称 アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所〒５７１大阪府門真市大字門真１．００６番地住
所〒１８５東京都国分寺市南町三丁目１２番１１号昭
和６０年３月６日 （発送日昭和６０年３月２６日）６
、補正の対象 アルゴンにかえて、同様のエツチングを行なった場合、
エツチング基板表面にＣｕ成分のエツチング残りは発生
しなかった。 なお、第１、第２の実施例において塩素系ガスは三塩化
硼素と塩素の混合ガスとしたが、塩素系ガスは四塩化炭
素、三塩化硼素、塩素のいずれの単一ガス、もしくはそ
れら王者のどのような組み合わせの混合ガスをしてもよ
いことは言うまでもない。 発明の効果 本発明は、ＡＪ？ ８１ Ｇｕ金合金ドライエツチ
ングにおいて、塩素系の反応ガスに’１１ Ｘ 、ｙ
ｔ、ボンの少なくとも一者を、または両者を混合したガ
スを用いることにより、エツチング基板表面にエツチン
グ残りを発生させないことができ、実用的効果を生ずる
。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明で使用したドライエツチング装置の概略
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるエツチング
条件Ａでエツチングした場合の走査電子顕８１鏡写真に
基いて描いた図、第３図は本発明の第１の実施例におけ
るエツチング条件Ｂでエツチングした場合の走査電子顕
微鏡写真に基いて描いた図、を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塩素系の反応ガスの単一ガスまたは混合ガス中で前
記反応ガスを放電し、アルミニウム−シリコン−銅合金
を化学反応及び物理反応により加工するアルミニウム−
シリコン−銅合金のドライエッチング法において、前記
塩素系の反応ガスに銅成分を残さないスパッタリング作
用を生ずるガスを混合するアルミニウム−シリコン−銅
合金のドライエッチング法。 ２、前記銅成分を残さないエッチング作用を生ずるガス
を窒素とし１０Ｖｏｌ％〜５０Ｖｏｌ％を混合した特許
請求の範囲第１項記載のアルミニウム−シリコン−銅合
金のドライエッチング法。 ３、前記銅成分を残さないエッチング作用を生ずるガス
をアルゴンとし１０Ｖｏｌ％〜５０Ｖｏｌ％を混合した
特許請求の範囲第１項記載のアルミニウム−シリコン−
銅合金のドライエッチング法。 ４、前記銅成分を残さないエッチング作用を生ずるガス
を窒素とアルゴンの混合ガスとし１０Ｖｏｌ％〜５０Ｖ
ｏｌ％を混合した特許請求の範囲第１項記載のアルミニ
ウム−シリコン−銅合金のドライエッチング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250225A JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250225A JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128528A true JPS61128528A (ja) | 1986-06-16 |
| JPH0746689B2 JPH0746689B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=17204697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250225A Expired - Lifetime JPH0746689B2 (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | アルミニウム−シリコン−銅合金のドライエツチング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746689B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591302A (en) * | 1990-04-12 | 1997-01-07 | Sony Corporation | Process for etching copper containing metallic film and for forming copper containing metallic wiring |
| US6010603A (en) * | 1997-07-09 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591842A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5638474A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Etching method of aluminum or aluminum-base alloy film |
| JPS58161345A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59123246A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59250225A patent/JPH0746689B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591842A (en) * | 1978-12-28 | 1980-07-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5638474A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Etching method of aluminum or aluminum-base alloy film |
| JPS58161345A (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59123246A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5591302A (en) * | 1990-04-12 | 1997-01-07 | Sony Corporation | Process for etching copper containing metallic film and for forming copper containing metallic wiring |
| US6010603A (en) * | 1997-07-09 | 2000-01-04 | Applied Materials, Inc. | Patterned copper etch for micron and submicron features, using enhanced physical bombardment |
| US6488862B1 (en) | 1997-07-09 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Etched patterned copper features free from etch process residue |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746689B2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |