JPS61139918A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPS61139918A JPS61139918A JP26243384A JP26243384A JPS61139918A JP S61139918 A JPS61139918 A JP S61139918A JP 26243384 A JP26243384 A JP 26243384A JP 26243384 A JP26243384 A JP 26243384A JP S61139918 A JPS61139918 A JP S61139918A
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- Japan
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- film layer
- plasma
- metal thin
- thin film
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および目的〕
この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体およびその製造方法に関し、その目的とするところは
、強磁性金属！１１１層の基体に対する接着性に優れた
前記の磁気記録媒体を提供することにある。
体およびその製造方法に関し、その目的とするところは
、強磁性金属！１１１層の基体に対する接着性に優れた
前記の磁気記録媒体を提供することにある。
強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体は、通常
、金属もしくはそれらの合金等を、真空蒸着等によって
ポリエステルフィルム等の基体上に被着してつくられ、
高密度記録に通した特性を有するが、反面強磁性金属薄
膜層のポリエステルフィルム等の基体に対する接着力が
弱く、使用中に強磁性金属薄膜層が剥離するおそれがあ
る。
、金属もしくはそれらの合金等を、真空蒸着等によって
ポリエステルフィルム等の基体上に被着してつくられ、
高密度記録に通した特性を有するが、反面強磁性金属薄
膜層のポリエステルフィルム等の基体に対する接着力が
弱く、使用中に強磁性金属薄膜層が剥離するおそれがあ
る。
このため、従来からポリエステルフィルム等の基体をア
ルゴンガス等のプラズマでプラズマ処理するなどして、
強磁性金属薄膜層の基体に対する接着性を改善すること
が行われているが、この方法では、プラズマ発生電圧と
プラズマ電流を高くすることにより、その表面に凹凸を
形成したり、あるいは表面を活性化して接着性を向上さ
せることはできるものの、プラズマ処理と同時に基体の
重合による脆化がおこりやすく、強磁性金属薄膜層の基
体に対する接着性をいまひとつ充分に向上することがで
きない。 。
ルゴンガス等のプラズマでプラズマ処理するなどして、
強磁性金属薄膜層の基体に対する接着性を改善すること
が行われているが、この方法では、プラズマ発生電圧と
プラズマ電流を高くすることにより、その表面に凹凸を
形成したり、あるいは表面を活性化して接着性を向上さ
せることはできるものの、プラズマ処理と同時に基体の
重合による脆化がおこりやすく、強磁性金属薄膜層の基
体に対する接着性をいまひとつ充分に向上することがで
きない。 。
この発明は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果な
されたもので、基体表面を窒素ガスのプラズマを含むプ
ラズマでプラズマ処理し、次いで、この上に強磁性金属
薄膜層を形成して、基体と強磁性金属＊Ｎ１１ｊｉｉと
の界面近傍における窒素原子濃度を基体中の平均の窒素
原子濃度より０．３〜１０％高くすることによって、強
磁性金属薄膜層の基体に対する接着性を充分に向上させ
たものである。
されたもので、基体表面を窒素ガスのプラズマを含むプ
ラズマでプラズマ処理し、次いで、この上に強磁性金属
薄膜層を形成して、基体と強磁性金属＊Ｎ１１ｊｉｉと
の界面近傍における窒素原子濃度を基体中の平均の窒素
原子濃度より０．３〜１０％高くすることによって、強
磁性金属薄膜層の基体に対する接着性を充分に向上させ
たものである。
この発明において、基二表面のプラズマ処理は、真空槽
内で、基体を窒素ガスのプラズマを含むプラズマ中にさ
らし、高周波を印加するなどの方法で行われ、このよう
なプラズマ処理が行われると、窒素ガスプラズマ中の窒
素と、真空槽内部の水が分解したりあるいは基体が分解
されたりして放出される水素とが結合して、基体の表面
にアミノ基が形成され、このアミノ基は金属との親和性
に優れるため、この上にさらに強磁性金属薄膜層が形成
されると、このアミノ基により強磁性金属薄膜層の基体
に対する接着性が充分に向上され、またこのアミノ基の
介在により強磁性金属薄膜層が形成される際、アミノ基
の一部が強磁性金属薄膜層中に取り込まれ、□基体と強
磁性金属薄膜層が分離した２層とならず、窒化物の中間
層が形成されるため、強磁性金属薄膜層の基体に対する
接着性が充分に向上されるものと推定される。
内で、基体を窒素ガスのプラズマを含むプラズマ中にさ
らし、高周波を印加するなどの方法で行われ、このよう
なプラズマ処理が行われると、窒素ガスプラズマ中の窒
素と、真空槽内部の水が分解したりあるいは基体が分解
されたりして放出される水素とが結合して、基体の表面
にアミノ基が形成され、このアミノ基は金属との親和性
に優れるため、この上にさらに強磁性金属薄膜層が形成
されると、このアミノ基により強磁性金属薄膜層の基体
に対する接着性が充分に向上され、またこのアミノ基の
介在により強磁性金属薄膜層が形成される際、アミノ基
の一部が強磁性金属薄膜層中に取り込まれ、□基体と強
磁性金属薄膜層が分離した２層とならず、窒化物の中間
層が形成されるため、強磁性金属薄膜層の基体に対する
接着性が充分に向上されるものと推定される。
このような窒素ガスのプラズマを含むプラズマ処理を経
て、強磁性金属薄膜層が形成された磁気記録媒体の強磁
性金属薄膜層と基体との界面近傍における窒素原子の濃
度は、基体中における平均の窒素原子の濃度より０．３
〜１０％高いことが好ましく、基体中における平均の窒
素原子の濃度より０．３％以上高くないと、強磁性金属
薄ｍｌ！層の基体に対する接着性が充分に向上されず、
また窒素原子の濃度が基体中における平均の窒素原子の
濃度より１０％を越えて高くなりすぎると、基体表面が
硬くなり、脆くなって基体の強度が低下するおそれがあ
る。
て、強磁性金属薄膜層が形成された磁気記録媒体の強磁
性金属薄膜層と基体との界面近傍における窒素原子の濃
度は、基体中における平均の窒素原子の濃度より０．３
〜１０％高いことが好ましく、基体中における平均の窒
素原子の濃度より０．３％以上高くないと、強磁性金属
薄ｍｌ！層の基体に対する接着性が充分に向上されず、
また窒素原子の濃度が基体中における平均の窒素原子の
濃度より１０％を越えて高くなりすぎると、基体表面が
硬くなり、脆くなって基体の強度が低下するおそれがあ
る。
このような窒素ガスのプラズマを含むプラズマによるプ
ラズマ処理は、窒素ガスを単独で用いる他、アルゴンガ
ス、ヘリウムガス等の不活性ガスと併用して、これらを
混合した混合ガスを用いて行ってもよく、これらの不活
性ガスと併用する場合は表面を凹凸にしたり、あるいは
、表面を活性化するという従来の効果と本発明の効果を
同時に得ることができるという利点がある。窒素ガスを
単独で使用してプラズマ処理を行う際の窒素ガスのガス
圧および高周波電力は、強磁性金属薄膜層と基体との界
面近傍における窒素原子の濃度が、基体中における平均
の窒素原子の濃度より０．３〜１０％高くなるように、
ガス圧をｌＸｌ０−５〜ｌトールの範囲内とし、平方セ
ンチあたりの高周波電力を０．１〜ＩＯＷ／−の範囲内
として行うのが好ましく、ガス圧をＩ Ｘ １０−２＝
５ Ｘ １０’ トールとし、平方センチあたりの高周
波電力を１〜５Ｗ／ａｄの範囲内とするのがより好まし
い。また窒素ガスをアルゴンガス、ヘリウムガス等の不
活性ガスと混合して使用する場合は、これらの不活性ガ
スとの混合比を、窒素ガス対不活性ガスの体積比にして
１対１０００〜１対５の範囲内にし、かつガス圧をｌＸ
ｌ０−５〜３トールの範囲内とし、平方センチあたりの
高周波電力を０．１〜５０Ｗ／−の範囲内として行うの
が好ましく、ガス圧をｌＸｌ０”２〜１トールとし、平
方センナあたりの高周波電力を１〜ＬＯＷ／−の範囲内
とするのがより好ましい。また、このようなプラズマ発
生用電源としては、上述した高周波の他に、交流、ある
いは直流であっても良く、これらの場合は、比較的低真
空でプラズマ処理が行われる。
ラズマ処理は、窒素ガスを単独で用いる他、アルゴンガ
ス、ヘリウムガス等の不活性ガスと併用して、これらを
混合した混合ガスを用いて行ってもよく、これらの不活
性ガスと併用する場合は表面を凹凸にしたり、あるいは
、表面を活性化するという従来の効果と本発明の効果を
同時に得ることができるという利点がある。窒素ガスを
単独で使用してプラズマ処理を行う際の窒素ガスのガス
圧および高周波電力は、強磁性金属薄膜層と基体との界
面近傍における窒素原子の濃度が、基体中における平均
の窒素原子の濃度より０．３〜１０％高くなるように、
ガス圧をｌＸｌ０−５〜ｌトールの範囲内とし、平方セ
ンチあたりの高周波電力を０．１〜ＩＯＷ／−の範囲内
として行うのが好ましく、ガス圧をＩ Ｘ １０−２＝
５ Ｘ １０’ トールとし、平方センチあたりの高周
波電力を１〜５Ｗ／ａｄの範囲内とするのがより好まし
い。また窒素ガスをアルゴンガス、ヘリウムガス等の不
活性ガスと混合して使用する場合は、これらの不活性ガ
スとの混合比を、窒素ガス対不活性ガスの体積比にして
１対１０００〜１対５の範囲内にし、かつガス圧をｌＸ
ｌ０−５〜３トールの範囲内とし、平方センチあたりの
高周波電力を０．１〜５０Ｗ／−の範囲内として行うの
が好ましく、ガス圧をｌＸｌ０”２〜１トールとし、平
方センナあたりの高周波電力を１〜ＬＯＷ／−の範囲内
とするのがより好ましい。また、このようなプラズマ発
生用電源としては、上述した高周波の他に、交流、ある
いは直流であっても良く、これらの場合は、比較的低真
空でプラズマ処理が行われる。
窒素ガスのプラズマを含むプラズマによりプラズマ処理
された基体上に形成される強磁性金属薄膜層は、Ｃｏ
−、Ｆ ｅ ％ Ｎ １ ＜ Ｃｏ Ｎ １％ Ｃｏ
−ＣｒＳＣｏ−ＰＳＣｏ−Ｎｉ−Ｐなどの強磁性材を
、真空凛着、イオンブレーティング、スパッタリング、
メッキ等の手段によって基体上に被着するなどの方法で
形成される。
された基体上に形成される強磁性金属薄膜層は、Ｃｏ
−、Ｆ ｅ ％ Ｎ １ ＜ Ｃｏ Ｎ １％ Ｃｏ
−ＣｒＳＣｏ−ＰＳＣｏ−Ｎｉ−Ｐなどの強磁性材を
、真空凛着、イオンブレーティング、スパッタリング、
メッキ等の手段によって基体上に被着するなどの方法で
形成される。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図に示すように、真空槽１内を隔壁２で２室に区画
分離し、真空蒸着室３とプラズマ処理室４を形成した真
空蒸着プラズマ処理装置を使用し、厚さがｌθμのポリ
エステルフィルム５を原反ロール６より円筒状キャン７
の周側面に沿って移動させ、巻き取りロール８に巻き取
るようにセットするとともに、真空蒸着室３の下部に配
設した強磁性材蒸発源９にコバル）１０をセットした。
分離し、真空蒸着室３とプラズマ処理室４を形成した真
空蒸着プラズマ処理装置を使用し、厚さがｌθμのポリ
エステルフィルム５を原反ロール６より円筒状キャン７
の周側面に沿って移動させ、巻き取りロール８に巻き取
るようにセットするとともに、真空蒸着室３の下部に配
設した強磁性材蒸発源９にコバル）１０をセットした。
次に、真空蒸着室３の排気系ＩＩで真空蒸着室３内を５
Ｘ１０（トールにまで真空排気し、またプラズマ処理室
４の排気系１２でプラズマ処理室４内を５Ｘ１０＝トー
ルまで真空排気した。次いで、ポリエステルフィルム５
を５ｍ／ｌｉｎの速度で走行させ、プラズマ処理室４の
側壁に取りつけたガス導入管１３からアルゴンガスを３
０ｍ１／ｍｉｎの流量で導入するとともに窒素ガスを流
量を変えて導入し、プラズマ処理室４内に配設した電極
１４に、高周波を電力３ Ｗ／ａｄで印加してプラズマ
処理を行った。引き続いて真空蒸着室３内でコバルト１
０を加熱蒸発させて、防着板１５の作用により最低入射
角度５０度で斜め入射蒸着を行い、前記のプラズマ処理
されたポリエステルフィルム５上に厚さ１ｏｏｏ人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。しかる後
これを所定の幅に裁断して多数の磁気テープをつ（うた
。なお、図中１６は電極１４に高周波を印加するための
高周波電源である。
Ｘ１０（トールにまで真空排気し、またプラズマ処理室
４の排気系１２でプラズマ処理室４内を５Ｘ１０＝トー
ルまで真空排気した。次いで、ポリエステルフィルム５
を５ｍ／ｌｉｎの速度で走行させ、プラズマ処理室４の
側壁に取りつけたガス導入管１３からアルゴンガスを３
０ｍ１／ｍｉｎの流量で導入するとともに窒素ガスを流
量を変えて導入し、プラズマ処理室４内に配設した電極
１４に、高周波を電力３ Ｗ／ａｄで印加してプラズマ
処理を行った。引き続いて真空蒸着室３内でコバルト１
０を加熱蒸発させて、防着板１５の作用により最低入射
角度５０度で斜め入射蒸着を行い、前記のプラズマ処理
されたポリエステルフィルム５上に厚さ１ｏｏｏ人のコ
バルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。しかる後
これを所定の幅に裁断して多数の磁気テープをつ（うた
。なお、図中１６は電極１４に高周波を印加するための
高周波電源である。
実施例２
実施例Ｉにおいて、ポリエステルフィルム５に代えて、
窒素原子を５．０％含むポリイミドフィルム５を使用し
、プラズマ処理室４内に導入する窒素ガスの流量を０．
５ｍｌ／ｌｌｌ１ｎとした以外は実施例１と同様にして
磁気テープをつくった。
窒素原子を５．０％含むポリイミドフィルム５を使用し
、プラズマ処理室４内に導入する窒素ガスの流量を０．
５ｍｌ／ｌｌｌ１ｎとした以外は実施例１と同様にして
磁気テープをつくった。
実施例３
実施例１において、プラズマ処理室４内に導入する窒素
ガスの流量を２０ｍ１／ｎ１ｉｎとし、アルゴンガスの
導入を省いた以外は実施例１と同様にし、％ヶー７．や
７，７え。 ｊ実施例４ 実施例２において、プラズマ処理室４内に導入する窒素
ガスの流量を２０ｍ１／ｍｉｎとし、アルゴンガスの導
入を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープをつ
くった。
ガスの流量を２０ｍ１／ｎ１ｉｎとし、アルゴンガスの
導入を省いた以外は実施例１と同様にし、％ヶー７．や
７，７え。 ｊ実施例４ 実施例２において、プラズマ処理室４内に導入する窒素
ガスの流量を２０ｍ１／ｍｉｎとし、アルゴンガスの導
入を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープをつ
くった。
比較例１
実施例１において、窒素ガスのプラズマ処理室４内への
導入を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。
導入を省いた以外は実施例１と同様にして磁気テープを
つくった。
比較例２
実施例２において、窒素ガスのプラズマ処理室４内への
導入を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープを
つくった。
導入を省いた以外は実施例２と同様にして磁気テープを
つくった。
実施例１で得られた多数の磁気テープについて、ポリエ
ステルフィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒
素原子濃度を光電子分光針で測定し、接着性を試験した
。接着性試験は、磁気テープの強磁性金属薄膜層側をエ
ポキシ接着剤で金属基板に接着し、強磁性金属薄膜層に
対して垂直方向に磁気テープを引張り、強磁性金属薄膜
層がポリエステルフィルムから引きはがされる際の力を
、接着力として測定して行った。第２図は、このように
して得られたポリエステルフィルムと強磁性金属薄膜層
との界面における窒素原子濃度と、接着力との関係をグ
ラフで表したものである。
ステルフィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒
素原子濃度を光電子分光針で測定し、接着性を試験した
。接着性試験は、磁気テープの強磁性金属薄膜層側をエ
ポキシ接着剤で金属基板に接着し、強磁性金属薄膜層に
対して垂直方向に磁気テープを引張り、強磁性金属薄膜
層がポリエステルフィルムから引きはがされる際の力を
、接着力として測定して行った。第２図は、このように
して得られたポリエステルフィルムと強磁性金属薄膜層
との界面における窒素原子濃度と、接着力との関係をグ
ラフで表したものである。
、また、実施例１でプラズマ処理室４内に導入する窒素
ガスの流量を０．５ｍｌ／ｍｉｎとして得られた磁気テ
ープ、実施例２ないし４で得られた磁気テープおよび比
較例１および２で得られた磁気テープについて、前記と
同様にしてポリエステルフィルムと強磁性金属薄膜層と
の界面における窒素原子濃度を測定し、接着性を試験し
た。
ガスの流量を０．５ｍｌ／ｍｉｎとして得られた磁気テ
ープ、実施例２ないし４で得られた磁気テープおよび比
較例１および２で得られた磁気テープについて、前記と
同様にしてポリエステルフィルムと強磁性金属薄膜層と
の界面における窒素原子濃度を測定し、接着性を試験し
た。
下表はその結果である。
第２図に示すグラフから明らかなように、ポリエステル
フィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒素原子
濃度が、０．３〜１０％の範囲内であると、接着力が非
常に強くなっており、このことからこの発明によって得
られる磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層の基体に対す
る接着性が極めて良好であることがわかる。また上表か
ら明らかなように、比較徊１および２で得られる磁気テ
ープは、ポリエステルフィルムあるいはポリイミドフィ
ルムと強磁性金属薄膜層との界面にフィルム内の平均の
窒素原子濃度以上の窒素原子の存在が認められず、接着
力も弱いのに対し、この発明で得られた磁気テープ（実
施例１ないし４）は、いずれもポリエステルフィルムあ
るいはポリイミドフィルムと強磁性金属薄膜層との界面
にフィルム内の平均の窒素原子濃度に加えて窒素原子が
１．０〜７′、０％の濃度で認められるとともに接着性
が極めて良好で、このことからこの発明によって得られ
る磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層の基体に対する接
着性が充分に向上されていることがわかる。
フィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒素原子
濃度が、０．３〜１０％の範囲内であると、接着力が非
常に強くなっており、このことからこの発明によって得
られる磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層の基体に対す
る接着性が極めて良好であることがわかる。また上表か
ら明らかなように、比較徊１および２で得られる磁気テ
ープは、ポリエステルフィルムあるいはポリイミドフィ
ルムと強磁性金属薄膜層との界面にフィルム内の平均の
窒素原子濃度以上の窒素原子の存在が認められず、接着
力も弱いのに対し、この発明で得られた磁気テープ（実
施例１ないし４）は、いずれもポリエステルフィルムあ
るいはポリイミドフィルムと強磁性金属薄膜層との界面
にフィルム内の平均の窒素原子濃度に加えて窒素原子が
１．０〜７′、０％の濃度で認められるとともに接着性
が極めて良好で、このことからこの発明によって得られ
る磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜層の基体に対する接
着性が充分に向上されていることがわかる。
第１図はこの発明の磁気記録媒体を得るために使用する
真空蒸着プラズマ処理装置の１例を示す概略断面図、第
２図はこの発明によって得られた磁気テープのポリエス
テルフィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒素
原子濃度と、接着力との関係図である。 １・・・真空槽、３・・・真空蒸着室、４・・・プラズ
マ処理室、５・・・ポリエステルフィルム（基体）、９
・・・強磁性材凛発源、１ｏ・・・コバルト、１３・・
・ガス導入管、工４・・・電極
真空蒸着プラズマ処理装置の１例を示す概略断面図、第
２図はこの発明によって得られた磁気テープのポリエス
テルフィルムと強磁性金属薄膜層との界面における窒素
原子濃度と、接着力との関係図である。 １・・・真空槽、３・・・真空蒸着室、４・・・プラズ
マ処理室、５・・・ポリエステルフィルム（基体）、９
・・・強磁性材凛発源、１ｏ・・・コバルト、１３・・
・ガス導入管、工４・・・電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に強磁性金属薄膜層を形成した磁気記録媒体
において、基体と強磁性金属薄膜層との界面近傍におけ
る窒素原子濃度を基体中の平均の窒素原子濃度より０．
３〜１０％高くしたことを特徴とする磁気記録媒体 ２、基体表面を窒素ガスのプラズマを含むプラズマでプ
ラズマ処理した後、この上に強磁性金属薄膜層を形成し
、基体と強磁性金属薄膜層との界面近傍における窒素原
子濃度を基体中の平均の窒素原子濃度より０．３〜１０
％高くすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26243384A JPS61139918A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26243384A JPS61139918A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61139918A true JPS61139918A (ja) | 1986-06-27 |
Family
ID=17375716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26243384A Pending JPS61139918A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61139918A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137118A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP26243384A patent/JPS61139918A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137118A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Toray Ind Inc | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
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