JPS61144579A - 電界強度測定装置 - Google Patents
電界強度測定装置Info
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- JPS61144579A JPS61144579A JP26701784A JP26701784A JPS61144579A JP S61144579 A JPS61144579 A JP S61144579A JP 26701784 A JP26701784 A JP 26701784A JP 26701784 A JP26701784 A JP 26701784A JP S61144579 A JPS61144579 A JP S61144579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、周期的に無線送出されるAM変調パルス波
(例えば、ロランC信号等)の電界強度を測定する装置
に関する。
(例えば、ロランC信号等)の電界強度を測定する装置
に関する。
(発明の背景)
周期的に無線送出されるAM変調パルス波(例えば、ロ
ランC信号等)を受信、増幅し、この増幅出力波形に基
づいて各種の情報(例えば、距離情報等)を検出する場
合、検出精度の確認のためには、受信信号の電界強度が
増幅器の許容入力範囲に入っていること(すなわち増幅
出力波形が歪んでいないこと)の確認が要望される。
ランC信号等)を受信、増幅し、この増幅出力波形に基
づいて各種の情報(例えば、距離情報等)を検出する場
合、検出精度の確認のためには、受信信号の電界強度が
増幅器の許容入力範囲に入っていること(すなわち増幅
出力波形が歪んでいないこと)の確認が要望される。
(発明の目的)
この発明の目的は、周期的に無線送出されるAM変調パ
ルス波(例えば、ロランC信号等)の電界強度を、雑音
の有無にかかわらず正確に測定することにおる。
ルス波(例えば、ロランC信号等)の電界強度を、雑音
の有無にかかわらず正確に測定することにおる。
(発明の構成)
第1図のクレーム対応図を参照して、本発明の構成を説
明する。
明する。
同図において、増幅手段100は、周期的に無線送出さ
れるAM変調パルス波に対応する受信信号を増幅する。
れるAM変調パルス波に対応する受信信号を増幅する。
基準電圧重畳手段101は、前記AM変調パルスの存在
しない期間において、前記増幅手段の出力に所定の基準
電圧を重畳する。
しない期間において、前記増幅手段の出力に所定の基準
電圧を重畳する。
S/N比測定手段102は、前記基準電圧重畳期間およ
び前記AM変調パルス存在明期間各特定時点におけるS
/N比を求める。
び前記AM変調パルス存在明期間各特定時点におけるS
/N比を求める。
演算手段103は、前記基準電圧重畳期間の特定時点に
おけるS/N比と当該基準電圧値とから雑音の実効値電
圧を求め、これと前記AM変調パルス存在期間の特定時
点におけるS/N比とから当該時点のAM変調パルスの
実効値電圧を求め、該実効値電圧と前記増幅回路の入出
力特性とから受信されたAM変調パルス波の電界強度を
求める。
おけるS/N比と当該基準電圧値とから雑音の実効値電
圧を求め、これと前記AM変調パルス存在期間の特定時
点におけるS/N比とから当該時点のAM変調パルスの
実効値電圧を求め、該実効値電圧と前記増幅回路の入出
力特性とから受信されたAM変調パルス波の電界強度を
求める。
(実施例の説明)
以下に、ロランC信号の電界強度を測定する場合を例に
挙げて、本発明の好適な実施例を説明する。
挙げて、本発明の好適な実施例を説明する。
周知の如く、ロランCチェーンは、1つの主局と2以上
の従局とからなり、主局からは9個、従局からは8個の
両波抑圧AM変調パルス列(搬送周波数100KH7、
パルス幅200us 、パルス間隔1m5)が一定の繰
り返し周期(GRI )で無線送出される。
の従局とからなり、主局からは9個、従局からは8個の
両波抑圧AM変調パルス列(搬送周波数100KH7、
パルス幅200us 、パルス間隔1m5)が一定の繰
り返し周期(GRI )で無線送出される。
ロランCチェーン内において、現在位置を求めるには、
主局信号および従局信号が合成されたロランC信号を受
信するとともに、1つの主局と2つの従局に着目し、主
局パルス列と従局パルス列との到達時間差から2つの双
曲線を選択し、これらの交差点から現在位置を演算によ
り求める。
主局信号および従局信号が合成されたロランC信号を受
信するとともに、1つの主局と2つの従局に着目し、主
局パルス列と従局パルス列との到達時間差から2つの双
曲線を選択し、これらの交差点から現在位置を演算によ
り求める。
具体的には、主局および従局からの同一番目のAM変調
パルスに着目するとともに、各パルス波形に含まれるP
サイクル目の搬送波到来タイミングを検出し、両者の到
達時間差をもって、主局。
パルスに着目するとともに、各パルス波形に含まれるP
サイクル目の搬送波到来タイミングを検出し、両者の到
達時間差をもって、主局。
従局信号の到達時間差と定めている。
精度良く現在位置を求めるには、ロランC信号を受信、
高周波増幅した際、信号が歪みなく増幅されねばならず
、このためロランC信号の電界強度を測定し、これが高
周波増幅器の許容入力範囲内であることを確認する必要
性が生ずる。この際、電界強度の測定は、本実施例では
次のようにして行なわれる。
高周波増幅した際、信号が歪みなく増幅されねばならず
、このためロランC信号の電界強度を測定し、これが高
周波増幅器の許容入力範囲内であることを確認する必要
性が生ずる。この際、電界強度の測定は、本実施例では
次のようにして行なわれる。
第2図は本発明実施例のハードウェア構成を示すブロッ
ク図、第3図は同ソフトウェア構成を示すフローチャー
トである。なお、以下の実施例では、特定の送信局く主
局または従局)について、AM変調ロランパルスに含ま
れる第Pサイクル目の搬送波のピーク点(例えば、リイ
クルマッチング点)における電界強度を求めるものとす
る。
ク図、第3図は同ソフトウェア構成を示すフローチャー
トである。なお、以下の実施例では、特定の送信局く主
局または従局)について、AM変調ロランパルスに含ま
れる第Pサイクル目の搬送波のピーク点(例えば、リイ
クルマッチング点)における電界強度を求めるものとす
る。
まず、第2図を参照して、本実施例のハードウェア構成
について概略説明する。
について概略説明する。
同図において、アンテナ1は所定の利得を有し、ロラン
C電波を受信して微弱な受信信号電圧を誘起する。
C電波を受信して微弱な受信信号電圧を誘起する。
高周波増幅器2は、所定の入出力特性(第6図参照)を
有し、微弱な受信電圧を増幅する。
有し、微弱な受信電圧を増幅する。
擬似信号重畳回路3は、サンプリング信号P2(第4図
参照〉の最初のパルスをトリがとして、電圧S、パルス
幅5μsの矩形波からなる擬似信号(第4図参照)を増
幅器2の出力に対して重畳する。
参照〉の最初のパルスをトリがとして、電圧S、パルス
幅5μsの矩形波からなる擬似信号(第4図参照)を増
幅器2の出力に対して重畳する。
リミッタ回路4は、擬似信号重畳回路3の出力。
すなわち擬似信号が重畳された高周波増幅出力を零レベ
ルを基準として正負2値化し、“1″ (正の場合)ま
たは“0″(負の場合)で出力する。
ルを基準として正負2値化し、“1″ (正の場合)ま
たは“0″(負の場合)で出力する。
シフトレジスタ5は、160ビツトの直列記憶容量を有
し、サンプリング信号P2に含まれる各サンプリングパ
ルスに応答して、リミッタ回路4の出力(第4図参照)
を読込むとともに、同パルスに応答して1ビツトずつシ
フト制御され、また読込まれたリミッタ出力は160ビ
ット単位で並列に出力される。
し、サンプリング信号P2に含まれる各サンプリングパ
ルスに応答して、リミッタ回路4の出力(第4図参照)
を読込むとともに、同パルスに応答して1ビツトずつシ
フト制御され、また読込まれたリミッタ出力は160ビ
ット単位で並列に出力される。
ラッチ回路6は、サンプリング終了信号P3(詳細は後
述)に含まれるパルスに応答して、シフトレジスタ5に
サンプルされたデータを並列に読込む。
述)に含まれるパルスに応答して、シフトレジスタ5に
サンプルされたデータを並列に読込む。
以上説明したサンプリング信号P Z pサンプリング
終了信号P3は、マイクロプロセッサ7、 RAM8お
よびROM9からなるマイクロコンピュータによって、
プログラマブルデバイダ10.11の分周比データを適
宜なタイミングで制御することにより形成される。
終了信号P3は、マイクロプロセッサ7、 RAM8お
よびROM9からなるマイクロコンピュータによって、
プログラマブルデバイダ10.11の分周比データを適
宜なタイミングで制御することにより形成される。
すなわち、クロック発生回路12から出力される基準ク
ロック信号Paをプログラマブルデバイダ11で分周し
て得られるサンプリング開始信号P1と、サンプリング
終了信号P3とで、フリップフロップ13のQ出力の状
態を制御し、このQ出力でプログラマブルデバイダ10
を繰り返し一定期間に限り能動(分周可能〉状態に制御
し、また能動状態にあるプログラマブルデバイダ10に
よって、所定の分周比で基準クロック信号Paを分周す
ることにより、サンプリング信号P2およびサンプリン
グ終了信号P3を得ることができる。
ロック信号Paをプログラマブルデバイダ11で分周し
て得られるサンプリング開始信号P1と、サンプリング
終了信号P3とで、フリップフロップ13のQ出力の状
態を制御し、このQ出力でプログラマブルデバイダ10
を繰り返し一定期間に限り能動(分周可能〉状態に制御
し、また能動状態にあるプログラマブルデバイダ10に
よって、所定の分周比で基準クロック信号Paを分周す
ることにより、サンプリング信号P2およびサンプリン
グ終了信号P3を得ることができる。
一方、ラッチ回路6に取込まれたリミッタ出力データ列
は、所定のタイミング(サンプリング終了信号P3で決
定)が到来するたびに、RAM8へと転送され、またこ
の転送されたデータに対して、後述する位相反転、同期
加算、S/N比測定。
は、所定のタイミング(サンプリング終了信号P3で決
定)が到来するたびに、RAM8へと転送され、またこ
の転送されたデータに対して、後述する位相反転、同期
加算、S/N比測定。
実効値電圧測定等の各種の演算処理が加えられることに
よって、最終的にロランC信号に含まれるAM変調パル
ス波のPサイクル目の搬送波のピーク点における電界強
度と、雑音の電界強度とが求められる。
よって、最終的にロランC信号に含まれるAM変調パル
ス波のPサイクル目の搬送波のピーク点における電界強
度と、雑音の電界強度とが求められる。
次に、第3図のフローチャートを参照して、本実施例装
置の動作を系統的に説明する。
置の動作を系統的に説明する。
なお、このフローチャートは、特定送信局からのロラン
C信号が初期捕捉された時点で開始される。初期捕捉に
ついては、種々の文献で公知であるためここでは言及し
ない。
C信号が初期捕捉された時点で開始される。初期捕捉に
ついては、種々の文献で公知であるためここでは言及し
ない。
プログラムがスタートすると、イニシャル処理として加
算回数カウンタA(詳細は後述)をrOJにセットした
後、制御パルス形成処理(ステップ101)か実行され
る。
算回数カウンタA(詳細は後述)をrOJにセットした
後、制御パルス形成処理(ステップ101)か実行され
る。
この制御パルス形成処理(ステップ101)では、前述
した如く所定のタイミングでプログラマブルデバイダ1
1(プリセットカウンタで構成される)に対して所定の
分周比データ(カウント目標値に相当)をセットするこ
とによって、各AM変調ロランパルスの前縁よりも略2
00μs前方の点に同期した1ms周期のパルス(以下
、サンプリング開始信号という)P+を形成する一方、
プログラマブルデバイダ10に対しても適宜なタイミン
グで分周比データをセットすることにより、サンプリン
グ開始信号P1と同周期で、かつ400μs位相の遅れ
たサンプリング終了信号P3および2.5μs周期のサ
ンプリング用パルスからなるサンプリング信号P2を形
成する。
した如く所定のタイミングでプログラマブルデバイダ1
1(プリセットカウンタで構成される)に対して所定の
分周比データ(カウント目標値に相当)をセットするこ
とによって、各AM変調ロランパルスの前縁よりも略2
00μs前方の点に同期した1ms周期のパルス(以下
、サンプリング開始信号という)P+を形成する一方、
プログラマブルデバイダ10に対しても適宜なタイミン
グで分周比データをセットすることにより、サンプリン
グ開始信号P1と同周期で、かつ400μs位相の遅れ
たサンプリング終了信号P3および2.5μs周期のサ
ンプリング用パルスからなるサンプリング信号P2を形
成する。
このように、制御パルス形成処理(ステップ101)が
実行されることによって、サンプリング開始信号P +
+サンプリング信@P2およびサンプリング終了信号
P3が形成される。
実行されることによって、サンプリング開始信号P +
+サンプリング信@P2およびサンプリング終了信号
P3が形成される。
一方、擬似信号重畳回路3ては、サンプ1ノング信号P
2を構成するパルス列の中で最初のパルスに応答して、
電圧Vs、パルス幅5μsからなる矩形波を、高周波増
幅器2の出力に対して重畳する。
2を構成するパルス列の中で最初のパルスに応答して、
電圧Vs、パルス幅5μsからなる矩形波を、高周波増
幅器2の出力に対して重畳する。
ここで、サンプリング信号P2を構成するパルス列の最
初のパルスのタイミングは、各ロランCパルスの前縁よ
りも略200μs前方の点に同期している。
初のパルスのタイミングは、各ロランCパルスの前縁よ
りも略200μs前方の点に同期している。
従って、擬似信号重畳回路3では、ロランC信号の中で
、ロランCパルスの存在しない期間、すなわち雑音だけ
の期間において、所定電圧の擬似信号を重畳することと
なる(第4図参照)。
、ロランCパルスの存在しない期間、すなわち雑音だけ
の期間において、所定電圧の擬似信号を重畳することと
なる(第4図参照)。
次いで、擬似信号重畳回路3の出力は、リミッタ回路4
において零レベルを基準として正負2値化される(第4
図参照)。
において零レベルを基準として正負2値化される(第4
図参照)。
シフトレジスタ5では、サンプリング信号P2(第4図
参照)に同期して、データ読込みおよびシフト制御をす
ることによって、各ロランCパルスの前縁よりも略20
0μs前方から後方へと400μsの期間に限り、これ
を2.5μs間隔でサンプルする。
参照)に同期して、データ読込みおよびシフト制御をす
ることによって、各ロランCパルスの前縁よりも略20
0μs前方から後方へと400μsの期間に限り、これ
を2.5μs間隔でサンプルする。
次いで、以上のサンプル動作期間(400μs期間)か
終了すると、ラッチ回路6にはサンプリング終了信号P
3に応答して、シフトレジスタ5の記憶データが並列に
ラッチされ、同時にサンプリング終了信号P3によって
マイクロプロセッサ7に割込かかかり、ラッチ回路6の
データはRAM8へと転送される。
終了すると、ラッチ回路6にはサンプリング終了信号P
3に応答して、シフトレジスタ5の記憶データが並列に
ラッチされ、同時にサンプリング終了信号P3によって
マイクロプロセッサ7に割込かかかり、ラッチ回路6の
データはRAM8へと転送される。
以後、同様な制御パルス形成処理(ステップ101)が
全体で16回繰り返され、特定の送信局から送られてく
る16個のロランパルスについて、サンプリングデータ
が2XGRI分だけRAM8へと転送される。
全体で16回繰り返され、特定の送信局から送られてく
る16個のロランパルスについて、サンプリングデータ
が2XGRI分だけRAM8へと転送される。
一方、RAMa内には、1個のロランパルスの1回当り
のサンプリングで160ビツト、1局の1GR1当りの
パルス数が8(固、サンプリング期間が2XGR1分で
あることに対応して、160ビット×8個×2回÷8ビ
ット−320バイトの]ナンプリングデータエリアが設
けられている。
のサンプリングで160ビツト、1局の1GR1当りの
パルス数が8(固、サンプリング期間が2XGR1分で
あることに対応して、160ビット×8個×2回÷8ビ
ット−320バイトの]ナンプリングデータエリアが設
けられている。
そして、2XGRI周明分のサンプリングが終了すると
、各サンプルで得られた160ヒツトのデータはRAM
B内の該当するサンプルデータエリアに順に記憶される
。
、各サンプルで得られた160ヒツトのデータはRAM
B内の該当するサンプルデータエリアに順に記憶される
。
このようにして、2XGRI周明分のサンプリングが終
了すると(ステップ102N定)、マイナスコーディン
グデータの反転処理が行なわれる(ステップ103)。
了すると(ステップ102N定)、マイナスコーディン
グデータの反転処理が行なわれる(ステップ103)。
周知の如く、ロランC信号を構成するAM変調パルスは
、各パルス毎に所定の2値情報で二相PSK変調されて
おり、また8個のロランCパルスで構成される8ビツト
のコードは、IGRI周期飛びに同一コードが繰り返さ
れるようになっている。
、各パルス毎に所定の2値情報で二相PSK変調されて
おり、また8個のロランCパルスで構成される8ビツト
のコードは、IGRI周期飛びに同一コードが繰り返さ
れるようになっている。
従って、このマイナスコーディングデータ反転処理では
、di Offで二相PSK変調されたAM変調パルス
に対応する4ナンプルデータを、論理反転することによ
って、全てのサンプルデータが、搬送波の正側ピーク値
をサンプルしたものとなるように整理する。
、di Offで二相PSK変調されたAM変調パルス
に対応する4ナンプルデータを、論理反転することによ
って、全てのサンプルデータが、搬送波の正側ピーク値
をサンプルしたものとなるように整理する。
次いで、マイナスコーディングデータに対する反転処理
が終了したならば、各サンモル回に得られた160ビッ
トX16回分のデータについてこれを同一ビット毎に加
算する(ステップ104)。
が終了したならば、各サンモル回に得られた160ビッ
トX16回分のデータについてこれを同一ビット毎に加
算する(ステップ104)。
すなわち、RAMe内には前記サンプルデータエリアと
は別に、A番地〜A+’159番地からなる160バイ
トの加算データエリアが設けられている(第4図参照)
。
は別に、A番地〜A+’159番地からなる160バイ
トの加算データエリアが設けられている(第4図参照)
。
そして、このA番地〜A+159番地のエリアには、2
XGRI周期分のサンプルによって得られた16回分の
160ビツトのデータの各ビットの総和算値が記憶され
る。
XGRI周期分のサンプルによって得られた16回分の
160ビツトのデータの各ビットの総和算値が記憶され
る。
以後、加算回数カウンタAを+1歩進させつつ、加算回
数カウンタAの値がNになるまでの間、以上の動作(ス
テップ101〜105)を繰り返す。
数カウンタAの値がNになるまでの間、以上の動作(ス
テップ101〜105)を繰り返す。
加算回数カウンタAの値がNに達した状態にあける、メ
モリ内の加算値列を第4図に示す。同図から明らかなよ
うに、擬似信号またはロランCパルス部分のいずれも存
在しない雑音だけの部分をサンプルしたデータについて
は、雑音が正規雑音であると仮定すると、プラス側また
はマイナス側に発生する確率は1/2となるため、L回
加算での加算値は略L/2となる。
モリ内の加算値列を第4図に示す。同図から明らかなよ
うに、擬似信号またはロランCパルス部分のいずれも存
在しない雑音だけの部分をサンプルしたデータについて
は、雑音が正規雑音であると仮定すると、プラス側また
はマイナス側に発生する確率は1/2となるため、L回
加算での加算値は略L/2となる。
これに対して、擬似信号またはロランCパルス部分では
、S/N比により雑音による誤りの発生する確率が異な
るため、加算値もS/N比によって様々となる。このた
め、後述するPサイクル目のピークを検出するためには
、基準レベルL/2十Δ!およびL/2−Δ!を設け、
加算値がこの範囲外の値であれば、ロランパルスの搬送
波と判定し、範囲内であれば雑音だけしか存在しない部
分であると判定する。
、S/N比により雑音による誤りの発生する確率が異な
るため、加算値もS/N比によって様々となる。このた
め、後述するPサイクル目のピークを検出するためには
、基準レベルL/2十Δ!およびL/2−Δ!を設け、
加算値がこの範囲外の値であれば、ロランパルスの搬送
波と判定し、範囲内であれば雑音だけしか存在しない部
分であると判定する。
次いで、以上で求められたRAMB内の加算値データ列
に基づいて、擬似信号部分のS/N比を求める(ステッ
プ107)。
に基づいて、擬似信号部分のS/N比を求める(ステッ
プ107)。
すなわち、S/N比に対するL回加算した場合の加算値
にの関係は、統計的に第5図のグラフのように表わされ
る。また、この正規化された加算値に/LとS/N比と
の関係は、ROM13にテーブルデータ として記憶さ
れてあり、加算値をこのテーブルデータ と比較するこ
とよって、S/N比を求めることができる。
にの関係は、統計的に第5図のグラフのように表わされ
る。また、この正規化された加算値に/LとS/N比と
の関係は、ROM13にテーブルデータ として記憶さ
れてあり、加算値をこのテーブルデータ と比較するこ
とよって、S/N比を求めることができる。
そこで、RAM8のA+1番地に記憶された加算値デー
タを、ROM9に記憶されたデープルデータ と比較す
ることによって、擬似信号存在部分にあけるS/N比(
以下、SNIという〉を求める。
タを、ROM9に記憶されたデープルデータ と比較す
ることによって、擬似信号存在部分にあけるS/N比(
以下、SNIという〉を求める。
次いて、ロランC信号のPサイクル目のピーク点の検出
が行なわれる(ステップ108)。この検出は、RAM
5内のA+1番地以降で、基準値L/2+Δ!を越える
加算データの7ドレスの中で、先頭からP番目のデータ
を求めることで行なわれる。
が行なわれる(ステップ108)。この検出は、RAM
5内のA+1番地以降で、基準値L/2+Δ!を越える
加算データの7ドレスの中で、先頭からP番目のデータ
を求めることで行なわれる。
次いで、このP番目のピーク点に郭1応したアドレスの
ハロ韓値を求め、これをROMQ内のテーブルデータエ
と前述の如く比較することによってPサイクル目のピー
ク点のS/N比(以下、これをSN2という)が求めら
れる(ステップ109)。
ハロ韓値を求め、これをROMQ内のテーブルデータエ
と前述の如く比較することによってPサイクル目のピー
ク点のS/N比(以下、これをSN2という)が求めら
れる(ステップ109)。
次いで、擬似信号の電圧VSと擬似信号のS/’N比S
NIとから雑音の実効値電圧VN(=VS/5NI)が
求められる(ステップ110)。
NIとから雑音の実効値電圧VN(=VS/5NI)が
求められる(ステップ110)。
次いで、求められた雑音の実効値電圧VNとロランCパ
ルスのPサイクル目のピーク点のS/N比SN2とから
、Pサイクル目のピーク点の実効値電圧Vp (=VN
−8N2)が求められる(ステップ111〉。
ルスのPサイクル目のピーク点のS/N比SN2とから
、Pサイクル目のピーク点の実効値電圧Vp (=VN
−8N2)が求められる(ステップ111〉。
次いて、高周波増幅器2の入出力特性を参照して、前記
求められたPサイクル目のピーク点の実効値電圧VLを
電界強度に変換する(ステップ]12)。
求められたPサイクル目のピーク点の実効値電圧VLを
電界強度に変換する(ステップ]12)。
すなわち、ROM9には、予め受信した電波の電界強度
に対する高周波増幅器の出力電圧特性 。
に対する高周波増幅器の出力電圧特性 。
(第6図参照)がテーブルデータ として記憶されてお
り、前記求められた実効値電圧■しをテーブルデータ
と比較することにより、ロランC信号のPサイクル目の
ピーク点の電界強度Epを求めることができる。
り、前記求められた実効値電圧■しをテーブルデータ
と比較することにより、ロランC信号のPサイクル目の
ピーク点の電界強度Epを求めることができる。
次いで、同様にして雑音の実効値電圧VNについても電
界強度に変換する(ステップ113)。
界強度に変換する(ステップ113)。
すなわち、雑音の実効値電圧VNをROM9に記憶され
たデープルデータ と比較することにより、雑音の電界
強度ENについても求めることができる。
たデープルデータ と比較することにより、雑音の電界
強度ENについても求めることができる。
以上説明した実施例装置によれば、雑音レベルにかかわ
らず高周波増幅器2の出力側において、ロランC信号の
特定時点における電界強度を確実に測定することができ
、これに基づいて電界強度が高周波増幅器の入力許容レ
ベルを越えていることなどを確認し、ロランC受信機で
測定された現在位置の精度確認等を行なうことができる
。
らず高周波増幅器2の出力側において、ロランC信号の
特定時点における電界強度を確実に測定することができ
、これに基づいて電界強度が高周波増幅器の入力許容レ
ベルを越えていることなどを確認し、ロランC受信機で
測定された現在位置の精度確認等を行なうことができる
。
また、特にこの実施例では、ロランCパルス搬送波のP
サイクル目のピーク点の2値データを所定回数加算して
S/N比を推定するについて、マイナスコーディングデ
ータの反転処理(ステップ103)、データ加算処理(
ステップ104)を採用したため、2XGRI周期のサ
ンプリングにより、16XGRI周期分のサンプリング
および同期加算と同様な効果を得ることができ、データ
処理の高速化を図ることができる。
サイクル目のピーク点の2値データを所定回数加算して
S/N比を推定するについて、マイナスコーディングデ
ータの反転処理(ステップ103)、データ加算処理(
ステップ104)を採用したため、2XGRI周期のサ
ンプリングにより、16XGRI周期分のサンプリング
および同期加算と同様な効果を得ることができ、データ
処理の高速化を図ることができる。
なお、以上の実施例では、擬似信号としてプラス電圧の
矩形波を1本発生させるようにしたが、第5図から明ら
かなように、S/N比と加算値にの特性を見ると、S/
N比が10dB以上では、加算回数りと加算値kが略等
しく(k/1jl)、S/N比の判別が不可能になって
しまう。
矩形波を1本発生させるようにしたが、第5図から明ら
かなように、S/N比と加算値にの特性を見ると、S/
N比が10dB以上では、加算回数りと加算値kが略等
しく(k/1jl)、S/N比の判別が不可能になって
しまう。
また、S/N比が一1C)dB以下では、加算値にの分
散が大きくなり、加算回数を相当多くしないと誤差が大
きくなってしまう。
散が大きくなり、加算回数を相当多くしないと誤差が大
きくなってしまう。
そこで、加算回数をある程度に抑えて測定範囲を広くと
り、しかも精度を良くするためには、第7図に示すよう
に幾つかの電圧(VSl、VS2゜・・・VSN)が設
定しである擬似信号を発生させ、擬似信号のS/N比測
定には第5図に示す精度の良い部分(例えば−8dBか
ら+4 dB >を使うようにすれば良い。
り、しかも精度を良くするためには、第7図に示すよう
に幾つかの電圧(VSl、VS2゜・・・VSN)が設
定しである擬似信号を発生させ、擬似信号のS/N比測
定には第5図に示す精度の良い部分(例えば−8dBか
ら+4 dB >を使うようにすれば良い。
つまり、k/Lが約0.66から0.95の中に入った
擬似信号の電圧VS iと、S/N比5N11を用いて
ロランC信号の電界強度と雑音レベルを求めれば良い。
擬似信号の電圧VS iと、S/N比5N11を用いて
ロランC信号の電界強度と雑音レベルを求めれば良い。
仮に、雑音電圧VNが大きく、Vs +ではS/N比が
一8dB以下でも、VS 2 、 VS 3 !タハV
S4のS/N比が一8dBから+4dBに入るようにV
S 2 、 Vs 3 、 VS 4 ヲ41定スル。
一8dB以下でも、VS 2 、 VS 3 !タハV
S4のS/N比が一8dBから+4dBに入るようにV
S 2 、 Vs 3 、 VS 4 ヲ41定スル。
コノ例テハ、1つの擬似信号で測定するS/N比の範囲
は一8dBから+4dBまで12clBの幅があるので
、擬似信号の電圧も12clB間隔て設定すれば効率か
良い。
は一8dBから+4dBまで12clBの幅があるので
、擬似信号の電圧も12clB間隔て設定すれば効率か
良い。
また、前記実施例では、擬似信号をプラス電圧に設定し
たか、これに限ることはなく、第8図に示す如く、マイ
ナス電圧の擬似信号にした場合も、第5図をに/L=0
.5のY軸(S/N比の軸)を中心に線対称なグラフを
作ることでS/N比を測定することができる。
たか、これに限ることはなく、第8図に示す如く、マイ
ナス電圧の擬似信号にした場合も、第5図をに/L=0
.5のY軸(S/N比の軸)を中心に線対称なグラフを
作ることでS/N比を測定することができる。
また、擬似信号の波形も矩形波形や階段状波形に限るも
のではなく、サンプリング位置の電圧か判っていれば正
弦波形のような曲線波形でも良い。
のではなく、サンプリング位置の電圧か判っていれば正
弦波形のような曲線波形でも良い。
また、この発明はロランC信号の電界強度測定に限らず
、その他周期的に無線送出されるAM変調パルス波に広
く適用できる。
、その他周期的に無線送出されるAM変調パルス波に広
く適用できる。
(発明の効果)
以上の実施例の説明でも明らかなように、この発明によ
れば、周期的に無線送出されるAM変調パルス波の電界
強度を、雑音の存在にかかわらず正確に測定することが
できる。
れば、周期的に無線送出されるAM変調パルス波の電界
強度を、雑音の存在にかかわらず正確に測定することが
できる。
第1図は本発明のクレーム対応図、第2図は本発明実施
例装置のハートウニ)7構成を示すブロック図、第3図
は同ソフトウェア構成を示すフローチャート、第4図は
第2図にあける各部の信号波形およびRAM内の加算値
データ列を示す図、第5図はS/N比と1回加算値との
関係を示すグラフ、第6図は高周波増幅器の入出力特性
を示すグラフ、第7図および第8図は擬似信号の他の例
をそれぞれ示すグラフである。 100・・・増幅手段 101・・・基準電圧重畳手段 102・・・S/N比測定手段 103・・・演算手段
例装置のハートウニ)7構成を示すブロック図、第3図
は同ソフトウェア構成を示すフローチャート、第4図は
第2図にあける各部の信号波形およびRAM内の加算値
データ列を示す図、第5図はS/N比と1回加算値との
関係を示すグラフ、第6図は高周波増幅器の入出力特性
を示すグラフ、第7図および第8図は擬似信号の他の例
をそれぞれ示すグラフである。 100・・・増幅手段 101・・・基準電圧重畳手段 102・・・S/N比測定手段 103・・・演算手段
Claims (1)
- (1)周期的に無線送出されるAM変調パルス波を受信
後、これを増幅する増幅手段と; 前記AM変調パルスの存在しない期間において、前記増
幅出力に所定の基準電圧を重畳する基準電圧重畳手段と
; 前記基準電圧重畳期間および前記AM変調パルス存在期
間の各特定時点におけるS/N比を求めるS/N比測定
手段と; 前記基準電圧重畳期間の特定時点におけるS/N比と当
該基準電圧値とから雑音の実効値電圧を求め、これと前
記AM変調パルス存在期間の特定時点におけるS/N比
とから当該時点のAM変調パルスの実効値電圧を求め、
該実効値電圧と前記増幅回路の入出力特性とから受信さ
れたAM変調パルス波の電界強度を求める演算手段とか
らなることを特徴とする電界強度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26701784A JPS61144579A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 電界強度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26701784A JPS61144579A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 電界強度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144579A true JPS61144579A (ja) | 1986-07-02 |
Family
ID=17438896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26701784A Pending JPS61144579A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 電界強度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144579A (ja) |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26701784A patent/JPS61144579A/ja active Pending
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