JPS6117800B2 - - Google Patents
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- JPS6117800B2 JPS6117800B2 JP57198828A JP19882882A JPS6117800B2 JP S6117800 B2 JPS6117800 B2 JP S6117800B2 JP 57198828 A JP57198828 A JP 57198828A JP 19882882 A JP19882882 A JP 19882882A JP S6117800 B2 JPS6117800 B2 JP S6117800B2
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- single crystal
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- nickel
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Heat Treatment Of Nonferrous Metals Or Alloys (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ニツケル基超合金の単結晶から成る
物品（以下ニツケル基単結晶超合金物品」と記載
する）の新しい進歩した製造法に関する。ここで
ニツケル基超合金とは、ニツケルを主成分とする
合金であつて650〜820℃の高温で耐酸化性及び高
温強度を充分保持する合金を示す。
物品（以下ニツケル基単結晶超合金物品」と記載
する）の新しい進歩した製造法に関する。ここで
ニツケル基超合金とは、ニツケルを主成分とする
合金であつて650〜820℃の高温で耐酸化性及び高
温強度を充分保持する合金を示す。
ニツケル基単結晶超合金物品は、粗大なγ′相
（γPrime）が、γ′相基質内に分散した状態で鋳
造することができる。γ（ガンマ）相基質の形態
を改善するために、単結晶製品を溶体化処理す
る。この溶体化熱処理の間、製品は該製品の固相
線温度よりは僅に下の温度で、γ′相がγ相内に
固溶するのに十分な時間け加熱される。換言する
と溶体化処理とは、製品即ち物品の固相線温度よ
りはわずかに下の温度に、製品を充分な時間だけ
加熱してそれによりγ′相をγ相内に固溶する処
理を意味する。
（γPrime）が、γ′相基質内に分散した状態で鋳
造することができる。γ（ガンマ）相基質の形態
を改善するために、単結晶製品を溶体化処理す
る。この溶体化熱処理の間、製品は該製品の固相
線温度よりは僅に下の温度で、γ′相がγ相内に
固溶するのに十分な時間け加熱される。換言する
と溶体化処理とは、製品即ち物品の固相線温度よ
りはわずかに下の温度に、製品を充分な時間だけ
加熱してそれによりγ′相をγ相内に固溶する処
理を意味する。
その後でγ′相は微細化された状態でγ相から
析出する。粗いγ′相を伴なつた単結晶製品を鋳
造し、次に該製品を溶体化処理して微細γ′とす
る方法はアメリカ国特許第4209348号に開示され
ている。
析出する。粗いγ′相を伴なつた単結晶製品を鋳
造し、次に該製品を溶体化処理して微細γ′とす
る方法はアメリカ国特許第4209348号に開示され
ている。
単結晶製品を溶体化処理する間、製品の一部の
再結晶が、過度の応力集中がある部分、即ちエネ
ルギー蓄積と転位密度の高い部分で起り易い。結
晶はこれらの部分での、溶体化処理間における結
晶核の生成と、その実質的成長の結果として生ず
るものである。この過度の応力集中は、製品の一
部ある決定的な部分が、鋳造の間にセラミツク鋳
型で拘束される場合、および／または、鋳造品に
機械的な衝撃力が加えられたことによつて生じ得
る。
再結晶が、過度の応力集中がある部分、即ちエネ
ルギー蓄積と転位密度の高い部分で起り易い。結
晶はこれらの部分での、溶体化処理間における結
晶核の生成と、その実質的成長の結果として生ず
るものである。この過度の応力集中は、製品の一
部ある決定的な部分が、鋳造の間にセラミツク鋳
型で拘束される場合、および／または、鋳造品に
機械的な衝撃力が加えられたことによつて生じ得
る。
勿論、応力集中域で再結晶が起れば、製品の単
結晶としての特性は失なわれる。
結晶としての特性は失なわれる。
本発明は、鋳造品を先ず第１に回復熱処理する
ことにより、溶体化処理の間での単結晶鋳造品の
再結晶を排除するものである。
ことにより、溶体化処理の間での単結晶鋳造品の
再結晶を排除するものである。
この回復熱処理は、再結晶が起る温度よりは低
い温度で行なわれる。また、回復熱処理は、γ′
相をγ相に固溶させるために製品を加熱すべき温
度よりも低い温度で行なわれる。
い温度で行なわれる。また、回復熱処理は、γ′
相をγ相に固溶させるために製品を加熱すべき温
度よりも低い温度で行なわれる。
それ故に、回復熱処理を行つた後で、製品をそ
の固有線温度よりは下で、再結晶温度と回復温度
よりは上の温度まで加熱してγ′相をγ相内に固
溶させる。その後で微細化したγ′相をγ相基質
内に析出させるのが製品の単結晶的構造は維持さ
れる。
の固有線温度よりは下で、再結晶温度と回復温度
よりは上の温度まで加熱してγ′相をγ相内に固
溶させる。その後で微細化したγ′相をγ相基質
内に析出させるのが製品の単結晶的構造は維持さ
れる。
従つて本発明の目的は、単結晶製品をその再結
晶温度よりは低い温度で回復加熱処理し、次に応
力集中があるような場所でも再結晶を起すことな
く、γ′相をγ相内に固溶させるために、該製品
を溶体化処理することにより単結晶製品を製造す
るための新規にして改良された方法を提供するこ
とである。
晶温度よりは低い温度で回復加熱処理し、次に応
力集中があるような場所でも再結晶を起すことな
く、γ′相をγ相内に固溶させるために、該製品
を溶体化処理することにより単結晶製品を製造す
るための新規にして改良された方法を提供するこ
とである。
前述の目的、その他の目的、さらに本発明の特
徴は、添付の図面に関連して述べられる以下の記
載を検討することにより一層明確になる。
徴は、添付の図面に関連して述べられる以下の記
載を検討することにより一層明確になる。
第１図には、セラミツク鋳型１２内にある単結
晶の羽根（vane）あるいはエアフオイル
（airfoil）１０と呼ばれ鋳造品が図示されてい
る。この単結晶エアフオイルは、アメリカ国特許
第3494709に開示されている方法と同様の方法で
ニツケル基超合金から鋳造できる。このエアフオ
イル１０の鋳造作業の間に、エアフオイルの互に
反対側端にある基部１４と１６の間の鋳型１２
は、エアフオイルが冷却するのに伴う軸方向収縮
に抗して単結晶エアフオイルを保持しようとす
る。これによつて薄肉部１８と２０に応力集中が
起るが、この応力集中は冷却が最も遅れて起る基
部１４または１６に近接したすみ肉部で特に著る
しい。
晶の羽根（vane）あるいはエアフオイル
（airfoil）１０と呼ばれ鋳造品が図示されてい
る。この単結晶エアフオイルは、アメリカ国特許
第3494709に開示されている方法と同様の方法で
ニツケル基超合金から鋳造できる。このエアフオ
イル１０の鋳造作業の間に、エアフオイルの互に
反対側端にある基部１４と１６の間の鋳型１２
は、エアフオイルが冷却するのに伴う軸方向収縮
に抗して単結晶エアフオイルを保持しようとす
る。これによつて薄肉部１８と２０に応力集中が
起るが、この応力集中は冷却が最も遅れて起る基
部１４または１６に近接したすみ肉部で特に著る
しい。
ここでは、この応力集中部は基部１４に近接し
ているすみ肉１８の部分であるとして説明する。
ているすみ肉１８の部分であるとして説明する。
すみ肉部１８の部分に応力集中部が形成される
状況については、すでに第２図で図解的に示し
た。応力集中の程度あるいはその水準が１８のす
み肉部で十分に高ければ、局部的な永久変形（す
なわち塑性変形）または転位密度の高い領域が生
じる。
状況については、すでに第２図で図解的に示し
た。応力集中の程度あるいはその水準が１８のす
み肉部で十分に高ければ、局部的な永久変形（す
なわち塑性変形）または転位密度の高い領域が生
じる。
この高転位密度域、すなわち応力集中部は、Ｔ
を第２図では逆立にした記号⊥を用い⊥２４とし
て図示した。転位密度が通常の部分は、⊥２８と
して図示してある。すみ肉部１８で応力集中が激
しければ、すみ肉部１８では高い転位密度が生じ
ていることになる。
を第２図では逆立にした記号⊥を用い⊥２４とし
て図示した。転位密度が通常の部分は、⊥２８と
して図示してある。すみ肉部１８で応力集中が激
しければ、すみ肉部１８では高い転位密度が生じ
ていることになる。
アメリカ特許第4209348号に開示されている方
法と同様に、微細γ′相をγ相基質内に析出させ
るために単結晶物品１０を溶体化処理すると、第
３図に図示したような状況ですみ肉１８に近い部
分に再結晶が起る。このようにニツケル基の単結
晶超合金のエアフオイル１０をγ相の形態を起良
するために溶体化処理すると、転位密度が高かつ
た部分２４（第２図）に相当するすみ肉１８に結
晶粒群３２の核生成が起る。このような結晶粒群
３２の生成は、鋳造製品１０の単結晶構造を破壊
し、製品を廃品にするほど有害である。
法と同様に、微細γ′相をγ相基質内に析出させ
るために単結晶物品１０を溶体化処理すると、第
３図に図示したような状況ですみ肉１８に近い部
分に再結晶が起る。このようにニツケル基の単結
晶超合金のエアフオイル１０をγ相の形態を起良
するために溶体化処理すると、転位密度が高かつ
た部分２４（第２図）に相当するすみ肉１８に結
晶粒群３２の核生成が起る。このような結晶粒群
３２の生成は、鋳造製品１０の単結晶構造を破壊
し、製品を廃品にするほど有害である。
応力集中については、第２図では冷却に際し鋳
造品が拘束されることによつてすみ肉１８の部分
に起るものとして図示したが、応力集中はそれ以
外の原因によつても起り得るものと考えられる。
造品が拘束されることによつてすみ肉１８の部分
に起るものとして図示したが、応力集中はそれ以
外の原因によつても起り得るものと考えられる。
例えば、鋳型から鋳造品を抜き出す際、あるい
は鋳造品をその後清浄処理する際などに、鋳造品
が他の物体と衝突すると局部的な応力集中が生
じ、それが衝撃の部分での永久変形になり得る。
これらの原因以外にも、エアフオイル１０が溶体
化処理を受けた場合に再結晶を生成させるのに十
分な程度の応力集中を招来するようないくつかの
要素が考えられる。
は鋳造品をその後清浄処理する際などに、鋳造品
が他の物体と衝突すると局部的な応力集中が生
じ、それが衝撃の部分での永久変形になり得る。
これらの原因以外にも、エアフオイル１０が溶体
化処理を受けた場合に再結晶を生成させるのに十
分な程度の応力集中を招来するようないくつかの
要素が考えられる。
ここまでに、再結晶の生成に関して、エアフオ
イル１０に関連して説明したが、応力集中に帰因
する再結晶は他の単結晶製品についても当然考え
られる問題である。
イル１０に関連して説明したが、応力集中に帰因
する再結晶は他の単結晶製品についても当然考え
られる問題である。
本発明の特徴によれば、溶体化処理の間での単
結晶１０の再結晶は、製品の溶体化処理の前に、
製品を回復熱処理することにより防止することが
できる。この回復熱処理は、再結晶が起る温度よ
り低い温度で行なう。
結晶１０の再結晶は、製品の溶体化処理の前に、
製品を回復熱処理することにより防止することが
できる。この回復熱処理は、再結晶が起る温度よ
り低い温度で行なう。
応力集中部で再結晶を行なわせるには、再結晶
が起るのに十分高い温度まで単結晶製品を加熱し
なければならない。再結晶温度とは、製品中に貯
えられたエネルギーが歪の無いすなわち応力を受
けていない粒子、結晶などの核生成と成長によつ
て解放され発散される温度であると云える。勿論
このような結晶の核生成は、単結晶製品としての
完全を損う。それ故に、回復熱処理は、再結晶を
生ずることなく応力を除去することができるよ
う、再結晶の起る温度よりは低い温度で行う。
が起るのに十分高い温度まで単結晶製品を加熱し
なければならない。再結晶温度とは、製品中に貯
えられたエネルギーが歪の無いすなわち応力を受
けていない粒子、結晶などの核生成と成長によつ
て解放され発散される温度であると云える。勿論
このような結晶の核生成は、単結晶製品としての
完全を損う。それ故に、回復熱処理は、再結晶を
生ずることなく応力を除去することができるよ
う、再結晶の起る温度よりは低い温度で行う。
このようにして、本発明の方法によれば、すみ
肉部の近くで過度の転位２４を有する製品１０
は、当該製品の再結晶温度より低い温度で回復熱
処理を受けることになる。この回復熱処理によつ
て、転位密度は再結晶生成の臨界密度以下に低減
される。製品１０が回復熱処理されると、すみ肉
１８に近い部分の転位密度は第２図に示した高い
密度から第４図の比較的低密度の状態まで低減さ
れる。前記の高転位密度は、ある拡散メカニズム
によつて回復され、すし肉１８に近い部分の高エ
ネルギーの転位の低減を招来する。
肉部の近くで過度の転位２４を有する製品１０
は、当該製品の再結晶温度より低い温度で回復熱
処理を受けることになる。この回復熱処理によつ
て、転位密度は再結晶生成の臨界密度以下に低減
される。製品１０が回復熱処理されると、すみ肉
１８に近い部分の転位密度は第２図に示した高い
密度から第４図の比較的低密度の状態まで低減さ
れる。前記の高転位密度は、ある拡散メカニズム
によつて回復され、すし肉１８に近い部分の高エ
ネルギーの転位の低減を招来する。
すみ肉部１８に近い部分の転位密度が、再結晶
を起すに足る臨界密度以下まで低減された後で、
エアフオイル１０を冷却し、次に溶体化処理を行
う。溶体化処理の間は、製品１０をその固相線温
度よりは低いが、その再結晶温度および回復温度
よりは上の温度に加熱する。
を起すに足る臨界密度以下まで低減された後で、
エアフオイル１０を冷却し、次に溶体化処理を行
う。溶体化処理の間は、製品１０をその固相線温
度よりは低いが、その再結晶温度および回復温度
よりは上の温度に加熱する。
この溶体化熱処理によつて、製品１０中のγ′
相はγ相との固溶状態になる。
相はγ相との固溶状態になる。
溶体化処理が終了した後、製品を冷却する。そ
の後の時効処理の間に、γ′相は比較的微細な形
状で析出する。それ故に、回復熱処理後に溶体化
処理が行なわれれば、製品の応力集中域での再結
晶を生ずることなくγ′相の形態が改良される。
これによつて製品の単結晶構造が保たれたことに
なる。溶体化処理と、微細γ′相が析出した後で
は、製品１０のすし肉部１８に近い部分の転位密
度は、第５図に図解的に示したように製品の他の
部分と殆んど同様になる。必要ならば、回復処理
終了後に鋳造品を冷却せずに溶体化処理を行うこ
ともできる。
の後の時効処理の間に、γ′相は比較的微細な形
状で析出する。それ故に、回復熱処理後に溶体化
処理が行なわれれば、製品の応力集中域での再結
晶を生ずることなくγ′相の形態が改良される。
これによつて製品の単結晶構造が保たれたことに
なる。溶体化処理と、微細γ′相が析出した後で
は、製品１０のすし肉部１８に近い部分の転位密
度は、第５図に図解的に示したように製品の他の
部分と殆んど同様になる。必要ならば、回復処理
終了後に鋳造品を冷却せずに溶体化処理を行うこ
ともできる。
ある一実施例では、42個の単結晶のタービンブ
レード鋳造品を市販のニツケル基超合金
PWA1480を使用して作つた。42個の鋳造品中の
20個を、プツシヤー（押出し式）型予熱炉中で、
981℃（1800〓）の温度で24時間の回復熱処理を
行なつた。鋳造品を冷却後、回復熱処理を受けた
20個の鋳造品と残り22個の鋳造品を、当該金属の
固相線温度である1289℃（2355〓）より僅かに低
い1281℃（2340〓）の温度で溶体化処理した。
レード鋳造品を市販のニツケル基超合金
PWA1480を使用して作つた。42個の鋳造品中の
20個を、プツシヤー（押出し式）型予熱炉中で、
981℃（1800〓）の温度で24時間の回復熱処理を
行なつた。鋳造品を冷却後、回復熱処理を受けた
20個の鋳造品と残り22個の鋳造品を、当該金属の
固相線温度である1289℃（2355〓）より僅かに低
い1281℃（2340〓）の温度で溶体化処理した。
溶体化処理後、42個の鋳造品を検査した結果、
回復熱処理を受けた20個の鋳造品には再結晶は全
然認められなかつた。しかし、回復熱処理を受け
なかつた20個は、溶体化熱処理の結果生じた再結
晶によつて不合格率が100％であつた。
回復熱処理を受けた20個の鋳造品には再結晶は全
然認められなかつた。しかし、回復熱処理を受け
なかつた20個は、溶体化熱処理の結果生じた再結
晶によつて不合格率が100％であつた。
別の実験例では、ニツケル基超合金PWA1480
の単結晶の３本の棒材を19mm（３／１インチ）長
さで、巾12.7mmの部分だけ被覆した。この単結晶
棒は長さが76.2mm（３インチ）で１片が12.7mm
（１／２インチ）の正方形断面のものであつた。
の単結晶の３本の棒材を19mm（３／１インチ）長
さで、巾12.7mmの部分だけ被覆した。この単結晶
棒は長さが76.2mm（３インチ）で１片が12.7mm
（１／２インチ）の正方形断面のものであつた。
これらの棒材を直径が0.584mm（0.023インチ）
でロツクウエル硬さC50−60の鋼シヨツトで、圧
力をそれぞれ１，２，４および5.62Kg／cm2（15，
30，60，80psi）で10秒間シヨツトピーニングを
行なつた。
でロツクウエル硬さC50−60の鋼シヨツトで、圧
力をそれぞれ１，２，４および5.62Kg／cm2（15，
30，60，80psi）で10秒間シヨツトピーニングを
行なつた。
つぎに、これらの棒を断片として切断し、３つ
の群に分けた、各群には１，２，４および5.62
Kg／cm2（15，30，60および80psi）でシヨツトピ
ーニングを行なつた断片が含まれていた。最初の
群の断片は981℃（1800〓）で24時間の回復熱処
理を行なつた。約1281℃（2340〓）の温度で溶体
化処理後、１Kg／cm2（15psi）でシヨツトピーニ
ングを行なつた断片には再結晶粒は全く認められ
なかつた。
の群に分けた、各群には１，２，４および5.62
Kg／cm2（15，30，60および80psi）でシヨツトピ
ーニングを行なつた断片が含まれていた。最初の
群の断片は981℃（1800〓）で24時間の回復熱処
理を行なつた。約1281℃（2340〓）の温度で溶体
化処理後、１Kg／cm2（15psi）でシヨツトピーニ
ングを行なつた断片には再結晶粒は全く認められ
なかつた。
他の３群の断片のものでは、シヨツトピーニン
グ圧の上昇に伴ない、再結晶粒数が増大するのが
認められた。
グ圧の上昇に伴ない、再結晶粒数が増大するのが
認められた。
しかしながら、これらの再結晶の数は、もし回
復熱処理を行なつていなかつたらば当然生成した
と予測される数よりははるかに少なかつた、これ
は実質的な応力除去が起つていたことを示すもの
である。
復熱処理を行なつていなかつたらば当然生成した
と予測される数よりははるかに少なかつた、これ
は実質的な応力除去が起つていたことを示すもの
である。
このことから、回復熱処理をもつと長い時間行
なつていたらば再結晶粒は全く生成しなかつたで
あろうと確信できる。
なつていたらば再結晶粒は全く生成しなかつたで
あろうと確信できる。
第２群の棒の断片を、1281℃（1900〓）で24時
間回復熱処理を行なつた。約1036℃（2340〓）で
溶体化熱処理した後、１Kg／cm2（15psi）と２
Kg／cm2（30psi）でシヨツトピーニングを行つた
棒材断片には、再結晶粒は全く認められなかつ
た。他の２つの棒材断片では、シヨツトピーニン
グ圧力の上昇に伴つて再結晶粒の数が増加した。
4.02および5.62Kg／cm2（60および80psi）でシヨ
ツトピーニングを行なつた断片の再結晶粒の数
は、981℃（1800〓）の回復熱処理を行なつた対
応断片中の再結晶の数より少なかつた。
間回復熱処理を行なつた。約1036℃（2340〓）で
溶体化熱処理した後、１Kg／cm2（15psi）と２
Kg／cm2（30psi）でシヨツトピーニングを行つた
棒材断片には、再結晶粒は全く認められなかつ
た。他の２つの棒材断片では、シヨツトピーニン
グ圧力の上昇に伴つて再結晶粒の数が増加した。
4.02および5.62Kg／cm2（60および80psi）でシヨ
ツトピーニングを行なつた断片の再結晶粒の数
は、981℃（1800〓）の回復熱処理を行なつた対
応断片中の再結晶の数より少なかつた。
棒材の切断片の第３のグループを1315℃（2400
〓）で24時間の回復熱処理を行なつたし。1281℃
（2340〓）で溶体化熱処理を行なつた後、約１Kg
（15psi）の圧力でシヨツトピーニングした。
〓）で24時間の回復熱処理を行なつたし。1281℃
（2340〓）で溶体化熱処理を行なつた後、約１Kg
（15psi）の圧力でシヨツトピーニングした。
他の３個の切断片は、回復熱処理を全く受けて
いなかつたかのごとく、多数の再結晶粒が認めら
れた。このことから、３個の断片の1093℃（2000
〓）での回復熱処理は再結晶温度以上になつてい
たものと考えられる。
いなかつたかのごとく、多数の再結晶粒が認めら
れた。このことから、３個の断片の1093℃（2000
〓）での回復熱処理は再結晶温度以上になつてい
たものと考えられる。
以上の点から、981゜〜1036℃（1800〓）〜
1900〓）での回復熱処理が、市販のニツケル基超
合金PWA1480製のエアフオイルには満足すべき
温度であると考えられる。しかしながら、他のニ
ツケル基超合金も、必要に応じ使用することがで
きる。この合金および／または他の合金に対し、
適切な回復熱処理温度にはある範囲が存在するも
のと信ずる。
1900〓）での回復熱処理が、市販のニツケル基超
合金PWA1480製のエアフオイルには満足すべき
温度であると考えられる。しかしながら、他のニ
ツケル基超合金も、必要に応じ使用することがで
きる。この合金および／または他の合金に対し、
適切な回復熱処理温度にはある範囲が存在するも
のと信ずる。
この温度範囲については、現在の処まだ不明で
ある。いづれにしても、回復熱処理は、該合金の
再結晶温度よりは低く、勿論、該合金の固相線温
度で行なわなければならない。同様に溶体化処理
は、該合金の溶融開始温度と固相線温度よりは下
で、γ′相がγ相に溶入する温度より上の温度で
ある限り、1281℃（2340〓）以外の温度で行い得
る。
ある。いづれにしても、回復熱処理は、該合金の
再結晶温度よりは低く、勿論、該合金の固相線温
度で行なわなければならない。同様に溶体化処理
は、該合金の溶融開始温度と固相線温度よりは下
で、γ′相がγ相に溶入する温度より上の温度で
ある限り、1281℃（2340〓）以外の温度で行い得
る。
以上の記載から、本発明は、最初に製品に回復
熱処理を施すことにより、溶体化処理の間に生ず
る単結晶鋳造品の再結晶を解消できることが明白
である。
熱処理を施すことにより、溶体化処理の間に生ず
る単結晶鋳造品の再結晶を解消できることが明白
である。
一特定実施例では、ニツケル基超合金
PWA1480製の単結晶鋳造品を981℃（1800〓）で
回復熱処理を行なつた。この温度は、ニツケル基
超合金PWA 1480の再結晶の起る温度である。
PWA1480製の単結晶鋳造品を981℃（1800〓）で
回復熱処理を行なつた。この温度は、ニツケル基
超合金PWA 1480の再結晶の起る温度である。
回復熱処理温度である981℃（1800〓）は、
γ′相をγ相中に固溶させるために加熱する1281
℃（2340〓）よりは低い。
γ′相をγ相中に固溶させるために加熱する1281
℃（2340〓）よりは低い。
回復熱処理の後で、製品を1281℃（2340〓）に
加熱して溶体化熱処理を行なつた、この温度は該
製品の固相線温度よりは低いが、γ′相をγ相内
に固溶させる必要上、再結晶温度や回復温度より
は高い温度である。この後で微細γ′相をγ相基
質内に析出させたが製品の再結晶組織は維持され
た。
加熱して溶体化熱処理を行なつた、この温度は該
製品の固相線温度よりは低いが、γ′相をγ相内
に固溶させる必要上、再結晶温度や回復温度より
は高い温度である。この後で微細γ′相をγ相基
質内に析出させたが製品の再結晶組織は維持され
た。
上記実施例での製品はニツケル基超合金
PWA1480を使用して作成ししたが、本発明は他
のニツケル基超合金を使用しても実施することが
できる。また回復熱処理と溶体化処理については
それぞれ、981℃（1800〓）と1281℃（2340〓）
以外の温度でも実施可能である。
PWA1480を使用して作成ししたが、本発明は他
のニツケル基超合金を使用しても実施することが
できる。また回復熱処理と溶体化処理については
それぞれ、981℃（1800〓）と1281℃（2340〓）
以外の温度でも実施可能である。
第１図は、単結晶鋳造品と鋳型の関係を図示し
た図解的断面図、第２図は、第１図の単結晶製品
の一部を示し、高応力を受け転位密度が高くなつ
ている部分を示す略断面図、第３図は、第２図で
図示した単結晶鋳造品の応力集中部に、溶体化処
理の際に再結晶が起る状況を図示した略断面図、
第４図は、単結晶物品をその再結晶温度よりも低
い温度で熱処理した後での応力集中状態を示す略
断面図、第５図は前記物品の部分を溶体化処理し
た後での状態を示す略断面図である。
た図解的断面図、第２図は、第１図の単結晶製品
の一部を示し、高応力を受け転位密度が高くなつ
ている部分を示す略断面図、第３図は、第２図で
図示した単結晶鋳造品の応力集中部に、溶体化処
理の際に再結晶が起る状況を図示した略断面図、
第４図は、単結晶物品をその再結晶温度よりも低
い温度で熱処理した後での応力集中状態を示す略
断面図、第５図は前記物品の部分を溶体化処理し
た後での状態を示す略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ γ相基室内に分散する微細化されたγ′相を
有するニツケル基超合金の単結晶から成る物品を
製造する方法であつて：前記方法が、 γ相基質内に粗大なγ′相が存在するニツケル
基超合金の単結晶から成る物品を鋳込む段階と；
前記鋳込後の凝固またはその後の取扱中に、前記
単結晶から成る物品に応力集中が形成される段階
であつて、前記単結晶から成る製品を前記γ′相
がγ相内に固溶させるための溶体化処理温度に加
熱する際に、再結晶を起すに足る強さの応力集中
が形成される段階と； 前記単結晶から成る物品を、前記応力集中が存
在する部分での再結晶温度よりは低い回復温度で
加熱して応力集中の強さを低減させる工程と； 前記応力集中低減の後で、該物品の固相線温度
よりは低く、前記再結晶温度と回復温度よりは高
い温度で前記物品を加熱してγ′相をγ相中に固
溶させる溶体化処理の工程； その後で微細化されたγ′相をγ相基質内に析
出させるが、該物品の単結晶構造を維持しうる析
出工程との諸工程を含むニツケル基超合金の単結
晶から成る物品の製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
物品を回復温度に加熱する工程が、前記物品を約
981℃に加熱することを含む、ニツケル基超合金
の単結晶から成る物品の製造方法。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
単結晶に部分的応力集中が形成される段階が、鋳
造の間に鋳型によつて力が加えられることによつ
て生ずる、ニツケル基超合金の単結晶から成る物
品の製造方法。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
単結晶から成る物品の部分的応力集中が、鋳造後
に前記物品に対する衝撃によつて生ずるものであ
る、ニツケル基超合金の単結晶から成る物品の製
造方法。 ５ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
物品にほどこされる溶体化処理が約1259℃の温度
で行われる、ニツケル基超合金の単結晶から成る
物品の製造方法。 ６ 特許請求の範囲第５項記載の方法において、
物品を回復温度に加熱する工程が、約981゜から
1036℃で約24時間の加熱である、ニツケル基超合
金の単結晶から成る物品の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/321,052 US4385939A (en) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | Method of producing a single crystal article |
| US321052 | 1981-11-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964593A JPS5964593A (ja) | 1984-04-12 |
| JPS6117800B2 true JPS6117800B2 (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=23248979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57198828A Granted JPS5964593A (ja) | 1981-11-13 | 1982-11-12 | ニッケル基超合金の単結晶から成る物品の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4385939A (ja) |
| EP (1) | EP0079692B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5964593A (ja) |
| CA (1) | CA1197756A (ja) |
| DE (1) | DE3271783D1 (ja) |
| IL (1) | IL67244A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4475980A (en) * | 1982-06-01 | 1984-10-09 | United Technologies Corporation | Solid state production of multiple single crystal articles |
| US4514360A (en) * | 1982-12-06 | 1985-04-30 | United Technologies Corporation | Wrought single crystal nickel base superalloy |
| GB2191505B (en) * | 1986-06-09 | 1991-02-13 | Gen Electric | Dispersion strengthened single crystal alloys |
| US4729799A (en) * | 1986-06-30 | 1988-03-08 | United Technologies Corporation | Stress relief of single crystal superalloy articles |
| US5074925A (en) * | 1990-06-25 | 1991-12-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Thermomechanical fabrication of net shape single crystal airfoils |
| US5706881A (en) * | 1994-05-12 | 1998-01-13 | Howmet Research Corporation | Heat treatment of superalloy casting with partial mold removal |
| US5665180A (en) * | 1995-06-07 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for hot rolling single crystal nickel base superalloys |
| EP1595968A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-11-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Wärmebehandlungsverfahren für einkristalline oder direktional verfestigte Bauteile |
| FR2978927B1 (fr) | 2011-08-09 | 2013-09-27 | Snecma | Procede de fonderie de pieces metalliques monocristallines |
| DE102016202837A1 (de) * | 2016-02-24 | 2017-08-24 | MTU Aero Engines AG | Wärmebehandlungsverfahren für Bauteile aus Nickelbasis-Superlegierungen |
| CN108097909B (zh) * | 2016-11-25 | 2020-06-16 | 中国科学院金属研究所 | 一种消除单晶高温合金铸件再结晶的工艺方法 |
| CN115354133B (zh) * | 2022-08-16 | 2023-10-17 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种预防单晶高温合金叶片局部再结晶的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3973952A (en) * | 1973-06-11 | 1976-08-10 | The International Nickel Company, Inc. | Heat resistant alloy casting |
| JPS5015193A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-18 | ||
| JPS5029198U (ja) * | 1973-07-12 | 1975-04-02 | ||
| US4116723A (en) * | 1976-11-17 | 1978-09-26 | United Technologies Corporation | Heat treated superalloy single crystal article and process |
| US4222794A (en) * | 1979-07-02 | 1980-09-16 | United Technologies Corporation | Single crystal nickel superalloy |
| GB2071695A (en) * | 1980-03-13 | 1981-09-23 | Rolls Royce | An alloy suitable for making single-crystal castings and a casting made thereof |
-
1981
- 1981-11-13 US US06/321,052 patent/US4385939A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-10-21 DE DE8282305608T patent/DE3271783D1/de not_active Expired
- 1982-10-21 EP EP82305608A patent/EP0079692B1/en not_active Expired
- 1982-11-12 IL IL67244A patent/IL67244A/xx unknown
- 1982-11-12 JP JP57198828A patent/JPS5964593A/ja active Granted
- 1982-11-12 CA CA000415464A patent/CA1197756A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0079692B1 (en) | 1986-06-18 |
| DE3271783D1 (en) | 1986-07-24 |
| EP0079692A3 (en) | 1984-08-08 |
| EP0079692A2 (en) | 1983-05-25 |
| CA1197756A (en) | 1985-12-10 |
| US4385939A (en) | 1983-05-31 |
| JPS5964593A (ja) | 1984-04-12 |
| IL67244A (en) | 1986-02-28 |
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