JPS61207389A - 新規ジシラシクロペンタン化合物の製法 - Google Patents
新規ジシラシクロペンタン化合物の製法Info
- Publication number
- JPS61207389A JPS61207389A JP60047098A JP4709885A JPS61207389A JP S61207389 A JPS61207389 A JP S61207389A JP 60047098 A JP60047098 A JP 60047098A JP 4709885 A JP4709885 A JP 4709885A JP S61207389 A JPS61207389 A JP S61207389A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- general formula
- reaction
- platinum
- disilacyclopentane
- Prior art date
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- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高分子化学における架橋剤として、また種々
の化合物合成の中間体として有用な新規ジシラシクロベ
ンタン化合物およびその製法に関する。
の化合物合成の中間体として有用な新規ジシラシクロベ
ンタン化合物およびその製法に関する。
従来、ビニルジシランの５ｉ−５ｉ結合の開裂を伴なう
反応としては、一般式： 〔式中、Ｖｉ：ビニル基、Ｍｅ：メチル基、Ｌ：リガン
ド〕 で表わされるモノビニルジシランとジシラシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、および次式： で表わされるモノビニルジシランとエタノールとの白金
触媒によるソルボリシス反応が知られているのみである
（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌ
ｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、 １９（１９８１） ２１３
−２５５）。
反応としては、一般式： 〔式中、Ｖｉ：ビニル基、Ｍｅ：メチル基、Ｌ：リガン
ド〕 で表わされるモノビニルジシランとジシラシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、および次式： で表わされるモノビニルジシランとエタノールとの白金
触媒によるソルボリシス反応が知られているのみである
（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌ
ｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、 １９（１９８１） ２１３
−２５５）。
本発明の目的は、分子合成の架橋剤として、また種々の
化合物合成の中間体として有用な新規ジシラシクロペン
タン化合物を提供することにある。
化合物合成の中間体として有用な新規ジシラシクロペン
タン化合物を提供することにある。
また、本発明の目的は、５ｉ−ＳＬ結合の開裂を伴なう
反応であるが、前記従来の反応とはまったく異なる反応
により、該ジシラシクロペンタン化合物を製造する方法
を提供することでもある。
反応であるが、前記従来の反応とはまったく異なる反応
により、該ジシラシクロペンタン化合物を製造する方法
を提供することでもある。
本発明は、下記の一般式（Ｉ）および（Ｉｆ）で表わさ
れる２種の新規物質を提供するものである。
れる２種の新規物質を提供するものである。
〔式中、存在する複数のＲは同一でも異なってもよく、
それぞれ、置換もしくは非置換の１価炭化水素基を表わ
す。〕 一般式（１）および（ＩＩ）の化合物は、一般式（■）
：〔式中、Ｒは一般式（１）および（ＩＩ）と同じ〕で
表わされる１、２−ジビニルシランを白金系触媒の存在
下で反応させることにより、該ジビニルシランの二量化
物として製造される。
それぞれ、置換もしくは非置換の１価炭化水素基を表わ
す。〕 一般式（１）および（ＩＩ）の化合物は、一般式（■）
：〔式中、Ｒは一般式（１）および（ＩＩ）と同じ〕で
表わされる１、２−ジビニルシランを白金系触媒の存在
下で反応させることにより、該ジビニルシランの二量化
物として製造される。
と記の製法に出発物質として用いられる一般式ＣＩＩ［
）の１，２−ジビニルシランにおいて、Ｒの具体例は、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ビニル、アリル等
の脂肪族炭化水素基；シクロヘキシル、メチルシクロヘ
キシル、シクロペンチル等の脂環式炭化水素基；フェニ
ル、トリル、キシリル、ベンジル等の芳香族炭化水素基
などが挙げられ、これらはフッ素、塩素、臭素およびヨ
ウ素のハロゲン、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基
等により置換されていてもよい。
）の１，２−ジビニルシランにおいて、Ｒの具体例は、
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ビニル、アリル等
の脂肪族炭化水素基；シクロヘキシル、メチルシクロヘ
キシル、シクロペンチル等の脂環式炭化水素基；フェニ
ル、トリル、キシリル、ベンジル等の芳香族炭化水素基
などが挙げられ、これらはフッ素、塩素、臭素およびヨ
ウ素のハロゲン、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基
等により置換されていてもよい。
上記の製法に用いられる白金系触媒は特に限定されず１
例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金
ビニルシロキサン、白金黒、塩化白金酸とオレフィンも
しくはアルデヒドとの錯体等を挙げることができ、特に
塩化白金酸およびアルコール変性塩化白金酸、白金ビニ
ルシロキサンが高活性で好ましい。反応に用いられる白
金系触媒の適量は反応液全体に対し白金分で５−５０ｐ
ｐｍの範囲である。５ｐｐｍより少ないと反応が遅く能
率的でなく 、 ５０ｐｐｍより多いと生成する一般式
（Ｉ）の化合物の重合が起り収率が低下する。
例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金
ビニルシロキサン、白金黒、塩化白金酸とオレフィンも
しくはアルデヒドとの錯体等を挙げることができ、特に
塩化白金酸およびアルコール変性塩化白金酸、白金ビニ
ルシロキサンが高活性で好ましい。反応に用いられる白
金系触媒の適量は反応液全体に対し白金分で５−５０ｐ
ｐｍの範囲である。５ｐｐｍより少ないと反応が遅く能
率的でなく 、 ５０ｐｐｍより多いと生成する一般式
（Ｉ）の化合物の重合が起り収率が低下する。
上記製法は１通常有機溶媒中で行われ、好ましい有機溶
媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン
、ジブチルエーテル等のエーテル類を挙げることができ
る。溶媒の使用量は、特に限定されないが原料物質であ
る一般式（ＩＩＩ）のジビニルジシランの量の２〜５倍
（重量基準）が好適である。溶媒量が少なすぎると目的
化合物の収率が低下し、多すぎると反応速度が低下する
結果反応に長時間を要する上、生成した一般式（１）の
化合物の重合が起って収率が低下する。
媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン
、ジブチルエーテル等のエーテル類を挙げることができ
る。溶媒の使用量は、特に限定されないが原料物質であ
る一般式（ＩＩＩ）のジビニルジシランの量の２〜５倍
（重量基準）が好適である。溶媒量が少なすぎると目的
化合物の収率が低下し、多すぎると反応速度が低下する
結果反応に長時間を要する上、生成した一般式（１）の
化合物の重合が起って収率が低下する。
反応の適温は約５０〜２００℃、好ましくは８０〜１４
０℃の範囲であり、通常２〜５時間で反応は終了する。
０℃の範囲であり、通常２〜５時間で反応は終了する。
反応温度が低くすぎると反応に長時間を要し、しかも生
成した一般式（Ｔ）の化合物の重合が進行して収率が低
下する。反応温度が高すぎても生成した一般式（１）の
化合物の重合が起るため収率が低下する。前記の適温範
囲匈おいて１反応が完了する必要にして十分な範囲にお
いて反応時間は可能な限り短かくすることが望ましい。
成した一般式（Ｔ）の化合物の重合が進行して収率が低
下する。反応温度が高すぎても生成した一般式（１）の
化合物の重合が起るため収率が低下する。前記の適温範
囲匈おいて１反応が完了する必要にして十分な範囲にお
いて反応時間は可能な限り短かくすることが望ましい。
なお、反応は窒素、アルゴン等の乾燥した不活性雰囲気
下で実施することが望ましい。
下で実施することが望ましい。
上記の反応により得られる反応混合物からの一般式（１
）、（ＩＩ）の化合物の分離は、例えば真空下のフラッ
シュ蒸留により行うことができ、該方法によれば一般式
（Ｉ）および（１１）の各化合物が混合物として分離さ
れる。得られた混合物を例えば分取ガスクロマトグラフ
ィーに供することにより。
）、（ＩＩ）の化合物の分離は、例えば真空下のフラッ
シュ蒸留により行うことができ、該方法によれば一般式
（Ｉ）および（１１）の各化合物が混合物として分離さ
れる。得られた混合物を例えば分取ガスクロマトグラフ
ィーに供することにより。
一般式（１）および（ＩＩ）の各化合物に単離すること
ができる。
ができる。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが１本
発明の範囲をこれら実施例に限定するものではない。特
記しない限り部は重量部を意味する。
発明の範囲をこれら実施例に限定するものではない。特
記しない限り部は重量部を意味する。
去１１Ｌ辷
１．２−ジビニルテトラメチルジシラン５部、トルエン
２０部、白金−ビニルシロキサン（白金分１％）０．０
２５部を窒素ガスで置換した反応器に仕込み。
２０部、白金−ビニルシロキサン（白金分１％）０．０
２５部を窒素ガスで置換した反応器に仕込み。
均一溶液とし、この混合物を１１０℃で５時間加熱した
。ガスクロマトグラフィーで得られた反応混合物を分析
すると原料である１、２−ジビニルテトラメチルジシラ
ンが完全に消滅し２種の化合物が等量生成していること
がわかった。この反応混合物を真空下フラッシュ蒸留に
供し、生成化合物を混合物として分離した（合計収率９
０％）。次に、この生成化合物の混合物を分取ガスクロ
マトグラフィーにより各ピーク成分に単離し、各化合物
をＮＭＲスペクトル分析、ガスクロ−質量分析（ＧＣ／
ＭＡＳＳ）および元素分析に供した。得られたデータよ
り。
。ガスクロマトグラフィーで得られた反応混合物を分析
すると原料である１、２−ジビニルテトラメチルジシラ
ンが完全に消滅し２種の化合物が等量生成していること
がわかった。この反応混合物を真空下フラッシュ蒸留に
供し、生成化合物を混合物として分離した（合計収率９
０％）。次に、この生成化合物の混合物を分取ガスクロ
マトグラフィーにより各ピーク成分に単離し、各化合物
をＮＭＲスペクトル分析、ガスクロ−質量分析（ＧＣ／
ＭＡＳＳ）および元素分析に供した。得られたデータよ
り。
生成化合物は、 １，１，２．２−テトラメチル−３−
ビニルジメチルシリルメチル−５−ビニルジメチルシリ
ル−１，２−ジシラシクロペンタン（以下、「化合物（
ｉ）」と略記する）（収率４５％）と −−６１
、１、３、３−テトラメチル−２−ビニルジメチルシリ
ルメチル−４−ビニルジメチルシリル−１，３−ジシラ
シクロペンタン（以下、化合物（ｉｉ）と略記）や（収
率４５％）であった。分析結果を次に示す。
ビニルジメチルシリルメチル−５−ビニルジメチルシリ
ル−１，２−ジシラシクロペンタン（以下、「化合物（
ｉ）」と略記する）（収率４５％）と −−６１
、１、３、３−テトラメチル−２−ビニルジメチルシリ
ルメチル−４−ビニルジメチルシリル−１，３−ジシラ
シクロペンタン（以下、化合物（ｉｉ）と略記）や（収
率４５％）であった。分析結果を次に示す。
ＮＭＲ（ＣＣＩ４）δｐｐｍ ニ
ー０．４２〜−０．０４（ｍ、 ＬＨ）、 ０．０１（
ｓ、 １２Ｈ）。
ｓ、 １２Ｈ）。
０．２０．０．１６（ｄ、 ６Ｈ）、 ０．１８（ｓ、
６Ｈ）、 ０．４０〜１．３８（ｍ、５ｔ（）、 ５
．５６〜６．６８（ｍ、 ６Ｈ） ；ＧＣ／ＭＡＳＳ
： ３４０（Ｍ”） ；析 元素分値： ＣＨＳｉ 測定値： ５６．５２ １０．５５ ３３．０１理論
値： ５６．３９ １０．６５ ３２．９６部ＭＲ（
ＣＣ１４）δｐｐｍ ニ ー０．０４〜−０．４２（ｍ、 ２）１）、 ０．０２
（ｓ、 ２４Ｈ）。
６Ｈ）、 ０．４０〜１．３８（ｍ、５ｔ（）、 ５
．５６〜６．６８（ｍ、 ６Ｈ） ；ＧＣ／ＭＡＳＳ
： ３４０（Ｍ”） ；析 元素分値： ＣＨＳｉ 測定値： ５６．５２ １０．５５ ３３．０１理論
値： ５６．３９ １０．６５ ３２．９６部ＭＲ（
ＣＣ１４）δｐｐｍ ニ ー０．０４〜−０．４２（ｍ、 ２）１）、 ０．０２
（ｓ、 ２４Ｈ）。
０．４０〜１．１６（ｍ、 ４Ｈ）、 ５．５６〜６．
６８（ｍ、 ６Ｈ）；ＧＣ／ＭＡＳＳ ： ３４０（Ｍ
”）；祈 元素分値： ＣＨＳｉ 測定値： ５６．２９ １０．６４ ３２．６７理論
値： ５６．３９ １０．６５ ３２．９６去１−夕
りも 白金ビニルシロキサンの代りに塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣ
１ａ・６Ｈ２０）を２−エチルヘキサノールに溶解し白
金分１％としたものを触媒として使用した以外は実施例
１と同様に反応させた。実施例１で得られたと同じ２種
の化合物が実施例１と同じ収率で得られた。
６８（ｍ、 ６Ｈ）；ＧＣ／ＭＡＳＳ ： ３４０（Ｍ
”）；祈 元素分値： ＣＨＳｉ 測定値： ５６．２９ １０．６４ ３２．６７理論
値： ５６．３９ １０．６５ ３２．９６去１−夕
りも 白金ビニルシロキサンの代りに塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣ
１ａ・６Ｈ２０）を２−エチルヘキサノールに溶解し白
金分１％としたものを触媒として使用した以外は実施例
１と同様に反応させた。実施例１で得られたと同じ２種
の化合物が実施例１と同じ収率で得られた。
尖産■ｌ
トルエンの代りにキシレンを用いた以外は実施例１と同
様に反応を行った。実施例１の場合と同じ結果が得られ
た。また、ジオキサンを溶媒とした場合も同様の結果で
あった。
様に反応を行った。実施例１の場合と同じ結果が得られ
た。また、ジオキサンを溶媒とした場合も同様の結果で
あった。
失凰透工
反応温度を６０℃に変えた以外は実施例１と同様に反応
させた。原料化合物のジシラザンが微量減少したのみで
ほとんど反応が進行しなかった。
させた。原料化合物のジシラザンが微量減少したのみで
ほとんど反応が進行しなかった。
去１遺ｊ
溶媒としてキシレンを用い、反応温度を１４０℃（ｉｉ
）の収率は３０％であった。
）の収率は３０％であった。
去Ｊ［鮮」−
反応時間を４８時間に変えた以外は実施例１と同様に反
応を行った。化合物（ｉ）は得られず、化合物（ｉｉ）
の収率は約４５％であった。
応を行った。化合物（ｉ）は得られず、化合物（ｉｉ）
の収率は約４５％であった。
失庭且ヱ
触媒である白金ビニルシロキサンの使用量をそれぞれ０
．０５部および０．１部に変えた以外は実施例１と同様
に行う２つの実験を実施した。
．０５部および０．１部に変えた以外は実施例１と同様
に行う２つの実験を実施した。
触媒量が０．００５部である場合には原料のジビニルジ
シランの減少は５％のみであった。
シランの減少は５％のみであった。
触媒量が０．１部である場合には原料のジビニルジシラ
ンは消滅し、化合物（ｉ）は得られず、化合物（ｉｔ）
の収率は２０％であった。
ンは消滅し、化合物（ｉ）は得られず、化合物（ｉｔ）
の収率は２０％であった。
本発明のジシラシグロペンタン化合物は分子中にビニル
基を２個有しているため高分子化学における架橋剤とし
て、また種々の高分子化合物製造の中間原料等として有
用である。
基を２個有しているため高分子化学における架橋剤とし
て、また種々の高分子化合物製造の中間原料等として有
用である。
嗟
本発明の製法によれば転ジシラシクロペンタン化合物を
容易にかつ高収率で製造することができる。
容易にかつ高収率で製造することができる。
特許出願人 信越化学工業株式会社
国
手続補正書（鴎）
昭和６１年６月φ日
特許庁長官 宇 賀 道 部 殿
■、事件の表示 昭和６０年特許願第０４７０９８号
２ｏ発明の名称 新規ジシラシクロペンタン化合物およびその製法３、補
正をする者 無性との関係 特許出願人 住 所 東京都 千代田区 大手町 二丁目６番１
号名 称 （２０Ｂ）信越化学工業株式会社代表者
小板 雄太部 ４、代理人 住 所 〒１０２東京都千代田区麹町２丁目３番地麹
町ガーデンビルｌＯ階 酋（０３）２３７−１９１７６
、補正により増加する発明の数 なし８、補正の
内容 ■ 特許請求の範囲の欄を別紙の通りに補正する。
２ｏ発明の名称 新規ジシラシクロペンタン化合物およびその製法３、補
正をする者 無性との関係 特許出願人 住 所 東京都 千代田区 大手町 二丁目６番１
号名 称 （２０Ｂ）信越化学工業株式会社代表者
小板 雄太部 ４、代理人 住 所 〒１０２東京都千代田区麹町２丁目３番地麹
町ガーデンビルｌＯ階 酋（０３）２３７−１９１７６
、補正により増加する発明の数 なし８、補正の
内容 ■ 特許請求の範囲の欄を別紙の通りに補正する。
＋１、 発明の詳細な説明の欄を下記の通りに補正する
。
。
（１）明細書筒３貞未行の次の反応式
を、下記のとおりに補正する。
（２） 同書第４頁第１２行の「分子合成」を、ζ高分
子合成」と補正する。
子合成」と補正する。
（３） 同書第６頁第２行、第３〜４行および第６行の
「ジビニルシランＪを、ｒジビニルジシラン」と補正す
る。
「ジビニルシランＪを、ｒジビニルジシラン」と補正す
る。
（４） 同書第７頁末行〜第８頁第２行の「しかも生成
した・・・（中略）・・・低下する。」を、ｒ実用的で
ない。」と補正する。
した・・・（中略）・・・低下する。」を、ｒ実用的で
ない。」と補正する。
（５） 同書第８頁第２行の「高すぎても」を。
ζ高すぎると」と訂正する。
（６） 同書第８頁第６行の「望ましい。」の次に２次
の文章を加入する。
の文章を加入する。
１なぜならば、長時間加熱することにより生成した一般
式（Ｉ）の化合物の重合が進行して収率が低下するから
である。」 （７） 同書第１０頁第８行および下から２行目（７）
ｒＮＭＲ（ＣＣｌ２）δｐｐＩＩＪを、１’ＮＭＲ（
ＣＣＩｌ、ＴＭＳ外部基準）（Ｓ 、 ｐｐｍ月と補正
する。
式（Ｉ）の化合物の重合が進行して収率が低下するから
である。」 （７） 同書第１０頁第８行および下から２行目（７）
ｒＮＭＲ（ＣＣｌ２）δｐｐＩＩＪを、１’ＮＭＲ（
ＣＣＩｌ、ＴＭＳ外部基準）（Ｓ 、 ｐｐｍ月と補正
する。
（８） 同書第１１頁末行の「ジシラザン」を、「ジシ
ランＪと訂正する。
ランＪと訂正する。
（９） 同書第１２頁第１３行のｒｏ、ｏｓ部」を、［
）、００５部」と補正する。
）、００５部」と補正する。
特許請求の範囲
ｒｌ） 一般式（Ｉ）
Ｒ
ＩＩ
［式中、存在するＲは同一でも異なってもよく、それぞ
れ、置換もしくは非置換の１価炭化水素基を表わす。］ で表わされるジシラシクロベンタン化合物。
れ、置換もしくは非置換の１価炭化水素基を表わす。］ で表わされるジシラシクロベンタン化合物。
。２）特許請求の範囲第１項記載の化合物であって、Ｒ
がメチル基である化合物。
がメチル基である化合物。
３） 一般式（ＩＩ）：
Ｈ
［式中、Ｒは、前記一般式（１）に定義のとおりである
］ で表わされるジシラシクロペンタン化合物。
］ で表わされるジシラシクロペンタン化合物。
４） 特許請求の範囲第３項記載の化合物であって、Ｒ
がメチル基である化合物。
がメチル基である化合物。
５） 一般式（■）：
［式中、Ｒは前記一般式（１）で定義のとおりである］
で表わされる１、２−ジビニル２シランを白金系触媒の
存在下で反応させることからなるジシラシクロペンタン
化合物の製法。
存在下で反応させることからなるジシラシクロペンタン
化合物の製法。
６） 特許請求の範囲第５項記載の方法であって、反応
溶媒として、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素およびエ
ーテル類から選ばれる少なくとも１つの有機溶媒が用い
られる方法。
溶媒として、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素およびエ
ーテル類から選ばれる少なくとも１つの有機溶媒が用い
られる方法。
７） 特許請求の範囲第５項記載の方法であって、白金
系触媒が塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸および
白金ビニルシロキサンから選ばれたものである方法、」
系触媒が塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸および
白金ビニルシロキサンから選ばれたものである方法、」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、存在するＲは同一でも異なってもよく、それぞ
れ、置換もしくは非置換の１価炭化水素基を表わす。〕 で表わされるジシラシクロペンタン化合物。 ２）特許請求の範囲第１項記載の化合物であって、Ｒが
メチル基である化合物。 ３）一般式（II）： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） 〔式中、Ｒは、前記一般式（ I ）に定義のとおりであ
る〕 で表わされるジシラシクロペンタン化合物。 ４）特許請求の範囲第３項記載の化合物であって、Ｒが
メチル基である化合物。 ５）一般式（III）： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） 〔式中、Ｒは前記一般式（ I ）で定義のとおりである
〕 で表わされる１，２−ジビニルシランを白金系触媒の存
在下で反応させることからなるジシラシクロペンタン化
合物の製法。 ６）特許請求の範囲第５項記載の方法であって、反応溶
媒として、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素およびエー
テル類から選ばれる少なくとも１つの有機溶媒が用いら
れる方法。 ７）特許請求の範囲第５項記載の方法であって、白金系
触媒が塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸および白
金ビニルシロキサンから選ばれたものである方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047098A JPS61207389A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 新規ジシラシクロペンタン化合物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047098A JPS61207389A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 新規ジシラシクロペンタン化合物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207389A true JPS61207389A (ja) | 1986-09-13 |
| JPS6358835B2 JPS6358835B2 (ja) | 1988-11-17 |
Family
ID=12765704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60047098A Granted JPS61207389A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | 新規ジシラシクロペンタン化合物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109689569A (zh) * | 2016-09-22 | 2019-04-26 | 美国陶氏有机硅公司 | 不含SiH的乙烯基二硅烷 |
-
1985
- 1985-03-09 JP JP60047098A patent/JPS61207389A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109689569A (zh) * | 2016-09-22 | 2019-04-26 | 美国陶氏有机硅公司 | 不含SiH的乙烯基二硅烷 |
| CN109689569B (zh) * | 2016-09-22 | 2022-05-27 | 美国陶氏有机硅公司 | 不含SiH的乙烯基二硅烷 |
| US11485642B2 (en) | 2016-09-22 | 2022-11-01 | Ddp Specialty Electronic Materials Us 9, Llc | SiH-free vinyldisilanes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358835B2 (ja) | 1988-11-17 |
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