JPS61260728A - 光アナログ情報伝送方式 - Google Patents
光アナログ情報伝送方式Info
- Publication number
- JPS61260728A JPS61260728A JP60103365A JP10336585A JPS61260728A JP S61260728 A JPS61260728 A JP S61260728A JP 60103365 A JP60103365 A JP 60103365A JP 10336585 A JP10336585 A JP 10336585A JP S61260728 A JPS61260728 A JP S61260728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- channel
- semiconductor laser
- optical
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06817—Noise reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、半導体レーザをアナログ信号で直接駆動して
変調を行う光アナログ情報伝送方式に関し、特に、半導
体レーザの戻り光による雑音、多モードファイバにおけ
るスペックル雑音及び非直線伝送歪を低減しようとする
ものである。
変調を行う光アナログ情報伝送方式に関し、特に、半導
体レーザの戻り光による雑音、多モードファイバにおけ
るスペックル雑音及び非直線伝送歪を低減しようとする
ものである。
〈従来技術〉
従来の屈折率導波路型半導体し〜ザを用いたアナログ信
号伝送方式においては、半導体レーザと光ファイバーの
結合部や光フアイバ一連結部からの光反射及びスペック
ル雑音によ−るＳ７．比の劣化並びに光フアイバー接続
部の結合効率の光波長依存性や上記雑音に起因する非直
線歪が生じ、良好な伝送特性を実現することは困難であ
った。どの点については、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｖｏｌ
、ＱＥ−１９、（佐藤健−著）及び電子通信学会技術報
告０ＱＥ−８３−９（楓和久他著〕に詳述されている。
号伝送方式においては、半導体レーザと光ファイバーの
結合部や光フアイバ一連結部からの光反射及びスペック
ル雑音によ−るＳ７．比の劣化並びに光フアイバー接続
部の結合効率の光波長依存性や上記雑音に起因する非直
線歪が生じ、良好な伝送特性を実現することは困難であ
った。どの点については、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｖｏｌ
、ＱＥ−１９、（佐藤健−著）及び電子通信学会技術報
告０ＱＥ−８３−９（楓和久他著〕に詳述されている。
従来の半導体レーザでは、出射光のコヒーレンス長が数
十ｍ程度ある。このため光ファイバーからの反射により
、出射光の一部が戻シ光となって半導体レーザの共振器
端面に帰還されたとき、出射光と戻り光のコヒーレント
な相互作用により大きな強度雑音が発生する。また、コ
ヒーレンス長内では光フアイバー内に各モードの伝播速
度の相違からスペックルが発生しており、半導体レーザ
を直接変調することによる波長変動によってスペックル
パターンが変化する。
十ｍ程度ある。このため光ファイバーからの反射により
、出射光の一部が戻シ光となって半導体レーザの共振器
端面に帰還されたとき、出射光と戻り光のコヒーレント
な相互作用により大きな強度雑音が発生する。また、コ
ヒーレンス長内では光フアイバー内に各モードの伝播速
度の相違からスペックルが発生しており、半導体レーザ
を直接変調することによる波長変動によってスペックル
パターンが変化する。
このため、このコヒーレンス長内に接続部があるとスペ
ックルパターンの変化によって接続部の結合効率が変化
し受信側での雑音となる。
ックルパターンの変化によって接続部の結合効率が変化
し受信側での雑音となる。
また、従来の屈折率導波型の半導体レーザは、直流動作
時には縦単一モード発振するが、直接変調時には縦多モ
ード発振となる。そして、この多モード発振は変調の全
ての時間に亘って一様ではなく、信号の起ち上り時や、
下降時ではスペクトルが異なっている。一方、ファイバ
ー接続の結合効率は波長の変化で著しく変化することが
知られている。このため、変調時の発振スペクトルの変
化は、結合効率の変化となり、非直線歪劣化が生じる。
時には縦単一モード発振するが、直接変調時には縦多モ
ード発振となる。そして、この多モード発振は変調の全
ての時間に亘って一様ではなく、信号の起ち上り時や、
下降時ではスペクトルが異なっている。一方、ファイバ
ー接続の結合効率は波長の変化で著しく変化することが
知られている。このため、変調時の発振スペクトルの変
化は、結合効率の変化となり、非直線歪劣化が生じる。
寸た、縦モードの一部のみが接続部で犬きく通過するの
で、各縦モードの負の相関性が失われ、雑音が増大する
。
で、各縦モードの負の相関性が失われ、雑音が増大する
。
以上、詳述したように、従来の屈折率導波型の半導体レ
ーザを用いた光アナログ信弓伝送には、幾多の欠点があ
った。
ーザを用いた光アナログ信弓伝送には、幾多の欠点があ
った。
〈発明の概要ン
本発明は、半導体レーザを用いた光アナログ情報伝送系
において、反射雑音、スペックル雑音、縦モードの負の
相関性が失われることによって起る雑音及びファイバー
接続部の結合効率の変化による非直線歪劣化を解消した
Ｓ、、／Ｎ比の高い伝送特性の良好な光アナログ情報伝
送方式を提供することを目的とする。
において、反射雑音、スペックル雑音、縦モードの負の
相関性が失われることによって起る雑音及びファイバー
接続部の結合効率の変化による非直線歪劣化を解消した
Ｓ、、／Ｎ比の高い伝送特性の良好な光アナログ情報伝
送方式を提供することを目的とする。
本発明においては、コヒーレンス長が十分に短くなるよ
うにスペクトルライン幅が十分に広く丑た直接変調時も
単一縦モードで発振することを【可能とした半導体レー
ザを光源として使用し、上記種々の雑音と非直線歪を抑
圧してアナログ情報の伝送特性と信頼性を改善したこと
を特徴としているＯ 〈実施例ン 第１図は本発明に係る光アナログ情報伝送方式の１実施
例を示すブロック構成図である。データ入力端子１より
入力されたアナログ信号を加算増幅器２の入力側端子へ
供給し、加算増幅器２の出力で半導体レーザ３を直接変
調する。アナログ信号に応じて半導体レーザ３より出射
される出力光信号Ｐｏを伝送する情報信号として光ファ
イバー６へ送信すると共にその一部を監視用受光素子４
に照射し、受光素子４で出力レーザ光強度に対応した出
力電気信号ｅに変換する。変換された出力電気信号ｅを
副増幅器５でレベル調整した後、加算増幅器２に帰還さ
せる。半導体レーザ３の出力光強度変化に応じて電気信
号ｅが増減し、半導体レーザ３を駆動する加算増幅器２
の出力が電気信号ｅによって制御される。従って半導体
レーザ３は安定なレーザ発振を持続する。半導体レーザ
３の出力光信号Ｐｏは光ファイバー６に結合され、光フ
アイバー６内で複数個の接続点を通って受信側の光検出
器７に入射される。
うにスペクトルライン幅が十分に広く丑た直接変調時も
単一縦モードで発振することを【可能とした半導体レー
ザを光源として使用し、上記種々の雑音と非直線歪を抑
圧してアナログ情報の伝送特性と信頼性を改善したこと
を特徴としているＯ 〈実施例ン 第１図は本発明に係る光アナログ情報伝送方式の１実施
例を示すブロック構成図である。データ入力端子１より
入力されたアナログ信号を加算増幅器２の入力側端子へ
供給し、加算増幅器２の出力で半導体レーザ３を直接変
調する。アナログ信号に応じて半導体レーザ３より出射
される出力光信号Ｐｏを伝送する情報信号として光ファ
イバー６へ送信すると共にその一部を監視用受光素子４
に照射し、受光素子４で出力レーザ光強度に対応した出
力電気信号ｅに変換する。変換された出力電気信号ｅを
副増幅器５でレベル調整した後、加算増幅器２に帰還さ
せる。半導体レーザ３の出力光強度変化に応じて電気信
号ｅが増減し、半導体レーザ３を駆動する加算増幅器２
の出力が電気信号ｅによって制御される。従って半導体
レーザ３は安定なレーザ発振を持続する。半導体レーザ
３の出力光信号Ｐｏは光ファイバー６に結合され、光フ
アイバー６内で複数個の接続点を通って受信側の光検出
器７に入射される。
上記実施例に使用される半導体レーザ３の素子構造を第
２図に例示する。
２図に例示する。
ｐ型ＧａＡｓ基板８上にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層９を成
長させ、電流通路となるＶ字型チャンネル溝を形成した
ウェハー上に、ｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１０、ノン
ドープＧａＡｓ活性層１１、ｐ型ＧａＡｔＡｓガイド層
１２、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層１３を液相エピタキ
シャル成長法により連続的に成長させる。ここで、光ガ
イド層１３は禁制帯幅及び屈折率ともに活性層１１とク
ラッド層１０双方の中間の値を有する四元混晶である。
長させ、電流通路となるＶ字型チャンネル溝を形成した
ウェハー上に、ｎ型ＧａＡｔＡｓクラッド層１０、ノン
ドープＧａＡｓ活性層１１、ｐ型ＧａＡｔＡｓガイド層
１２、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層１３を液相エピタキ
シャル成長法により連続的に成長させる。ここで、光ガ
イド層１３は禁制帯幅及び屈折率ともに活性層１１とク
ラッド層１０双方の中間の値を有する四元混晶である。
７（に、光ガイド層１３上にホトレジスト膜を塗布し、
紫外線レーザを用いた干渉露光によりピッチ周期２５０
０Ａに設定されたホトレジストの回折格子を形成する。
紫外線レーザを用いた干渉露光によりピッチ周期２５０
０Ａに設定されたホトレジストの回折格子を形成する。
これをマスクとして化学エツチングにより光ガイド層１
３上に溝を刻設し、ホトレジスト膜を除去する。以上に
より光ガイド層１３上に周期２５００Ａの凹凸状回折格
子が形成される。この表面に回折格子を備えた光ガイド
層１３上に同様の液相エピタキシャル成長法により、ｎ
型ＧａＡｔＡｓクラッド層１４、ｎ型ＧａＡｓキャソプ
層１５を順次成長させた後、キャップ層１５上及び基板
８上にそれぞれ寸−ミック性金属電極１６．１７を形成
する。このようにして形成したレーザは、分布帰還型半
導体レーザと呼ばれており、回折格子におけるブラッグ
反射によって単一波長を選択的に増幅する機能を有して
おり、ＣＷ（室温連続）発揚時のみならずパルス変調時
においても、安定な単一モード発振が可能である。
３上に溝を刻設し、ホトレジスト膜を除去する。以上に
より光ガイド層１３上に周期２５００Ａの凹凸状回折格
子が形成される。この表面に回折格子を備えた光ガイド
層１３上に同様の液相エピタキシャル成長法により、ｎ
型ＧａＡｔＡｓクラッド層１４、ｎ型ＧａＡｓキャソプ
層１５を順次成長させた後、キャップ層１５上及び基板
８上にそれぞれ寸−ミック性金属電極１６．１７を形成
する。このようにして形成したレーザは、分布帰還型半
導体レーザと呼ばれており、回折格子におけるブラッグ
反射によって単一波長を選択的に増幅する機能を有して
おり、ＣＷ（室温連続）発揚時のみならずパルス変調時
においても、安定な単一モード発振が可能である。
ところで第２図に示す構造の半導体レーザにおいては、
Ｖ字型チャンネル溝の電流狭窄層９が除去された部分の
みに電流が流れ、この直上の活性層１１でレーザ発振が
行なわれる。またチャンネル溝の内と外の等価屈折率差
Δｎによって光を活性層１１のチャンネル溝内方側へ導
波している。
Ｖ字型チャンネル溝の電流狭窄層９が除去された部分の
みに電流が流れ、この直上の活性層１１でレーザ発振が
行なわれる。またチャンネル溝の内と外の等価屈折率差
Δｎによって光を活性層１１のチャンネル溝内方側へ導
波している。
このΔｎの値は、導波路で基本横モードのみが発振利得
を得るように決定される。本発明者等は先にこのΔｎの
値を基本横モードのみが発振する範囲において、適当な
値となる構造要因を設定することによって、自励発振現
象を再現性よく実現することができることを見い出した
（電子通信学会技術報告ＭＷ８４−２４ ）。以下、自
励発振レーザの概略を記す。第３図は自励発振レーザの
発振スペクトルを示す特性図である。スペクトルの特徴
は、該図に示すように各縦モードの幅がＩＡ以上と幅広
いことである。これは、注入キャリア分布の時間的変動
に起因して活性層屈折率が時間的に変化し、その結果、
発振波長が速い周波数で変動しているためと考えられる
。この自励発振は、レーザ発振領域において光とキャリ
アとの相互作用でキャリア分布が横方向に振動し、その
屈折率の変動によって発振波長が振動するものであり、
上記Δｎの制御によって安定に実現できる。自励発振レ
ーザではスペクトル幅がＩＡ程度以上と広く、レーザ光
のコヒーレンス長は１個以下の値として測定されている
。
を得るように決定される。本発明者等は先にこのΔｎの
値を基本横モードのみが発振する範囲において、適当な
値となる構造要因を設定することによって、自励発振現
象を再現性よく実現することができることを見い出した
（電子通信学会技術報告ＭＷ８４−２４ ）。以下、自
励発振レーザの概略を記す。第３図は自励発振レーザの
発振スペクトルを示す特性図である。スペクトルの特徴
は、該図に示すように各縦モードの幅がＩＡ以上と幅広
いことである。これは、注入キャリア分布の時間的変動
に起因して活性層屈折率が時間的に変化し、その結果、
発振波長が速い周波数で変動しているためと考えられる
。この自励発振は、レーザ発振領域において光とキャリ
アとの相互作用でキャリア分布が横方向に振動し、その
屈折率の変動によって発振波長が振動するものであり、
上記Δｎの制御によって安定に実現できる。自励発振レ
ーザではスペクトル幅がＩＡ程度以上と広く、レーザ光
のコヒーレンス長は１個以下の値として測定されている
。
本発明の課題であるアナログ伝送系における問題点のう
ち戻り光雑音はレーザ出射光と戻り光のコヒーレントな
相互作用、スペックル雑音は各横モード間のコヒーレン
トな相互作用によって生ずる。しかしながら、上述した
自励発振レーザのようにコヒーレンス長の短い半導体レ
ーザを用いると相互作用が起こらず、雑音が発生しない
。
ち戻り光雑音はレーザ出射光と戻り光のコヒーレントな
相互作用、スペックル雑音は各横モード間のコヒーレン
トな相互作用によって生ずる。しかしながら、上述した
自励発振レーザのようにコヒーレンス長の短い半導体レ
ーザを用いると相互作用が起こらず、雑音が発生しない
。
上記実施例に使用される半導体レーザは、分布帰還型共
振器を有しているのでスペクトル幅が広くかつ単一軸モ
ードとなる。これは、変調時においても保持され、しか
もスペクトル幅が十分広いので通常の分布帰還型半導体
レーザにおいて見られるような変調時の発振波長のアナ
ログ変調信号に追従した波長変動がない。即ち直接強度
変調に伴なう発振波長の変動がない。このために、ファ
イバー接続部の結合効率の波長依存性によって発振波長
の変動が引き起こす非直線歪劣化も発生しないＯ 〈発明の効果〉 以上詳述したように、本発明によれば、スペクトルの幅
がＩＡ程度以上と広くしかも単一軸モード特性である半
導体レーザを信号光源として使用するので、従来の光ア
ナログ伝送方式の欠点である戻り光雑音、スペックル雑
音および非直線歪劣化等が解消され、Ｓ７．比が高く伝
送特性の良好な光アナログ伝送方式を得ることができる
。
振器を有しているのでスペクトル幅が広くかつ単一軸モ
ードとなる。これは、変調時においても保持され、しか
もスペクトル幅が十分広いので通常の分布帰還型半導体
レーザにおいて見られるような変調時の発振波長のアナ
ログ変調信号に追従した波長変動がない。即ち直接強度
変調に伴なう発振波長の変動がない。このために、ファ
イバー接続部の結合効率の波長依存性によって発振波長
の変動が引き起こす非直線歪劣化も発生しないＯ 〈発明の効果〉 以上詳述したように、本発明によれば、スペクトルの幅
がＩＡ程度以上と広くしかも単一軸モード特性である半
導体レーザを信号光源として使用するので、従来の光ア
ナログ伝送方式の欠点である戻り光雑音、スペックル雑
音および非直線歪劣化等が解消され、Ｓ７．比が高く伝
送特性の良好な光アナログ伝送方式を得ることができる
。
第１図は本発明の１実施例を示す光アナログ情報伝送方
式のブロック構成図である。第２図は第１図に示す半導
体レーザの構造を例示する斜視図である。第３図は第２
図に示す半導体レーザのスペクトルを示す特性図である
。 １・・・入力端子 ２・・加算増幅器 ３・・半導体レ
ーザ ４・・・監視用受光素子 ５・・・副増幅器 ６
・・光ファイバー ７・・・光検出器 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （ａ ２？？＞斗１
暮４体、レーザの４呼方表図 ＄２ 図 ０Ｃ 半填捲しヂのスペクトル特１性口 第３ 区
式のブロック構成図である。第２図は第１図に示す半導
体レーザの構造を例示する斜視図である。第３図は第２
図に示す半導体レーザのスペクトルを示す特性図である
。 １・・・入力端子 ２・・加算増幅器 ３・・半導体レ
ーザ ４・・・監視用受光素子 ５・・・副増幅器 ６
・・光ファイバー ７・・・光検出器 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （ａ ２？？＞斗１
暮４体、レーザの４呼方表図 ＄２ 図 ０Ｃ 半填捲しヂのスペクトル特１性口 第３ 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、信号伝送用光源として半導体レーザを配置し該半導
体レーザの出力光を変調してアナログ情報を伝送する光
アナログ情報伝送方式において前記半導体レーザを、直
流動作時にキャリアの空間的または時間的またはその双
方の自励振動によってスペクトルライン幅が十分に広い
素子構造としかつその共振器に単一波長選択性を付与し
て変調時のスペクトルを単一縦モードとしたことを特徴
とする光アナログ情報伝送方式。 ２、前記半導体レーザのレーザ発振用活性層の近傍に該
活性層よりも禁制帯幅が広く屈折率の小さな光ガイド層
を配設し、該光ガイド層に回折格子を設けて単一波長選
択性を付与した特許請求の範囲第１項記載の光アナログ
情報伝送方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103365A JPS61260728A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光アナログ情報伝送方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60103365A JPS61260728A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光アナログ情報伝送方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260728A true JPS61260728A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH0368577B2 JPH0368577B2 (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=14352093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60103365A Granted JPS61260728A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 光アナログ情報伝送方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012504338A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | マイクロビジョン，インク． | スペックルアーチファクトを減少させるように構成されている光学的フィードバックを備えたレーザーディスプレイシステム |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP60103365A patent/JPS61260728A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012504338A (ja) * | 2008-09-30 | 2012-02-16 | マイクロビジョン，インク． | スペックルアーチファクトを減少させるように構成されている光学的フィードバックを備えたレーザーディスプレイシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0368577B2 (ja) | 1991-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5870417A (en) | Thermal compensators for waveguide DBR laser sources | |
| US4914667A (en) | Hybrid laser for optical communications, and transmitter, system, and method | |
| US4783788A (en) | High power semiconductor lasers | |
| KR970007117B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| US7693194B2 (en) | Fundamental-wave light source and wavelength converter | |
| JP3086767B2 (ja) | レ−ザ素子 | |
| KR950015079B1 (ko) | 광 통신 레이저 | |
| US12316074B2 (en) | Optical transmitter | |
| US20230283046A1 (en) | Semiconductor Chip and Optical Module | |
| JP2708467B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| US6160935A (en) | Method for creating a fiber optic section having spatial grating strength perturbations | |
| JPS61260728A (ja) | 光アナログ情報伝送方式 | |
| WO2025013161A1 (ja) | 半導体光集積素子、半導体光集積素子の製造方法、半導体光装置および半導体光装置の制御方法 | |
| GB2413697A (en) | Uncooled semiconductor laser | |
| JPS6362917B2 (ja) | ||
| KR100429531B1 (ko) | 분포귀환형 반도체 레이저 | |
| JP3072123B2 (ja) | 光集積型波長可変半導体レーザ装置 | |
| JP3072124B2 (ja) | 光集積型半導体レーザ装置 | |
| JPH10270793A (ja) | 光半導体集積装置 | |
| JPH0656904B2 (ja) | 集積化分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP2728401B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| Sasaki et al. | Selective MOVPE growth and its application to semiconductor photonic integrated circuits | |
| JPH10190150A (ja) | アレイ型半導体光源装置、その駆動方法、およびそれを用いた波長分割多重光伝送システム | |
| JPS6289388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6178190A (ja) | 光ヘテロダイン受信装置 |