JPS61272376A - イオン注入装置用エンドステ−シヨン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体°集積回路製造の一工程で使用されるイ
オン注入装置において、ウェハーのハンドリング及び注
入を行うウェハー処理部であるエンドステーションに関
する。

〔従来の技術〕

イオン注入装置において、ウェハーに均一にイオンを注
入することは、最も重要なことであるので、従来よシ種
々の方策がとられて来た。通常イオン注入装置で得られ
るイオンビームの径はウェハーの大きさて比し、ずっと
小径であるので、注入に際しては、何らかの手段によシ
ウェハーとイオンビームを相対的に移動させ、ウェハー
面上に均一にイオンビームを照射する必要がある。相対
移動を行わせる手段として゛は、イオンビームを静電的
あるいは、電磁的に移動、走査する電気的な手段と、ウ
ェハーを機械的に移動させる機械釣手　　′段、さらに
は前記二つの方法を合せて使用する半機械的方法の三つ
の方式に大別される手段がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来、電気的にイオンビームを走査させる方法はその方
式上ウェハーを移動させないので、その分エンドステー
ションの構造が簡素化され、ウェハーを連続的に処理す
る枚葉型のものが一般的に使用されている。この方式は
自動化し易く、真空中へのウェハーの移送が高効率で行
える等の利点がある反面、大きなイオンビーム電流で使
用すると電気的に走査するのが困難になることや、ウェ
ハー径が大口径になると、やは多走査が困難になると同
時にウェハーの外周部と中心部での注入量の差を補正す
るのが困難になるという欠点があった。

一方、機械的にウェハーを移動させる方式のものあるい
は、両方の方式を合せ持った半機械的方式のものは大き
なイオンビームが使用できるので、大ビーム電流用とし
て一般に普及している。しかし、従来この種のエンドス
テーションは、注入室内の治具に何枚かのウェハーを取
付け、その治具を回転したり平行運動させたシしてウェ
ハー面上に均一にイオンビームを照射させる方式となっ
ていた。これはバッチ処理となるので、真空引きに時間
が取られ、生産効率が悪いという欠点があった。このこ
とは、ウェハーが大口径化すればする程、−バッチ当り
の治具に取付られるウェハー数が減少するのでより著し
くなる。

本発明は前記問題点を解消した装置を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明は被処理物のウェハーを１枚保持しこれを回転さ
せるウェハーホルダーと、該ウェハーホルダー上のウェ
ハー前方に位置するイオンビーム源と、ウェハーホルダ
ーとイオンビーム源トの間に位置する遮蔽板とを有し、
ウェハーホルダー及びイオンビーム源と遮蔽板とをウェ
ハーの直径方向に相対移動可能に設置し、かつ遮蔽板に
、ウェハーの中心から半径方向に末広がシに拡開するイ
オンビーム透過用扇状スリットを設けたことを特徴とす
るイオン注入装置用エンドステーションである。

〔実施例〕

次に本発明の一実施例について図によシ説明する。

第１図は本発明の原理説明図である。図において、２は
ウェハー１を１枚保持しこれを回転させるウェハーホル
ダーである。ウェハーホルダー２の前方にはイオンビー
ム源３を設置し、その両者間に遮蔽板４を配置する。さ
らにウェハーホルダー２及びイオンビーム源３とをウェ
ハー１の直径方向に相対移動可能に配設し、遮蔽板４に
ウェハー１の中心から半径方向に末広がりに拡開する扇
状スリット４ａを設ける。

実施例において、外部のウェハーハンドリング部から移
送されたウェハー１は機械的手段によりウェハーホルダ
ー２に固定され高速で回転される。

回転が定速に達したら、イオンビーム源３よりのイオン
ビーム３ａを、イオンビーム３ａの径よシ小さな幅の扇
形スリッ）　４ａに通して電気的手段によシウェハ−１
の直径方向に移動照射するか、またはイオンビーム３を
移動させずにウェハーホルダー２と扇形スリット４をウ
ェハー１の直径方向に移動させることによシ注入が行わ
れる。

前記いずれの手段においても、扇形スリット４ａを通し
てイオンビーム３ａがウェノＳ−１の面上を横切ること
になる。このことは、ウェハー１の回転によシ生じるウ
ェハー１の外周部と中心部の速度差によるイオンビーム
の照射時間の差をスリットの開度によって補正しながら
注入できることになり、前記それぞれの手段の場合でも
イオンビーム３ａが、ウェハー１面上を横切・るウェハ
ー直径方向の移動速度は、等速度で良いことになる。等
速度を制御するのは速度を可変制御する場合と比べて容
易なので、装置が簡略化される。

〔発明の効果〕

以上の様に本発明のエンドステーションを具備したイオ
ン注入装置は機械的走査または半機械的走査による枚葉
処理が可能となるので、高い生産性を持ち、大電流での
使用ができるばかシでなく、大口径のウェハー処理も容
易に達成できる効果がある。

また、副次的な効果としてウェハーが大口径化しても、
従来のバッチ式機械的あるいは、半機械的な走査を持つ
エンドステーションと比べて装置が小型化できるので、
専有面積が小さくてすむという効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例を示す原理説明図である。 ′　　１・・・ウェハー、２・・・ウェハーホルダー、
３・・・イオンビーム源、３ａ・・・イオンビーム、４
・・・遮蔽板、４＆・・・扇形スリット。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理物のウェハーを１枚保持しこれを回転させ
   るウェハーホルダーと、該ウェハーホルダー上のウェハ
   ー前方に位置するイオンビーム源と、ウェハーホルダー
   とイオンビーム源との間に位置する遮蔽板とを有し、ウ
   ェハーホルダー及びイオンビーム源と遮蔽板とをウェハ
   ーの直径方向に相対移動可能に設置し、かつ遮蔽板に、
   ウェハーの中心から半径方向に末広がりに拡開するイオ
   ンビーム透過用扇状スリットを設けたことを特徴とする
   イオン注入装置用エンドステーション。