JPS61278099A - メモリモジユ−ル - Google Patents
メモリモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS61278099A JPS61278099A JP60120304A JP12030485A JPS61278099A JP S61278099 A JPS61278099 A JP S61278099A JP 60120304 A JP60120304 A JP 60120304A JP 12030485 A JP12030485 A JP 12030485A JP S61278099 A JPS61278099 A JP S61278099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- rom
- signal
- inputted
- memory module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、たとえばパッケージ内に漢字マスクＲＯＭ等
を実装してなるメモリモジュールに関する。
を実装してなるメモリモジュールに関する。
［発明の技術的背崇とその問題点］
従来からマスクＲＯＭは、たとえば漢字の文字パターン
を発生させる固定メモリとして多用されている。通常、
マスクＲＯＭを実装してメモリモジュールを構成する場
合には、マスクＲＯＭのベアデツプを伯のメモリ素子と
ともに同一のパッケージ内に実装し封止することが行な
われている。
を発生させる固定メモリとして多用されている。通常、
マスクＲＯＭを実装してメモリモジュールを構成する場
合には、マスクＲＯＭのベアデツプを伯のメモリ素子と
ともに同一のパッケージ内に実装し封止することが行な
われている。
このような漢字の文字パターンを発生させるメモリモジ
ュールは、一般にＪＩＳ第１、第２水準に準じた漢字の
文字パターンが記憶されており、それ以外の文字（外字
）パターンは、別のメモリに記憶させる必要がある。
ュールは、一般にＪＩＳ第１、第２水準に準じた漢字の
文字パターンが記憶されており、それ以外の文字（外字
）パターンは、別のメモリに記憶させる必要がある。
そして別のメモリに記憶させるメモリモジュールとして
、外字パターンを含んだマスクＲＯＭを要求に応じ開発
して、そのマスクＲＯＭをメモリモジュールに実装する
ことが行なわれているが、価格面および製作納期の面で
問題がある。また別のメモリに記憶させる他のメモリモ
ジュールとして、外字パターン用に紫外線消去型ＥＰＲ
ＯＭを他のメモリ素子とともに同一のパッケージ内に実
装し封止することが行なわれているが、この場合紫外線
消去型ＥＰＲＯＭにプログラムの書込みおよび消去がで
きないという問題がある。さらにまたその際、プログラ
ムの書込みおよび消去用として紫外線透過窓を設けるメ
モリモジュールもあるが、構造が特殊なものとなり、コ
ストが高くなるという問題がある。
、外字パターンを含んだマスクＲＯＭを要求に応じ開発
して、そのマスクＲＯＭをメモリモジュールに実装する
ことが行なわれているが、価格面および製作納期の面で
問題がある。また別のメモリに記憶させる他のメモリモ
ジュールとして、外字パターン用に紫外線消去型ＥＰＲ
ＯＭを他のメモリ素子とともに同一のパッケージ内に実
装し封止することが行なわれているが、この場合紫外線
消去型ＥＰＲＯＭにプログラムの書込みおよび消去がで
きないという問題がある。さらにまたその際、プログラ
ムの書込みおよび消去用として紫外線透過窓を設けるメ
モリモジュールもあるが、構造が特殊なものとなり、コ
ストが高くなるという問題がある。
［発明の目的］
本発明はこれらの問題を解決するためになされたもので
、プログラムやデータ等の書込みおよび消去ができ、か
つ低コストのメモリモジュールを提供することを目的ど
している。
、プログラムやデータ等の書込みおよび消去ができ、か
つ低コストのメモリモジュールを提供することを目的ど
している。
［発明の概要］
すなわち本発明のメモリモジュールは、同一のパッケー
ジ内にマスクＲＯＭと書込みおよび消去が可能なＲＯＭ
とを実装し封止して、前記パッケージに電気的に外部と
接続する端子を設けることにより、プログラムやデータ
等の書込みおよび消去ができ、かつ低コストになるよう
にしたものである。
ジ内にマスクＲＯＭと書込みおよび消去が可能なＲＯＭ
とを実装し封止して、前記パッケージに電気的に外部と
接続する端子を設けることにより、プログラムやデータ
等の書込みおよび消去ができ、かつ低コストになるよう
にしたものである。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例の詳細を図面に基づいて説明する。
第１図は本実施例の回路構成を示す図、第２図は本実施
例のメモリモジュールの端子の配置を示す図である。
例のメモリモジュールの端子の配置を示す図である。
すなわち図において、１は記憶容量が１Ｍビットで、１
６Ｘ１６ドツトのＪＩＳ第１水準の漢字の文字パターン
（以下データとよぶ）が記憶されているマスクＲＯＭ、
２は記憶容量が６４にビットで外字のデータが記憶され
るＵ）込みおよび消去が可能なＲＯＭ、△ｏ”Ａ＋ｓは
マスクＲＯＭＩならびに書込みおよび消去が可能なＲＯ
Ｍ２から読みだされるデータを呼びだすための２値化さ
れた電気信８（以下単に信号とよぶ）が入力されるアド
レス入力端子、Ｄ＋〜Ｄ８はマスクＲ−ＯＭ１ならびに
書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２から読みだされたデ
ータを信号として出力し、かつ書込みおよび消去が可能
なＲＯＭ２！に外字のデータが信号として入力されるデ
ータ入出力端子、ＣＥｌはマスクＲＯＭ１のデータ読み
だしの際の動作の切換を行なう第１のチップイネーブル
入力端子、ＣＦ２は書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２
のデータ読みだしの際の動作の切換を行なう第２のチッ
プイネーブル入力端子、Ｗ Ｆは書込みおよび消去が可
能なＲＯＭ２にデータの書込みおよび消去の際の動作の
切換を行なうライ１〜イネ〜プル入力端子を示している
。またマスクＲＯＭ１と書込みおよび消去が可能なＲＯ
Ｍ２とは同一のパッケージ（図示せず）内に実装され封
止されており、第２図に示すように、このパッケージに
電気的に外部と接続するＤＴＰ形状の上述した端子Ａｏ
〜Ａ１６、Ｄ１〜Ｄ８、ＣＥｌ、ＣＦ２、ＷＥが設けら
れている。
６Ｘ１６ドツトのＪＩＳ第１水準の漢字の文字パターン
（以下データとよぶ）が記憶されているマスクＲＯＭ、
２は記憶容量が６４にビットで外字のデータが記憶され
るＵ）込みおよび消去が可能なＲＯＭ、△ｏ”Ａ＋ｓは
マスクＲＯＭＩならびに書込みおよび消去が可能なＲＯ
Ｍ２から読みだされるデータを呼びだすための２値化さ
れた電気信８（以下単に信号とよぶ）が入力されるアド
レス入力端子、Ｄ＋〜Ｄ８はマスクＲ−ＯＭ１ならびに
書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２から読みだされたデ
ータを信号として出力し、かつ書込みおよび消去が可能
なＲＯＭ２！に外字のデータが信号として入力されるデ
ータ入出力端子、ＣＥｌはマスクＲＯＭ１のデータ読み
だしの際の動作の切換を行なう第１のチップイネーブル
入力端子、ＣＦ２は書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２
のデータ読みだしの際の動作の切換を行なう第２のチッ
プイネーブル入力端子、Ｗ Ｆは書込みおよび消去が可
能なＲＯＭ２にデータの書込みおよび消去の際の動作の
切換を行なうライ１〜イネ〜プル入力端子を示している
。またマスクＲＯＭ１と書込みおよび消去が可能なＲＯ
Ｍ２とは同一のパッケージ（図示せず）内に実装され封
止されており、第２図に示すように、このパッケージに
電気的に外部と接続するＤＴＰ形状の上述した端子Ａｏ
〜Ａ１６、Ｄ１〜Ｄ８、ＣＥｌ、ＣＦ２、ＷＥが設けら
れている。
このように構成された本実施例のメモリモジュールにお
いて、ＪＩＳ第１水準の漢字のデータが読みだされる場
合には、マスクＲＯＭ１を動作するよう第１のチップイ
ネーブル入力端子ＧＥ＋から信号が入力され、マスクＲ
ＯＭ１が動作し、アドレス入力端子Ａｏ”−Ａ＋６から
そのデータを呼びだす信号が入力され、マスクＲＯＭ１
から読みだされたデータの信号がデータ入出力端子Ｄ１
〜Ｄ８から出力される。またＪＩＳ第１水準の漢字以外
の外字のデータが読みだされる場合には、書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ２を動作するよう第２のチップイネ
ーブル入力端子ＣＥ２から信号が入力され、書込みおよ
び消去が可能なＲＯＭ２が動作し、アドレス入力端子Ａ
ｏ〜Ａ＋２からそのデータを呼びだす信号が入力され、
書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２から読みだされたデ
ータの信号がデータ入出力端子Ｄ１〜ＤＢから出力され
る。
いて、ＪＩＳ第１水準の漢字のデータが読みだされる場
合には、マスクＲＯＭ１を動作するよう第１のチップイ
ネーブル入力端子ＧＥ＋から信号が入力され、マスクＲ
ＯＭ１が動作し、アドレス入力端子Ａｏ”−Ａ＋６から
そのデータを呼びだす信号が入力され、マスクＲＯＭ１
から読みだされたデータの信号がデータ入出力端子Ｄ１
〜Ｄ８から出力される。またＪＩＳ第１水準の漢字以外
の外字のデータが読みだされる場合には、書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ２を動作するよう第２のチップイネ
ーブル入力端子ＣＥ２から信号が入力され、書込みおよ
び消去が可能なＲＯＭ２が動作し、アドレス入力端子Ａ
ｏ〜Ａ＋２からそのデータを呼びだす信号が入力され、
書込みおよび消去が可能なＲＯＭ２から読みだされたデ
ータの信号がデータ入出力端子Ｄ１〜ＤＢから出力され
る。
またこのメモリモジュールに記憶されている漢字データ
以外の外字のデータを使用する場合には、その外字のデ
ータの信号をメモリモジュールに記憶させる必要があり
、その際、書込みおにび消去が可能なＲＯＭ２のデータ
の書込みおよび消去が動作するようにライトイネーブル
入力端子ＷＥから信号が入力され、書込みおよび消去が
可能なＲＯＭ２が動作し、その外字のデータの信号がデ
ータ入出力端子Ｄ１〜Ｄ８から入力され、書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ２に入力される。
以外の外字のデータを使用する場合には、その外字のデ
ータの信号をメモリモジュールに記憶させる必要があり
、その際、書込みおにび消去が可能なＲＯＭ２のデータ
の書込みおよび消去が動作するようにライトイネーブル
入力端子ＷＥから信号が入力され、書込みおよび消去が
可能なＲＯＭ２が動作し、その外字のデータの信号がデ
ータ入出力端子Ｄ１〜Ｄ８から入力され、書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ２に入力される。
したがって上述したメモリモジコールににれば、ＪＩＳ
第１水準の漢字のデータ以外の外字のデータも記憶する
ことができる。
第１水準の漢字のデータ以外の外字のデータも記憶する
ことができる。
なお上述した実施例において、入力されるデータは漢字
の文字パターンであったが、本発明はこれに限定される
ことなく、音声合成用ＲＯＭ等のデータ発生回路に広く
使用することができる。
の文字パターンであったが、本発明はこれに限定される
ことなく、音声合成用ＲＯＭ等のデータ発生回路に広く
使用することができる。
「発明の効果］
以上説明したＪ：うに本発明のメモリモジコールによれ
ば、同一のパッケージ内にマスクＲＯＭと書込みおよび
消去が可能なＲＯＭとを実装しているので、プログラム
やデータ等の消去および書込みができ、かつ低コストと
なる。
ば、同一のパッケージ内にマスクＲＯＭと書込みおよび
消去が可能なＲＯＭとを実装しているので、プログラム
やデータ等の消去および書込みができ、かつ低コストと
なる。
第１図は本発明の実施例の回路構成を示す図、第２図は
そのメモリモジコールの端子の配置を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・マスクＲＯＭ
２・・・・・・・・・・・・・・・・・・書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ △Ｏ”Ａ ｌ ６・・・アドレス入力端子Ｄ１〜ＤＢ・
・・・・・データ入出力端子ＣＥ＋・・・・・・・・・
・・・第１のチップイネーブル入力端子 Ｃ６０・・・・・・・・・・・・第２のチップイネーブ
ル入力端子
そのメモリモジコールの端子の配置を示す図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・マスクＲＯＭ
２・・・・・・・・・・・・・・・・・・書込みおよび
消去が可能なＲＯＭ △Ｏ”Ａ ｌ ６・・・アドレス入力端子Ｄ１〜ＤＢ・
・・・・・データ入出力端子ＣＥ＋・・・・・・・・・
・・・第１のチップイネーブル入力端子 Ｃ６０・・・・・・・・・・・・第２のチップイネーブ
ル入力端子
Claims (1)
- （１）同一のパッケージ内にマスクＲＯＭと書込みおよ
び消去が可能なＲＯＭとを実装し封止して、前記パッケ
ージに電気的に外部と接続する端子を設けてなることを
特徴とするメモリモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120304A JPS61278099A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | メモリモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60120304A JPS61278099A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | メモリモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278099A true JPS61278099A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14782922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60120304A Pending JPS61278099A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | メモリモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61278099A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771166A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6045998A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | メモリ制御方式 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP60120304A patent/JPS61278099A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771166A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-01 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS6045998A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-12 | Fujitsu Ltd | メモリ制御方式 |
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