JPS61283175A - 光導電体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔発明の技術分野〕 この発明は、電子写真装置等画像形成装置において、静
電潜像の形成を行なう光導電体に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 近年電子写真装置等画像形成装置にあっては、その□機
能や機種の多様化に伴い、光導電材料として、硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン［Ｓａ
］、セレンテルル合金［５ｅ−Ｔｅｌ、等の無機材料や
、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（以下ＰＶＣｚと称す
）、トリニトロフルオレン（以下ＴＮＦと称す）等の有
機材料等積々のものが開発されている。 しかしながら前記光導電材料のうち、セレン（Ｓｓ）、
硫化カドミウム〔Ｃｄ５）等にあっては１本質的に人体
に有害な材料である事から、製造時には安全対策上その
製造装置が複雑となり、製造コストが上昇される一方、
使用後には回収する必要があり、更にコストが上昇され
る他、セレン［Ｓｅ３、セレン−テルル合金［５ｓ−Ｔ
ｅｌにあっては結晶化温度が約６５（”Ｃｌと低い特性
を有するため、結晶化し易く、結晶化された部分に残留
電荷を生じ、画像を汚損する等の問題を生じ易く、結局
は長寿命化を図れないという欠点があるし、酸化亜鉛（
ＺｎＯ）にあってはその物性上、酸化還元を生じ易く、
温度や湿度等の環境雰囲気の影響を著しく受け、画質が
不安定となり、信頼性に劣るという欠点がある。又有機
材料である（ＰＶＣｚ）や（ＴＮＦ）は熱安定性及び耐
摩耗性に劣る事から長寿命化に難点がある上、最近では
発がん性の疑いがもたれるという欠点を有している。 このため近年上記欠点を解決するため、無公害である事
から回収処理が不要であり、又、表面硬度゛が高く耐摩
耗性及び耐衝撃性に優れ、更には従来に比し可視光領域
で高い分光感度を有するアモルファスシリコン（以下ａ
−５ｉと称す）が、感光体等の光導電材料への適応を検
討されている。即ち具体的には感光体は、その特性とし
て高抵抗且つ光感度が高い事が要求される事から、これ
等両特性を満すため、導電性支持体と（ａ−Ｓｉ）光導
電層の間にブロッキング層を設け、更には（ａ−３Ｌ）
光導電層上に表面電荷保持層を層重させた積層型の（ａ
−５ｉ）感光体が開発されている。 しかしながら（ａ−５ｉ）は、シラン（Ｓｉ）を含有す
るガスを用いたグロー放電分解法による成膜時、（ａ−
Ｓｉ）膜中に取り込まれる水素原子［Ｈ）の量に応じて
電気的特性及び光学的特性が大きく変動されてしまうと
いう問題を有している。即ち（ａ−３ｉ）膜中に取り込
まれる水素原子（Ｈ）の量が多くなると、光学的バンド
ギャップが大きくなり、高抵抗化する反面、これに伴い
近赤外線領域近傍の長波長光に対する分光感度が低下し
、半導体レーザを用いたレーザビームプリンタ等への使
用が不能になると共に、成膜条件によっては、　［（Ｓ
ｉＨｚ）ｎ）結合や（ＳｉＨ，）結合のような結合構造
を有するものが、（ａ−３ｉ）膜中で支配的となり、そ
の結果（ＳｉＨ）結合が切断され、ダングリングボンド
やボイド等の構造欠陥が増大し、光導電性が劣下すると
いう問題を有する。一方（ａ−５ｉ）膜中に取り込まれ
る水素原子ＣＨ）の量が低下すると、長波長光に対する
分光感度が増加する反面、光学的バンドギャップが小さ
くなり、低抵抗化してしまうと共に、水素原子〔１１〕
がダングリングボンドを補償しなくなるため。 発生したキャリアの移動度や寿命が低下し、やはり光導
電性が劣下し、感光体への使用が不能になるという問題
を有している。 このため長波長光に対する分光感度を増加させる方法と
して、シラン（Ｓｉ）を含有するガス及びゲルマンガス
（ＧｅＨ，）を混合し、グロー放電分解法により光学的
バンドギャップの狭い膜を成膜する方法が実施されてい
るが、一般にグロー放電時の最適支持体温度が、シラン
（Ｓｉ）含有ガスとゲルマン（ＧｅＨ４）にガスとでは
４０〜５０〔度〕異る事から、形成された膜に構造欠陥
を生じ易く、光導電性がやはり劣下し、更にはゲルマン
ガス（ＧｅＨ，）が酸化されると有毒となる事から、そ
の廃ガス処理も複雑になるという欠点を生じている。 〔発明の目的〕 この発明は上記事情にもとづいてなされたもので、高抵
抗である事から帯電特性に優れるにもかかわらず、可視
光及び近赤外線領域で高い分光感度特性を有し、更には
耐摩耗性等機械的強度及び熱的安定性に優れ、又、製造
も容易でコストの低減を図る事が出来る光導電体を提供
することを目的とする。 〔発明の概要〕 この発明は上記目的を達成するため、導電性の支持体上
に設けられるキャリア輸送層及びキャリア発生層のうち
、キャリア発生層を、主としてマイクロクリスタリンシ
リコン（以下μｃ−５ｉと称する。）で形成すると共に
、キャリア輸送層をアモルファスシリコン（以下ａ−５
ｉと称する。）で形成する事により、帯電特性に優れか
つ近赤外線領域においても高い分光感度特性を有する光
導電体を得るものである。 〔発明の実施例〕 この発明の詳細な説明するにあたり、（μＣ−５ｉ）の
特性について述べる。この（μｃ−３ｉ）は、非単結晶
シリコンに属するものであるが、Ｘ線回折測定を行うと
、第５図点線で示すように、（ａ−ＳＬ）が無定形であ
るため、ハローが現われるのみで回折パターンを認めら
れないのに対し、（μｃ−３ｉ）は第５図実線で示すよ
うに〔２θ〕が２７〜２８．５（度〕の付近で結晶回折
パターンを示すものである。一方、ポリクリスタリンシ
リコンは暗抵抗が１０′〔Ω・■〕以下であるのに対し
て（μｃ−３Ｌ）はｔｏｉ１〔Ω・１３以上と高抵抗を
有している。上述の様な特性により（μｃ−５ｉ）は、
他の非単結晶シリコンである（ａ−３ｉ）やポリクリス
タリンシリコンと区別され、その構造は約数十〔人〕以
上の粒径の微結晶が集合して形成されていると考えられ
る。そしてこのような（μｃ−５ｉ）を製造するには（
ａ−３Ｌ）と同様スパッタリングやグロー放電分解法に
よるが、（ａ−ＳＬ）製造時に比し、成膜を行なう導電
性の支持体の温度を高めに設定するか、あるいは高周波
電力を大きくす　　′ると形成され易くなる。即ち支持
体の温度を高くし、高周波電力を大きくする事により、
原料であるシラン（Ｓｉ）含有ガスの流量を増大出来、
その結果成膜速度が増大され（μｃ−３Ｌ）が形成され
易くなるからである。更に原料として、シラン（ＳｉＨ
，）やジシラン（Ｓｉｌｌ＠）等の高次シランガスも含
めて、水素〔旧で希釈したガスを用いると（μｃ−５ｉ
）がより効果的に形成され易くなる。 又、成膜される（μｃ−５ｉ）層にあっては、水素［）
Ｊ）の含有量が多くなると結晶化度が大きくなり、ポリ
クリスタリンシリコンに近付き、暗抵抗が小さくなるの
に対して明抵抗が増大され、ひいては光導電性を示さな
くなってしまうので、暗抵抗と明抵抗の調和がとれた優
れた光導電特性を得るためには、（μｃ−５ｉ）層中に
水素［）ｆ）が０．１〜３０１’原子％〕含まれている
事が望ましい。この（μｃ−５ｉ）層への水素（８１の
ドーピングは、原料としてシラン［５ｉＨ４）やジシラ
ン（Ｓｉｚ　Ｈ６３等のシラン［Ｓｉ）含有ガスとキャ
リアガスとしての水素ガス〔Ｈ２〕を反応容器に導入し
、グロー放電を行ったり、あるいは４フツ化ケイ素（Ｓ
ｉＦ４）やトリクロロシラン（ＳｉＣＲ，）等のハロゲ
ン化ケイ素と水素ガス〔Ｈ２〕との混合ガスを原料とし
て反応を行なったり、更にはシラン（Ｓｉ）含有ガスと
ハロゲン化ケイ素の混合ガスを原料として反応を行なっ
ても良い。 更に（μｃ−５ｉ）層にあっては、支持体から光導電層
への電荷の注入を防止したり、あるいは光感度特性を高
めたり、ｉ型にし高抵抗化する等のため、水素原子［Ｈ
］の他に不純物をドーピングしたりするが、この不純物
元素としては、ｐ型にするためにはホウ素［Ｂ］、アル
ミニウム（ＡＱ）等の周期律表第■族の元素が適し、他
方ｎ型にするためには窒素〔Ｎ〕、リンＣＰ）等の周期
律表第■族の元素が適している。又、（μｃ−３ｉ）の
暗抵抗を大きくし、光導電特性を高めるために窒素（Ｎ
）、炭素（Ｃ）、及び酸素

〔０〕の少なくとも１種をド
ーピングする事が望ましい。この様にすれば、これ等の
元素は、（μＣ−３Ｌ）の粒界に析出し、又、シリコン
［ＳＬ］のダングリングボンドのターミネータとして作
用し、バンド間の禁制帯中に存在する状態密度を減少さ
せるからである。 次に上述の特性を有する（μｃ−５Ｌ）を用いるこの一
発明の一実施例を第１図ないし第４図を参照しながら説
明する。グロー放電装置（１０）の反応容器（１１）内
には、導電性の支持体であり、アルミニウムからなるド
ラム状基体（１２）を支持するため、ヒータ（１３）を
内蔵し、モータ（１４）により回転される支持棒（１６
）が設けられている。又、支持棒（１６）周囲は、１３
．５６（ＭＨｚ）の高周波電源（１７）に接続される円
筒状電極（１８）で囲繞されると共に、支持棒（１６）
上方にはシランガス（ＳｉＨ，）、ジボランガス（Ｂ２
　Ｈ，）　−水素ガス〔Ｈ２〕、メタンガス〔ＣＨ４〕
等を必要に応じて供給出来るよう多数のガスボンベ（１
９ａ）・・・（１９ｎ）及びガス混合器（２０ａ）を有
するガス供給系（２０）にガス導入バルブ（２１ａ）を
介して接続されるガス導入管（２１）が設けられている
。尚（８ａ）・・・（８ｎ）は各ガスボンベ（１９ａ）
・・・（１９ｎ）のバルブ、（９ａ）・・・（９ｎ）は
圧力調整器である。更に（２２）は反応容器（１１）内
の排気を行なう排気装置（図示せず）に接続される排気
バルブであり、　（２３）反応容器（１１）内の気圧を
測定する真空計である。又、（２４）　、　（２５）は
光導電体である電子写真装置の第１及び第２の感光体で
あり、第２図にあってはドラム状基体（１２）上に順次
第１のブロッキング層（２４ａ）、第１のキャリア輸送
層（２４ｂ）及び第１のキャリア発生層（２４ｃ）から
なる第１の光導電層（２４ｄ）、第１の表面層（２４ａ
）が積層されている。 尚第１の光導電層（２４ｄ）は、その順序を入れかえて
も良く、この場合第３図に示すように、ドラム状基体（
１２）上に順次第２のブロッキング層（２５ａ）、第２
のキャリア発生層（２５ｂ）及び第２のキャリア輸送層
（２５ｃ）からなる第２の光導電層（２５ｄ）、及び第
２の表面層（２５ｅ）を積層する事となる。但しここで
各ブロッキング層（２４ａ）、　（２５ａ）は。 各感光体（２４）　、　（２５）のコロナ放電時、帯電
々荷と逆極性の電荷が、ドラム状基体（１２）から各キ
ャリア輸送層（２４ｂ）　、　（２５ｃ）に注入される
のを阻止する一方、各感光体（２４）　、　（２５）の
露光時、各キャリア発生層（２４ｃ）　、　（２５ｂ）
で発生されたキャリア対のうち帯電々荷と同極性の電荷
を有するキャリアのドラム状基体（１２）への流入をス
ムースに行なわせるものである。そしてこのような機能
を有するブロッキング層（２４ａ）　、　（２５ａ）と
しては、高抵抗で絶縁型ものも考えられるが１例えば各
感光体（２４）　、　（２５）表面に正帯電を行わせる
ときは、（ａ−Ｓｉ）や（μＣ−５ｉ）に周期律表第■
族の元素をｌＸｌ０−３〜３〔原子％〕　ドーピングし
てｐ型とし、ドラム状基体（１２）からの電子の注入を
阻止する一方、各感光体（２４）。 （２５）表面に負帯電を行なわせるときは（ａ−３ｉ）
や（μｃ−３Ｌ）に周期律表第■族の元素をＩ　Ｘ　１
０−３〜２〔原子％〕トド−ングしてｎ型とし、ドラム
状基体（１２）からの正孔の注入を阻止するようにすれ
ば、より高機能で良好な感光特性を得る事が出来る。 尚これ等（ａ−３ｉ）や（ｐ　ｃ−Ｓｉ）に炭素〔Ｃ〕
、酸素

〔０〕、窒素（Ｎ）のうち少なくとも１つ以上を
０．１〜２０〔原子％〕　ドーピングする事により、そ
の暗抵抗を上げる事が出来、特性をより良くする事が出
来る。 そしてその膜厚としては１００（人〕〜１０〔μｍ〕が
良く、より好ましくは０．１〔μｍ〕〜２〔μｍ〕が良
い。次に各キャリア輸送層（２４ｂ）　、　（２５ｃ）
は、各キャリア発生Ｊｌ　（２４ｃ）　、　（２５ｂ）
で生成されたキャリアを効率良くドラム状基体（１２）
に到達出来、更には暗時の帯電能及び電位保持能を高く
出来るものであれば、（ａ−３ｉ）あるいは（μｃ−５
ｉ）いづれから成っても良く、これ等に周期律表第■族
あるいは周期律表第■族の元素のいづれかをｌＸｌ０−
’〜ｌＸｌ０−３（原子・％〕トド−ングすれば、その
暗抵抗を大きくシ、帯電能を向上出来、更には（ａ−５
ｉ）又は（μｃ−３ｉ）に炭素〔Ｃ〕、窒素（Ｎ）、酸
素

〔０〕のうち少くとも１つ以上を０．１〜２０〔原子
％〕トド−ングすれば、帯電能が向上され、キャリア輸
送及び電位保持の両機能が向上される。尚各キャリア輸
送層（２４ｂ）　、　（２５ｃ）が（ａ−３ｉ）からな
る場合は、水素（Ｈ）をドーピングする事によりダング
リングボンドやボイド等の構造欠陥を補正する事が出来
る。更に各キャリア輸送層（２４ｂ）　、　（２５ｃ）
はその膜厚が薄すぎても厚すぎてもその機能を充分には
たせず、好ましくは３〔μｍ〕〜８０〔μｍ〕とされる
。次に各キャリア発生層（２４ｃ）　。 （２５ｂ）は、任意の波長光を吸収し、光生成キャリア
を発生させるものであり、長波長光に対して分光感度を
有するよう一部あるいはほとんどが（μＣ−５Ｌ）から
なり、これに周期律表第■族あるいは周期律表第■族の
元素のいづれかをｌＸｌ０−’〜ＩＸＩＱ−″３〔原子
％〕トド−ングすれば、前者にあってはｐ型を得られ、
後者にあってはｎ型を得られる。 そしてこの膜厚は薄くても良く、０．１〔μｍ〕〜１０
〔μｍ〕が好ましい。又、最後に各表面層（２４ｇ）　
。 （２５ｅ）は表面の保護と共に光反射を防止し、光透過
性向上を行ない更には電荷を保持するものであり、炭素
〔Ｃ〕、窒素［Ｎ）、酸素

〔０〕のいづれか１つを１０
〜５０〔原子％〕金含有た（ａ−５ｉ）や酸化アルミニ
ウム（ＡＱ、Ｏ，３等の無機化合物や、ポリ液化ビニル
等の有機材料からなり、その膜厚は１００〔人〕〜２０
〔μｍ〕が良く、より好ましくは０．１〔μｍ〕〜２〔
μｍ〕が適当とされる。 しかしてグロー放電装置（１０）で各感光体（２４）。 （２５）を形成する場合、支持棒（１６）にドラム状基
体（１２）をセットした後、反応容器（１１）内を所定
の気圧にするよう排気バルブ（２２）を開は排気装置（
図示せず）により排ガス処理を行なうと共にヒータ（１
３）によりドラム状基体（１２）を所定温度に加熱する
。そしてガス導入管（２１）を介し、ガス供給系（２０
）より必要とする所定のガスを反応容器（１１）内に導
入し１反応容器（１１）内のガス圧を一定に維持しつつ
高周波型ｇ（１７）によりドラム状基体（１２）及び円
筒状電極（１８）間に必要とする電力を所定時間印加し
、各ブロッキング層（２４ａ）　、　（２５ａ）の成膜
を行なう。続いて、同一反応容器（１１）内でドラム状
基体（１２）の温度及び導入ガス、更には電力量及び電
力の印加時間等の成膜条件を所定のものに設定し直し、
各ブロッキング層（２４ａ）　、　（２５ａ）上に各感
光体（２４）　、　（２５）の構造に応じて各キャリア
輸送層（２４ｂ）　、　（２５ｃ）及び各キャリア発生
層（２４ｃ）　、　（２５ｂ）を任意の順で成膜し各光
導電層（２４ｄ）　、　（２５ｄ）の成膜を行なう、更
に同一反応容器（１１）内で各成膜条件を所定のものに
設定し直し、各光導電層（２４ｄ）。 （２５ｄ）上に表面層（２４ｅ）　、　（２５ｅ）を成
膜し、各感光体（２４）　（２５）の形成を終了する。 次にこの実施例の作用について数種の具体例を述べる。 〔具体例１〕 先ず、支持棒（１６）にドラム状基体（１２）をセット
し、排気バルブ（２２）を開け、排気装置（図示せず）
により反応容器（１１）内を０．１〔Ｔｏｒｒ）以下に
排気すると共に、ヒータ（１３）によりドラム状基体（
１２）を２８０　［’Ｃ）に加熱する０次いでガス供給
系（２０）より。 ガス導入管（２１）を介し、シランガス（ＳｉＨ４）流
量に対してメタンガス〔ＣＨ４〕を１０〜１００〔％〕
、ジボランガス（Ｂ、Ｈ，）を０．０１〜１〔％〕混合
したガスを反応容器（１１）内に導入し、排気装置（図
示せず）により反応容器（１１）内の圧力を０．４（Ｔ
ｏｒｒ）に維持しつつ。 モータ（１５）によりドラム状基体（１２）を回転させ
ながら高周波＠源（１７）により１５０（Ｖ）の電力を
ドラム状基体（１２）及び円筒状電極（■８）間に１時
間印加し、（ａ−５ｉ）からなる第１のブロッキング層
（２４ａ）の成膜を行なった後、電力及び各種ガスの供
給を止める。続いて反応容器（１１）内にガス供給系（
２０）よりシランガス（Ｓｉｔ（４）流量に対してジボ
ランガス（ＢＺ　Ｈ＆　）を０６０１〜１〔％〕、メタ
ンガス（ＣＨ４）を０．１〜８０〔％〕混合したガスを
導入し、排気装置（図示せず）により反応容器（１１）
内の圧力を０．５（Ｔｏｒｒ）に維持しつつドラム状基
体（１２）を回転させながら、高周波電源（１７）によ
り１００（Ｗ）の電力をドラム状基体（１２）及び円筒
状電極（１８）間に５時間印加し、（ａ−５ｉ）からな
る第１のキャリア輸送層（２４ｂ）を第１のブロッキン
グ層（２４ａ）上に成膜し、電力及び各種ガスの供給を
止める。次に５反応容器（１１）内にガス供給系（２０
）よりシランガス（Ｓｉｎ、　］流量に対して水素ガス
〔Ｈ２〕を２００〔％〕以下、ジボランガス（Ｂ２８ａ
　）を０．００１〜１〔％〕混合したガスを導入し、排
気装置（図示せず）により反応容器（１１）内の圧力を
０．８（Ｔｏｒｒ）に維持しつつドラム状基体（１２）
を回転させながら、高周波電源（１７）により４００（
Ｗ）の電力をドラム状基体（１２）及び円筒状電極（１
８）間に３時間印加し、第１のキャリア輸送層（２４ｂ
）上に（ａ−５ｉ）及び（μｃ−５ｉ）の混合体からな
る第１のキャリア発生層（２４ｃ）を成膜し、電力及び
各種ガスの供給を止める。そして最後に反応容器（１１
）内にガス供給系（２０）よりシランガス（ＳｉＨ４）
流量に対してメタンガス（ＣＨ４，）を等量から数倍混
合したガスを導入し、反応容器（１１）内の圧力を０．
５（Ｔｏｒｒ）に維持しつつドラム状基体（１２）を回
転させながら、高周波電源（１７）により２００　（ｌ
ｉｌ）の電力を約１０分間印加し、第１のキャリア発生
層（２４ｃ）上に（ａ−５ｉ）からなる第１の表面層（
２４ｅ）を成膜し、電力及びガスの供給を止め、第１の
感光体（２４）の製造を終了する。 このようにして得られた第１の感光体（２４）の膜厚は
約２５〔μｍ〕であり、その第１のキャリア発生層（２
４ｃ）における（μｃ−ＳＬ）の結晶化度及び結晶粒径
をＸ線回折法により測定したところ、結晶化度３５〔％
〕、結晶粒径５０〔人〕という結果が得られた。 又、得られた第１の感光体（２４）に、コロナ放電によ
り、　Ｏ，Ｓ（μｃ／ａ＋ｆ）の電荷を付与したところ
その帯電能は４００（Ｖ）以上とされ、この第１の感光
体（２４）を電子写真装置本体（図示せず）に装填して
複写を行なったところ、耐熱性、耐湿性、耐摩耗性等に
優れ、２５〔万枚〕以上繰り返えし複写を行なっても初
期の画像とほぼ変わらず、鮮明で良質の画像が得られた
。更にこの第１の感光体（２４）の分光感度と、キャリ
ア発生層が（ａ−５Ｌ）のみからなる従来の感光体（図
示せず）の分光感度を測定したところ、第４図に示すよ
うに点線で示す従来の感光体に比し、実線で示すように
この第１の感光体（２４）は波長６５０　［ｎｍ］以上
（可視光領域及び近赤外線領域）において、より高感度
を有し、レーザビームプリンタ等への適用も充分可能と
なる。 （具体例２） この（具体例２）は前述の（具体例１）の第１のキャリ
ア輸送層（２４ｂ）と第１のキャリア発生層（２４ｃ）
の成膜順序を逆にし、更に第１のキャリア輸送層（２４
ｂ）の成膜時ジボランガス（ＢｚｏＪのかわりに、ホス
フィンガス（ＰＨ３）をシランガス（ＳｉＨ，）流量に
対して０．００１〜１〔％〕混合した反応ガスを用いる
ものであり、他は（具体例１）と全く同様である。即ち
この具体例にあっては、ドラム状基体（１２）上に（具
体例１）と同様の第２のブロッキング［（２５ａ）を成
膜した後、この第２のブロッキング層（２５ａ）上に（
具体例１）と同様の第２のキャリア発生層（２５ｂ）を
成膜し、続いて、前記条件で第２のキャリア輸送層（２
５ｃ）を成膜し、更に（具体例１）と同様の第２の表面
層（２５ｅ）を成膜するものである。このように形成さ
れた第２の感光体（２５）の帯電特性及び分光感度特性
更には連続複写可能枚数等は、（具体例１）の第１の感
光体（２４）と同様の結果が得られた。 （具体例３） この（具体例３）は、（具体例１）の第１のブロッキン
グ層（２４ａ）の成膜時、ジボランガス（Ｂ２ＨＧ）の
かわりにホスフィンガス（ＰＨ３）をシランガス［Ｓｉ
Ｈ４］流量に対して０．００１〜５〔％〕混合した反応
ガスを用いると共に、第１のキャリア輸送層（２４ｂ）
の成膜時、ジボランガス（ｓｉｎｓ）のかわりにホスフ
ィンガス（ｐＨｉ）をシランガス（ＳｉＨ，）流量に対
して０．００１〜３〔％〕混合した反応ガスを用いるも
のであり、他は（具体例１）と全く同様である。そして
これにより得られた感光体（図示せず）にコロナ放電に
より（−）０．４Ｃμ／ｃｄ）の電荷を付与したところ
、その帯電能は（−）３００（Ｖ）とされ、鮮明な画像
を得る事が出来た。尚その他の分光感度特性及び連続複
写可能枚数等は実験の結果（具体例１）の第１の感光体
（２４）と同様である事が判明した。 このように構成すれば、各キャリア発生層（２４ｃ）　
、　（２５ｂ）が（μｃ−５ｉ）及び（ａ−５ｉ）の混
合体で形成されている事から、（ａ−９ｉ）のみからな
るものに比し、可視光領域及び近赤外線領域においてよ
り高感度を有し１画質の向上を図れやと共にレーザプリ
ンタ等への適用も可能となるし、その長寿命化も図られ
る。更にこの各感光体（２４）　、　（２５）は、その
材質が人体に無害である事から製造時特に安全対策を必
要とせず又、その廃ガス処理も不要であるし、使用後に
感光体を回収する必要も無く、ひいてはコストの低減が
図られる。又、この実施例のように各表面層（２４ｅ）
　、　（２５ｅ）を設ければ、各光導電層（２４ｄ）　
、　（２５ｄ）の保護を図れ、より各感光体（２４）　
、　（２５）の長寿命化を図れると共に、各光導電層（
２４ｄ）　、　（２５ｄ）における光の吸収効率の低下
を防止出来、画質の向上を図れる。即ち（μｃ−Ｓｉ）
は。 その特性上屈折率が３〜４と比較的大きく、表面で光反
射を生じ易いが、表面層（２４ｅ）　、　（２５ｅ）を
設ける事により、この光反射が防止され、光導電層（２
４ｄ）　、　（２５ｄ）に吸収される光量が増大され、
鮮明な画像を得られる事となる。 尚この発明は上記実施例に限定されず種々設計変更可能
であり、例えば、キャリア発生層における（μｃ−５ｉ
）の割合は全く任意であり、ブロッキング層及びキャリ
ア輸送層により帯電能、が向上されるものであれば＋　
１００［％］（μｃ−５Ｌ）であっても良ぃ。又、（μ
ｃ−３ｉ）と（ａ−３ｉ）の混合体とは、単一の層中に
分散して混合されたものであっても良いし。 （μｃ−Ｓｉ）の薄い層と（ａ−５ｉ）の薄い層を層重
したものであっても良い。更に光導電体の構造も全く任
意であり、帯電能を保持出来るものであれば、ブロッキ
ング層は不要であるし、耐摩耗性や光反射を補償出来る
ものであれば、表面層も無くて良い。 又、実施例におけるブロッキング層、キャリア輸送層、
キャリア発生層１表面層の各厚さも任意であり、その製
造方法も、光ＣＶＤ方法やスパッタリング方法等であっ
ても良い。 〔発明の効果〕 以上説明したようにこの発明によれば、キャリア発生層
に、耐熱性、耐湿性に優れ機械的強度にも強い（μｃ−
３ｉ）を用いる事により、可視光領域及び近赤外線領域
における分光感度を向上出来、画質向上も図れると共に
、レーザプリンタ等への適用が可能となるし、更にはそ
の長寿命化も図られる。又、その製造も反応容器を用い
、クローズドシステムの製造装置で安全に製造出来、更
にはその材質も人体に無害である事から特に廃ガス処理
設備を設けなくても良く、使用後感光体の回収も不要で
あり、ひいては経済性向上を図る事が出来る。更には実
施例の様に表面層を設ける事により、より長寿命化を図
る事も出来るし、ブロッキング層を設ける事により、そ
の帯電能向上も図られる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はこの発明の一実施例を示し、第１
図はその成膜装置を示す概略説明図、第２図はその第１
図の感光体を示す一部断面図、第３図はその第２の感光
体を示す一部断面図、第４図°はその分光感度特性を示
すグラフ、第５図は（、μｃ−５Ｌ）と（ａ−３ｉ）の
Ｘ線回折を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上にキャリア発生層及びキャリア輸
   送層からなる光導電層が設けられるものにおいて、前記
   キャリア発生層が、層中にマイクロクリスタリンシリコ
   ンを有し、周期律表第III族の元素又は周期律表第Ｖ族
   の元素を含有するものであり、前記キャリア輸送層が炭
   素、酸素、窒素のうち少なくとも１原子を含有し、更に
   は同期律表第III族の元素又は周期律表第Ｖ族の元素を
   含有し、かつ水素を含有するアモルファスシリコンから
   なる事を特徴とする光導電体。 ２、キャリア発生層が膜厚０．１〔μｍ〕ないし５〔μ
   ｍ〕であり、キャリア輸送層が膜厚３〔μｍ〕ないし８
   ０〔μｍ〕である事を特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光導電体。 ３、支持体及び光導電層間に、炭素、酸素、窒素のうち
   少なくとも１原子を含有し、周期律表第III族の元素又
   は周期律表第Ｖ族の元素を含有する膜厚０．１〔μｍ〕
   ないし１０〔μｍ〕のブロッキング層が設けられる事を
   特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の光
   導電体。 ４、光導電層表面に膜厚１００〔Å〕ないし２０〔μｍ
   〕の表面層が設けられる事を特徴とする特許請求の範囲
   第１項ないし第３項のいづれかに記載の光導電体。 ５、表面層が、炭素、酸素、窒素のうち少なくとも１原
   子を含有し、シリコン原子を母体とする事を特徴とする
   特許請求の範囲第４項記載の光導電体。 ６、キャリア発生層が、水素原子を含有する事を特徴と
   する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいづれかに記
   載の光導電体。 ７、キャリア発生層が、マイクロクリスタリンシリコン
   及びアモルファスシリコンの混合体からなる事を特徴と
   する特許請求の範囲第１項ないし第６項のいづれかに記
   載の光導電体。