JPS61294452A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡＳ％　
Ｔｅ、Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを樹
脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。し
かしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安定性
、機械的強度の点で問題　２がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｉ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。 ａ−５ｉは、Ｓ＋−５ｔの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギャップ内に多くの局在準位が存在する。このた
めに、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗か小
さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて光伝
導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原子（
Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって、ダ
ングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−５
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０８〜１０
９Ω−備であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｔ：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−５ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツ）２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３を圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行う。 しかしながら、ａ−５ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで充分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放五したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：Ｈ
と称する。）について、その製法や存在がＰｈ１１．Ｍ
ａｇ、Ｖｏ１．３５″　（１９７８）等に記載されてお
り、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ
−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０′２〜１０
゛３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エネ
ルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変
化すること等が知られている。但し、炭素の含有により
バンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
Ｊｉを電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−５ｉＣｓＨ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広
い波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：ＨＪ’ｉｆと
へテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電
電位の向上を図っている。しかしながら、ａ−３ｔ：Ｈ
層の暗減衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分
であって実用性のあるものとはならない上に、表面にａ
−３１：）（層が存在していることにより化学的安定性
や機械的強度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公＋ｔａａこは、ａ−
３ｉ：Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ
層を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）
に第２のａ−３ｉＣｓＨ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ　−Ｓ　ｆ　Ｃ：　Ｈ層との間
に傾斜層（ａ−３ｉ　１−ｘＣｘ　：　Ｈ）を設け、こ
の傾斜層においてａ−３ｉｓＨ側でＸ＝Ｏとし、ａ−３
ｉＣ：ＨＪ’Ｅｆ側でＸ＝０．５とした感光体が知られ
ている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣｊｉｉが７〜８万回程度で機械
的に損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠
陥として生じるため、耐刷性が充分ではない。しかも、
繰返し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に
、電気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度
、湿度）による影響を無視できない。また、表面改質層
と電荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ、発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐剛性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低（、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、周期表第１１１ａ族元素がドープされ
かつ炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
も１つを含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；真性化され
かつ炭素原子及び酸素原子を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷輸送層と；
アモルファス水素化及び／フッ素化シリコンからなる電
荷発生層と；周期表第ＩＩＩａ族又は第Ｖａ族元素がド
ープされかつアモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
リコンからなる中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素
原子のうち少なくとも１つを含有しかつアモルファス水
素化及び／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層と
が順次積層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強くなり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐刷性が優れたものとなる。また、本発明において
は、表面改質層と電荷発生層との間に不純物ドープド中
間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層との接
着性が向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発
生層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時
の耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低
下し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に
影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＮ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第ｎ［ａ
族元素（例えばホウ素）がヘビードープされかつＣ，Ｎ
及びＯの少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これ
をａ−３ｔ　　（Ｃ）（Ｎ）（０）：Ｈと表す。）から
なるビ型電荷ブロッキングＮ４４と、周期表第ＩＩＩａ
族元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化さ
れかつＣ及び０を含有するａ−３ｔ：Ｈ（これをａ−３
ｉ　　（Ｃｏ）：Ｈと表す。）からなる電荷輸送層４２
と、ａ−３ｔ：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピン
グなし又は真性化されたもの）４３と、周期表第ＩＩＩ
ａ族又は第Ｖａ族元素がヘビードープされたビ型又はＮ
“型アモルファス水素化シリコンからなる中間層４６と
、周期表第■ａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型
又はＮ型或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなし
の）されかつＮ、Ｃ及びＯの少な（とも１つを含有する
アモルファス水素化シリコン（これをａ−３ｉ　　（Ｃ
）（Ｎ）（０）：Ｈと表す。）からなる表面改質Ｆｉ４
５とが積層された構造からなっている。電荷発生層４３
は暗所抵抗率ρｐと光照射時の抵抗率ρμとの比が電子
写真感光体として充分太き（光怒度（特に可視及び赤外
領域の光に対するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
ではミ第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、　ｏｐｔ　）とほぼ直線的な関係があるので、炭
素原子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて
規定することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ−３ｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗は
炭素含有量に従って変化し、１０１２Ω−１以上になる
。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又はＯを含むａ−３ｉＮ
：ＨＳａ−５ｉＯ：Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｔ系悪感
光を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｉ：）ｉを
表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲
気等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくな
る。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを通用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｉ＋Ｃ＝１００ａｔ
ｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｎ＋ｉｃ％を単に％で表す。 ）としたとき１％く〔０１５９０％、更には１０％≦（
Ｃ）５７０％であることが望ましい。このＣ含有量によ
って上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学的エネ
ルギーギャップがほぼ２．５ｅＶ以上となり、可視及び
赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果により照射
光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生層）４３に到達し易くな
る。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的損傷等の
欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり易く、か
つ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度
が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を越えると
層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易い上にａ
−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速
度が低下し易いので、Ｃ含有量は９０％以下とするのが
よい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５の場合、
１％〈〔Ｎ１５９０％（更には１０％≦（Ｎ３５７０％
）がよく、０％≦（０３５７０％（更には５％≦〔０〕
≦３０％）がよい。 帯電能を向上させるためには、表面改質層４５を高抵抗
化してもよい。そのためには表面改質層を真性化しても
よい。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
るためには、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。各
場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は次
の通りであってよい。 真性化： Ｐ型： Ｎ型： ＰＨ３／ＳｔＨ＋　　　１〜１０００　（好ましくは５
０〜５００）容量ｐｐｍ　（Ｓ　ｉ　Ｎ　Ｏ：　Ｈ（Ｆ
）、Ｓ　ｉ　ＣＯ：　Ｈ（Ｆ）共通ン また、層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ−３ｉＮ。 ａ−５ｉＯ１ａ−５ｉ０２等からなっていてよく、その
膜厚を４００人≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００
人≦ｔ≦２０００人に選択することも重要である。 即ち、その膜厚が５０００人を越える場合には、残留電
位ｖＦＬが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−
５１系感光体としての良好な特性を失い易い。 また、膜厚を４００人未満とした場合には、トンネル効
果によって電荷が表面上に帯電されなくなるため、暗減
衰の増大や光感度の低下が生じてしま電荷発生層からの
電荷の注入の可能とするのに中間層をＰ又はＮ型として
もよい。導電型制御のためのドーピング量は表面改質層
と同じでよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５ｏｏｏ人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
り、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 好ましくは、１００Å以上、ｔｏｏｏÅ以下とするのが
よい。 電荷発生Ｍ４３については、帯電能を向上するためには
、電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。 その為には、電荷発生層を真性化してもよい。この真性
化には、ＢｚＨｓ／ＳｉＨ＋＝１〜２０容量ｐｐｍとす
るのがよい。 また、電荷発生層は１〜１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留電
位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送ｊ’１ｉ４２については、帯電能、感度を最適
化するためには、真性化する必要がある。真性化のため
のドープ量は、（ＢｚＨｓ）／　（ＳｉＨ＋）＝１〜２
０容量ｐｐｎ＋が最適である。但し、上記値はＣ濃度に
依存するため、必ずしも上記値に限定されるものではな
い。電荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい
。また、電荷輸送層の組成は、１％く　〔Ｃ〕　５３０
％、好ましくは１０％≦　（Ｃ）５３０％がまく、０％
く　〔Ｏ〕　５１０％、好ましくは０％く　〔０〕　５
１％がよい。 また、上記電荷ブロッキングｒ＠４４は、基板４１から
の電子の注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、周期表第ＩＩＩａ族元素（例えばボロン）をグロ
ー放電分解でドープして、Ｐ型（更にはビ型）化すると
よい。ブロッキング層の組成によって、次のようにドー
ピング量を制御する。 ａ−３ｉＣ又はａ−３ｉＣＯ：Ｐ型（ヒ）；ＢｚＨｓ／
ＳｉＨ＋２０〜５０００容量ｐｐＩＩＩａ−３ｉＮ又は
ａ−３容量ｐｐｍ型（Ｐ”）；Ｂ　２　Ｈｓ　／　Ｓ　
ｉ　Ｈ４１０００〜５０００容Ｍ　ｐ　ｐ　ｍブロッキ
ング層は、５ｉＯ１Ｓ　ｉ　Ｏ２等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００人〜２μｍがよ
い。５００人未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た２μｍを越えると電荷輸送能が悪（なり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３５９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）　５７０％とし、１％く　〔Ｎ３５９
０％、好ましくは１０％〈〔Ｎ３５７０％とし、０％≦
〔０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦〔０〕≦３０％とす
るのがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生７５４３中の水素含有量は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが
望ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキ
ング層４４及び電荷輸送、Ｎ４２も同様である。また、
ブロッキング層４４の導電型を制御するための不純物と
して、Ｐ型化のためにボロン以外にもＡ１１Ｇａ、Ｉ　
ｎＳＴβ等の周期表ＩＩＩａ族元素を使用できる。Ｎ型
化のためにはリン以外にも、Ａ　ｓ　−、Ｓ　ｂ等の周
期表第Ｖａ族元素を使用できる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基板４１が
垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４１
を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。基
板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの円
筒萩高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周波
電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、図
中の６２はＳｉＨ４又はガス状シリコン化合物の供給源
、６３はＣＨ４等の炭化水素ガスの供給源、６４はＮ２
等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０２等の酸素化合
物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供給源、
６７は不純物ガス（例えばＢｚＨａ）供給源、６Ｂは各
流量針である。このグロー放電装置において、まず支持
体である例えばＡＩ基板４１の表面を清浄化した後に真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜
３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度の不活性ガ
スをキャリアガスとして、ＳｉＨ４又はガス状シリコン
化合物、ＣＨ４、Ｎ２．０２等を適宜真空槽５２内に導
入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周
波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨ
ｚ）を印加する。これによって、上記各反応ガスを電極
５７と基板４１との間でグロー放電分解し、Ｐ＋型ａ−
３ｉＣ：Ｈ，ｊ型ａ−３ｉ　Ｃ０：Ｈ，ａ−Ｓｉ　：Ｈ
，ｐ”又はマ型ａ−３ｉ：Ｈ。 ａ−３ｉＣ：Ｈを上記の層４４．４２．４３．４６．４
５として基板上に連続的に（即ち、例えば第１図の例に
対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−５ｉ系感光体感光層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａ−３ｔ：Ｆ、ａ−３ｉ　：Ｈ：Ｆ、ａ−５
ｉＮ：Ｆ、ａ−３ｉＮ：　Ｈ：　Ｆ　、、ａ　　Ｓ　ｉ
　Ｃ：　Ｆ　％　ａ　　Ｓ　ｉ　Ｃ：　Ｈ：　Ｆとする
こともできる。この場合のフッ素量は０．５〜１０％が
望ましい。 なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特廓昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状ＡＩ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平清な表面を持つドラ
ム状ＡＩ基板４１の表面を清浄化した後かつ基板４１を
所定温度、とくに１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背
圧のもとで周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、ＳｉＨ４
とＢ２Ｈ６からなる反応ガスを導入し、流量比１　：　
１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０−３）の（Ａｒ＋Ｓ
ｉＨ４＋ＣＨ＋＋Ｂ２Ｈａ）混合ガスをグロー放電分解
することにより、電荷ブロッキング機能を担うＰ＋型の
ａ−３ｉＣ：Ｈ層４４とａ−３ｉＣＯ：Ｈ電荷輸送層（
但し、ＢｚＨｓ／ＳｉＨ＋＝６容量％、（Ｃ）＝１２％
、〔Ｏ〕＝１０００ｐｐｍ　　（Ｓ　ｉに対し））４２
とを６６　ｍ　／　ｈ　ｒの堆積速度で順次所定厚さに
製膜した。引き続き、Ｂ２Ｈ６及びＣＨ４を供給停止し
、ＳｉＨ４を放電分解し、厚さ５μｍのａ−３ｔ：Ｈ層
４３を形成した。引き続いて、不純物ガスの流量比を変
化させてグロー放電分解し、膜厚も変化させた中間層４
６を形成し、更にＢｚＨ６／５ＬＨ４＝１００容量ｐｐ
ｍとしてａ−３ｉＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ表面保
護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。比
較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層：ａ−３ｉＮ：Ｏ又はａ−３ｉＣ：
０（ＢｚＨｓ／ＳｉＨ＋＝１００容ｆｆｉｐｐｍ　）（
２）、中間Ｗｉ：ミニドープ膜厚変化（第５図参照）（
３１，ａ−３ｉ　：　Ｈ電荷発生ＷＩ：膜厚＝５μｍ（
４）、ａ−３ｉＣＯ：Ｈ電荷輸送層：膜厚＝１５μｍＣ
含有量＝１２％ Ｏ含有量”　１１０００ｐｐ 正帯電用：Ｂドープ有り グロー放電分解法で （Ｂ２Ｈ６）／　（Ｓ　ｉＨ＋）＝６容量ｐｐｍ（５）
、ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−５ｉＮ：Ｈ電荷ブロッキング
層：膜厚＝１μｍ 炭素含有量＝１２％ 正帯電用二Ｂドープ有り （６）、支持体−Ａ２シリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行った。 ■ユがｌ五度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７０に荷ｉＷを加え、感光体をモータ７
１で回転させ、傷乙つける。次に、電子写真複写機Ｕ−
Ｂｉｘ１６００　　（小西六写真工業社Ｍ）改造機にて
画像出しを行い、何ｇの荷重から画像に白スジが現れる
かで、その感光体の引っかき強度（ｇ）とする。 ｉ像直並 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写＠　Ｕ　−Ｂ　ｔに４５００　　（小西六写真
工業社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、
紙、ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行
った後、画像出しを行い、以下の基準で画像流れの程度
を判定した。 ◎：画像流れが全くなく、５．５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：Ｓ、Ｓポイントの英字判読不能。 ）ｖＦＬｖ Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１ｕｘ−ｓｅｃを
照射した後も残っている感光体表面電位。 ■　ｏ　　ｖ Ｕ−Ｂｉχ２５００改造機（小西六写真工業側製）、を
用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、ｎ光なしの条件
で３６０ＳＸ型電位計（トレック社製）で測定した現像
直前の表面電位。 ’　　　　Ｅ’　　　Ｉｕｘ°ｓｅｃ 上記の装置を用い、グイクロイックミラー（光体光学社
製）により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成
分をシャープカットし、表面電位を５００■から２５０
■に半減するのに必要な露光量。（露光量は５５０−１
型光量計（ＥＧａｎｄＧ社製）にて測定） 結果を第１図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基づいて感光体を作成すれば、電子写真用として各性
能に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−３ｉ系感光体の各断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップを示すグラフ、 第３図はａ−３ｉＣの比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・ａ−Ｓｉ系感光体４１・・・・
・・・・・支持体（基板）４２・・・・・・・・・電荷
輸送層 ４３・・・・・・・・・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・・
・・・・・・表面改質層 ４６・・・・・・・・・中間層 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、周期表第IIIａ族元素がドープされかつ炭素原子、
   窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１つを含有す
   るアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンから
   なる電荷ブロッキング層と；真性化されかつ炭素原子及
   び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる電荷輸送層と；アモルファス水
   素化及び／フッ素化シリコンからなる電荷発生層と；周
   期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつアモ
   ルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンからなる中
   間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうち少なく
   とも１つを含有しかつアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積層されて
   なる感光体。