JPS6141156B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6141156B2 JPS6141156B2 JP54138067A JP13806779A JPS6141156B2 JP S6141156 B2 JPS6141156 B2 JP S6141156B2 JP 54138067 A JP54138067 A JP 54138067A JP 13806779 A JP13806779 A JP 13806779A JP S6141156 B2 JPS6141156 B2 JP S6141156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film semiconductor
- type
- semiconductor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜太陽電池のメタル配線の方法に
関する。
関する。
従来の太陽電池は、シリコン単結晶にPN接合
を形成したものが用いられてきた。近年、応用面
においても時計、電卓、ラジオなど多くの方向に
用られるようになるにいたつて、低コスト、低温
プロセス、大面積のものが可能な薄膜太陽電池が
注目を集めている。
を形成したものが用いられてきた。近年、応用面
においても時計、電卓、ラジオなど多くの方向に
用られるようになるにいたつて、低コスト、低温
プロセス、大面積のものが可能な薄膜太陽電池が
注目を集めている。
薄膜太陽電池の一例として第１図にその断面図
を示す。ガラス基板１にネサ電極２を形成し、前
記ガラス基板１及びネサ電極２の上にＮ型の薄膜
半導体３を重ねて形成し、さらに前記Ｎ型の薄膜
半導体３の上にＰ型の薄膜半導体４を重ねて形成
することによりPN接合を形成する。前記Ｎ型及
びＰ型の薄膜半導体を所定のパターンに形成した
のち、全面に絶縁膜５を形成し、前記電極２及び
Ｐ型半導体４上にメタル配線とのコンタクトをと
るため穴を開けたのち配線６をして第１図の構造
となる。
を示す。ガラス基板１にネサ電極２を形成し、前
記ガラス基板１及びネサ電極２の上にＮ型の薄膜
半導体３を重ねて形成し、さらに前記Ｎ型の薄膜
半導体３の上にＰ型の薄膜半導体４を重ねて形成
することによりPN接合を形成する。前記Ｎ型及
びＰ型の薄膜半導体を所定のパターンに形成した
のち、全面に絶縁膜５を形成し、前記電極２及び
Ｐ型半導体４上にメタル配線とのコンタクトをと
るため穴を開けたのち配線６をして第１図の構造
となる。
Ｐ型及びＮ型の薄膜半導体の間に不純物をドー
プしないＩ型半導体をはさんだPIN型構造のもの
があるが、以後ここでは説明を簡単にするため
PN構造でPIN型構造をも含ませるものとする。
プしないＩ型半導体をはさんだPIN型構造のもの
があるが、以後ここでは説明を簡単にするため
PN構造でPIN型構造をも含ませるものとする。
第１図の第一層目のＮ型薄膜半導体及び第二層
目のＰ型薄膜半導体の膜厚は、アモルフアスSiの
場合で数百Å〜数千Åであり、第二層目の薄膜半
導体すなわちＰ型薄膜半導体４はピンホールが生
じやすく、前記第二層目の薄膜半導体４のコンタ
クト部にピンホールが生じた場合、メタル配線６
により前記ピンホールを通してPN接合が短絡さ
れてしまう。
目のＰ型薄膜半導体の膜厚は、アモルフアスSiの
場合で数百Å〜数千Åであり、第二層目の薄膜半
導体すなわちＰ型薄膜半導体４はピンホールが生
じやすく、前記第二層目の薄膜半導体４のコンタ
クト部にピンホールが生じた場合、メタル配線６
により前記ピンホールを通してPN接合が短絡さ
れてしまう。
本発明の目的は、前述の欠点をなくし薄膜太陽
電池の歩留の向上、信頼性の向上をはからんとし
たものである。
電池の歩留の向上、信頼性の向上をはからんとし
たものである。
第２図は本発明による薄膜太陽電池を示した断
面図である。
面図である。
絶縁基板１上にネサ電極２を所定のパターンに
形成する。絶縁基板１及びネサ電極２の全面に第
一の薄膜半導体３（例えばＮ型薄膜半導体）を形
成したのち所定の形状にパターンニングする。前
記第一の薄膜半導体と相異なる型の第二の薄膜半
導体４（例えばＰ型薄膜半導体）を前記第一の薄
膜半導体３、ネサ電極２、絶縁基板１の全面に形
成し、第二の薄膜半導体の一部Ａが第二の薄膜半
導体と基板の間に電極及び第一の半導体が存在し
ない部分に形成されることを含む所定のパターン
を形成する。
形成する。絶縁基板１及びネサ電極２の全面に第
一の薄膜半導体３（例えばＮ型薄膜半導体）を形
成したのち所定の形状にパターンニングする。前
記第一の薄膜半導体と相異なる型の第二の薄膜半
導体４（例えばＰ型薄膜半導体）を前記第一の薄
膜半導体３、ネサ電極２、絶縁基板１の全面に形
成し、第二の薄膜半導体の一部Ａが第二の薄膜半
導体と基板の間に電極及び第一の半導体が存在し
ない部分に形成されることを含む所定のパターン
を形成する。
このとき第一の薄膜半導体３の電極２の引出し
部では、第二の薄膜半導体４と電極２が短絡しな
いようにマスク合わせ誤差以上の余裕を第３図に
示したようにとることが必要である。
部では、第二の薄膜半導体４と電極２が短絡しな
いようにマスク合わせ誤差以上の余裕を第３図に
示したようにとることが必要である。
全面に絶縁膜５を形成したのち、前記第二の薄
膜半導体の一部Ａ上でメタル配線６とコンタクト
がとれるように所定の穴あけをしてさらに所定の
メタル配線６をして本発明の薄膜太陽電池が形成
される。
膜半導体の一部Ａ上でメタル配線６とコンタクト
がとれるように所定の穴あけをしてさらに所定の
メタル配線６をして本発明の薄膜太陽電池が形成
される。
さらには、電極２の引出し部以外の部分では各
層の間で短絡しないように各層ごとに基板側をお
おつておくことが必要である。第３図、第４図は
それぞれ第２図の拡大図及び平面図である。
層の間で短絡しないように各層ごとに基板側をお
おつておくことが必要である。第３図、第４図は
それぞれ第２図の拡大図及び平面図である。
本発明のごとく、第二層目の薄膜半導体とメタ
ル配線とのコンタクト部で第二層目の薄膜半導体
と絶縁基板の間に電極及び電極とコンタクトされ
た第一層目の薄膜半導体が存在した構造とするこ
とにより、コンタクト部での短絡をふせぐことが
可能となり薄膜太陽電池の歩留を向上させ信頼性
を向上させることが出来る。
ル配線とのコンタクト部で第二層目の薄膜半導体
と絶縁基板の間に電極及び電極とコンタクトされ
た第一層目の薄膜半導体が存在した構造とするこ
とにより、コンタクト部での短絡をふせぐことが
可能となり薄膜太陽電池の歩留を向上させ信頼性
を向上させることが出来る。
上記本発明の説明において絶縁膜５を層間絶縁
膜として使用したが、本発明の構造によれば層間
絶縁膜５を使用しなくともよい。またＰ型及びＮ
型について、相方いれかえた形でも本発明の効果
はかわらない。
膜として使用したが、本発明の構造によれば層間
絶縁膜５を使用しなくともよい。またＰ型及びＮ
型について、相方いれかえた形でも本発明の効果
はかわらない。
またＰ型及びＮ型の薄膜半導体の間に不純物を
ドーブしないＩ型半導体をはさんだPIN型構造も
のがあるが、この構造に対しても本発明の効果は
かわらない。
ドーブしないＩ型半導体をはさんだPIN型構造も
のがあるが、この構造に対しても本発明の効果は
かわらない。
すなわち、基板と相対する端の層の薄膜半導体
における電極配線とのコンタクト部において、前
記薄膜半導体と基板との間にすくなくとも絶縁物
以外は存在したこと、また薄膜半導体と接続され
た基板側の電極引出し部においては各層間で短絡
しないようにアライメント誤差以上に合わせしろ
をもうけること、また前記電極引出し部以外の部
分においては各層間で短絡しないよう各層ごとに
基板側の層をおおう構造とする。
における電極配線とのコンタクト部において、前
記薄膜半導体と基板との間にすくなくとも絶縁物
以外は存在したこと、また薄膜半導体と接続され
た基板側の電極引出し部においては各層間で短絡
しないようにアライメント誤差以上に合わせしろ
をもうけること、また前記電極引出し部以外の部
分においては各層間で短絡しないよう各層ごとに
基板側の層をおおう構造とする。
このことはPN構造のものと同様である。
上述の如く本願発明は、第二の型の薄膜半導体
の一部は、絶縁基板上に直接形成され、この直接
形成された薄膜半導体の部分上にのみメタル配線
と第二の薄膜半導体とが接続されて形成されたか
ら、メタル配線材料が第二の型の薄膜半導体をつ
き抜けることによつて、第一の型の薄膜半導体と
の短絡を生じることがなく、このような短絡欠陥
による歩留の低下を防ぎ、デバイスの信頼性を向
上することができる効果を有する。
の一部は、絶縁基板上に直接形成され、この直接
形成された薄膜半導体の部分上にのみメタル配線
と第二の薄膜半導体とが接続されて形成されたか
ら、メタル配線材料が第二の型の薄膜半導体をつ
き抜けることによつて、第一の型の薄膜半導体と
の短絡を生じることがなく、このような短絡欠陥
による歩留の低下を防ぎ、デバイスの信頼性を向
上することができる効果を有する。
第１図は、従来の薄膜太陽電池の構造を示す断
面図である。第２図は、本発明による薄膜太陽電
池の構造を示す断面図である。第３図は、第２図
の拡大図である。第４図は、第２図の平面図であ
る。たゞし、基板及び絶縁膜は省略してある。第
１図から第４図まで各添字は共通になつている。
面図である。第２図は、本発明による薄膜太陽電
池の構造を示す断面図である。第３図は、第２図
の拡大図である。第４図は、第２図の平面図であ
る。たゞし、基板及び絶縁膜は省略してある。第
１図から第４図まで各添字は共通になつている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に電極を有し、前記絶縁基板上及
び電極上の一部に第一の型の薄膜半導体を有し、 前記第一の型の薄膜半導体上のすくなくとも一
部と重なる第二の型の薄膜半導体を有し、該第二
の型の薄膜半導体上の一部にメタル配線が形成さ
れてなる太陽電池において、該第二の型の薄膜半
導体の一部は、該絶縁基板上に直接形成されてな
り、該直接形成された薄膜半導体の部分上にのみ
該メタル配線と、該第二の薄膜半導体とが接続さ
れてなることを特徴とする薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13806779A JPS5661175A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Thin-film solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13806779A JPS5661175A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Thin-film solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5661175A JPS5661175A (en) | 1981-05-26 |
| JPS6141156B2 true JPS6141156B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=15213194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13806779A Granted JPS5661175A (en) | 1979-10-25 | 1979-10-25 | Thin-film solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5661175A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485443U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935491A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JPS6071151U (ja) * | 1983-10-22 | 1985-05-20 | 太陽誘電株式会社 | 太陽電池 |
| JPH04116160U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-16 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
-
1979
- 1979-10-25 JP JP13806779A patent/JPS5661175A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485443U (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5661175A (en) | 1981-05-26 |
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