JPS6142136Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6142136Y2 JPS6142136Y2 JP9771678U JP9771678U JPS6142136Y2 JP S6142136 Y2 JPS6142136 Y2 JP S6142136Y2 JP 9771678 U JP9771678 U JP 9771678U JP 9771678 U JP9771678 U JP 9771678U JP S6142136 Y2 JPS6142136 Y2 JP S6142136Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- measured
- frequency
- conversion circuit
- reflection coefficient
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は高周波領域に於て、高（低）インピー
ダンス測定に関するものである。
ダンス測定に関するものである。
これまで高周波に於るインピーダンス測定に於
てはＳパラメータ測定法が用いられる。しかも、
同測定に於ては特性インピーダンスとしてZ0（＝
50Ω）が設定されており被測定インピーダンスが
極めて高い（低い）場合には測定された反射係数
（Γ：ガンマ）はほとんど１となり、これはオー
プンあるいはシヨート条件と等しくなり、測定値
の正確さに欠ける事になる。
てはＳパラメータ測定法が用いられる。しかも、
同測定に於ては特性インピーダンスとしてZ0（＝
50Ω）が設定されており被測定インピーダンスが
極めて高い（低い）場合には測定された反射係数
（Γ：ガンマ）はほとんど１となり、これはオー
プンあるいはシヨート条件と等しくなり、測定値
の正確さに欠ける事になる。
本考案の目的は上記欠点を除き、高（低）イン
ピーダンスを容易にかつ確度を上げて測定可能に
する有効な高周波インピーダンス測定装置を提供
することである。
ピーダンスを容易にかつ確度を上げて測定可能に
する有効な高周波インピーダンス測定装置を提供
することである。
本考案の特徴は線路に特性インピーダンスが異
なり、電気長λ／４のインピーダンス変換回路を
備えたことである。
なり、電気長λ／４のインピーダンス変換回路を
備えたことである。
以下図面により本考案を説明する。
第１図は従来のＳパラメータ測定法によるイン
ピーダンス測定原理図である。反射係数測定器１
は特性インピーダンスがZ0（＝50Ω）なる方向性
結合器２に接続され入射波３、反射波４により被
測定インピーダンス５（Zg）を測定する。
ピーダンス測定原理図である。反射係数測定器１
は特性インピーダンスがZ0（＝50Ω）なる方向性
結合器２に接続され入射波３、反射波４により被
測定インピーダンス５（Zg）を測定する。
この場合入射波、反射波の比である反射係数
（Γ）は下式で表現される。
（Γ）は下式で表現される。
反射波／入射波＝Γ＝Ｚｏ−Ｚｇ／Ｚｏ＋Ｚｇ
ここで被測定インピーダンス５が極めて高い
（低い）場合にはつまりZg≫Zo（Zg≪Zo）の場合
に、Γ〓１となり従来法に於ては、第２図のスミ
ス図表上に示す様にオープンあるいはシヨート条
件と酷似する事になる。
（低い）場合にはつまりZg≫Zo（Zg≪Zo）の場合
に、Γ〓１となり従来法に於ては、第２図のスミ
ス図表上に示す様にオープンあるいはシヨート条
件と酷似する事になる。
第３図は本考案のインピーダンス変換回路Ａを
備えた測定装置の一例である。この場合にインピ
ーダンス変換回路Ａは測定周波数に於てλ／４の
長さをもち、かつ、その特性インピーダンスＺT
はは被測定インピーダンスZgよりも低く（高
く）かつ、反射係数測定装置の特性インピーダン
スZoよりも高い（低い）つまりZg＞ＺT＞Zo（あ
るいはZg＜ＺT＜Zo）である。このような回路を
設けて反射係数測定装置に接続される。
備えた測定装置の一例である。この場合にインピ
ーダンス変換回路Ａは測定周波数に於てλ／４の
長さをもち、かつ、その特性インピーダンスＺT
はは被測定インピーダンスZgよりも低く（高
く）かつ、反射係数測定装置の特性インピーダン
スZoよりも高い（低い）つまりZg＞ＺT＞Zo（あ
るいはZg＜ＺT＜Zo）である。このような回路を
設けて反射係数測定装置に接続される。
本インピーダンス変換回路Ａを通して被測定イ
ンピーダンスZgは下式のように変換される。
ンピーダンスZgは下式のように変換される。
Zg′＝ＺTＺＴ＋Ｚｇｔａｎβ／Ｚｇ＋ＺＴｔａｎ
β＝ＺＴ ２／Ｚｇ、 （β＝２π／λ、＝λ／４） Zg′はインピーダンス変換回路で変換されたイ
ンピーダンス。
β＝ＺＴ ２／Ｚｇ、 （β＝２π／λ、＝λ／４） Zg′はインピーダンス変換回路で変換されたイ
ンピーダンス。
従つて、本インピーダンス測定装置に於て測定
される反射係数Γ′は、 Γ′＝Ｚｏ−Ｚｇ′／Ｚｏ＋Ｚｇ′となる。
される反射係数Γ′は、 Γ′＝Ｚｏ−Ｚｇ′／Ｚｏ＋Ｚｇ′となる。
ここで｜Γ｜と｜Γ′｜の比をとれば
｜Γ｜／｜Γ′｜＝｜Ｚｏ−Ｚｇ／Ｚｏ＋Ｚｇ｜・｜
Ｚ０＋Ｚｇ′／Ｚ０−Ｚｇ′｜ ＝｜Ｚ０−Ｚｇ／Ｚ０＋Ｚｇ｜・｜Ｚｏ＋ＺＴ ２／
Ｚｇ／Ｚｏ−ＺＴ ２／Ｚｇ｜ この式でつねに｜Γ′｜＜｜Γ｜となるＺTを選
べば第４図のスミス図表に示す様に反射係数を高
周波に於てより確度を上げて測定可能である。
Ｚ０＋Ｚｇ′／Ｚ０−Ｚｇ′｜ ＝｜Ｚ０−Ｚｇ／Ｚ０＋Ｚｇ｜・｜Ｚｏ＋ＺＴ ２／
Ｚｇ／Ｚｏ−ＺＴ ２／Ｚｇ｜ この式でつねに｜Γ′｜＜｜Γ｜となるＺTを選
べば第４図のスミス図表に示す様に反射係数を高
周波に於てより確度を上げて測定可能である。
また、このλ／４の変換器の実装の一例を揚げ
れば高周波領域に於て同軸あるいはマイクロスリ
ツプ線路で第５図Ａ，Ｂの如く行えば良い。
れば高周波領域に於て同軸あるいはマイクロスリ
ツプ線路で第５図Ａ，Ｂの如く行えば良い。
第１図は従来のＳパラメータ装定装置を示すブ
ロツク図であり、第２図は第１図により求められ
たスミス図である。第３図は本考案一実施例を示
すブロツク図であり、第４図は第３図により求め
られたスミス図表である。第５図Ａおよび第５図
Ｂはそれぞれ第３図のインピーダンス変換器を同
軸線路およびマイクロストリツク線路で形成した
場合の断面図および平面図である。 尚、図において、１は反射係数測定装置
（Zo）、２は方向性結合器（Zo）、３は入射波、４
は反射波、５は被測定インピーダンス（Zg）、Zo
は反射係数測定装置の特定インピーダンス、Zg
は被測定インピーダンス、Ａはインピーダンス変
換器、ＺTはインピーダンス変換器の特性インピ
ーダンス、Zg′は変換されたインピーダンスであ
る。
ロツク図であり、第２図は第１図により求められ
たスミス図である。第３図は本考案一実施例を示
すブロツク図であり、第４図は第３図により求め
られたスミス図表である。第５図Ａおよび第５図
Ｂはそれぞれ第３図のインピーダンス変換器を同
軸線路およびマイクロストリツク線路で形成した
場合の断面図および平面図である。 尚、図において、１は反射係数測定装置
（Zo）、２は方向性結合器（Zo）、３は入射波、４
は反射波、５は被測定インピーダンス（Zg）、Zo
は反射係数測定装置の特定インピーダンス、Zg
は被測定インピーダンス、Ａはインピーダンス変
換器、ＺTはインピーダンス変換器の特性インピ
ーダンス、Zg′は変換されたインピーダンスであ
る。
Claims (1)
- 高周波線路の先端に被測定物を接続し、該被測
定物への入射波および該被測定物からの反射波を
測定するＳパラメータ測定法により該被測定物の
インピーダンスを測定する高周波インピーダンス
測定装置において、前記入反射波を測定する前記
高周波線路の部分と前記被測定物との間に測定周
波数における電気長がλ／４であるインピーダン
ス変換回路が挿入され、該インピーダンス変換回
路の特性インピーダンスは、前記高周波線路の特
性インピーダンスと前記被測定物の特性インピー
ダンスとの間の値であつて、前記インピーダンス
変換回路がないときの前記入射波に対する前記反
射波の反射係数の絶対値が前記インピーダンス変
換回路があるときの反射係数の絶対値よりも大き
くなるような値に設定されていることを特徴とす
る高周波インピーダンス測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9771678U JPS6142136Y2 (ja) | 1978-07-14 | 1978-07-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9771678U JPS6142136Y2 (ja) | 1978-07-14 | 1978-07-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5514539U JPS5514539U (ja) | 1980-01-30 |
| JPS6142136Y2 true JPS6142136Y2 (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=29032813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9771678U Expired JPS6142136Y2 (ja) | 1978-07-14 | 1978-07-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142136Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-07-14 JP JP9771678U patent/JPS6142136Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5514539U (ja) | 1980-01-30 |
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