JPS6154701A - 誘電体同軸共振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、例えばフィルタ装置に使用される誘電体同軸
共振器に関する。

〈従来の技術〉 第４図はこの種の誘電体同軸共振器の従来例を示す要部
の断面図である。この図において、この誘電体同軸共振
器は１ハ波長型の多段フィルタ素子として使用さｈるも
のであって、セラミック製の誘電体ブロック１を備える
。この誘電体ブロック１には円１Ｃ状の貫通孔２・・・
が形成されている。

各貫通孔２の周面にはそれぞれ内導体３が被膜形成され
、また誘電体ブロック１の外周面には外導体４が被膜形
成されている。この誘電体ブロック１の前記貫通孔２が
開口する一方の端面ば前記外導体４と各内導体３・・・
とを電気的に短絡する電極５が形ｒ＆された短絡端面１
ａであり、この短絡端面１ａと対向する他方の端面は該
外導体４と各内導体３・・・とが短絡されない、い０ゆ
るセラミック面が露出する開放端面１ｂとなっている。

各貫通孔２・・・の間には角孔状の結合度ｉｔ用孔６が
該貫通孔２・・・と同方向に貫通形成されている。そし
て、これらの結合度調整用孔６を境界とする複数の共振
器部分７・・・が多段に結合されている。このうち、初
段および最終段（第４図では初段のみ図示）の共振器部
分７，７の貫通孔２，２内には、端子として外部回路系
との結合用′導体８と、これを抜は止め状に保持する誘
電体からなる保持部材１８が圧入嵌合されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで、このような誘電体同軸共振器の場合、これと
接続された外部回路系のＱ、すなわちＱｅを安定化させ
るために、Ｑｅと前記誘電体同軸共振器の共振系のＱ、
すなわちＱｏとのＱ整合をとらなければならないが、こ
のＱ整合は外部回路系からの高周波信号が入力される初
段の共振器部分７あるいは信号処理された高周波信号を
外部回路系へ出力する最終段の共振器部分７の結合静電
容量を調整することにより行なっている。

前述の従来例の場合、この結合静電容量の調整は初段の
貫通孔２に挿入された結合用導体８の該貫通孔２内での
位置を調整することにより、内導体３と結合用導体８と
の間で発生する静電容量を適正値に設定している。しか
しながら、この場合、適正な静電容量を得るためには、
貫通孔２内に圧入嵌合された保持部材１８の位置を該貫
通孔２内で微調整しなければならず、その位置設定に手
間を要する。更に、これら端子を支えるためシールドケ
ースにおいて該保持部材１８および結合用導体８の保持
構造および開放端面１ｂ側のシールド方法を考えなけれ
ばならない。

そこで、これを改善するために、例えば第５図および第
６図に示すように、初段の共振器部分７の貫通孔２の近
傍に、結合用導体８が挿入さｈる径小の透孔１９を設け
、この透孔１９内で結合用導体８の挿入量を調整するこ
とによ１）、初段の貫通孔２との間で発生する静電容量
を適正値に設定・　　　　　　するものが提案されてい
る。しかし、この場合では、新たに透孔１９を設けなけ
ればならず、その加工に手間を要する。更に、結合用導
体８の保持構造においてはなんら改善されない。

また、前記いずれの従来例においても、結合用導体８を
誘電体ブロック１の開放端面１ｂ側から挿入し、かつこ
の開放端面１ｂ側で結合用導体８を調整操作しなければ
ならないが、これでは誘電体ブロック１をシールドケー
ス内に岨み込んだのちに調整不良が生じた場合、端子が
シールドケースにより位置決めされるため、再調整が殆
ど不可能である。＊た、このため、貫通孔２または透孔
１９の径寸法あるいは結合用導体８の径寸法、開放端面
側のシールドケースとの間隙等を予め精密に設定してお
かなくてはならず、その加工も高精度に行なわなくては
ならないなどの問題点がある。

本発明はかかる従来の問題点に鑑み、前記Ｑｅを安定化
させるために、比較的簡単な構造で整合を容易にとるこ
とを可能にすることを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉 本発明ではこのような目的を達成するために、結合用導
体を誘電体ブロックの短絡端面側から挿入するとともに
、該結合用導体を開放地面側で接地手段と接続したこと
に特徴を有する。

〈実施例〉 以下、本発明を図面に示す実施例に基づ島詳細に説明す
る。

第１図はこの実施例の要部を示す一部切り欠き斜視図で
あり、第２図はその縦断面図である。これらの図におい
て、この誘電体同軸共振器は１ノ４波長型の多段フィル
タ素子として使用されるものであって、セラミック製の
誘電体ブロック１を備える。この誘電体ブロック１は直
方体ブロック状に形成され、その幅方向の中央には回礼
状の貫通孔２・・・が等間装置きに形成されている。各
貫通孔２の周面にはそれぞれ銀ペースト等の電極材料を
被膜状に塗布してなる内導体３・・・が形成されている
。また、誘電体ブロック１の外周面には前記内導体３・
・・と同様の手法で被膜状に塗布された外導体４が形成
されている。この誘電体ブロック１の前記貫通孔２・・
・が開口する一方の端面１ａにはその全面に電極５が塗
布形ｆｉ、されており、この電極５を介して各内導体３
・・・と外導体４とが電気的に。

短絡される。この誘電体ブロック１の一方の端面、すな
わち短絡端面１ａと対向する他方の端面１ｂは全面的に
誘電体ブロック１のセラミック面が露出しており、外導
体４と各内導体３・・・とが短絡さｈない、いわゆる開
放端面となっている。

各貫通孔２・・・開にはそれぞれ角孔状の結合度調整用
孔６が該貫通孔２・・・と同方向に貫通形成されている
。そして、これらの結合度調整用孔６゛を境界として複
数の共振器部分７・・・が多段に結合されている。この
うち、初段および最終段（第１図では初段と第２段のみ
図示）の共振器部分７の貫通孔２内には外部回路系（図
示せず）との結合用導体８が挿入されている。

前記誘電体ブロック１は金属製のシールドケース９内に
組み込まれる。このシールドケース９はケース本体１０
と蓋１１とからなる。該誘電体ブロック１はこのケース
本体１０内に短絡端面１ａが全面的にケース本体１０の
底壁１２に面接する状態で収納される。また、誘電体ブ
ロック１の組み付は収納状態において、前記開放端面１
ｂと蓋１１との間には所要のカットオフ空間１３が設定
されている。ケース本体１０の底壁１２には、初段およ
び最終段の共振器部分７，７の貫通孔２，２と連通する
結合用導体８の差し込み用孔１４が穿設されている。

前記結合用導体８は金属棒からなるピン端子状に形成さ
れており、この結合用導体８は前記誘電体ブロック１の
短絡端面１ａ側から挿入され、開放端面１ｂ側でシール
ドケース９の１１１（接地手段）に接地接続される。こ
の蓋１１と結合用導体８との間にはリアクタンス素子（
この実施例ではコイル）１５が介挿されている。結合用
導体８は例えば封止用樹脂１６を介し孔１４で保持され
る。

上記構成の誘電体同軸共振器において、例えば外部回路
系のホットラインから出力された高周波信号が初段の結
合用導体８に入力されると、この信号は該結合用導体８
→コイル１５→シールドケース９の内表面→外導体４の
内表面→電極５の内表面→内導体３の内表面→内導体３
の外表面→外部回路系のアースラインへ流れることによ
って初段の共振器部分７に付与される０次いで、この信
号は結合度調整用孔６を介して初段の共振器部分７に電
磁気的に結合された第２段の共振器部分７に伝播される
。以下同様に最終段の共振器部分７まで順次伝播された
のち、最終段の結合用導体８に送られる。

第３図は初段の共振器部分、すなわち入力段の共振器部
分７とこれに接続された外部回路系との電気的回路構成
を示し、１６は該共振器部分７の貫通孔２内の伝送線路
である。この誘電体同軸共振器と接続された外部回路系
のＱ、すなわちＱｅを安定化させるために、Ｑｅと前記
誘電体同軸共振器の共振系のＱ、すなわちＱｏとのＱ整
合は、初段の共振器部分７あるいは信号処理された高周
波信号を外部回路系へ出力する最終段の共振器部分７の
りアクタンス結合を調整することにより行なっている。

すなわち、前記結合用導体８を貫通孔２内で進退移動さ
せることにより、リアクタンス素子であるコイル１５を
変形させてインダクタンス値を調整するとともに、この
結合用導体８と内導体３との間で発生する静電容量値を
調整してＱｅとＱｏとのＱ整合を行なうことになる。

なお、リアクタンス素子１５を省いて結合用導体８を直
接シールドケース９に接地させるようにしたり、あるい
はりアクタンス素子１５として前記コイルに代えてコン
デンサを挿入したりしてもよい。また、この結合用導体
８を外導体４を介して接地することも可能であみ。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、結合用導体を誘電体ブロ
ックの初段または／および最終段の貫通孔に挿入するに
際して、結合用導体を前記誘電体ブロックの短絡端面側
から挿入するとともに、該結合用導体を開放端面側で接
地手段と接続するものとしたので、例えば従来、端子側
を開放端面にしていたため、端子固定方法と、共振素子
・ケース間のスペースを一定に保つためのスペーサの形
成等の手段が必要であったが、本考案においては端子側
はケースを密着でき結合用導体固定を共振素子内穴を通
して固定することができる。このため、構造が簡単で生
産性の向上に寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の実施例を示し、第１図は
この実施例の要部を示す一部切り欠き斜視図、第２図は
その縦断面図、第３図は初段の共振器部分とこれに接続
された外部回路系との電気的回路構成を示す等価回路図
、第４図は従来例を示す要部断面図、第５図および第６
図は従来の改善例を示し、第５図は要部断面図、第６図
は誘電体ブロックの要部斜視図である。 １・・・透電体ブロック、１ａ・・・短絡端面、１ｂ・
・・開放端面、２・・・貫通孔、３・・・内導体、４・
・・外導体、５・・・電極、８・・・結合用導体、１１
・・・接地手段、１５・・・す７クタンス素子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体ブロックを備え、この誘電体ブロックに複
   数の貫通孔を所定間隔置きに形成し、貫通孔の周面に内
   導体を被膜形成するとともに、該誘電体ブロックの外周
   面に外導体を被膜形成し、誘電体ブロックの貫通孔が開
   口する一方の端面を前記外導体と各内導体とが該端面に
   形成された電極で電気的に短絡される短絡端面とすると
   ともに、この短絡端面と対向する誘電体ブロックの他方
   の端面は前記内導体と外導体が短絡されない開放端面と
   し、前記複数の貫通孔のうち、初段または／および最終
   段の貫通孔内に外部回路系への結合用導体を挿入してな
   る誘電体同軸共振器において、前記結合用導体は前記誘
   電体ブロックの短絡端面側に外部接続部分を有し、該結
   合用導体を開放端面側で接地手段と接続したことを特徴
   とする誘電体同軸共振器。
2. （２）前記特許請求の範囲第１項に記載の誘電体同軸共
   振器において、前記結合用導体と接地手段との間にリア
   クタンス素子を挿入接続してある誘電体同軸共振器。