JPS6158998B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6158998B2 JPS6158998B2 JP55132331A JP13233180A JPS6158998B2 JP S6158998 B2 JPS6158998 B2 JP S6158998B2 JP 55132331 A JP55132331 A JP 55132331A JP 13233180 A JP13233180 A JP 13233180A JP S6158998 B2 JPS6158998 B2 JP S6158998B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dicing
- light emitting
- led
- dot array
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、液相成長等でＰ―Ｎ接合の作られ
た高輝度基板を使用して高輝度、高密度の発光ダ
イオード（LED）ドツトアレイが得られるよう
にした製造方法に関するものである。
た高輝度基板を使用して高輝度、高密度の発光ダ
イオード（LED）ドツトアレイが得られるよう
にした製造方法に関するものである。
従来、LEDプリンタ等に使用する高密度LED
ドツトアレイを作る場合は、IC、LSI等を作る手
段として用いられている選択拡散技術によつてＰ
―Ｎ接合する方法がとられていた。しかしなが
ら、この方法ではＰ―Ｎ接合が拡散によつて作ら
れるため液相成長で作られたＰ―Ｎ接合に比べ発
光効率が悪く明るさが不足だつた。
ドツトアレイを作る場合は、IC、LSI等を作る手
段として用いられている選択拡散技術によつてＰ
―Ｎ接合する方法がとられていた。しかしなが
ら、この方法ではＰ―Ｎ接合が拡散によつて作ら
れるため液相成長で作られたＰ―Ｎ接合に比べ発
光効率が悪く明るさが不足だつた。
また、他のLEDドツトアレイを作る場合は、
第１図ａ，ｂに示すように、Ｐ―Ｎ接合を格子状
にダイシングすることによつて分離する方法があ
る。すなわち、１はLED素子の発光部、２は
LED素子の非発光部、３はダイシングみぞであ
る。しかしながらこの場合は、ダイシング幅Ｗが
最少50μｍとなり、これ以下の間隔でドツト間を
分離することが不可能であつた。
第１図ａ，ｂに示すように、Ｐ―Ｎ接合を格子状
にダイシングすることによつて分離する方法があ
る。すなわち、１はLED素子の発光部、２は
LED素子の非発光部、３はダイシングみぞであ
る。しかしながらこの場合は、ダイシング幅Ｗが
最少50μｍとなり、これ以下の間隔でドツト間を
分離することが不可能であつた。
この発明は、上記の点にかんがみなされたもの
で、ダイシングによつてLEDドツトアレイを製
造する方法において、一方向のダイシングライン
を斜めに入れることにより電気的には各LED素
子間、すなわちドツト間が分離されるが、光学的
にはその分離幅が零かもしくは隣とのドツト間を
光学的に重なり合わせることもできる高輝度
LEDドツトアレイの製造方法を提供するもので
ある。
で、ダイシングによつてLEDドツトアレイを製
造する方法において、一方向のダイシングライン
を斜めに入れることにより電気的には各LED素
子間、すなわちドツト間が分離されるが、光学的
にはその分離幅が零かもしくは隣とのドツト間を
光学的に重なり合わせることもできる高輝度
LEDドツトアレイの製造方法を提供するもので
ある。
以下図面についてこの発明を詳細に説明する。
第２図ａ〜ｃはこの発明の一実施例を示すもの
で、第２図ａはダイシングを説明するための部分
平面図、第２図ｂは電極部に配線を施した状態の
LEDドツトアレイの部分斜視図、第２図ｃは第
２図ｂのＸ―Ｘ線による断面図である。第２図ａ
に示すごとく、Ａ方向のダイシング幅W1を125μ
ｍとし、Ｂ方向のダイシングをＡ方向に対して
63.43゜の角度でダイシング幅W2を56μｍにダイ
シングする。Ａ方向のダイシングピツチP1は350
μｍ、Ｂ方向のダイシングピツチP2は250μｍ
で、各々ダイシングする。
で、第２図ａはダイシングを説明するための部分
平面図、第２図ｂは電極部に配線を施した状態の
LEDドツトアレイの部分斜視図、第２図ｃは第
２図ｂのＸ―Ｘ線による断面図である。第２図ａ
に示すごとく、Ａ方向のダイシング幅W1を125μ
ｍとし、Ｂ方向のダイシングをＡ方向に対して
63.43゜の角度でダイシング幅W2を56μｍにダイ
シングする。Ａ方向のダイシングピツチP1は350
μｍ、Ｂ方向のダイシングピツチP2は250μｍ
で、各々ダイシングする。
Ｂ方向のダイシングをＡ方向のダイシングに対
して前記角度を設けた理由は、ドツトアレイの長
手方向となるＡ方向のダイシングに直交する方向
から観察した際に、各ドツトが光学的に連続する
ようにするためである。なお、ダイシングはその
深さをＰ―Ｎ接合部を越えたところまでとし、各
ドツトが電気的に分離すればよい（第２図ｃ参
照）。
して前記角度を設けた理由は、ドツトアレイの長
手方向となるＡ方向のダイシングに直交する方向
から観察した際に、各ドツトが光学的に連続する
ようにするためである。なお、ダイシングはその
深さをＰ―Ｎ接合部を越えたところまでとし、各
ドツトが電気的に分離すればよい（第２図ｃ参
照）。
第２図ｂに示す１ａはａの列の発光部、１ｂは
ｂの列の発光部を示し、これらはそれぞれ１ドツ
トに対応する。ａの列とｂの列は各発光部１ａ，
１ｂが125μｍ間隔で千鳥状に配列されることに
なる。従つて、例えば感光面を矢印の方向に走ら
せ、発光部１ａを先にパターンに従つて選択的に
発光させ、発光部１ａで感光した感光面がｂの列
に移動した時にそれまで非発光であつた発光部１
ｂを選択的に発光させる。このようにすることに
よつて感光面をドツト間の間隔をあけずに均一に
感光させることができる。なお、第２図ａ〜ｃに
おいて、４はLED素子、５はワイヤボンド、６
は電極リードである。
ｂの列の発光部を示し、これらはそれぞれ１ドツ
トに対応する。ａの列とｂの列は各発光部１ａ，
１ｂが125μｍ間隔で千鳥状に配列されることに
なる。従つて、例えば感光面を矢印の方向に走ら
せ、発光部１ａを先にパターンに従つて選択的に
発光させ、発光部１ａで感光した感光面がｂの列
に移動した時にそれまで非発光であつた発光部１
ｂを選択的に発光させる。このようにすることに
よつて感光面をドツト間の間隔をあけずに均一に
感光させることができる。なお、第２図ａ〜ｃに
おいて、４はLED素子、５はワイヤボンド、６
は電極リードである。
第３図はこの発明の他の実施例を示すもので、
Ａ方向のダイシング幅W1を100μｍ、そのダイシ
ングピツチP1を350μｍ、Ｂ方向のダイシング幅
W2を45μｍでそのダイシングピツチP2を250μ
ｍ、Ａ方向に対する角度を63.43゜でダイシング
することによつて発光部１ａと１ｂを約16.7％ず
つ重ねて配列した例を示す。すなわち、長手方向
から直角にみて（Ｃ方向）、部分ｈが重なつてい
る。発光部１ａと１ｂの配列を重なるようにする
か、重ならないようにするかは感光させるパター
ンをネガにするか、ポジにするかによつて決めら
れる。
Ａ方向のダイシング幅W1を100μｍ、そのダイシ
ングピツチP1を350μｍ、Ｂ方向のダイシング幅
W2を45μｍでそのダイシングピツチP2を250μ
ｍ、Ａ方向に対する角度を63.43゜でダイシング
することによつて発光部１ａと１ｂを約16.7％ず
つ重ねて配列した例を示す。すなわち、長手方向
から直角にみて（Ｃ方向）、部分ｈが重なつてい
る。発光部１ａと１ｂの配列を重なるようにする
か、重ならないようにするかは感光させるパター
ンをネガにするか、ポジにするかによつて決めら
れる。
第２図、第３図は８本／mmについてのみ説明し
てあるが、Ａ，Ｂ方向のダイシング幅W1，W2、
ダイシングピツチP1，P2および角度を適宜変える
ことによつてさらに高密度のLEDドツトアレイ
ができることはいうまでもない。
てあるが、Ａ，Ｂ方向のダイシング幅W1，W2、
ダイシングピツチP1，P2および角度を適宜変える
ことによつてさらに高密度のLEDドツトアレイ
ができることはいうまでもない。
また、第３図は発光部１ａと１ｂを約16.7％重
なり合わせた実施例であるが、これも上記の説明
より適宜選択できることはいうまでもなく、必要
に応じて発光部間隔を離すこともできる。
なり合わせた実施例であるが、これも上記の説明
より適宜選択できることはいうまでもなく、必要
に応じて発光部間隔を離すこともできる。
ダイシングみぞ３からの光洩れはダイシングみ
ぞ３を吸収材や反射材で覆うことによりドツトの
発光部１以外から光が洩れるのを防ぐこともでき
る。そして光の吸収材や反射材の薄膜によつて発
光部１以外の部分をマスクすることができること
はいうまでもない。
ぞ３を吸収材や反射材で覆うことによりドツトの
発光部１以外から光が洩れるのを防ぐこともでき
る。そして光の吸収材や反射材の薄膜によつて発
光部１以外の部分をマスクすることができること
はいうまでもない。
以上詳細に説明したようにこの発明は、高効率
なＰ―Ｎ接合面を持つた基板を用いることができ
るので、高輝度のLEDモノリシツクドツトアレ
イができる。またこの発明は、LED素子間の分
離をダイシングによつて行い、一方のダイシング
方向に対して他方を斜め方向にダイシングするよ
うにしたので、複数列のダイオードアレイを同一
基板上に形成し、隣接する列のLED素子群が互
い違いに配置する構造の解像力が10本以上の高密
度のダイオードドツトアレイを製造し得る。さら
に縦、横のダイシング幅と角度を変えることによ
つてドツト間に光学的な切れ目のないLEDドツ
トアレイができる。また必要に応じてドツト間の
光が重なるようにしたものや、逆にドツトの光が
離れたものを簡単に製造することができる。
なＰ―Ｎ接合面を持つた基板を用いることができ
るので、高輝度のLEDモノリシツクドツトアレ
イができる。またこの発明は、LED素子間の分
離をダイシングによつて行い、一方のダイシング
方向に対して他方を斜め方向にダイシングするよ
うにしたので、複数列のダイオードアレイを同一
基板上に形成し、隣接する列のLED素子群が互
い違いに配置する構造の解像力が10本以上の高密
度のダイオードドツトアレイを製造し得る。さら
に縦、横のダイシング幅と角度を変えることによ
つてドツト間に光学的な切れ目のないLEDドツ
トアレイができる。また必要に応じてドツト間の
光が重なるようにしたものや、逆にドツトの光が
離れたものを簡単に製造することができる。
またこの発明の方法では、面状の発光がなされ
るＰ―Ｎエピタキシヤル成長基板の面状発光面を
直接ダイシングにより分割し、この基板上に直接
に復数列のドツトアレイを形成できるので、ダイ
シング方向と幅を定めるのみで所望のドツト配置
が可能となり製造が容易である。
るＰ―Ｎエピタキシヤル成長基板の面状発光面を
直接ダイシングにより分割し、この基板上に直接
に復数列のドツトアレイを形成できるので、ダイ
シング方向と幅を定めるのみで所望のドツト配置
が可能となり製造が容易である。
さらに、この発明によつて製造したLEDドツ
トアレイを、フアクシミリ用光源、複写機用光源
に用いれば、小形で高出力の光源を構成できる。
また、発光ダイオードプリンタ、発光ダイオード
による読取装置に用いれば、小形で高速の装置を
構成することができる等の幾多の利点がある。
トアレイを、フアクシミリ用光源、複写機用光源
に用いれば、小形で高出力の光源を構成できる。
また、発光ダイオードプリンタ、発光ダイオード
による読取装置に用いれば、小形で高速の装置を
構成することができる等の幾多の利点がある。
第１図ａ，ｂは従来のダイシングによるLED
ドツトアレイの平面図とＸ―Ｘ線による断面図、
第２図ａ，ｂ，ｃはこの発明の一実施例を示すも
ので、第２図ａはダイシングを説明するための部
分平面図、第２図ｂはLEDドツトアレイの部分
斜視図、第２図ｃは第２図ｂのＸ―Ｘ線による断
面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す平面
略図である。 図中、１，１ａ，１ｂは発光部、２は非発光
部、３はダイシングみぞ、４はLED素子、５は
ワイヤボンド、６は電極リードである。
ドツトアレイの平面図とＸ―Ｘ線による断面図、
第２図ａ，ｂ，ｃはこの発明の一実施例を示すも
ので、第２図ａはダイシングを説明するための部
分平面図、第２図ｂはLEDドツトアレイの部分
斜視図、第２図ｃは第２図ｂのＸ―Ｘ線による断
面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す平面
略図である。 図中、１，１ａ，１ｂは発光部、２は非発光
部、３はダイシングみぞ、４はLED素子、５は
ワイヤボンド、６は電極リードである。
Claims (1)
- １ Ｐ―Ｎエピタキシヤル成長された基板を使用
した高輝度発光ダイオードドツトアレイの製造方
法において、複数列とするための各列間の分離を
ダイシングによつて行い、一方、各列の素子間の
分離は、列の長手方向より直角にみて光学的に連
続するように前記各列間の分離ダイシング方向に
対し斜めにダイシングすることを特徴とする高輝
度発光ダイオードドツトアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13233180A JPS5758377A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Manufacture of high luminescence dot array for light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13233180A JPS5758377A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Manufacture of high luminescence dot array for light emitting diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5758377A JPS5758377A (en) | 1982-04-08 |
| JPS6158998B2 true JPS6158998B2 (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=15078819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13233180A Granted JPS5758377A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Manufacture of high luminescence dot array for light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5758377A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344777A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-25 | Nec Corp | Ｌｅｄアレイチツプ |
| KR101158073B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2012-06-22 | 서울옵토디바이스주식회사 | 다수개의 발광 셀이 어레이된 발광 소자 |
| WO2010130051A1 (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | 4233999 Canada, Inc. | System for and method of providing high resolution images using monolithic arrays of light emitting diodes |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940891A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS5322386A (en) * | 1976-08-12 | 1978-03-01 | Sanyo Electric Co Ltd | Polarity identifying method of light emitting diode pellets |
-
1980
- 1980-09-25 JP JP13233180A patent/JPS5758377A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5758377A (en) | 1982-04-08 |
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