JPS6159506B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6159506B2 JPS6159506B2 JP54128642A JP12864279A JPS6159506B2 JP S6159506 B2 JPS6159506 B2 JP S6159506B2 JP 54128642 A JP54128642 A JP 54128642A JP 12864279 A JP12864279 A JP 12864279A JP S6159506 B2 JPS6159506 B2 JP S6159506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- photomask
- image
- photoresist layer
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、トランジスタや集積回路その他の半
導体装置の製造に用いられるホトエツチング用ホ
トマスクの製造において発生する画像欠陥を修正
する方法に関するものである。
導体装置の製造に用いられるホトエツチング用ホ
トマスクの製造において発生する画像欠陥を修正
する方法に関するものである。
従来半導体装置のホトエツチングに用いるホト
マスクとしては、銀乳剤等を用いたエマルジヨン
マスクが使用されているが、エマルジヨンマスク
は表面がゼラチン層で構成されているため表面強
度が低く、傷等がつきやすいため耐久性が極めて
悪い欠点をもつている。
マスクとしては、銀乳剤等を用いたエマルジヨン
マスクが使用されているが、エマルジヨンマスク
は表面がゼラチン層で構成されているため表面強
度が低く、傷等がつきやすいため耐久性が極めて
悪い欠点をもつている。
一方耐久性を向上させるために透明なガラス基
板上に金属等の薄膜を蒸着又はスペツタリングし
ホトエツチング法でパターン化したハードマスク
が最近は広く用いられている。ハードマスクは遮
光膜が金属クロム、酸化クロム、酸化鉄、酸化ゲ
ルマニウム等の金属、金属酸化物等の無機材料の
単層又は２層以上の積層体で形成されており、機
械的強度が大きく耐久性も非常に大きいという利
点を有する。
板上に金属等の薄膜を蒸着又はスペツタリングし
ホトエツチング法でパターン化したハードマスク
が最近は広く用いられている。ハードマスクは遮
光膜が金属クロム、酸化クロム、酸化鉄、酸化ゲ
ルマニウム等の金属、金属酸化物等の無機材料の
単層又は２層以上の積層体で形成されており、機
械的強度が大きく耐久性も非常に大きいという利
点を有する。
しかしながら、これらのハードマスクは無機遮
光膜パターン形成時に、マスク上に種々の欠陥を
生ずるという問題がある。すなわち、ハードマス
ク上に発生する画像の欠陥は、無機遮光膜層が設
計上不要な残存部（黒部）として存在してしまう
場合と、設計上必要部分が欠落して脱落部（白
部）となつてしまう場合の２種類に大別される。
このような欠陥のあるホトマスクを例えば半導体
製造に使用すると、それらが半導体材料であるウ
エハーの面に転写され、製品の不良化を起し、歩
留り低下や特性低下の原因となる。従つて、設計
上許容される以上の画像欠陥を有するホトマスク
は使用できない。そのためホトマスクに発生する
画像欠陥の修正方法の確立は工業的にも極めて重
要な意義をもつている。配線パターン間相互の短
絡の如き不要な残存部（黒部）の修正方法に関し
ては、近年レーザー光を利用した修正装置が開
発、実用化されホトマスク製造上著しい効果を上
げている。
光膜パターン形成時に、マスク上に種々の欠陥を
生ずるという問題がある。すなわち、ハードマス
ク上に発生する画像の欠陥は、無機遮光膜層が設
計上不要な残存部（黒部）として存在してしまう
場合と、設計上必要部分が欠落して脱落部（白
部）となつてしまう場合の２種類に大別される。
このような欠陥のあるホトマスクを例えば半導体
製造に使用すると、それらが半導体材料であるウ
エハーの面に転写され、製品の不良化を起し、歩
留り低下や特性低下の原因となる。従つて、設計
上許容される以上の画像欠陥を有するホトマスク
は使用できない。そのためホトマスクに発生する
画像欠陥の修正方法の確立は工業的にも極めて重
要な意義をもつている。配線パターン間相互の短
絡の如き不要な残存部（黒部）の修正方法に関し
ては、近年レーザー光を利用した修正装置が開
発、実用化されホトマスク製造上著しい効果を上
げている。
しかし、脱落部（白部）に関しては未だ有効な
修正方法が見い出されていないのが現状である。
透明基板上に設けた無機遮光膜１における脱落部
（白部）の画像欠陥は細別すると第１図に示す如
く多くの種類があり、これらの欠陥２〜７（７は
一つのパターンが全部欠落した例を示している）
はたとえば次の理由によりホトマスク製造上避け
難く発生する。半導体部品の画像は微細で超精密
であり、ホトマスク製造上使用するホトレジスト
は高解像性であることが必要で、そのためホトレ
ジスト膜厚は可能な限り薄くしており、膜厚が薄
いため脱落部（白部）が発生し易い。又、ごみ、
異物等がホトレジスト中に混入、もしくはホトレ
ジストに転写されて脱落部（白部）が発生する。
さらに取扱時における不可抗力の傷や汚染があ
る。
修正方法が見い出されていないのが現状である。
透明基板上に設けた無機遮光膜１における脱落部
（白部）の画像欠陥は細別すると第１図に示す如
く多くの種類があり、これらの欠陥２〜７（７は
一つのパターンが全部欠落した例を示している）
はたとえば次の理由によりホトマスク製造上避け
難く発生する。半導体部品の画像は微細で超精密
であり、ホトマスク製造上使用するホトレジスト
は高解像性であることが必要で、そのためホトレ
ジスト膜厚は可能な限り薄くしており、膜厚が薄
いため脱落部（白部）が発生し易い。又、ごみ、
異物等がホトレジスト中に混入、もしくはホトレ
ジストに転写されて脱落部（白部）が発生する。
さらに取扱時における不可抗力の傷や汚染があ
る。
このような前述の諸欠点を除くために、従来方
法においてはホトマスクの製造に当つて使用する
材料、製造装置、操作環境、操作条件等について
細心の注意を払つているが、脱落部（白部）のな
いホトマスクを得るのは製造上極めて困難であ
り、かつ近年ICやLSIの高集積密度化に伴いホト
マスクの画像欠陥の許容性は増々厳しくなつてい
る。尚、かかる脱落部（白部）の欠陥修正方法と
して僅かにリフトオフ方式といわれる方法があ
る。すなわち、欠陥を有するホトマスク上にホト
レジストを塗布し、欠陥部分上のホトレジストの
みを除去し、次に金属を蒸着又はスパツタリング
等の方法でホトマスク上に付着させ、次にホトレ
ジストを剥離して、欠陥部分上にのみ再び無機遮
光膜層を形成する方法である。
法においてはホトマスクの製造に当つて使用する
材料、製造装置、操作環境、操作条件等について
細心の注意を払つているが、脱落部（白部）のな
いホトマスクを得るのは製造上極めて困難であ
り、かつ近年ICやLSIの高集積密度化に伴いホト
マスクの画像欠陥の許容性は増々厳しくなつてい
る。尚、かかる脱落部（白部）の欠陥修正方法と
して僅かにリフトオフ方式といわれる方法があ
る。すなわち、欠陥を有するホトマスク上にホト
レジストを塗布し、欠陥部分上のホトレジストの
みを除去し、次に金属を蒸着又はスパツタリング
等の方法でホトマスク上に付着させ、次にホトレ
ジストを剥離して、欠陥部分上にのみ再び無機遮
光膜層を形成する方法である。
しかしながら、上記のリフトオフ方式は工程が
長く、それに伴い別の新しい欠陥が発生するとい
う欠点があつた。
長く、それに伴い別の新しい欠陥が発生するとい
う欠点があつた。
本発明は、前記の如き従来の欠点を改良すると
共に、従来困難であり不良品として処理されてい
た第１図に示す必要部分が脱落した欠陥を有する
ホトマスクを第２図に示す如く本来所望する設計
パターン形状８に修正する方法に関するものであ
り、従来だと不良品として単なるガラス板として
処理されてしまつていた脱落部（白部）の欠陥を
有するホトマスクを実用性あるホトマスクとして
使用し得るように改良し、ホトマスク製造におけ
る生産効率を向上させると共に、貴重なる資源の
有効利用をもはかるものである。
共に、従来困難であり不良品として処理されてい
た第１図に示す必要部分が脱落した欠陥を有する
ホトマスクを第２図に示す如く本来所望する設計
パターン形状８に修正する方法に関するものであ
り、従来だと不良品として単なるガラス板として
処理されてしまつていた脱落部（白部）の欠陥を
有するホトマスクを実用性あるホトマスクとして
使用し得るように改良し、ホトマスク製造におけ
る生産効率を向上させると共に、貴重なる資源の
有効利用をもはかるものである。
以下、本発明のホトマスク修正方法について図
面を参照しつつ説明する。
面を参照しつつ説明する。
第３図は、従来のハードマスクの製造方法の主
要工程を示す断面図で、第３図ａにおいて透明な
ガラス基板９の上に無機遮光膜層１０を500〜
5000Å程度の厚さに蒸着又はスパツタリングによ
り形成し、次に第３図ｂに示す様にパターン化さ
れたホトレジスト層１１を通常のホトプロセス、
すなわち塗布、プリベーク、露光、現像、ポスト
ベーク等の工程を経て形成する。次に第３図ｃに
示す様にホトレジスト層１１を保護膜にして適当
な腐蝕液で無機遮光膜層１０を腐蝕除去し、パタ
ーン化された無機遮光膜層１２を形成する。
要工程を示す断面図で、第３図ａにおいて透明な
ガラス基板９の上に無機遮光膜層１０を500〜
5000Å程度の厚さに蒸着又はスパツタリングによ
り形成し、次に第３図ｂに示す様にパターン化さ
れたホトレジスト層１１を通常のホトプロセス、
すなわち塗布、プリベーク、露光、現像、ポスト
ベーク等の工程を経て形成する。次に第３図ｃに
示す様にホトレジスト層１１を保護膜にして適当
な腐蝕液で無機遮光膜層１０を腐蝕除去し、パタ
ーン化された無機遮光膜層１２を形成する。
次にホトレジスト層１１を除去し、第３図ｄの
様にパターン化されたホトマスクを得る。しかし
ながら、第３図ｄのホトマスクは、例えば第３図
ｅの如き脱落部（白部）の欠陥を有するものであ
る。
様にパターン化されたホトマスクを得る。しかし
ながら、第３図ｄのホトマスクは、例えば第３図
ｅの如き脱落部（白部）の欠陥を有するものであ
る。
第４図は本発明に係るものであり、たとえば第
３図ｅの如き脱落部（白部）の欠陥を有する第３
図ｄのホトマスク上に、第４図ａに示す様にホト
レジストをスピンナー塗布等の方法により塗布し
てプリベークし1000〜4000Åの膜厚のホトレジス
ト層１３を得る。プリベーク条件は各ホトレジス
トの所定条件で行なえばよい。
３図ｅの如き脱落部（白部）の欠陥を有する第３
図ｄのホトマスク上に、第４図ａに示す様にホト
レジストをスピンナー塗布等の方法により塗布し
てプリベークし1000〜4000Åの膜厚のホトレジス
ト層１３を得る。プリベーク条件は各ホトレジス
トの所定条件で行なえばよい。
このホトレジストとしては、ポジレジストとし
てはジアジド系のシプレー社製のAZ−1350、ネ
ガレジストとしてはゴム系の東京応化工業社製の
OMR、ハント社製のWay Coat等一般に半導体装
置のホトエツチングに用いるホトレジストが使用
し得る。
てはジアジド系のシプレー社製のAZ−1350、ネ
ガレジストとしてはゴム系の東京応化工業社製の
OMR、ハント社製のWay Coat等一般に半導体装
置のホトエツチングに用いるホトレジストが使用
し得る。
次に第４図ｂに示す様に脱落部（白部）の欠陥
部分のみを十分に被覆する様にスポツト露光装置
を用いてホトレジストを選択的に露光し、現像、
ポストベークを行い、欠陥部分のみを十分に被覆
したホトレジスト層１４を形成する。ホトレジス
トの微小部分を選択的に露光するには、半導体装
置用に商品化されているスポツト露光修正機が最
適である。露光、現像、ポストベーク条件は各レ
ジストの所定条件に従えばよい。
部分のみを十分に被覆する様にスポツト露光装置
を用いてホトレジストを選択的に露光し、現像、
ポストベークを行い、欠陥部分のみを十分に被覆
したホトレジスト層１４を形成する。ホトレジス
トの微小部分を選択的に露光するには、半導体装
置用に商品化されているスポツト露光修正機が最
適である。露光、現像、ポストベーク条件は各レ
ジストの所定条件に従えばよい。
第４図ｂに示されたホトマスク上のホトレジス
ト層１４はこの状態ではガラス９又は／及び無機
遮光膜層１２との密着性が低く、機械的強度も弱
く、耐薬品性もなく、光学的に透過率が高いもの
である。
ト層１４はこの状態ではガラス９又は／及び無機
遮光膜層１２との密着性が低く、機械的強度も弱
く、耐薬品性もなく、光学的に透過率が高いもの
である。
次に第４図ｃに示す如く、前述の第４図ｂで得
られたホトマスクをイオン注入装置において適当
なイオン源から適当な方法により形成されるプラ
ズマ中から質量分離して所望の高エネルギー粒子
１５を加速エネルギー120KeV以上、ドーズ量３
×1015ions／cm2以上にて前記ホトレジスト層１４
中に注入すると、ホトレジスト層１４は第４図ｄ
に示す如く硬化変質しイオン注入されたホトレジ
スト層１６に変換される。
られたホトマスクをイオン注入装置において適当
なイオン源から適当な方法により形成されるプラ
ズマ中から質量分離して所望の高エネルギー粒子
１５を加速エネルギー120KeV以上、ドーズ量３
×1015ions／cm2以上にて前記ホトレジスト層１４
中に注入すると、ホトレジスト層１４は第４図ｄ
に示す如く硬化変質しイオン注入されたホトレジ
スト層１６に変換される。
この時注入する高エネルギー粒子１５としては
例えば原子イオンとしての11B+、31P+、40Ne+、
40Ar+等、分子イオンとしての49BF2 +、70B2O3 +等
があり、さらに加速時にイオンであつて注入直前
に中性の粒子となつたものでも利用できる。又、
高エネルギー粒子１５は必ずしも質量分離する必
要はなく、イオン源から発生したイオンを全て利
用することも可能であり、正イオン、負イオンと
もに利用できる。
例えば原子イオンとしての11B+、31P+、40Ne+、
40Ar+等、分子イオンとしての49BF2 +、70B2O3 +等
があり、さらに加速時にイオンであつて注入直前
に中性の粒子となつたものでも利用できる。又、
高エネルギー粒子１５は必ずしも質量分離する必
要はなく、イオン源から発生したイオンを全て利
用することも可能であり、正イオン、負イオンと
もに利用できる。
第４図ｄにより得られたホトマスク上のイオン
注入されたホトレジスト層１６は硬化変質したこ
とによりガラス９又は／及び無機遮光膜層１２と
の密着性が極めて高まり、かつクロム膜とほぼ同
等の機械的強度を示すと共に、光学的には紫外及
び可視光線に対して光学濃度２以上と充分な遮光
性が得られる。又、耐酸性等の耐薬品性が大幅に
増加し、クロム酸混液等のホトマスク洗浄液で洗
浄を行つても、修正部に異常は生じない。従つ
て、第４図ｄに示される欠陥を修正したホトマス
ク（第４図ｅにその平面図を示す）は通常の欠陥
のないハードマスクと同様の特性を有し同様の条
件下で使用可能で、ホトマスク製造におけるレチ
クルマスク、マスターマスク、コピーマスク等の
製造工程において発生する脱落部（白部）の画像
欠陥修正方法として著しく有効な方法である。
注入されたホトレジスト層１６は硬化変質したこ
とによりガラス９又は／及び無機遮光膜層１２と
の密着性が極めて高まり、かつクロム膜とほぼ同
等の機械的強度を示すと共に、光学的には紫外及
び可視光線に対して光学濃度２以上と充分な遮光
性が得られる。又、耐酸性等の耐薬品性が大幅に
増加し、クロム酸混液等のホトマスク洗浄液で洗
浄を行つても、修正部に異常は生じない。従つ
て、第４図ｄに示される欠陥を修正したホトマス
ク（第４図ｅにその平面図を示す）は通常の欠陥
のないハードマスクと同様の特性を有し同様の条
件下で使用可能で、ホトマスク製造におけるレチ
クルマスク、マスターマスク、コピーマスク等の
製造工程において発生する脱落部（白部）の画像
欠陥修正方法として著しく有効な方法である。
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
実施例 １
ガラス板上に膜厚800Åの蒸着金属クロム薄膜
より形成されたピンホール状の欠陥をもつICパ
ターンを有する表面を清浄にしたハードマスク上
に、ホトレジストOMR−83（東京応化工業社
製）をスピンナー塗布し、ついで90℃で20分間プ
リベークし3500Åの膜厚を設ける。次に、スポツ
ト露光装置にてピンホール状欠陥部分上のホトレ
ジストのみを選択的に露光し光硬化させ、所定の
現像液、リンス液で現像し、140℃で30分間ホス
トベークし、欠陥部分上にのみホトレジスト像を
形成する。次に、イオン注入装置にて前記ホトレ
ジスト像を形成したハードマスクを加速エネルギ
ー120KeV、ドーズ量３×1015ions／cm2でホトレ
ジスト中に31P+イオンを注入し、ピンホール部が
完全に修正された無ピンホールのハードマスクを
得た。
より形成されたピンホール状の欠陥をもつICパ
ターンを有する表面を清浄にしたハードマスク上
に、ホトレジストOMR−83（東京応化工業社
製）をスピンナー塗布し、ついで90℃で20分間プ
リベークし3500Åの膜厚を設ける。次に、スポツ
ト露光装置にてピンホール状欠陥部分上のホトレ
ジストのみを選択的に露光し光硬化させ、所定の
現像液、リンス液で現像し、140℃で30分間ホス
トベークし、欠陥部分上にのみホトレジスト像を
形成する。次に、イオン注入装置にて前記ホトレ
ジスト像を形成したハードマスクを加速エネルギ
ー120KeV、ドーズ量３×1015ions／cm2でホトレ
ジスト中に31P+イオンを注入し、ピンホール部が
完全に修正された無ピンホールのハードマスクを
得た。
実施例 ２
金属クロムと酸化クロムの２層よりなる1000Å
の膜厚で、素子脱落の欠陥を有するパターン化さ
れたハードマスク上に、Az−1350を塗布し、つ
いで、80℃で30分間プリベークし、3000Åの膜厚
を設ける。次に、スポツト露光装置にて、素子脱
落の欠陥部分以外のホトレジストのみを選択的に
露光し光分解させ、所定の現像液、リンス液で現
像し、140℃で30分間ポストベークし、欠陥部分
上にのみホトレジストを形成する。次に、イオン
注入装置にて前記ホトレジスト像を形成したハー
ドマスクを加速エネルギー150KeV、ドース量４
×1015ions／cm2でレジスト中に40Ar+イオンを注
入し、無欠陥のハードマスクを得た。
の膜厚で、素子脱落の欠陥を有するパターン化さ
れたハードマスク上に、Az−1350を塗布し、つ
いで、80℃で30分間プリベークし、3000Åの膜厚
を設ける。次に、スポツト露光装置にて、素子脱
落の欠陥部分以外のホトレジストのみを選択的に
露光し光分解させ、所定の現像液、リンス液で現
像し、140℃で30分間ポストベークし、欠陥部分
上にのみホトレジストを形成する。次に、イオン
注入装置にて前記ホトレジスト像を形成したハー
ドマスクを加速エネルギー150KeV、ドース量４
×1015ions／cm2でレジスト中に40Ar+イオンを注
入し、無欠陥のハードマスクを得た。
第１図はホトマスクに発生する外観欠陥の種類
を模式的に示す平面図であり、第２図は本発明に
より第１図の欠陥を修正した状態を模式的に示す
平面図である。第３図ａ〜ｄは従来のハードマス
クの製造工程を示す断面模式図、第３図ｅは作製
されたホトマスクの平面模式図であり、第４図ａ
〜ｄは本発明による画像欠陥修正方法を示す模式
図断面図、第４図ｅは修正されたホトマスクの平
面模式図である。 １……ガラス上にパターン化された無機遮光膜
層、２……スクラツチ、３……断線、４……ピン
ホール、５……欠け、６……エツヂあれ、７……
素子脱落、８……欠陥部分が修正された無機遮光
膜層、９……透明なガラス基板、１０……無機遮
光膜層、１１……パターン化されたホトレジスト
層、１２……パターン化された無機遮光膜層、１
３……ホトレジスト層、１４……欠陥部分を被覆
したホトレジスト層、１５……高エネルギー粒
子、１６……イオン注入されたホトレジスト層。
を模式的に示す平面図であり、第２図は本発明に
より第１図の欠陥を修正した状態を模式的に示す
平面図である。第３図ａ〜ｄは従来のハードマス
クの製造工程を示す断面模式図、第３図ｅは作製
されたホトマスクの平面模式図であり、第４図ａ
〜ｄは本発明による画像欠陥修正方法を示す模式
図断面図、第４図ｅは修正されたホトマスクの平
面模式図である。 １……ガラス上にパターン化された無機遮光膜
層、２……スクラツチ、３……断線、４……ピン
ホール、５……欠け、６……エツヂあれ、７……
素子脱落、８……欠陥部分が修正された無機遮光
膜層、９……透明なガラス基板、１０……無機遮
光膜層、１１……パターン化されたホトレジスト
層、１２……パターン化された無機遮光膜層、１
３……ホトレジスト層、１４……欠陥部分を被覆
したホトレジスト層、１５……高エネルギー粒
子、１６……イオン注入されたホトレジスト層。
Claims (1)
- １ 透明基板上に脱落部の画像欠陥部分を含む無
機遮光膜パターンを有するホトマスクの該パター
ンを含む面上に、ホトレジスト層を形成し、次い
で該ホトレジスト層の画像欠陥部分に対応する部
分にスポツト露光装置を用いて選択的に露光した
後、現像して、画像欠陥部分のみを十分に被覆す
るホトレジスト像を形成し、しかるのち、該ホト
レジスト像に高エネルギーに加速された粒子を注
入することを特徴とするホトマスクの画像欠陥修
正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12864279A JPS5652751A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Photomask correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12864279A JPS5652751A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Photomask correcting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5652751A JPS5652751A (en) | 1981-05-12 |
| JPS6159506B2 true JPS6159506B2 (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14989861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12864279A Granted JPS5652751A (en) | 1979-10-05 | 1979-10-05 | Photomask correcting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5652751A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111038A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-07-01 | Matsushita Electronics Corp | フオトマスクの修正方法 |
| JPS59202864A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ワイヤドツト印字ヘツド |
| US4548883A (en) * | 1983-05-31 | 1985-10-22 | At&T Bell Laboratories | Correction of lithographic masks |
| DE19856294A1 (de) * | 1998-02-27 | 1999-09-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Chemischer Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6399465B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-06-04 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a triple well structure |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541432B2 (ja) * | 1974-09-19 | 1979-01-24 | ||
| JPS5829619B2 (ja) * | 1975-03-26 | 1983-06-23 | 日本電気株式会社 | シヤシンシヨツコクヨウホトマスク |
-
1979
- 1979-10-05 JP JP12864279A patent/JPS5652751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5652751A (en) | 1981-05-12 |
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