JPS6199186A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6199186A JPS6199186A JP59222470A JP22247084A JPS6199186A JP S6199186 A JPS6199186 A JP S6199186A JP 59222470 A JP59222470 A JP 59222470A JP 22247084 A JP22247084 A JP 22247084A JP S6199186 A JPS6199186 A JP S6199186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- liquid crystal
- crystal display
- metal
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業−にの利用分野）
本発明は、金属−酸化膜−金属の構造を何する非線型素
子を備えた液晶表示装置の製造方法に関す（従来技術） 近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）の太古ｆｉｔ化の要請が
強くなっている。大容ｈ１の液晶表示装置においては、
マトリックス表示のマルチプレックス駆動方式が採用さ
れてきた。この方式の欠点は、数十〜回折程度の表示が
限界であり、それ以上の大容虫では、オン画素とオフ画
素のコントラスト比が充分得られないということである
。
子を備えた液晶表示装置の製造方法に関す（従来技術） 近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）の太古ｆｉｔ化の要請が
強くなっている。大容ｈ１の液晶表示装置においては、
マトリックス表示のマルチプレックス駆動方式が採用さ
れてきた。この方式の欠点は、数十〜回折程度の表示が
限界であり、それ以上の大容虫では、オン画素とオフ画
素のコントラスト比が充分得られないということである
。
この液晶表示装置のしつ欠点を解消ずろための１つの方
法として、全屈−酸化膜−金属の構造を持つ非線型抵抗
素子（以下Ｍ Ｉ Ｍ素子と略す）を用い側々の画素を
直接にスイッチ駆動するマトリックス駆動方式が注目さ
れている。
法として、全屈−酸化膜−金属の構造を持つ非線型抵抗
素子（以下Ｍ Ｉ Ｍ素子と略す）を用い側々の画素を
直接にスイッチ駆動するマトリックス駆動方式が注目さ
れている。
従来のＭｉｌ−ＬＣＤの例を第３図に示す。このＬ Ｃ
Ｄは、次のように製造される。ガラス基板１、Ｌ、に、
Ｔａ１ｉ２をスパッタ・法などにより形成し、フォトエ
ッヂフグ法によりＴａのパターニングを行う。これによ
り、Ｔａ配線とＭＩＭ素子の下側金属とか形成されたこ
とになる。１１１ｊ記のバタ一二ングされたＴａ模２を
クエン酸水溶液等を用いて陽極酸化を行い、酸化膜３を
形成する。さらに、上層にＣｒやＮｉ−０ｒなとの金属
を蒸着し、バターニングを行い、上側金属４を形成する
。これによりＭＩＭ素子か完成される。さらにこの後、
透明ｉ極５を形成して、液晶表示装置の一方の画素電極
とする。以降は、通常のＬＣＤと同じ工程により組み立
てられる。
Ｄは、次のように製造される。ガラス基板１、Ｌ、に、
Ｔａ１ｉ２をスパッタ・法などにより形成し、フォトエ
ッヂフグ法によりＴａのパターニングを行う。これによ
り、Ｔａ配線とＭＩＭ素子の下側金属とか形成されたこ
とになる。１１１ｊ記のバタ一二ングされたＴａ模２を
クエン酸水溶液等を用いて陽極酸化を行い、酸化膜３を
形成する。さらに、上層にＣｒやＮｉ−０ｒなとの金属
を蒸着し、バターニングを行い、上側金属４を形成する
。これによりＭＩＭ素子か完成される。さらにこの後、
透明ｉ極５を形成して、液晶表示装置の一方の画素電極
とする。以降は、通常のＬＣＤと同じ工程により組み立
てられる。
ところが、ＭＩＭ素子の特性と液晶の電気的、光学的特
性とを組み合わＵて考えた場合、画素電極とＭ ［Ｍ素
子との面積の比は、数千〜１万程度でなければならない
ことがわかってきた。したがって、たとえば３００μ躊
角の画素に対するＭＩＭ素子の寸法は、３μ−角程度と
なってしまい、従来のＬＣＤ製造で用いられているりフ
グラフィ技術では、精度が不充分である。そのため、第
４図に示すように下側配線金属２の側面２ａを利用して
ＭＩＭ素子を形成する方法が考案された（特開昭５８−
１７８３２０号公報参照）。
性とを組み合わＵて考えた場合、画素電極とＭ ［Ｍ素
子との面積の比は、数千〜１万程度でなければならない
ことがわかってきた。したがって、たとえば３００μ躊
角の画素に対するＭＩＭ素子の寸法は、３μ−角程度と
なってしまい、従来のＬＣＤ製造で用いられているりフ
グラフィ技術では、精度が不充分である。そのため、第
４図に示すように下側配線金属２の側面２ａを利用して
ＭＩＭ素子を形成する方法が考案された（特開昭５８−
１７８３２０号公報参照）。
（発明の解決すべき問題点）
Ｍ Ｉ Ｍ素子においては、交流駆動時の液晶印加電圧
を考゛慮ずろと、Ｍ Ｉ Ｍ素子を構成ずろ２つの金属
２．４か同しであることが望ましい。異なった金属から
なろｔ゛ａ−Ｔａｙｏ５Ａｆｆｉの構成を持っＭＩＭ素
子のＶ−１特性は、第５図のグラフに明らかに示されて
いるように、上側金属（八２）と下側金属（Ｔａ）との
いずれをプラス側にして駆動するかにより大きく異なる
。このバイアス方向による特性の差は、交流駆動時に直
流成分か残るためて、液晶材料の劣化が生じる。
を考゛慮ずろと、Ｍ Ｉ Ｍ素子を構成ずろ２つの金属
２．４か同しであることが望ましい。異なった金属から
なろｔ゛ａ−Ｔａｙｏ５Ａｆｆｉの構成を持っＭＩＭ素
子のＶ−１特性は、第５図のグラフに明らかに示されて
いるように、上側金属（八２）と下側金属（Ｔａ）との
いずれをプラス側にして駆動するかにより大きく異なる
。このバイアス方向による特性の差は、交流駆動時に直
流成分か残るためて、液晶材料の劣化が生じる。
従来の製造方法では、同し金属を用いると選択的なパタ
ーニングが不可能であるので、Ｍ Ｉ Ｍ素子の２−ノ
の金属は別の材料を使用せざるをｉりなかった。
ーニングが不可能であるので、Ｍ Ｉ Ｍ素子の２−ノ
の金属は別の材料を使用せざるをｉりなかった。
本発明の目的は、Ｍ、ＩＭｉ／：：子を形成する２つの
金属に同じ財貨を用いられるようにし、特性的に安定し
た微細パターンのＭ Ｉ Ｍ −Ｌ ＣＤの生産を可能
にする製造方法を提Ｏ（することである。
金属に同じ財貨を用いられるようにし、特性的に安定し
た微細パターンのＭ Ｉ Ｍ −Ｌ ＣＤの生産を可能
にする製造方法を提Ｏ（することである。
（問題点を解決するための丁段）
本発明に係る第−金ＰＡ層、絶縁体層および第二金属層
を順次積層してなる非線型素子を備えた液晶表示装置の
製造方法において、 第一金属層とその表面に絶縁体層とが形成された基板の
表側にポジ型レジストを塗布し、次に、基板裏面からの
マスク露光を行って、第一金属層の周囲に第二金属層を
堆積すべき所定の領域のレジストを除去じた後、第一金
属層を形成した材料と同一の材料を基板表面に堆積し、
次いて、レジスト剥離を行って、上記の所定領域に第二
金属層を形成オろことをｎ徴とする。
を順次積層してなる非線型素子を備えた液晶表示装置の
製造方法において、 第一金属層とその表面に絶縁体層とが形成された基板の
表側にポジ型レジストを塗布し、次に、基板裏面からの
マスク露光を行って、第一金属層の周囲に第二金属層を
堆積すべき所定の領域のレジストを除去じた後、第一金
属層を形成した材料と同一の材料を基板表面に堆積し、
次いて、レジスト剥離を行って、上記の所定領域に第二
金属層を形成オろことをｎ徴とする。
（作用）
本発明に係る製造方法においては、第−金（４層と第二
金属層との位置合イっ仕か、基板裏面からのマスク露光
により正確に行える。このため、面積の小さい側面横進
型ＭＩＭ素子（第４図）が容易に作製できる。また、第
二金属層のバターニングかりフトオフによりなされるの
で、第一金属層と第二金属層とが同じ材料で形成できる
。
金属層との位置合イっ仕か、基板裏面からのマスク露光
により正確に行える。このため、面積の小さい側面横進
型ＭＩＭ素子（第４図）が容易に作製できる。また、第
二金属層のバターニングかりフトオフによりなされるの
で、第一金属層と第二金属層とが同じ材料で形成できる
。
（実施例）
以下、添付の図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例の工程を順次
図式的に示した図面である。（ａ）まず、ペイレックス
ガラス等の透明盾仮ＩＩ上に、Ｔａ薄模を３０００〜５
ｏｏｏ人の厚さにスパッタリングにより形成し、下側金
ｆｉ１２をバターニングで形成する。この下側金属１２
は、同時にリート電極となる。次に、このＴａ薄膜１２
の表面を０．０１ｗｔ％クエン酸水溶液中で陽極酸化を
行い、約５００人のＰ７．さのＴａの酸化膜１３を形＋
＋１２する。ここまでは、従来の製造方法と同しである
。（！ｌ）次に、々而にボッ型しノストト１（ンブレイ
社、Ａ７Ｍ３０００−：（１等）を約２μｍの厚さに’
Ｊ４ｉＬ、プリベータの後、裏面よりマスク１５（遮光
部分を１５′で示す）を用いて露光を行う。（Ｃ）この
基板を現像４゛ると、レジストＩ４は、マスクパターン
とＴａ電極の部分１６が残ることになる６（ｄ）次に、
表面に、１゛λ薄膜Ｉ７を１１ｇび敢千入の１゛ｌさに
スパッタリングにより形成４−ろ、この後、レジスト剥
離を行うと、レジスト１３ＥのＴａは、レジスト剥雌と
同様に除去される（リフトオフされる）、、上部に残る
Ｔａ１８の形状は第１図（ｅ）に示すようになる。こう
して、第４図に示した従来例と同様な側面構造を用いた
Ｍ［Ｍ素子が実現した。（「）さらに、表面に、透明導
を膜としてＥＴＯＭを約＋ｏｏｏ入の厚さて蕉着し、パ
タ ニングにより画素電極Ｉ９が形成される。第１図（
ｇ）は、こうして形成されたＬＣＤの部分平面図である
。
図式的に示した図面である。（ａ）まず、ペイレックス
ガラス等の透明盾仮ＩＩ上に、Ｔａ薄模を３０００〜５
ｏｏｏ人の厚さにスパッタリングにより形成し、下側金
ｆｉ１２をバターニングで形成する。この下側金属１２
は、同時にリート電極となる。次に、このＴａ薄膜１２
の表面を０．０１ｗｔ％クエン酸水溶液中で陽極酸化を
行い、約５００人のＰ７．さのＴａの酸化膜１３を形＋
＋１２する。ここまでは、従来の製造方法と同しである
。（！ｌ）次に、々而にボッ型しノストト１（ンブレイ
社、Ａ７Ｍ３０００−：（１等）を約２μｍの厚さに’
Ｊ４ｉＬ、プリベータの後、裏面よりマスク１５（遮光
部分を１５′で示す）を用いて露光を行う。（Ｃ）この
基板を現像４゛ると、レジストＩ４は、マスクパターン
とＴａ電極の部分１６が残ることになる６（ｄ）次に、
表面に、１゛λ薄膜Ｉ７を１１ｇび敢千入の１゛ｌさに
スパッタリングにより形成４−ろ、この後、レジスト剥
離を行うと、レジスト１３ＥのＴａは、レジスト剥雌と
同様に除去される（リフトオフされる）、、上部に残る
Ｔａ１８の形状は第１図（ｅ）に示すようになる。こう
して、第４図に示した従来例と同様な側面構造を用いた
Ｍ［Ｍ素子が実現した。（「）さらに、表面に、透明導
を膜としてＥＴＯＭを約＋ｏｏｏ入の厚さて蕉着し、パ
タ ニングにより画素電極Ｉ９が形成される。第１図（
ｇ）は、こうして形成されたＬＣＤの部分平面図である
。
第２図は、こうして形成されたＴａ −Ｔａｘｅｓ −
Ｔａの構成を何するＭＩＭ素子のＶ−１特性のグラフで
ある。第４図に示したＴａ・ＴａｔＯｓ−ＡＬの構成の
ＭＩＭ素子のＶ−１特性と比較すると明らかなように、
本実施例によるＭＩＭ素子においては、バイアス方向に
よる特性の差が小さい。すなわち、交流駆動時に直流成
分の残りがほとんどなく、液晶の劣化を防ぐことができ
る。
Ｔａの構成を何するＭＩＭ素子のＶ−１特性のグラフで
ある。第４図に示したＴａ・ＴａｔＯｓ−ＡＬの構成の
ＭＩＭ素子のＶ−１特性と比較すると明らかなように、
本実施例によるＭＩＭ素子においては、バイアス方向に
よる特性の差が小さい。すなわち、交流駆動時に直流成
分の残りがほとんどなく、液晶の劣化を防ぐことができ
る。
（発明の効果）
本発明により、上下とら同じ金属で形成された側面構造
を持つＭＩＭ素子を容易に実現できる。
を持つＭＩＭ素子を容易に実現できる。
さらに、本発明は、高密度化された信頼性の高いＭＩＭ
−ＬＣＩ）の製造に非常にａ効な手法となる。
−ＬＣＩ）の製造に非常にａ効な手法となる。
第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施例の工程を順次
図式的に示す工程説明図である。 第２図は、本発明に係るＭｉＭ素子のＶ（電圧）■（電
流）特性のグラフである。 第３図は、従来のＭＩＭ素子の一例の斜視図である。 第４図は、従来のＭＩＭ素子の他の一例の断面図である
。 第５図は、第４図に示した従来のＭＩＭ素子のＶ−を特
性のグラフである。 ！・・・基板、 ２・・・下側金属、 ３・・・
酸化膜、４・・・上側金属、 ５・・・透明電極（
画素）。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理
人 弁理士 青白 葆 ばか２名へ 第１ｉ！ （Ｏ）（・） （ｂ） （ｆ）第３図
図式的に示す工程説明図である。 第２図は、本発明に係るＭｉＭ素子のＶ（電圧）■（電
流）特性のグラフである。 第３図は、従来のＭＩＭ素子の一例の斜視図である。 第４図は、従来のＭＩＭ素子の他の一例の断面図である
。 第５図は、第４図に示した従来のＭＩＭ素子のＶ−を特
性のグラフである。 ！・・・基板、 ２・・・下側金属、 ３・・・
酸化膜、４・・・上側金属、 ５・・・透明電極（
画素）。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理
人 弁理士 青白 葆 ばか２名へ 第１ｉ！ （Ｏ）（・） （ｂ） （ｆ）第３図
Claims (1)
- （１）第一金属層、絶縁体層および第二金属層を順次積
層してなる非線型素子を備えた液晶表示装置の製造方法
において、 第一金属層とその表面に絶縁体層とが形成された基板の
表側にポジ型レジストを塗布し、次に、基板裏面からの
マスク露光を行って、第一金属層の周囲に第二金属層を
堆積すべき所定の領域のレジストを除去した後、第一金
属層を形成した材料と同一の材料を基板表面に堆積し、
次いで、レジスト剥離を行って、上記の所定領域に第二
金属層を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222470A JPS6199186A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59222470A JPS6199186A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199186A true JPS6199186A (ja) | 1986-05-17 |
Family
ID=16782916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59222470A Pending JPS6199186A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8590232B2 (en) | 1999-06-16 | 2013-11-26 | Bonnie Roche | Display devices, accessories therefor and methods |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59222470A patent/JPS6199186A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8590232B2 (en) | 1999-06-16 | 2013-11-26 | Bonnie Roche | Display devices, accessories therefor and methods |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0372321A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JPH07168207A (ja) | Ｍｉｍタイプのデバイスアレイの製造方法、及び該アレイを具えている表示装置 | |
| JPS6199186A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH03249731A (ja) | 液晶カラー表示装置のカラーフィルター形成方法 | |
| JPS6279421A (ja) | カラ−液晶表示体 | |
| JPS61270729A (ja) | 電極付基板 | |
| JPH0331823A (ja) | 液晶表示装置及び電極基板の製造方法 | |
| JPH0346632A (ja) | 反射型ｍｉｍアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
| JPH02304534A (ja) | 表示装置駆動用非線形素子 | |
| JP2737758B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS60161686A (ja) | 薄膜非線形素子の製造方法 | |
| JPH0352277A (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPS6280629A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS58178320A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPS6234130A (ja) | 透明導電膜付き基板 | |
| JP2845929B2 (ja) | 非線形素子の製造方法 | |
| JPS6364081A (ja) | 配線電極の形成方法 | |
| JPH01281435A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH0342632A (ja) | アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPS58181023A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| JPH04263223A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS61239285A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS62253185A (ja) | マトリクス表示装置の製法 | |
| JPS6353587A (ja) | マトリクス表示装置の製法 | |
| JPS62253187A (ja) | マトリクス表示装置の製法 |