JPS62112324A - X線マスク製作方法 - Google Patents
X線マスク製作方法Info
- Publication number
- JPS62112324A JPS62112324A JP60250849A JP25084985A JPS62112324A JP S62112324 A JPS62112324 A JP S62112324A JP 60250849 A JP60250849 A JP 60250849A JP 25084985 A JP25084985 A JP 25084985A JP S62112324 A JPS62112324 A JP S62112324A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、X線露光に使用されるX線マスクの製作方
法に関し、特にマスク基板と基板支持リングとの接着方
法に関するものでおる。
法に関し、特にマスク基板と基板支持リングとの接着方
法に関するものでおる。
(従来の技術)
一般に、X線マスクは、シリコン基板(Xmマスク基板
)上にBN膜あるいはStN膜などのベース膜を形成し
、このペース膜上にX線吸収体の・々ターンを形成して
製作されるが、当然のごとく、シリコン基板は、枠部を
残して、X線露光領域のシリコンがエツチング除去され
る。この時、始めにシリコン基板を基板支持リングに貼
υ付け、その後シリコンのエツチング除去が行われる。
)上にBN膜あるいはStN膜などのベース膜を形成し
、このペース膜上にX線吸収体の・々ターンを形成して
製作されるが、当然のごとく、シリコン基板は、枠部を
残して、X線露光領域のシリコンがエツチング除去され
る。この時、始めにシリコン基板を基板支持リングに貼
υ付け、その後シリコンのエツチング除去が行われる。
これは(基板を支持リングに貼り付けることは)、X線
吸収体のベース膜が厚さ数μmのメンプランであるので
、補強並びに平面精度の向上を目的にしてである。
吸収体のベース膜が厚さ数μmのメンプランであるので
、補強並びに平面精度の向上を目的にしてである。
従来、上記のようにシリコン基板を基板支持リングに貼
り付けるには、感光性樹脂などの液体接着剤を支持リン
グに単に滴下または塗布した状態で、単なる貼p付けを
行っていた。
り付けるには、感光性樹脂などの液体接着剤を支持リン
グに単に滴下または塗布した状態で、単なる貼p付けを
行っていた。
(発明が解決しようとする問題点)
しかるに、このような方法では、感光性樹脂(液体接着
剤)の盈りむらとシリコン基板自身の反りにより、貼り
付け、シリコン不要部分エツチング除去後のベース膜平
面精度が向上しないという技術的欠点がちった。
剤)の盈りむらとシリコン基板自身の反りにより、貼り
付け、シリコン不要部分エツチング除去後のベース膜平
面精度が向上しないという技術的欠点がちった。
この発明は、以上述べた塗りむらと反りの問題点を除去
し、ベース膜平面精度の浸れたX線マスク製作の方法を
提供することを目的とする。
し、ベース膜平面精度の浸れたX線マスク製作の方法を
提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、X線マスク製作におけるX線マスク基板と
基板支持リングの貼υ付は工程において、X線マスク基
板と基板支持リングを2つの保持回転機構体に吸着して
、同心的に等速度で別々に回転させながら、基板支持リ
ング上に塗布した液体接着剤が遠心力で均一になった後
に、片方の保持回転機構体を移動させてX線マスク基板
と基板支持リングを貼シ付けるようにしたものである。
基板支持リングの貼υ付は工程において、X線マスク基
板と基板支持リングを2つの保持回転機構体に吸着して
、同心的に等速度で別々に回転させながら、基板支持リ
ング上に塗布した液体接着剤が遠心力で均一になった後
に、片方の保持回転機構体を移動させてX線マスク基板
と基板支持リングを貼シ付けるようにしたものである。
(作用)
このようなこの発明の方法では、塗布された液体接着剤
は遠心力で均一になっておシ、またX線マスク基板は保
持回転機構体に吸着されて反シは矯正されている。そし
て、この状態で貼り付けが行われるので、平面精度の良
いxlマスク基板貼υ付けを行うことができる。
は遠心力で均一になっておシ、またX線マスク基板は保
持回転機構体に吸着されて反シは矯正されている。そし
て、この状態で貼り付けが行われるので、平面精度の良
いxlマスク基板貼υ付けを行うことができる。
(実施例)
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は、この発明の第1の実施例に用いられる貼シ伺
は装置を示す断面図である。この図において、1.2は
内・外に同軸状に設けられた第1゜第2の保持回転機構
体であシ、各々は、それぞれの中心軸1m、2aに連結
された図示しない駆動機構により別個に回転駆動される
ようになっている。また、内側の第1の保持回転機構体
1は昇降可能であ勺、さらにシリコン基板3(X線マス
ク基板)を、その周辺部を外側に鍔状に突出させた状態
で真空吸着保持できるようになっている。これに対して
、外側の第2の保持回転機構体2は、前記第1の保持回
転機構体】上のシリコン基板3と同心的に基板支持リン
グ4を真空吸着保持できるものであゃ、この第2の保持
回転機構体2土に基板支持リング4を保持した時、該基
板支持リング4は、前記第1の保持回転機構体l上のシ
リフン基板3の周辺部(第1の保持回転機構体1の外側
に鍔状に突出している)と上下に重なる位置関係にある
。
は装置を示す断面図である。この図において、1.2は
内・外に同軸状に設けられた第1゜第2の保持回転機構
体であシ、各々は、それぞれの中心軸1m、2aに連結
された図示しない駆動機構により別個に回転駆動される
ようになっている。また、内側の第1の保持回転機構体
1は昇降可能であ勺、さらにシリコン基板3(X線マス
ク基板)を、その周辺部を外側に鍔状に突出させた状態
で真空吸着保持できるようになっている。これに対して
、外側の第2の保持回転機構体2は、前記第1の保持回
転機構体】上のシリコン基板3と同心的に基板支持リン
グ4を真空吸着保持できるものであゃ、この第2の保持
回転機構体2土に基板支持リング4を保持した時、該基
板支持リング4は、前記第1の保持回転機構体l上のシ
リフン基板3の周辺部(第1の保持回転機構体1の外側
に鍔状に突出している)と上下に重なる位置関係にある
。
このような装置を用いて実施されるこの発明の第1の実
施例について述べる。まず、基板支持リング4を第2の
保持回転機構体2に、またシリコン基板3を第1の保持
回転機構体1にそれぞれ真空吸着で保持させる。この時
、第1の保持回転機構体lは上昇した状態にあり、した
がって、シリコン基板3と基板支持リング4は、シIJ
、Iン基板3が上、基板支持リング4が下で距離を隔
てて上下に重なって同心的に位置する。その後、図示し
ない駆動機構を動作させることによシ、第1.第2の保
持回転機構体1.2すなわちシリコン基板3と基板支持
リング4を等速度で回転させる。そして、このように等
速度で回転させながら、基板支持リング4上に感光性樹
脂5(液体接着剤)を塗布する。すると、塗布された感
光性樹脂5は遠心力で均一となる。そして、感光性樹脂
5が均一となったならば、第1の保持回転機構体lを下
降させ、シリコン基板30周辺部を基板支持リング4に
重ねることにより、シリコン基板3と基板支持リング4
との貼p付けを行う。この時、感光性樹脂5は、前述の
ように遠心力で均一になっている。また、シリコン基板
3は、第1の保持回転機構体IK真空吸着されているた
め、反シは矯正されている。したがって、平面精度の良
いシリコン基板貼シ付けが行われることになる。
施例について述べる。まず、基板支持リング4を第2の
保持回転機構体2に、またシリコン基板3を第1の保持
回転機構体1にそれぞれ真空吸着で保持させる。この時
、第1の保持回転機構体lは上昇した状態にあり、した
がって、シリコン基板3と基板支持リング4は、シIJ
、Iン基板3が上、基板支持リング4が下で距離を隔
てて上下に重なって同心的に位置する。その後、図示し
ない駆動機構を動作させることによシ、第1.第2の保
持回転機構体1.2すなわちシリコン基板3と基板支持
リング4を等速度で回転させる。そして、このように等
速度で回転させながら、基板支持リング4上に感光性樹
脂5(液体接着剤)を塗布する。すると、塗布された感
光性樹脂5は遠心力で均一となる。そして、感光性樹脂
5が均一となったならば、第1の保持回転機構体lを下
降させ、シリコン基板30周辺部を基板支持リング4に
重ねることにより、シリコン基板3と基板支持リング4
との貼p付けを行う。この時、感光性樹脂5は、前述の
ように遠心力で均一になっている。また、シリコン基板
3は、第1の保持回転機構体IK真空吸着されているた
め、反シは矯正されている。したがって、平面精度の良
いシリコン基板貼シ付けが行われることになる。
第2図は、この発明の第2の実施例に使用される貼り付
は装置を示す断面図である。この装置では、第1の保持
回転機構体1の真空吸着部層面に発熱体6、中心軸1a
上部に断熱材7が取付けられておシ、その他は第1図の
装置と同一である。
は装置を示す断面図である。この装置では、第1の保持
回転機構体1の真空吸着部層面に発熱体6、中心軸1a
上部に断熱材7が取付けられておシ、その他は第1図の
装置と同一である。
この装置を用いて実施する第2の実施例においでは、第
1の保持回転機構体l上のシリコン基板3を予め発熱体
6によ9加熱膨張させる。そして、その状態で、第1の
実施例と同様にして、シリコン基板3と基板支持リング
4との貼り付けを行う。
1の保持回転機構体l上のシリコン基板3を予め発熱体
6によ9加熱膨張させる。そして、その状態で、第1の
実施例と同様にして、シリコン基板3と基板支持リング
4との貼り付けを行う。
すると、貼夛付は後、室温に戻った時、シリコン基板3
には残留応力が発生している。そのため、シリコン不要
部分のエツチング除去後のベース膜平面精度のより一層
の向上が期待できる。
には残留応力が発生している。そのため、シリコン不要
部分のエツチング除去後のベース膜平面精度のより一層
の向上が期待できる。
なお、上記第2の実施例では、シリコン基板3を加熱膨
張させたが、冷却収縮させてもよい5また、シリコン基
板3の代わ勺に、基板支持リング4を加熱または冷却し
てもよい。このように、シリコン基板3または基板支持
リング4を選択的に加熱または冷却できるのは、シリコ
ン基板3と基板支持リング4をそれぞれ別々の回転機構
体に保持されているからである。
張させたが、冷却収縮させてもよい5また、シリコン基
板3の代わ勺に、基板支持リング4を加熱または冷却し
てもよい。このように、シリコン基板3または基板支持
リング4を選択的に加熱または冷却できるのは、シリコ
ン基板3と基板支持リング4をそれぞれ別々の回転機構
体に保持されているからである。
(発明の効果)
以上詳細に説明したように、この発明のX線マスク製作
方法によれば、塗布された液体接着剤は遠心力で均一化
され、またX線マスク基板は保持回転機構体に吸着され
て反りは矯正されておシ、そして、その状態で貼り付け
が行われるので、平面精度の良いシリコン基板貼夛付け
を行うことができる。
方法によれば、塗布された液体接着剤は遠心力で均一化
され、またX線マスク基板は保持回転機構体に吸着され
て反りは矯正されておシ、そして、その状態で貼り付け
が行われるので、平面精度の良いシリコン基板貼夛付け
を行うことができる。
(図面)
第1図はこの発明のX線マスク製作方法の第1の実施例
に使用される貼シ付は装置を示す断面図、第2図はこの
発明の第2の実施例に使用される貼υ付は装置を示す断
面図である。 l・・・第1の保持回転機構体、2・・・第2の保持回
転機構体、3・・・シリコン基板、4・・一基板支持リ
ング、5・・・感光性樹脂。 七〇
に使用される貼シ付は装置を示す断面図、第2図はこの
発明の第2の実施例に使用される貼υ付は装置を示す断
面図である。 l・・・第1の保持回転機構体、2・・・第2の保持回
転機構体、3・・・シリコン基板、4・・一基板支持リ
ング、5・・・感光性樹脂。 七〇
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)X線マスク基板および基板支持リングを2つの保
持回転機構体に吸着して、同心的に等速度で別々に回転
させながら、 (b)前記基板支持リング上に塗布した液体接着剤を遠
心力で均一にした後に、 (c)片方の保持回転機構体を移動させてX線マスク基
板と基板支持リングを貼り付けることを特徴とするX線
マスク製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250849A JPS62112324A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | X線マスク製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60250849A JPS62112324A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | X線マスク製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112324A true JPS62112324A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17213918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60250849A Pending JPS62112324A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | X線マスク製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112324A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010185512A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Toyota Motor Corp | 湿式フリクションプレート |
| US7984801B2 (en) | 2007-01-16 | 2011-07-26 | Nsk-Warner Kabushiki Kaisha | Friction plate for wet multi-plate clutch |
| US8327992B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Nsk-Warner K.K. | Friction plate and wet-type multi-plate clutch having such friction plate |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP60250849A patent/JPS62112324A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8327992B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Nsk-Warner K.K. | Friction plate and wet-type multi-plate clutch having such friction plate |
| US8714333B2 (en) | 2005-12-20 | 2014-05-06 | Nsk-Warner K.K. | Friction plate and wet-type multi-plate clutch having such friction plate |
| US7984801B2 (en) | 2007-01-16 | 2011-07-26 | Nsk-Warner Kabushiki Kaisha | Friction plate for wet multi-plate clutch |
| JP2010185512A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Toyota Motor Corp | 湿式フリクションプレート |
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